專利名稱：一種正弦波振蕩電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本申請涉及振蕩電路技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種正弦波振蕩電路。
背景技術(shù)：
正弦波振蕩電路是指在沒有外加輸入信號的情況下，依靠電路自己振蕩而產(chǎn)生的正弦波電壓的電路。當正弦波電壓作為驅(qū)動信號驅(qū)動其他電路時，對正弦波電壓的電壓幅度要求正弦波電壓的幅度基本不隨溫度變化而變化?，F(xiàn)有的正弦波振蕩電路，主要包括，正弦波產(chǎn)生電路、穩(wěn)幅電路，以及連接在所述正弦波產(chǎn)生電路和穩(wěn)幅電路之間通過二極管連接，由于正弦波振蕩電路在起振階段要求放大倍數(shù)較大，隨著正弦波電壓振幅的升高，需要逐漸降低所述放大倍數(shù)，從而使正弦波振蕩電路的幅度穩(wěn)定。所述穩(wěn)幅電路的作用是，檢測所述正弦波產(chǎn)生電路產(chǎn)生的正弦波電壓的幅度，并將檢測結(jié)果反饋到正弦波產(chǎn)生電路中的反饋電阻上，改變該反饋電阻的阻值，使正弦波電壓的幅度穩(wěn)定在一個二極管正向壓降上。但是，二極管的正向壓降的溫度系數(shù)較大，所以正弦波電壓的幅度會隨溫度的變化而變化，使得正弦波電壓的幅度不能穩(wěn)定在一個恒定值上。此外，由于所述二極管不易實現(xiàn)單片集成，一般放在片外，這樣就增加了電路成本。

發(fā)明內(nèi)容
為解決上述技術(shù)問題，本申請實施例提供一種正弦波振蕩電路，以解決現(xiàn)有的正弦波振蕩電路的正弦波電壓幅度隨溫度變化而變化的問題，技術(shù)方案如下一種正弦波振蕩電路，包括正弦波電壓產(chǎn)生電路、第一穩(wěn)幅電路、第二穩(wěn)幅電路和功率開關(guān)管，其中所述第一穩(wěn)幅電路的第一輸入端連接所述正弦波電壓產(chǎn)生電路的輸出端，該第一穩(wěn)幅電路的第二輸入端輸入有預設(shè)穩(wěn)幅電壓，該第一穩(wěn)幅電路的輸出端連接所述功率開關(guān)管的控制端；所述功率開關(guān)管的第一端連接所述正弦波電壓產(chǎn)生電路的輸出端，所述功率開關(guān)管的第二端連接所述第二穩(wěn)幅電路的第二輸入端；所述第二穩(wěn)幅電路的第一輸入端輸入有正弦波電壓產(chǎn)生電路所產(chǎn)生的正弦波電壓的共模電壓，該第二穩(wěn)幅電路的輸出電壓調(diào)節(jié)所述正弦波電壓產(chǎn)生電路的放大倍數(shù)。優(yōu)選的，所述第一穩(wěn)幅電路為第一比較器，該第一穩(wěn)幅電路的第一輸入端、第二輸入端分別為同相輸入端、反相輸入端；所述功率開關(guān)管為NMOS管，其第一端、第二端、控制端分別為源極、漏極、柵極。優(yōu)選的，所述第一穩(wěn)幅電路為第二比較器，且所述第一穩(wěn)幅電路的第一輸入端、第二輸入端分別為反相輸入端、同相輸入端；所述功率開關(guān)管為PMOS管，其第一端、第二端、控制端分別為源極、漏極、柵極。優(yōu)選的，所述第二穩(wěn)幅電路包括第二放大器、第一反饋電阻、第一反饋電容，其
4中所述第二放大器的同相輸入端輸入有所述正弦波電壓的共模電壓，反相輸入端連接所述正弦波電壓產(chǎn)生電路的輸出端，輸出端通過所述第一反饋電阻和第一反饋電容構(gòu)成的并聯(lián)支路連接至所述反相輸入端構(gòu)成反饋支路，且該輸出端輸出的電壓調(diào)節(jié)所述正弦波產(chǎn)生電路的放大倍數(shù)。優(yōu)選的，所述正弦波產(chǎn)生電路包括放大電路、選頻電路，其中所述放大電路的第一輸入端通過第一限流電阻連接所述選頻電路，第二輸入端輸入有正弦波電壓的共模電壓，輸出端連接所述第一穩(wěn)幅電路的第二輸入端，且該輸出端連接所述功率開關(guān)管的第一端。優(yōu)選的，所述選頻電路包括第一電容、第二電容、第三電容、第一電阻、第二電阻， 其中所述第一電容、第二電容和第三電容依次串聯(lián)，第一電容的一端連接所述放大電路的輸出端，第三電容的一端連接所述第一限流電阻，所述第一電容與所述第二電容的公共端通過所述第一電阻連接接地端，所述第二電容與所述第三電容的公共端通過所述第二電阻連接接地端。