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占空比/電壓轉(zhuǎn)換電路的制作方法

文檔序號(hào):7525233閱讀:863來源:國知局
專利名稱:占空比/電壓轉(zhuǎn)換電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種占空比/電壓轉(zhuǎn)換電路,并且尤其涉及一種具有減小的輸出電壓的脈動(dòng)和改善的響應(yīng)的低成本且高精度的占空比/電壓轉(zhuǎn)換電路。
背景技術(shù)
作為用于將PWM信號(hào)的占空比轉(zhuǎn)換成電壓的器件,轉(zhuǎn)換精度高并且成本低廉的CR濾波器(電容器-電阻器積分電路)被經(jīng)常使用(見圖2)。然而,現(xiàn)存的CR濾波器不能同時(shí)實(shí)現(xiàn)在占空比改變時(shí)良好地輸出電壓響應(yīng)以及減小包含在輸出電壓中的脈動(dòng)電壓。將詳細(xì)描述與本發(fā)明相關(guān)的技術(shù)。如圖2所示,占空比/電壓轉(zhuǎn)換電路201包括CR濾波器(CR積分電路)200,CR濾波器200進(jìn)一步包括作為組成元件的第一電阻器203、 電容器204以及第二電阻器205。第二電阻器205為連接至第一電阻器203與電容器204之間的連接點(diǎn)的負(fù)載電阻器。第一電阻器203的電阻值和電容器204的電容值與所輸出的電壓的平均值無關(guān)。從輸出端子207輸出的電壓的平均值僅取決于輸入信號(hào)的占空比。因此,占空比/電壓轉(zhuǎn)換電路201能夠高度精確地將占空比轉(zhuǎn)換成電壓。然而,在占空比/電壓轉(zhuǎn)換電路201中,在輸入信號(hào)的占空比改變的情況下輸出電壓改變所持續(xù)的響應(yīng)時(shí)間與在同一情況下產(chǎn)生的輸出電壓的脈沖分量(即脈動(dòng),其取決于輸入頻率)彼此沖突,導(dǎo)致了在要求高響應(yīng)速度的使用中有不利的較大脈動(dòng)的問題。也就是說問題在于雖然能夠通過減小時(shí)間常數(shù)τ來縮短響應(yīng)時(shí)間,但是如果減小時(shí)間常數(shù)τ,則脈動(dòng)的振幅變大。在公開號(hào)為No. 6-37641 (JP-A-6-37641)的日本專利申請(qǐng)中,圖I公開了能夠?qū)WM信號(hào)轉(zhuǎn)換成脈動(dòng)量小的電壓信號(hào)的脈沖寬度/電壓轉(zhuǎn)換電路。此脈沖寬度/電壓轉(zhuǎn)換電路包括對(duì)PWM信號(hào)進(jìn)行積分的第一 CR積分電路、連接至第一 CR積分電路的輸出的模擬開關(guān)器件,以及當(dāng)開關(guān)器件接通時(shí)連接至第一 CR積分電路的第二 CR積分電路。開關(guān)器件在PWM信號(hào)的高電平期間關(guān)斷,而在PWM信號(hào)的低電平期間接通。脈沖寬度/電壓轉(zhuǎn)換電路輸出作為最終轉(zhuǎn)換電壓的由第二CR積分電路保持的PWM信號(hào)的低電平期間的電壓的平均值。然而,整個(gè)PWM信號(hào)(覆蓋信號(hào)的高電平期間和信號(hào)的低電平期間)的平均電壓大于低電平期間的平均電壓。因此,此脈沖寬度/電壓轉(zhuǎn)換電路存在的問題是不能在輸出電壓上直接反映PWM信號(hào)的占空比(即,與直接反映占空比的情況相比較,產(chǎn)生了誤差)。通過增加第一積分電路的時(shí)間常數(shù),能夠在一定程度上減小誤差的大小。然而,這涉及到的問題是當(dāng)PWM信號(hào)的占空比改變時(shí),輸出電壓的隨動(dòng)延遲。此外,當(dāng)占空比為100% (持續(xù)在高電平)時(shí),產(chǎn)生另一個(gè)問題因?yàn)榈诙?CR積分電路的輸入端子一直是開路的,所以第二 CR積分電路的輸出電壓變得不穩(wěn)定,而第一 CR積分電路的輸出電壓變成最大。公開號(hào)為No. 6-37641 (JP-A-6-37641)的日本專利申請(qǐng)中公開了具有與上述大致相同的問題的其它實(shí)施例,并且還具有零部件數(shù)量增加的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種減小了輸出電壓的脈動(dòng)并改善了響應(yīng)的低成本、高精確度的占空比/電壓轉(zhuǎn)換電路。本發(fā)明的一個(gè)方案涉及一種將輸入信號(hào)的占空比轉(zhuǎn)換成電壓電平并且輸出所述電壓電平的占空比/電壓轉(zhuǎn)換電路。所述占空比/電壓轉(zhuǎn)換電路包括輸入端子,所述輸入信號(hào)輸入至所述輸入端子;第一 CR積分電路,其對(duì)來自所述輸入端子的所述輸入信號(hào)進(jìn)行積分;負(fù)載電阻器,其第一端直接或者間接連接至所述第一 CR積分電路的輸出點(diǎn),并且其第二端接地;以及輸出端子,其連接至所述負(fù)載電阻器。所述第一 CR積分電路包括具有第一電阻器的第一路徑以及具有其中反相部、第二電阻器以及第一電容器串聯(lián)連接的第二路徑,并且所述第一 CR積分電路是其中所述第一路徑的第一端和第二端分別連接至所述第二路徑的第一端和第二端的并聯(lián)電路,并且,所述第一路徑的所述第一端與所述第二路徑的所述第一端之間的連接點(diǎn)連接至所述輸入端子,并且所述第一路徑的所述第二端與所述第二路徑的所述第二端之間的連接點(diǎn)是所述第一 CR積分電路的所述輸出點(diǎn)。根據(jù)上述占空比/電壓轉(zhuǎn)換電路,與現(xiàn)有技術(shù)的占空比/電壓轉(zhuǎn)換電路相比較,在輸入信號(hào)的低頻區(qū)域中,第一 CR積分電路的輸出阻抗值減小,并且在負(fù)載電阻器上產(chǎn)生的 電壓變高(低頻增益變大)。因此,與現(xiàn)有技術(shù)的占空比/電壓轉(zhuǎn)換電路相比較,在上述本發(fā) 明的占空比/電壓轉(zhuǎn)換電路中能夠改善在輸入信號(hào)的占空比改變時(shí)輸出電壓的響應(yīng)。