優(yōu)選的，所述放大電路包括第一放大器、第三電阻和第四電阻，其中所述第一放大器的反相輸入端通過所述第三電阻連接所述選頻電路，同相輸入端輸入有所述正弦波電壓的共模電壓，輸出端通過所述第四電阻連接所述反相輸入端，且該第四電阻的控制端連接所述第二放大器的輸出端。優(yōu)選的，所述放大電路包括第一放大器，第五電阻和第六電阻，其中所述第一放大器的反相輸入端通過所述第五電阻連接所述選頻電路，同相輸入端輸入有所述正弦波電壓的共模電壓，且該第五電阻的控制端連接所述第二放大器的輸出端，該第一放大器的輸出端通過所述第六電阻連接所述反相輸入端。由以上本申請實施例提供的技術(shù)方案可見，所述正弦波振蕩電路包括正弦波電壓產(chǎn)生電路、第一穩(wěn)幅電路、第二穩(wěn)幅電路和功率開關(guān)管，正弦波電壓產(chǎn)生電路輸出的正弦波電壓與預設(shè)穩(wěn)幅電壓經(jīng)過所述第一穩(wěn)幅電路進行比較，當所述正弦波電壓超過所述預設(shè)穩(wěn)幅電壓時，第一穩(wěn)幅電路輸出的電壓信號使所述功率開關(guān)管導通，從而使所述第二穩(wěn)幅電路輸出的電壓逐漸變低，進而使所述正弦波電壓產(chǎn)生電路的放大倍數(shù)減小，最終使輸出的正弦波電壓的幅度降低；當所述正弦波電壓低于所述預設(shè)穩(wěn)幅電壓時，所述功率開關(guān)管截止，所述第二穩(wěn)幅電路的輸出電壓逐漸升高，使得所述正弦波電壓產(chǎn)生電路的放大倍數(shù)增加，從而使正弦波電壓的幅度增加，最終穩(wěn)定在所述預設(shè)穩(wěn)幅電壓上。由于所述正弦波電壓僅與所述預設(shè)穩(wěn)幅電壓有關(guān)，因此，該正弦波振蕩電路輸出的正弦波電壓的幅度能夠穩(wěn)定在所述預設(shè)穩(wěn)幅電壓上，不會隨溫度變化而變化。此外，由于采用了可單片集成的NMOS管， 因此降低了電路成本。


為了更清楚地說明本申請實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本申請中記載的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本申請實施例一種正弦波振蕩電路的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本申請實施例另一種正弦波振蕩電路的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本申請實施例另一種正弦波振蕩電路的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本申請實施例另一種正弦波振蕩電路的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本申請實施例另一種正弦波振蕩電路的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式為了使本技術(shù)領(lǐng)域的人員更好地理解本申請中的技術(shù)方案，下面將結(jié)合本申請實施例中的附圖，對本申請實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本申請一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒旧暾堉械膶嵤├?，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都應(yīng)當屬于本申請保護的范圍。請參見圖1，示出了本申請實施例一種正弦波振蕩電路的結(jié)構(gòu)示意圖，該電路包括正弦波電壓產(chǎn)生電路101、第一穩(wěn)幅電路102、第二穩(wěn)幅電路103、功率開關(guān)管104，其中所述第一穩(wěn)幅電路102的第一輸入端連接所述正弦波電壓產(chǎn)生電路101的輸出端，第二輸入端輸入有預設(shè)穩(wěn)幅電壓VREF，輸出端連接所述功率開關(guān)管104的控制端。