此夕卜,與現(xiàn)有技術(shù)的占空比/電壓轉(zhuǎn)換電路相比較,在輸入信號(hào)的高頻區(qū)域中,第一 CR積分電路的輸出阻抗值變大,并且因此在本發(fā)明的占空比/電壓轉(zhuǎn)換電路中輸入信號(hào)的高頻分量較不容易通過電路(高頻增益減小)。因此,能夠減小輸出電壓的脈動(dòng)。此外,因?yàn)樵谳斎胄盘?hào)的高電平期間和在輸入信號(hào)的低電平期間均執(zhí)行占空比/電壓轉(zhuǎn)換,所以本發(fā)明的占空比/電壓轉(zhuǎn)換電路能夠執(zhí)行能夠精確反映占空比的高精度轉(zhuǎn)換。此外,由于相對(duì)簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu),本發(fā)明的上述方案提供了一種低成本的占空比/電壓轉(zhuǎn)換電路。在所述第二路徑中的所述反相部、所述第二電阻器以及所述第一電容器可以自所述輸入端子順次串聯(lián)連接。根據(jù)此結(jié)構(gòu),在第二路徑中對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行反相,并且將經(jīng)反相的信號(hào)引導(dǎo)至第一電容器。因此,經(jīng)由第一路徑引導(dǎo)至第一電容器的信號(hào)與經(jīng)由第二路徑引導(dǎo)至第一電容器的信號(hào)在相位上相反,以使電荷必然聚集在第一電容器中。所述負(fù)載電阻器可以是對(duì)從所述輸出點(diǎn)發(fā)送出的信號(hào)進(jìn)行積分的第二 CR積分電路。根據(jù)此結(jié)構(gòu),輸入至第二 CR積分電路的信號(hào)被平均(變平)了。因此,能夠從輸出端子獲得穩(wěn)定的輸出電壓。所述第二 CR積分電路可以包括其第一端連接至所述輸出點(diǎn)的第三電阻器,以及其第一端連接至所述第三電阻器的第二端并且其第二端接地的第二電容器,并且所述第三電阻器與所述第二電容器之間的連接點(diǎn)連接至所述輸出端子。根據(jù)此結(jié)構(gòu),能夠更確切地從輸出端子獲得穩(wěn)定的輸出電壓。N級(jí)的第三CR積分電路可以連接至所述第二 CR積分電路作為接續(xù)至所述第二 CR積分電路的多個(gè)級(jí),其中N為等于或者大于I的任意整數(shù);在自所述輸入端子側(cè)起的連接順序中為第一級(jí)的所述第三CR積分電路的第一端可以連接至所述第二 CR積分電路的所述第三電阻器與所述第二電容器之間的連接點(diǎn);在自所述輸入端子側(cè)起的所述連接順序中為第一級(jí)的所述第三CR積分電路的所述電容器的第一端可以連接至在自所述輸入端子側(cè)起的所述連接順序中為第一級(jí)的所述第三CR積分電路的第二端;在自所述輸入端子側(cè)起的所述連接順序中為第一級(jí)的所述第三CR積分電路的所述電容器的第二端可以接地;在所述連接順序中的第二級(jí)和后續(xù)各級(jí)的所述第三CR積分電路的每一個(gè)的所述電阻器的第一端可以連接至前一級(jí)的所述第三CR積分電路的所述電阻器與所述電容器之間的連接點(diǎn);所述第二級(jí)和后續(xù)各級(jí)的所述第三CR積分電路的每一個(gè)的所述電容器的第一端可以連接至同一級(jí)的所述第三CR積分電路的電阻器的第二端;并且所述第二級(jí)和后續(xù)各級(jí)的所述第三CR積分電路的每一個(gè)的所述電容器的第二端可以接地。根據(jù)此結(jié)構(gòu),信號(hào)被第二 CR積分電路和第三CR積分電路平均(變平)。因此,能夠從輸出端子獲得更穩(wěn)定的輸出電壓。所述輸出端子可以連接至在所述N級(jí)的所述第三CR積分電路中位于所述連接順序中的終端級(jí)的所述第三CR積分電路的所述電阻器與所述電容器之間的所述連接點(diǎn)。根據(jù)此結(jié)構(gòu),能夠更確切地從輸出端子獲得穩(wěn)定的輸出電壓?!?br> 所述負(fù)載電阻器的第一端可以經(jīng)由M級(jí)的第四CR積分電路連接至所述輸出點(diǎn),其中M為等于或者大于I的任意整數(shù);各個(gè)所述第四CR積分電路可以并聯(lián)連接至所述第一電容器,并且每個(gè)所述第四CR積分電路可以均具有在電阻器之間串聯(lián)連接電容器的結(jié)構(gòu),并且所述負(fù)載電阻器的第一端可以連接至在所述M級(jí)的所述第四CR積分電路中位于終端級(jí)的所述第四CR積分電路的所述電容器與一個(gè)所述電阻器之間的連接點(diǎn)。根據(jù)此結(jié)構(gòu),與現(xiàn)有技術(shù)的占空比/電壓轉(zhuǎn)換電路相比較,在輸入信號(hào)的高頻區(qū)域中第一 CR積分電路和第四CR積分電路的輸出阻抗值變大,并且因此輸入信號(hào)的高頻分量更不容易通過電路(高頻增益減小)。此外,與本發(fā)明的第一方案的上述基本結(jié)構(gòu)相比較,此結(jié)構(gòu)由于第四CR積分電路的輸出阻抗值而在輸入信號(hào)的高頻區(qū)域中具有增加的輸出阻抗值,并且因此甚至更不容易允許輸入信號(hào)的高頻分量的通過(具有甚至更小的高頻增益)。因此,能夠進(jìn)一步減小輸出電壓的脈動(dòng)。第五CR積分電路可以連接至所述第一路徑的中間部分,并且第六CR積分電路可以連接至所述第二路徑的中間部分;所述第五CR積分電路的電阻器的第一端可以連接至所述輸入端子,并且所述第五CR積分電路的所述電阻器的第二端可以連接至所述第一電阻器的第一端;所述第五CR積分電路的電容器的第一端可以連接至所述第五CR積分電路的所述電阻器與所述第一電阻器之間的連接部分,并且所述第五CR積分電路的所述電容器的第二端可以接地;所述第六CR積分電路的電阻器的第一端可以連接至所述反相部的輸出側(cè),并且所述第六CR積分電路的所述電阻器的第二端可以連接至所述第二電阻器的第一端;并且所述第六CR積分電路的電容器的第一端可以連接至所述第六CR積分電路的所述電阻器與所述第二電阻器之間的連接部分,并且所述第六CR積分電路的所述電容器的第二端可以接地。根據(jù)此結(jié)構(gòu),由于配備有第五CR積分電路和第六CR積分電路,所以即使輸入信號(hào)具有矩形波,由第五CR積分電路和第六CR積分電路輸出發(fā)送出的信號(hào)也具有平緩上升和下降的形式。由于這個(gè)原因,即使在反相部的輸出信號(hào)中發(fā)生時(shí)間延遲,也可以在第一路徑的輸出信號(hào)與第二路徑的輸出信號(hào)的總和(在輸出點(diǎn)處的多路復(fù)用信號(hào))中抑制棘波的出現(xiàn)。與現(xiàn)有技術(shù)的占空比/電壓轉(zhuǎn)換電路相比較,根據(jù)依照本發(fā)明上述方案的占空比/電壓轉(zhuǎn)換電路,可以提供一種減小輸出電壓的脈動(dòng)并改善響應(yīng)的低成本且高精度的占空比/電壓轉(zhuǎn)換電路。


通過下面參照附圖對(duì)示例性實(shí)施例的描述,本發(fā)明的上述以及進(jìn)一步的特征和優(yōu)勢(shì)將變得顯而易見,附圖中相似的標(biāo)記用于表示相似的元件,其中圖I是示出根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的占空比/電壓轉(zhuǎn)換電路的圖;圖2是示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的電壓轉(zhuǎn)換電路的示例的圖;圖3是示出第一實(shí)施例中的輸出電壓與現(xiàn)有技術(shù)中的輸出電壓之間的比較的示意圖;圖4是示出根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的占空比/電壓轉(zhuǎn)換電路的圖;`圖5是示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的占空比/電壓轉(zhuǎn)換電路的圖;圖6是示出將現(xiàn)有技術(shù)的占空比/電壓轉(zhuǎn)換電路與第二實(shí)施例的占空比/電壓轉(zhuǎn)換電路彼此并聯(lián)連接至信號(hào)輸入部分的結(jié)構(gòu)的圖;圖7是不出現(xiàn)有技術(shù)中的第一 CR積分電路的輸出阻抗值與第二實(shí)施例中的第一CR積分電路的輸出阻抗值之間的比較的圖;圖8是示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的電壓轉(zhuǎn)換電路的輸出電壓與第二實(shí)施例的電壓轉(zhuǎn)換電路的輸出電壓之間的比較的圖;圖9是示出在圖6所示的各個(gè)電壓轉(zhuǎn)換電路中的第一 CR積分電路與第二 CR積分電路之間插入具有增益比I的理想放大器的結(jié)構(gòu)的圖;圖10是示出圖9所示的占空比/電壓轉(zhuǎn)換電路的輸出電壓的圖;圖11是示出根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的占空比/電壓轉(zhuǎn)換電路的圖;圖12是示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的電壓轉(zhuǎn)換電路的示例的圖;圖13是示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的電路的輸出電壓的增益與第三實(shí)施例中的電路的輸出電壓的增益之間的比較的圖;圖14是示出根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的占空比/電壓轉(zhuǎn)換電路的圖;圖15是示出圖12所示的現(xiàn)有技術(shù)電路的輸出電壓的增益與第四實(shí)施例中的電路的輸出電壓的增益之間的比較的圖;圖16是示出根據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施例的占空比/電壓轉(zhuǎn)換電路的圖;圖17A至圖17D是用于示出第五實(shí)施例與另一個(gè)實(shí)施例比較的效果的圖,其中圖17A示出輸入信號(hào)的波形,圖17B示出由反相部對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行反相的狀態(tài),圖17C示出另一實(shí)施例中的輸出點(diǎn)處的多路復(fù)用信號(hào),圖17D不出在由第五CR積分電路處理如圖17A所示的信號(hào)并且由第六CR積分電路處理如圖17B所示的信號(hào)的情況下,第五實(shí)施例中的輸出點(diǎn)處的多路復(fù)用信號(hào);圖18是示出輸入信號(hào)為正弦波信號(hào)的情況的圖;以及圖19是示出在輸入信號(hào)為包括任意頻率分量的模擬信號(hào)的情況下,經(jīng)由旁通濾波器來處理輸入信號(hào)所獲得的輸出信號(hào)的圖。
具體實(shí)施方式
第一實(shí)施例將參照附圖描述本發(fā)明的第一實(shí)施例。圖I是示出根據(jù)第一實(shí)施例的占空比/電壓轉(zhuǎn)換電路的圖。根據(jù)本實(shí)施例的占空比/電壓轉(zhuǎn)換電路(以下簡(jiǎn)稱“電壓轉(zhuǎn)換電路”)是將輸入信號(hào)(PWM信號(hào))的占空比轉(zhuǎn)換成電壓電平,并且輸出該電壓電平的電路。電壓轉(zhuǎn)換電路I包括輸入端子2、第一 CR (電容器-電阻器)積分電路3、負(fù)載電阻器4以及輸出端子5。輸入信號(hào)(PWM信號(hào))輸入至輸入端子2。 第一 CR積分電路3對(duì)經(jīng)由輸入端子2輸入的輸入信號(hào)進(jìn)行積分。第一 CR積分電路3包括具有第一電阻器6的第一路徑7以及反相部8、第二電阻器9和第一電容器10在其中串聯(lián)連接的第二路徑11。第一 CR積分電路是并聯(lián)電路,其中第一路徑7的第一端和第二端分別連接至第二路徑11的第一端和第二端。在第一 CR積分電路3中,第一路徑7的第一端與第二路徑11的第一端之間的連接點(diǎn)連接至輸入端子2,并且第一路徑7的第二端與第二路徑11的第二端之間的連接點(diǎn)用作輸出點(diǎn)12。在第二路徑11中,反相部8、第二電阻器9和第一電容器10自輸入端子2側(cè)以前述順序串聯(lián)連接。