所述功率開關(guān)管104的第一端連接所述正弦波電壓產(chǎn)生電路101的輸出端，第二端連接所述第二穩(wěn)幅電路的第二輸入端。所述第二穩(wěn)幅電路的第一輸入端輸入有正弦波電壓的共模電壓，輸出端輸出的電壓信號能夠調(diào)節(jié)所述正弦波電壓產(chǎn)生電路101的放大倍數(shù)。所述正弦波振蕩電路的工作過程如下所述正弦波電壓產(chǎn)生電路101輸出的正弦波電壓與預設(shè)穩(wěn)幅電壓經(jīng)過所述第一穩(wěn)幅電路102進行比較，當所述正弦波電壓超過所述預設(shè)穩(wěn)幅電壓時，第一穩(wěn)幅電路102輸出的電壓信號使所述功率開關(guān)管104導通，從而使所述第二穩(wěn)幅電路103的第二輸入端的電壓升高，則該第二穩(wěn)幅電路103的輸出電壓逐漸變小，使得所述正弦波電壓產(chǎn)生電路101 的放大倍數(shù)減小，從而使所述正弦波電壓的幅度降低；當所述正弦波電壓低于所述預設(shè)穩(wěn)幅電壓時，所述功率開關(guān)管104截止，所述第二穩(wěn)幅電路103的輸出電壓逐漸升高，使得所述正弦波電壓產(chǎn)生電路的放大倍數(shù)增大，從而使正弦波電壓的幅度逐漸升高，最終，使正弦波電壓的幅度穩(wěn)定在所述預設(shè)穩(wěn)幅電壓上。綜上可知，本實施例提供的正弦波振蕩電路產(chǎn)生的正弦波電壓僅與所述預設(shè)穩(wěn)幅電壓及所述共模電壓有關(guān)，因此，該正弦波振蕩電路輸出的正弦波電壓的幅度能夠穩(wěn)定在所述預設(shè)穩(wěn)幅電壓上，不會隨溫度變化而變化。請參見圖2，示出了本申請實施例另一種正弦波振蕩電路的結(jié)構(gòu)示意圖，與圖1所示的電路相比，示出了具體的電路結(jié)構(gòu)示意圖。該正弦波振蕩電路包括，正弦波電壓產(chǎn)生電路、第一穩(wěn)幅電路、第二穩(wěn)幅電路、功率開關(guān)管Ni，其中，該功率開關(guān)管m為NMOS管。所述正弦波電壓產(chǎn)生電路包括第一放大器Al，第四電阻R5、選頻電路，所述選頻電路具體包括第一電容Cl、第二電容C2、第三電容C3、第一電阻R1、第二電阻R2，其中所述第一電容Cl、第二電容C2和第三電容C3依次串聯(lián)，第一電容Cl和第二電容 C2的公共端通過第一電阻Rl連接接地端，第二電容C2和第三電容C3的公共端通過第二電阻R2連接接地端，所述第一電容Cl的另一端連接所述第一放大器Al的輸出端，所述第三電容C3的另一端通過所述第三電阻R3連接所述第一放大器Al的反相輸入端輸。該第一放大器Al的同相輸入端輸入有正弦波電壓的共模電壓VCM。所述第一放大器Al的輸出端和反相輸入端之間連接有所述第四電阻R5，作為反饋支路。所述第一穩(wěn)幅電路為第一比較器A3，所述第二穩(wěn)幅電路包括第二放大器A2、第一反饋電阻R4和第一反饋電容C4，其中，所述第一反饋電阻R4和第一反饋電容C4并聯(lián)連接構(gòu)成并聯(lián)支路，該并聯(lián)支路決定了所述第二放大器A2的輸出電壓由低升高的速率。具體的，所述第一比較器A3的同相輸入端連接所述第一放大器Al的輸出端，第一比較器A3的反相輸入端輸入有所述預設(shè)穩(wěn)幅電壓VREF，輸出端連接所述NMOS管m的柵極。所述NMOS管附的源極端連接所述第一放大器Al的輸出端，漏極連接所述第二放大器A2的反相輸入端。所述第二放大器A2的同相輸入端輸入有所述共模電壓VCM，輸出端連接所述第四電阻R5，輸出端輸出的電壓信號能夠調(diào)節(jié)所述第四電阻R5的阻值，且該輸出端通過所述并聯(lián)支路連接所述第二放大器A2的反相輸入端。該正弦波振蕩電路的工作過程如下根據(jù)比較器的虛短原理，在所述NMOS管附未導通時，第二放大器A2的反相輸入端電壓VPD與同相輸入端電壓VCM相等。