負(fù)載電阻器4的第一端連接至第一 CR積分電路3的輸出點(diǎn)12,并且負(fù)載電阻器4的第二端接地。在圖I所示的示例性結(jié)構(gòu)中,配備負(fù)載電阻器4作為第三電阻器15。也就是說,第三電阻器15的第一端連接至輸出點(diǎn)12,并且第三電阻器15的第二端接地。順便提及的是,能夠改變負(fù)載電阻器4的形式,稍后將結(jié)合第二實(shí)施例等對(duì)其進(jìn)行描述。輸出端子5連接至負(fù)載電阻器4 (第三電阻器15)。在圖I所示的示例性結(jié)構(gòu)中,輸出端子5連接至第三電阻器15的上述第一端。接下來將以圖I所示的電路作為示例來描述電壓轉(zhuǎn)換電路I的操作。為取得更容易理解實(shí)施例的效果,下面的描述將與現(xiàn)有技術(shù)的電壓轉(zhuǎn)換電路同時(shí)進(jìn)行。圖2是示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的電壓轉(zhuǎn)換電路的示例的圖。如圖2所示,根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的電壓轉(zhuǎn)換電路20包括第一 CR積分電路200以及作為負(fù)載電阻器的第二電阻器205。第一 CR積分電路200包括其第一端連接至輸入端子203的第一電阻器203以及其第一端連接至第一電阻器203的第二端并且其第二端接地的第一電容器204。第二電阻器205的第一端連接至在第一電阻器203與第一電容器204之間的連接點(diǎn),并且第二電阻器205的第二端接地。第二電阻器205的第一端連接至輸出端子207。第一電阻器203的電阻值為R1 ( Ω )并且第二電阻器205的電阻值為R2 ( Ω )。另一方面,在根據(jù)本實(shí)施例的電壓轉(zhuǎn)換電路I中,第一電阻器6的電阻值為Rx(Ω),其中Rx=R1A0第二電阻器9的電阻值也為Rx (Ω)。電壓轉(zhuǎn)換電路I的第一電容器10的電容值等于現(xiàn)有技術(shù)的第一電容器204的電容值。此外,電壓轉(zhuǎn)換電路I的第三電阻器15的電阻值為R2 (Ω),該電阻值等于現(xiàn)有技術(shù)的第二電阻器204的電阻值。由于電阻值和電容值的上述設(shè)置,本實(shí)施例的電壓轉(zhuǎn)換電路I和現(xiàn)有技術(shù)的電壓轉(zhuǎn)換電路201在截止頻率上大致相等。首先,將考慮輸入信號(hào)的低頻分量。為了更容易理解,假設(shè)輸入信號(hào)(直流)具有OHz頻率。如果輸入信號(hào)的頻率為0HZ,則在本實(shí)施例中第一電容器10的阻抗值為無窮大,于是第一 CR積分電路3的輸出阻抗值為Rx (=^/2) (Ω)。另一方面,在現(xiàn)有技術(shù)中,如果輸入信號(hào)的頻率為OHz,則第一電容器204的阻抗值為無窮大,于是第一 CR積分電路200的輸出阻抗值為Ri( Ω )。也就是說,在本實(shí)施例中的第一 CR積分電路3的輸出阻抗值為在現(xiàn)有技術(shù)中的第一 CR積分電路200的輸出阻抗值的1/2。此處,當(dāng)考慮在本實(shí)施例中的第一電阻器6和第三電阻器15的分電壓和在現(xiàn)有技術(shù)中的第一電阻器203和第二電阻器205的分電壓時(shí),在低頻區(qū)域中,在本實(shí)施例中經(jīng)過第三電阻器15的電壓高于在現(xiàn)有技術(shù)中經(jīng)過第二電阻器205的電壓(即,在本實(shí)施例中的低頻增益高于在現(xiàn)有技術(shù)中的低頻增益)。因此,當(dāng)輸入的PWM信號(hào)的占空比時(shí),本實(shí)施例具有更佳的輸出電壓響應(yīng)。圖3是示出本實(shí)施例中的輸出電壓與現(xiàn)有技術(shù)中的輸出電壓之間的比較的示意圖。由圖3所圖示的能夠理解,就當(dāng)輸入信號(hào)的占空比改變時(shí)輸出電壓的響應(yīng)而言,在本實(shí)施例中的輸出電壓的曲線Vo-b比在現(xiàn)有技術(shù)中的輸出電壓的曲線Vo-a更佳。接下來,將考慮輸入信號(hào)的高頻分量。該高頻分量是其頻率充分高于截止頻率的分量。就輸入信號(hào)的高頻分量而言,在本實(shí)施例中,如果反相部8的輸出電阻值為0,則第一電容器10的阻抗值為O ( Ω ),并且第一 CR積分電路3的輸出阻抗值為Rx/2 ( Ω )。另一方面,在現(xiàn)有技術(shù)中,第一電容器204的阻抗值為O ( Ω ),并且由于其影響,第一 CR積分電路200的輸出阻抗值接近O (Ω)。當(dāng)考慮到在本實(shí)施例中的第一 CR積分電路3的輸出阻抗 值和第三電阻器15的分電壓以及在現(xiàn)有技術(shù)中的第一 CR積分電路200的輸出阻抗值和第二電阻器205的分電壓時(shí),在高頻區(qū)域內(nèi),在本實(shí)施例中的經(jīng)過第三電阻器15的電壓低于在現(xiàn)有技術(shù)中經(jīng)過第二電阻器205的電壓(即,在高頻增益上,本實(shí)施例大于現(xiàn)有技術(shù))。因此,在本實(shí)施例中,高頻分量容易衰減,并且輸出信號(hào)的脈動(dòng)振幅對(duì)應(yīng)地較小。由圖3能夠理解在本實(shí)施例中輸出電壓的曲線Vo-b在輸出電壓脈動(dòng)上小于在現(xiàn)有技術(shù)中的輸出電壓的曲線Vo-a。因此,根據(jù)本實(shí)施例,與根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的占空比/電壓轉(zhuǎn)換電路相比較,能夠減小輸出電壓的脈動(dòng)并且能夠改善響應(yīng)。此外,在輸入信號(hào)的高電平期間和在輸入信號(hào)的低電平期間均執(zhí)行占空比/電壓轉(zhuǎn)換,于是有可能執(zhí)行能夠精確反映占空比的高精度轉(zhuǎn)換。此夕卜,因?yàn)橄鄬?duì)簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu),所以本實(shí)施例提供了一種低成本的占空比/電壓轉(zhuǎn)換電路。第二實(shí)施例將參照附圖描述本發(fā)明的第二實(shí)施例。圖4是示出根據(jù)第二實(shí)施例的占空比/電壓轉(zhuǎn)換電路的圖。根據(jù)第二實(shí)施例的占空比/電壓轉(zhuǎn)換電路20與第一實(shí)施例的電路的不同在于負(fù)載電阻器4的配置,而就電路20的其他結(jié)構(gòu)而言,與第一實(shí)施例的電路大致相同。在第一實(shí)施例中的負(fù)載電阻器4是簡(jiǎn)單的電阻器,而在第二實(shí)施例中的負(fù)載電阻器4是對(duì)來自輸出點(diǎn)12的信號(hào)進(jìn)行積分的第二 CR積分電路14。第二 CR積分電路14包括其第一端連接至輸出點(diǎn)12的第三電阻器15以及其第一端連接至第三電阻器15的第二端的第二電容器16。第三電阻器15與第二電容器16之間的連接點(diǎn)連接至輸出端子5。第二實(shí)施例能夠取得與第一實(shí)施例大致相同的效果。將參照?qǐng)D5至圖10描述第二實(shí)施例的效果。圖5是示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的占空比/電壓轉(zhuǎn)換電路的圖。圖6是示出將現(xiàn)有技術(shù)的占空比/電壓轉(zhuǎn)換電路(以下簡(jiǎn)稱“電壓轉(zhuǎn)換電路”)與本實(shí)施例的占空比/電壓轉(zhuǎn)換電路(以下簡(jiǎn)稱“電壓轉(zhuǎn)換電路”)彼此并聯(lián)連接至信號(hào)輸入部分的結(jié)構(gòu)的圖。圖7是不出現(xiàn)有技術(shù)中的第一 CR積分電路的輸出阻抗值與本實(shí)施例中的第一 CR積分電路的輸出阻抗值之間的比較的圖。圖8是示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的電壓轉(zhuǎn)換電路的輸出電壓與本實(shí)施例的電壓轉(zhuǎn)換電路的輸出電壓之間的比較的圖。
圖5中所示的現(xiàn)有技術(shù)電壓轉(zhuǎn)換電路300與圖2中所示的現(xiàn)有技術(shù)電路200的不同之處在于圖2中所示的現(xiàn)有技術(shù)的第二電阻器205由第二 CR積分電路202代替,而其他結(jié)構(gòu)與圖2中所示的現(xiàn)有技術(shù)電路的結(jié)構(gòu)相同。在圖5中所示的現(xiàn)有技術(shù)電路300中,第二 CR積分電路202包括其第一端連接至第一 CR積分電路204的輸出點(diǎn)的第二電阻器205以及其第一端連接至第二電阻器205的第二端并且其第二端接地的第二電容器206。第二電阻器205與第二電容器206之間的連接點(diǎn)連接至輸出端子207。在圖6中,現(xiàn)有技術(shù)電壓轉(zhuǎn)換電路300和本實(shí)施例的電壓轉(zhuǎn)換電路20并聯(lián)連接的原因是為了將相同的信號(hào)輸入至現(xiàn)有技術(shù)電路和本實(shí)施例的電路。將考慮在圖6中當(dāng)從信號(hào)輸入部分輸入PWM信號(hào)時(shí)所獲得的輸出電壓。在圖7中,用曲線Gl以與第一實(shí)施例中大致相同的原理示出本實(shí)施例的電壓轉(zhuǎn)換電路20中的第一 IC積分電路3的輸出阻抗值。另一方面,在現(xiàn)有技術(shù)電壓轉(zhuǎn)換電路300中,用曲線G2示出第一積分電路200的輸出阻抗值。由曲線Gl和曲線G2能夠看出,在低 頻區(qū)域中,本實(shí)施例的電壓轉(zhuǎn)換電路20中的輸出阻抗值低于在現(xiàn)有技術(shù)電壓轉(zhuǎn)換電路300中的輸出阻抗值。此外,在高頻區(qū)域中,本實(shí)施例的電壓轉(zhuǎn)換電路20中的輸出阻抗值高于在現(xiàn)有技術(shù)電壓轉(zhuǎn)換電路300中的輸出阻抗值。因此,本實(shí)施例在低頻增益上高于現(xiàn)有技術(shù),而在高頻增益上低于現(xiàn)有技術(shù)。因?yàn)檫@樣,所以第二實(shí)施例能夠取得與第一實(shí)施例大致相同的效果。圖8是示出本實(shí)施例的輸出電壓與現(xiàn)有技術(shù)的輸出電壓之間的比較的圖。由圖8能夠理解,就當(dāng)輸入信號(hào)的占空比改變時(shí)輸出電壓的響應(yīng)而言,在本實(shí)施例中的輸出電壓的曲線Vo-b比在現(xiàn)有技術(shù)中的輸出電壓的曲線Vo-a更佳。順便提及的是,盡管在圖8所示的圖中,本實(shí)施例與現(xiàn)有技術(shù)在脈動(dòng)的振幅上似乎差別不大,但是通過適當(dāng)?shù)卦O(shè)置電阻值、電容值等,能夠放大本實(shí)施例與現(xiàn)有技術(shù)之間的脈動(dòng)振幅的差別。圖9是示出在圖6所示的電壓轉(zhuǎn)換電路20的第一 CR積分電路3與第二 CR積分電路14之間插入具有增益比I的理想放大器21,并且在電壓轉(zhuǎn)換電路300的第一 CR積分電路200與第二 CR積分電路202之間插入具有增益比I的理想放大器301的結(jié)構(gòu)的圖。插入理想放大器21和301的原因是形成能夠?qū)⒇?fù)載電阻器(第二 CR積分電路14和202)當(dāng)作好像其不連接至第一積分電路3和200的情況。圖10是示出來自圖9中所示的輸出端子5和207的輸出電壓的圖。如圖10所示,在本實(shí)施例中的輸出電壓的曲線Vo-b和在現(xiàn)有技術(shù)中的輸出電壓的曲線Vo-a彼此完全重合。這意味著,當(dāng)負(fù)載電阻器4連接至第一 CR積分電路3時(shí),本實(shí)施例的第一 CR積分電路3能夠取得上述效果。第三實(shí)施例將參照附圖描述本發(fā)明的第三實(shí)施例。圖11是示出根據(jù)第三實(shí)施例的占空比/電壓轉(zhuǎn)換電路的圖。