當正弦波電壓VOSC大于所述預設(shè)穩(wěn)幅電壓VREF 時，第一比較器A3輸出邏輯高電平，使得NMOS管m導通，從而使第二放大器A2的反相輸入端的電壓VPD升高，從而第二放大器A2的輸出電壓逐漸變低，使得第四電阻R5的阻值變小，使得第一放大器Al的放大倍數(shù)減小，從而使正弦波電壓VOSC的幅度變小；當正弦波電壓VOSC小于所述預設(shè)穩(wěn)幅電壓VREF時，第一比較器A3輸出邏輯低電平，使得NMOS管附截止，第二放大器A2的輸出電壓逐漸變高，使第四電阻R5的阻值逐漸變大，使得第一放大器Al的放大倍數(shù)變大，正弦波電壓VOSC的幅度也會變大，這樣，使該正弦波振蕩電路輸出的正弦波電壓VOSC的幅度穩(wěn)定在預設(shè)穩(wěn)幅電壓VREF上。所述正弦波電壓VOSC僅與預設(shè)穩(wěn)幅電壓VREF有關(guān)，所述預設(shè)穩(wěn)幅電壓VREF采用帶隙基準電路實現(xiàn)，能夠做到很低的溫度系數(shù)，因此，該正弦波振蕩電路輸出的正弦波電壓的幅度不隨溫度變化而變化。同時，本申請?zhí)峁┑恼也ㄕ袷庪娐分械钠骷軌蜻M行單片集成，不必使用二極管，減少了對二極管的封裝成本，降低了該電路的成本。請參見圖3，示出了另一種正弦波振蕩電路的結(jié)構(gòu)示意圖，與圖2對應(yīng)的實施例不同的是，本實施例中的功率開關(guān)管為PMOS管。該電路包括PM0S管P1、正弦電壓產(chǎn)生電路、第一穩(wěn)幅電路、第二穩(wěn)幅電路。正弦電壓產(chǎn)生電路包括第一放大器Al、第四電阻R5及選頻電路，其中選頻電路包括第一電容Cl、第二電容C2、第三電容C3、第一電阻R1、第二電阻R2 ；第一穩(wěn)幅電路為第二比較器A4 ；第二穩(wěn)幅電壓包括第二放大器A2及并聯(lián)連接的第四電阻R4和第四電容C4。具體的，所述第二比較器A4的同相輸入端輸入有所述預設(shè)穩(wěn)幅電壓VREF，反相輸入端連接有所述第一放大器Al的輸出端，該第二比較器A4的輸出端連接所述PMOS管Pl的柵極，源極連接所述第一放大器Al的輸出端，漏極連接所述第二放大器A2的反相輸入端。本實施例中的正弦電壓產(chǎn)生電路、第二穩(wěn)幅電路的電路結(jié)構(gòu)分別與圖2對應(yīng)的實施例中的正弦波電壓產(chǎn)生電路及第二穩(wěn)幅電路的電路結(jié)構(gòu)相同，此處不再贅述。該正弦波振蕩電路的工作過程如下當正弦波電壓VOSC大于所述預設(shè)穩(wěn)幅電壓VREF時，第二比較器A4輸出邏輯低電平，此時，PMOS管Pl導通，使得第二放大器A2的反相輸入端的電壓VPD升高，使第二放大器 A2的輸出電壓逐漸變低，從而使第四電阻R5的阻值變小，使得第一放大器Al的放大倍數(shù)變小，正弦波電壓VOSC的幅度跟隨變??；當正弦波電壓VOSC小于所述預設(shè)穩(wěn)幅電壓VREF 時，第二比較器A4輸出邏輯高電平，PMOS管Pl截止，第二放大器A2的輸出電壓逐漸變高， 從而使第四電阻R5的阻值逐漸變大，使得第一放大器Al的放大倍數(shù)變大，正弦波電壓VOSC 的幅度跟隨變大，這樣，正弦波電壓VOSC能夠穩(wěn)定在預設(shè)穩(wěn)幅電壓VREF上。本實施例中的正弦波振蕩電路中的所述預設(shè)穩(wěn)幅電壓VREF通過帶隙基準電路實現(xiàn)，能夠做到很低的溫度系數(shù)，因此，該正弦波振蕩電路輸出的正弦波電壓的幅度不隨溫度變化而變化。此外，無需使用二極管，因此降低了電路成本。圖2和圖3對應(yīng)的實施例中的第四電阻R5的阻值隨第二放大器A2的輸出電壓的降低而變小，且第四電阻R5的阻值隨第二放大器A2的輸出電壓的升高而升高，具體的，該第四電阻R5可以通過PMOS管實現(xiàn)。第一放大器Al的放大倍數(shù)為R5/R3，因此，當?shù)谒碾娮?R5的阻值減小時，第一放大器Al的放大倍數(shù)變小，當所述第四電阻R5的阻值增大時，第一放大器Al的放大倍數(shù)變大。下面將介紹另一種實施例，實現(xiàn)第二放大器A2的輸出電壓升高時，可調(diào)電阻的阻值變小，而第一放大器Al的放大倍數(shù)變大。參見圖4，示出了另一種正弦波振蕩電路的結(jié)構(gòu)示意圖，與圖2對應(yīng)的實施例不同的是，可調(diào)電阻的位置不同。