根據(jù)第三實(shí)施例的占空比/電壓轉(zhuǎn)換電路23具有N (N為等于或者大于I的任意整數(shù))級(jí)的第三CR積分電路18連接成接續(xù)在第二 CR積分電路14之后的級(jí)的結(jié)構(gòu),該第三CR積分電路18與圖4所示的第二實(shí)施例中的該第二 CR積分電路14相同,作為自輸入側(cè)(即,鄰接于第二 CR積分電路14)第一級(jí)的第三CR積分電路18的電阻器19連接至第二 CR積分電路14的第三電阻器15與第二電容器16之間的連接點(diǎn),并且第二級(jí)以及后續(xù)級(jí)的各個(gè)第三CR積分電路18的電阻器19連接至前一級(jí)的第三CR積分電路18的電阻器19與電容器22之間的連接點(diǎn)。此外,輸出端子5連接至N級(jí)的第三CR積分電路18中位于最后一級(jí)(終端)的一個(gè)第三CR積分電路18的電阻器19與電容器22之間的連接點(diǎn)。在圖11所示的示例性結(jié)構(gòu)中,整數(shù)N被設(shè)置為2。順便提及的是,N可以被設(shè)置為1、3、4···。根據(jù)第三實(shí)施例,由第二 CR積分電路14和第三CR積分電路18將信號(hào)平均(變平)。因此,可從輸出端子5獲得更穩(wěn)定的輸出電壓。為了示出第三實(shí)施例的效果,對(duì)第三實(shí)施例和現(xiàn)有技術(shù)進(jìn)行比較。圖12是示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的電壓轉(zhuǎn)換電路的示例的圖。圖12所示的電壓轉(zhuǎn)換電路301包括與圖5所示的電壓轉(zhuǎn)換電路300等同的電路布置,并且配備第二 CR積分電路202作為接續(xù)在該電路配置之后的級(jí)。在圖5所示的現(xiàn)有技術(shù)中,一級(jí)的第二 CR積分電路202并聯(lián)連接至電容器204。另一方面,圖12所示的現(xiàn)有技術(shù)的電壓轉(zhuǎn)換電路301與圖5所示的現(xiàn)有技術(shù)電路的不同之處在于多級(jí)(在圖12所示的示例性布置中為三級(jí))的第二 CR積分電路202并聯(lián)連接至電容器204,但是其他結(jié)構(gòu)與圖5所示的現(xiàn)有技術(shù)的結(jié)構(gòu)大致相同。在圖12所示的現(xiàn)有技術(shù)電路中,第一級(jí)的第二 CR積分電路202包括其第一端連接至第一 CR積分電路200的輸出點(diǎn)的第二電阻器205以及其第一端連接至第二電阻器205的第二端并且其第二端接地的第二電容器206。第二級(jí)的第二 CR積分電路202包括其第一端連接至第一級(jí)第二 CR積分電路202的輸出點(diǎn)(即,在第一級(jí)的第二 CR積分電路202中的第二電阻器205與第二電容器206之間的連接點(diǎn))的第二電阻器205以及其第一端連接至第二電阻器205的第二端并且其第二端接地的第二電容器206。第三級(jí)以及后續(xù)級(jí)的第二 CR積分電路202以相同的方式構(gòu)造。對(duì)于最后一級(jí)(在圖12所示的示例性結(jié)構(gòu)中為第三級(jí))的第二 CR積分電路202而言,第二電阻器205與第二電容器206之間的連接點(diǎn)連接至輸出端子207。圖13是示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的輸出電壓的增益與第三實(shí)施例中的輸出電壓的增益之間的比較的圖。由圖13能夠看出,本實(shí)施例在低頻增益上高于現(xiàn)有技術(shù)而在高頻增益上低于現(xiàn)有技術(shù)。因此,與現(xiàn)有技術(shù)的占空比/電壓轉(zhuǎn)換電路相比較,本實(shí)施例能夠減小輸出電壓的脈動(dòng)并且能夠改善響應(yīng)。第四實(shí)施例將參照附圖描述本發(fā)明的第四實(shí)施例。圖14是示出根據(jù)第四實(shí)施 例的占空比/電壓轉(zhuǎn)換電路的圖。在根據(jù)第四實(shí)施例的占空比/電壓轉(zhuǎn)換電路24中,負(fù)載電阻器4 (也就是在圖14所示的示例性結(jié)構(gòu)中的第二 CR積分電路14)經(jīng)由M (M為等于或者大于I的任意整數(shù))級(jí)的第四CR積分電路25連接至與第一實(shí)施例的電路布置等同的電路布置的輸出點(diǎn)12。各個(gè)第四CR積分電路25具有第三電阻器29、第三電容器30和第四電阻器31順序串聯(lián)連接的結(jié)構(gòu)。對(duì)于第一級(jí)的第四CR積分電路25而言,第三電阻器29的第一端連接至輸出點(diǎn)12,并且第四電阻器31的第一端連接至第一電容器10與第二電阻器9之間的連接點(diǎn)。對(duì)于各個(gè)第二級(jí)以及后續(xù)級(jí)的第四CR積分電路25而言,第三電阻器29的第一端連接至在前一級(jí)的第四CR積分電路25中的第三電阻器29與第三電容器30之間的連接點(diǎn),并且第四電阻器31的第一端連接至在前一級(jí)的第四CR積分電路25中的第二電容器30與第四電阻器31之間的連接點(diǎn)。此外,在最后一級(jí)的第四CR積分電路25中的第三電阻器29與第三電容器30之間的連接點(diǎn)連接至負(fù)載電阻器4的第一端(也就是在圖14所示的示例性結(jié)構(gòu)中的第二CR積分電路14)。第四CR積分電路25與第一電容器10并聯(lián)連接。與現(xiàn)有技術(shù)的占空比/電壓轉(zhuǎn)換電路301 (見圖12)相比較,第四實(shí)施例的占空比/電壓轉(zhuǎn)換電路在輸入信號(hào)的高頻區(qū)域中的第一 CR積分電路3和第四CR積分電路25具有較大的輸出阻抗值,并且因此,只要兩個(gè)占空比/電壓轉(zhuǎn)換電路之間的時(shí)間常數(shù)相等,第四實(shí)施例的占空比/電壓轉(zhuǎn)換電路較不容易允許輸入信號(hào)的高頻分量通過(具有較小的高頻增益)。此外,與第三實(shí)施例相比較,第四實(shí)施例由于第四CR積分電路25的輸出阻抗值而在輸入信號(hào)的高頻區(qū)域中具有較大的輸出阻抗值,并且只要兩個(gè)實(shí)施例之間的時(shí)間常數(shù)相等,第四實(shí)施例的占空比/電壓轉(zhuǎn)換電路甚至更不容易允許輸入信號(hào)的高頻分量通過(具有甚至更小的高頻增益)。