具體的，如圖所示，第六電阻R7作為反饋電阻連接在所述第一放大器Al的反相輸入端和輸出端之間，所述第五電阻R6串接在所述第一放大器Al的反相輸入端上，且第五電阻R6的控制端與所述第二放大器的輸出端相連，此時，該第一放大器Al的放大倍數(shù)為R7/ R6。具體的，當正弦波電壓VOSC的幅度高于所述預設(shè)穩(wěn)幅電壓VREF時，所述第二放大器A2的輸出電壓逐漸降低，所述第五電阻R6的阻值變大，第一放大器Al的放大倍數(shù)變小， 正弦波電壓VOSC的幅度減小。當正弦波電壓VOSC的幅度低于所述預設(shè)穩(wěn)幅電壓VREF時， 所述第二放大器A2的輸出電壓逐漸升高，所述第五電阻R6的阻值變小，第一放大器Al的放大倍數(shù)變大，正弦波電壓VOSC的幅值增大。最終使該正弦波振蕩電路輸出的正弦波電壓幅度穩(wěn)定在預設(shè)穩(wěn)幅電壓VREF上。請參見圖5，示出了又一種正弦波振蕩電路的結(jié)構(gòu)示意圖，與圖3對應(yīng)的實施例不同的是，可調(diào)電阻的位置不同。具體的，如圖5所示，第六電阻R7連接在第一放大器Al的反相輸入端和輸出端之間，第五電阻R6串接在第一放大器的反相輸入端上，且第五電阻R6的控制端與所述第二放大器A2的輸出端相連，此時，該第一放大器Al的放大倍數(shù)為R7/R6。當正弦波電壓VOSC的幅度高于所述預設(shè)穩(wěn)幅電壓VREF時，所述第二放大器A2的輸出電壓降低，第五電阻R5的阻值變大，第一放大器Al的放大倍數(shù)變小，正弦波電壓VOSC 的幅度變小。當正弦波電壓VOSC的幅度低于所述預設(shè)穩(wěn)幅電壓VREF時，所述第二放大器 A2的輸出電壓逐漸升高，所述第五電阻R6的阻值變小，第一放大器Al的放大倍數(shù)變大，正弦波電壓VOSC的幅度變大。最終使該正弦波振蕩電路輸出的正弦波電壓幅度穩(wěn)定在預設(shè)穩(wěn)幅電壓VREF上。需要說明的是，本申請圖4和圖5對應(yīng)的實施例中正弦電壓產(chǎn)生電路中的第五電阻可以通過NMOS管實現(xiàn)，但是并不能造成對本申請保護和公開范圍的限制，凡是阻值能夠根據(jù)控制電壓的變化而變化的元件均可實現(xiàn)。本說明書中的各個實施例均采用遞進的方式描述，各個實施例之間相同相似的部分互相參見即可，每個實施例重點說明的都是與其他實施例的不同之處。需要說明的是，在本文中，諸如第一和第二等之類的關(guān)系術(shù)語僅僅用來將一個實體或者操作與另一個實體或操作區(qū)分開來，而不一定要求或者暗示這些實體或操作之間存在任何這種實際的關(guān)系或者順序。以上所述僅是本申請的具體實施方式
，應(yīng)當指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本申請原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應(yīng)視為本申請的保護范圍。
權(quán)利要求
1.一種正弦波振蕩電路，其特征在于，包括正弦波電壓產(chǎn)生電路、第一穩(wěn)幅電路、第二穩(wěn)幅電路和功率開關(guān)管，其中所述第一穩(wěn)幅電路的第一輸入端連接所述正弦波電壓產(chǎn)生電路的輸出端，該第一穩(wěn)幅電路的第二輸入端輸入有預設(shè)穩(wěn)幅電壓，該第一穩(wěn)幅電路的輸出端連接所述功率開關(guān)管的控制端；所述功率開關(guān)管的第一端連接所述正弦波電壓產(chǎn)生電路的輸出端，所述功率開關(guān)管的第二端連接所述第二穩(wěn)幅電路的第二輸入端；所述第二穩(wěn)幅電路的第一輸入端輸入有正弦波電壓產(chǎn)生電路所產(chǎn)生的正弦波電壓的共模電壓，該第二穩(wěn)幅電路的輸出電壓調(diào)節(jié)所述正弦波電壓產(chǎn)生電路的放大倍數(shù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的正弦波振蕩電路，其特征在于，所述第一穩(wěn)幅電路為第一比較器，該第一穩(wěn)幅電路的第一輸入端、第二輸入端分別為同相輸入端、反相輸入端；所述功率開關(guān)管為NMOS管，其第一端、第二端、控制端分別為源極、漏極、柵極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的正弦波振蕩電路，其特征在于，所述第一穩(wěn)幅電路為第二比較器，且所述第一穩(wěn)幅電路的第一輸入端、第二輸入端分別為反相輸入端、同相輸入端；所述功率開關(guān)管為PMOS管，其第一端、第二端、控制端分別為源極、漏極、柵極。