因此,第四實(shí)施例能夠進(jìn)一步減小輸出電壓的脈動(dòng)。圖15是示出圖12所示的現(xiàn)有技術(shù)電路的輸出電壓的增益與第四實(shí)施例中的電路的輸出電壓的增益之間的比較的圖。由圖15能夠看出,第四實(shí)施例在低頻增益上高于現(xiàn)有技術(shù)而在高頻增益上低于現(xiàn)有技術(shù)。此外,與第三實(shí)施例相比較,第四實(shí)施例由于第四CR積分電路25的輸出阻抗值而在輸入信號(hào)的高頻區(qū)域中在高頻增益上更低。第五實(shí)施例將參照附圖描述本發(fā)明的第五實(shí)施例。圖16是示出根據(jù)第五實(shí)施例的占空比/電壓轉(zhuǎn)換電路的圖。根據(jù)第五實(shí)施例的占空比/電壓轉(zhuǎn)換電路32與根據(jù)第三實(shí)施例的占空比/電壓·轉(zhuǎn)換電路23的不同之處在于第五CR積分電路33連接至第一路徑7的中間部分,并且第六CR積分電路34連接至第二路徑11的中間部分,而其他結(jié)構(gòu)與第三實(shí)施例的結(jié)構(gòu)大致相同。第五CR積分電路33包括電阻器26和電容器27。電阻器26的第一端連接至輸入端子2,并且電阻器26的第二端連接至第一電阻器6的第一端。電容器27的第一端連接至電阻器26與第一電阻器6之間的連接點(diǎn),并且電容器27的第二端接地。第六CR積分電路34包括電阻器28和電容器29。電阻器28的第一端連接至反相部8的輸出側(cè),并且電阻器28的第二端連接至第二電阻器9的第一端。電容器29的第一端連接至電阻器28與第二電阻器9之間的連接點(diǎn),并且電容器29的第二端接地。圖17A至圖17D是用于示出第五實(shí)施例與另一個(gè)實(shí)施例比較的效果的圖。圖17A示出輸入信號(hào)的波形,并且圖17B示出由反相部8對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行反相的狀態(tài)。圖17C示出另一實(shí)施例中的輸出點(diǎn)12處的多路復(fù)用信號(hào),并且圖17D示出在由第五CR積分電路33處理圖17A所示的信號(hào)并且由第六CR積分電路34處理圖17B所示的信號(hào)的情況下,第五實(shí)施例中的輸出點(diǎn)12處的多路復(fù)用信號(hào)?!愣裕聪嗖? (即,C-MOS反相器IC)在其輸入信號(hào)SI (見圖17A)與其輸出信號(hào)S2 (見圖17B)之間具有預(yù)定的時(shí)間延遲(反相所需的時(shí)間)。因此,在輸出點(diǎn)12處的多路復(fù)用信號(hào)S3中,產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于如圖17C所示的延遲時(shí)間的棘波30。因?yàn)橛锌赡軐⒓?0的高頻分量作為噪音輻射,所以優(yōu)選的是不產(chǎn)生棘波30。因此,配備第五CR積分電路33和第六CR積分電路34。根據(jù)第五實(shí)施例,由于配備了第五CR積分電路33和第六CR積分電路34,所以即使輸入信號(hào)SI具有如圖17A所示的矩形波,由第五CR積分電路33和第六CR積分電路34輸出的信號(hào)也具有平緩上升和下降的形式。由于這個(gè)原因,即使如圖17B所示在反相部8的輸出信號(hào)S2中發(fā)生時(shí)間延遲,也可以在第一路徑7的輸出信號(hào)與第二路徑11的輸出信號(hào)的總和(在輸出點(diǎn)12處的多路復(fù)用信號(hào)S4)中抑制棘波30的出現(xiàn)(見圖17D)。順便提及的是,盡管在上述實(shí)施例中,輸入信號(hào)是矩形波,但是輸入信號(hào)不限于矩形波。例如,輸入信號(hào)可以是如圖18所示的正弦波。在輸入信號(hào)為正弦波的情況下滿足提供用于判定信號(hào)是處于高電平還是處于低電平的閾值,如果信號(hào)電平超過閾值則將信號(hào)判定為處于高電平,并且如果信號(hào)電平小于閾值則將信號(hào)判定為處于低電平。如果正弦波的周期為T2并且每個(gè)周期中的高電平持續(xù)時(shí)間為Tl,則T1/T2為占空比。此外,輸入信號(hào)可以是如圖19所示包含任意頻率分量的模擬信號(hào)。在這種情況下,上述實(shí)施例中的反相部使用運(yùn)算放大器等代替C-MOS反相器1C。此外,在各個(gè)CR積分電路中,電阻器和電容器彼此替換。電阻器和電容器的這樣的互換將CR積分電路變?yōu)镃R微分電路。由于這個(gè)原因,能夠?qū)⑸鲜鰧?shí)施例應(yīng)用到在低頻區(qū)域中在截止特性上良好的旁路濾波器上。本發(fā)明適用于減小輸出電壓的脈動(dòng)并且改善響應(yīng)的占空比/電壓轉(zhuǎn)換電路。雖然已經(jīng)參照其示例性實(shí)施例描述了本發(fā)明,但是應(yīng)理解的是,本發(fā)明不限于所描述的實(shí)施例或者結(jié)構(gòu)。相反地,本發(fā)明有意覆蓋各種改進(jìn)和等同布置。此外,雖然以各種示例性組合和配置示出所公開的發(fā)明的各種元件,但是其他組合和配置,包括更多、更少或者僅有單個(gè)元件的組合和配置,也在所附的權(quán)利要求的范圍之內(nèi)?!?br> 權(quán)利要求