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的正弦波振蕩電路，其特征在于，所述第二穩(wěn)幅電路包括第二放大器、第一反饋電阻、第一反饋電容，其中所述第二放大器的同相輸入端輸入有所述正弦波電壓的共模電壓，反相輸入端連接所述正弦波電壓產(chǎn)生電路的輸出端，輸出端通過所述第一反饋電阻和第一反饋電容構(gòu)成的并聯(lián)支路連接至所述反相輸入端構(gòu)成反饋支路，且該輸出端輸出的電壓調(diào)節(jié)所述正弦波產(chǎn)生電路的放大倍數(shù)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的正弦波振蕩電路，其特征在于，所述正弦波產(chǎn)生電路包括放大電路、選頻電路，其中所述放大電路的第一輸入端通過第一限流電阻連接所述選頻電路，第二輸入端輸入有正弦波電壓的共模電壓，輸出端連接所述第一穩(wěn)幅電路的第二輸入端，且該輸出端連接所述功率開關(guān)管的第一端。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的正弦波振蕩電路，其特征在于，所述選頻電路包括第一電容、第二電容、第三電容、第一電阻、第二電阻，其中所述第一電容、第二電容和第三電容依次串聯(lián)，第一電容的一端連接所述放大電路的輸出端，第三電容的一端連接所述第一限流電阻，所述第一電容與所述第二電容的公共端通過所述第一電阻連接接地端，所述第二電容與所述第三電容的公共端通過所述第二電阻連接接地端。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的正弦波振蕩電路，其特征在于，所述放大電路包括第一放大器、第三電阻和第四電阻，其中所述第一放大器的反相輸入端通過所述第三電阻連接所述選頻電路，同相輸入端輸入有所述正弦波電壓的共模電壓，輸出端通過所述第四電阻連接所述反相輸入端，且該第四電阻的控制端連接所述第二放大器的輸出端。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的正弦波振蕩電路，其特征在于，所述放大電路包括第一放大器，第五電阻和第六電阻，其中所述第一放大器的反相輸入端通過所述第五電阻連接所述選頻電路，同相輸入端輸入有所述正弦波電壓的共模電壓，且該第五電阻的控制端連接所述第二放大器的輸出端，該第一放大器的輸出端通過所述第六電阻連接所述反相輸入端。
全文摘要
本申請公開了一種正弦波振蕩電路，包括正弦波電壓產(chǎn)生電路、第一穩(wěn)幅電路、第二穩(wěn)幅電路和功率開關(guān)管，將正弦波電壓產(chǎn)生電路產(chǎn)生的正弦波電壓經(jīng)過第一穩(wěn)幅電路和第二穩(wěn)幅電路的穩(wěn)幅處理后，最終使正弦波電壓穩(wěn)定在預設(shè)穩(wěn)幅電壓上。由于所述正弦波電壓僅與所述預設(shè)穩(wěn)幅電壓有關(guān)，因此，該正弦波振蕩電路輸出的正弦波電壓的幅度能夠穩(wěn)定在所述預設(shè)穩(wěn)幅電壓上，不會隨溫度變化而變化。此外，由于采用了可單片集成的NMOS管，因此降低了電路成本。
文檔編號H03B5/04GK102332864SQ20111029991
公開日2012年1月25日 申請日期2011年9月29日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月29日
發(fā)明者王東旺, 王帥旗 申請人:北京經(jīng)緯恒潤科技有限公司