1.一種將輸入信號(hào)的占空比轉(zhuǎn)換成電壓電平并且輸出所述電壓電平的占空比/電壓轉(zhuǎn)換電路,所述占空比/電壓轉(zhuǎn)換電路包括 輸入端子,所述輸入信號(hào)輸入至所述輸入端子; 第一 CR積分電路,其對(duì)來自所述輸入端子的所述輸入信號(hào)進(jìn)行積分; 負(fù)載電阻器,其第一端直接或者間接連接至所述第一 CR積分電路的輸出點(diǎn),并且其第二端接地;以及 輸出端子,其連接至所述負(fù)載電阻器, 其中,所述第一 CR積分電路包括具有第一電阻器的第一路徑以及具有串聯(lián)連接的反相部、第二電阻器以及第一電容器的第二路徑,并且所述第一 CR積分電路是其中所述第一路徑的第一端和第二端分別連接至所述第二路徑的第一端和第二端的并聯(lián)電路,并且其中,所述第一路徑的所述第一端與所述第二路徑的所述第一端之間的連接點(diǎn)連接至所述輸入端子,并且所述第一路徑的所述第二端與所述第二路徑的所述第二端之間的連接點(diǎn)是所述第一 CR積分電路的所述輸出點(diǎn)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的占空比/電壓轉(zhuǎn)換電路,其中,在所述第二路徑中的所述反相部、所述第二電阻器以及所述第一電容器自所述輸入端子順次串聯(lián)連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的占空比/電壓轉(zhuǎn)換電路,其中,所述負(fù)載電阻器是對(duì)從所述輸出點(diǎn)發(fā)送出的信號(hào)進(jìn)行積分的第二 CR積分電路。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的占空比/電壓轉(zhuǎn)換電路,其特征在于,所述第二CR積分電路包括其第一端連接至所述輸出點(diǎn)的第三電阻器,以及其第一端連接至所述第三電阻器的第二端并且其第二端接地的第二電容器,并且所述第三電阻器與所述第二電容器之間的連接點(diǎn)連接至所述輸出端子。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的占空比/電壓轉(zhuǎn)換電路,其中 N級(jí)的第三CR積分電路連接至所述第二 CR積分電路作為接續(xù)至所述第二 CR積分電路的多個(gè)級(jí),其中N為等于或者大于I的任意整數(shù); 在自所述輸入端子側(cè)起的連接順序中為第一級(jí)的所述第三CR積分電路的第一端連接至所述第二 CR積分電路的所述第三電阻器與所述第二電容器之間的連接點(diǎn); 在自所述輸入端子側(cè)起的所述連接順序中為第一級(jí)的所述第三CR積分電路的所述電容器的第一端連接至在自所述輸入端子側(cè)起的所述連接順序中為第一級(jí)的所述第三CR積分電路的第二端; 在自所述輸入端子側(cè)起的所述連接順序中為第一級(jí)的所述第三CR積分電路的所述電容器的第二端接地; 在所述連接順序中的第二級(jí)和后續(xù)各級(jí)的所述第三CR積分電路的每一個(gè)的所述電阻器的第一端連接至前一級(jí)的所述第三CR積分電路的所述電阻器與所述電容器之間的連接占. 所述第二級(jí)和后續(xù)各級(jí)的所述第三CR積分電路的每一個(gè)的所述電容器的第一端連接至同一級(jí)的所述第三CR積分電路的所述電阻器的第二端;并且 所述第二級(jí)和后續(xù)各級(jí)的所述第三CR積分電路的每一個(gè)的所述電容器的第二端接地。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的占空比/電壓轉(zhuǎn)換電路,其中,所述輸出端子連接至在所述N級(jí)的所述第三CR積分電路中位于所述連接順序中的終端級(jí)的所述第三CR積分電路的所述電阻器與所述電容器之間的所述連接點(diǎn)。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的占空比/電壓轉(zhuǎn)換電路,其中 所述負(fù)載電阻器的第一端經(jīng)由M級(jí)的第四CR積分電路連接至所述輸出點(diǎn),其中M為等于或者大于I的任意整數(shù); 各個(gè)所述第四CR積分電路并聯(lián)連接至所述第一電容器,并且每個(gè)所述第四CR積分電路均具有在電阻器之間串聯(lián)連接電容器的結(jié)構(gòu),并且 所述負(fù)載電阻器的第一端連接至在所述M級(jí)的所述第四CR積分電路中位于終端級(jí)的所述第四CR積分電路的所述電容器與一個(gè)所述電阻器之間的連接點(diǎn)。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的占空比/電壓轉(zhuǎn)換電路,其中 第五CR積分電路連接至所述第一路徑的中間部分,并且第六CR積分電路連接至所述第二路徑的中間部分; 所述第五CR積分電路的電阻器的第一端連接至所述輸入端子,并且所述第五CR積分電路的所述電阻器的第二端連接至所述第一電阻器的第一端; 所述第五CR積分電路的電容器的第一端連接至所述第五CR積分電路的所述電阻器與所述第一電阻器之間的連接部分,并且所述第五CR積分電路的所述電容器的第二端接地;所述第六CR積分電路的電阻器的第一端連接至所述反相部的輸出側(cè),并且所述第六CR積分電路的所述電阻器的第二端連接至所述第二電阻器的第一端;并且 所述第六CR積分電路的電容器的第一端連接至所述第六CR積分電路的所述電阻器與所述第二電阻器之間的連接部分,并且所述第六CR積分電路的所述電容器的第二端接地。
全文摘要
一種將輸入信號(hào)的占空比轉(zhuǎn)換成電壓電平并且輸出電壓電平的占空比/電壓轉(zhuǎn)換電路(1)包括輸入端子(2),所述輸入信號(hào)輸入至所述輸入端子;第一CR積分電路(3),其對(duì)所述輸入信號(hào)進(jìn)行積分;負(fù)載電阻器(4),其第一端連接至所述第一CR積分電路的輸出點(diǎn)(12),并且其第二端接地;以及輸出端子(5),其連接至所述負(fù)載電阻器。所述第一CR積分電路包括具有第一電阻器(6)的第一路徑(7)以及其中反相部(8)、第二電阻器(9)以及第一電容器(10)串聯(lián)連接的第二路徑(11),并且所述第一CR積分電路是并聯(lián)電路,其中所述第一路徑的第一端和第二端分別連接至所述第二路徑的第一端和第二端。
文檔編號(hào)H03M1/82GK102907005SQ201180025285
公開日2013年1月30日 申請(qǐng)日期2011年5月12日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月21日
發(fā)明者水谷浩市, 安保正治, 山野上耕一 申請(qǐng)人:豐田自動(dòng)車株式會(huì)社, 偉世通環(huán)球技術(shù)有限公司
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