專利名稱：電子器件封裝用密封部件、電子器件封裝體及電子器件封裝用密封部件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及通過相對(duì)配置的第一密封部件及第二密封部件對(duì)電子器件元件的電極進(jìn)行密封的電子器件封裝體的作為第一密封部件使用的電子器件封裝用密封部件、使用該電子器件封裝用密封部件的電子器件封裝體及該電子器件封裝用密封部件的制造方法。
背景技術(shù)：
壓電振動(dòng)器等電子器件的封裝體(以下稱為電子器件封裝體)的內(nèi)部空間為防止搭載在該內(nèi)部空間中的電子器件元件的電極的特性劣化而被氣密密封。作為這種電子器件封裝體，由稱為底座和蓋的兩個(gè)密封部件構(gòu)成，其框體構(gòu)成為長方體的封裝體。在這樣的封裝體的內(nèi)部空間中，壓電振動(dòng)片等電子器件元件被保持并接合于底座。而且，通過接合底座和蓋，封裝體的內(nèi)部空間的電子器件元件的電極被氣密密封。例如，在日本特開平6483951號(hào)公報(bào)(以下稱為專利文獻(xiàn)1)公開的石英晶體器件(本發(fā)明中所謂的電子器件)中，在由底座和蓋構(gòu)成的封裝體的內(nèi)部空間中，石英晶體片被氣密密封。在這樣的石英晶體器件的底座上，設(shè)置有貫穿構(gòu)成該底座的基材的通孔，在該通孔的內(nèi)側(cè)面，形成有由Cr-Ni-Au等多層金屬膜構(gòu)成的布線用金屬。而且，在通孔中，焊接有AuGe等合金，由此，確保封裝體的內(nèi)部空間的氣密性。順便提及，對(duì)于電子器件，向印制電路布線板等基板安裝時(shí)，被施加熱量，但在專利文獻(xiàn)1公開的石英晶體器件中，通過向其基板安裝時(shí)施加的熱量，被焊接在通孔的內(nèi)側(cè)面的合金的界面軟化(擴(kuò)散)，通孔的內(nèi)側(cè)面和合金的粘著性降低。而且，因這樣的合金的粘著性的降低，合金從通孔的內(nèi)側(cè)面剝離，剝離的合金脫落到石英晶體器件的封裝體之外。 這樣的粘著性的降低或合金從通孔的脫落使封裝體的內(nèi)部空間中的氣密性降低。由此，在專利文獻(xiàn)1中公開的石英晶體器件，在向印制電路布線板等基板搭載后，不能確保封裝體的內(nèi)部空間充分的氣密性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于這樣的狀況而研發(fā)的，其目的是提供能夠抑制電子器件封裝體的內(nèi)部空間的氣密性降低的電子器件封裝用密封部件及其制造方法。另外，本發(fā)明的其他目的是提供抑制封裝體的內(nèi)部空間的氣密性降低的電子器件封裝體。本發(fā)明的電子器件封裝用密封部件作為具有第一密封部件和第二密封部件的電子器件封裝體中的所述第一密封部件使用，所述第一密封部件在一主面上搭載有電子器件元件，所述第二密封部件與所述第一密封部件相對(duì)配置，且對(duì)所述電子器件元件的電極進(jìn)行氣密密封，其特征在于，在對(duì)構(gòu)成該電子器件封裝用密封部件的基材的兩主面間進(jìn)行貫穿的通孔中，填充導(dǎo)電性材料，所述通孔的另一主面一側(cè)的開口端部被樹脂材料封閉。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，對(duì)該電子器件封裝用密封部件的兩主面進(jìn)行貫穿的通孔的另一主面 (與電子器件元件的搭載面相對(duì)的面)一側(cè)的開口端部被樹脂材料封閉，從而能夠防止填充在通孔中的導(dǎo)電性材料從通孔剝離，脫落。另外，從該電子器件封裝用密封部件的另一主面向填充在通孔中的導(dǎo)電性材料進(jìn)行的熱傳遞被封閉該通孔的另一主面?zhèn)鹊拈_口端部的樹脂材料阻斷，從而防止例如將電子器件封裝體安裝在基板上時(shí)的熱量導(dǎo)致的導(dǎo)電性材料和構(gòu)成該電子器件封裝用密封部件的基材之間的粘著性的降低。因此，能夠抑制電子器件封裝體的內(nèi)部空間的氣密性降低。在本發(fā)明的電子器件封裝用密封部件中，也可以在所述通孔的內(nèi)側(cè)面形成防護(hù)膜，在該防護(hù)膜的表面上電鍍形成由所述導(dǎo)電性材料構(gòu)成的填充層。能夠生產(chǎn)率良好地制造該結(jié)構(gòu)的電子器件封裝用密封部件。具體地，相對(duì)于通孔的防護(hù)膜形成及填充層的電鍍形成通過薄板工藝()一卜工法)能夠?qū)Χ鄠€(gè)通孔一起實(shí)施，從而能夠?qū)崿F(xiàn)生產(chǎn)率高的制造。另外，由與構(gòu)成填充層的導(dǎo)電性材料相同的材料構(gòu)成防護(hù)膜時(shí)，能夠使防護(hù)膜和導(dǎo)電性材料的粘著性提高，即，能夠提高導(dǎo)電性材料相對(duì)于該電子器件封裝用密封部件的粘著性。在本發(fā)明的電子器件封裝用密封部件中，所述通孔的所述開口端部也可以被由具有感光性的樹脂材料構(gòu)成的樹脂圖樣進(jìn)行封閉。在該結(jié)構(gòu)中，由具有感光性的樹脂材料構(gòu)成的樹脂圖樣通過光刻法等，能夠簡單且精度好地形成在通孔的另一主面一側(cè)的開口端部，通過這樣的樹脂圖樣，通孔的另一主面一側(cè)的所述開口端部被可靠封閉。由此，能夠通過樹脂圖樣可靠地防止導(dǎo)電性材料從通孔脫落。本發(fā)明的電子器件封裝體具有在一主面上搭載有電子器件元件的第一密封部件、 和與所述第一密封部件相對(duì)配置且對(duì)所述電子器件元件的電極進(jìn)行氣密密封的第二密封部件，其特征在于，所述第一密封部件是上述本發(fā)明的電子器件封裝用密封部件。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，作為第一密封部件使用上述本發(fā)明的電子器件封裝用密封部件，從而防止在設(shè)置于該電子器件封裝用密封部件上的通孔中填充的導(dǎo)電性材料從通孔脫落。另外，從該電子器件封裝用密封部件的另一主面向填充在通孔中的導(dǎo)電性材料進(jìn)行的熱傳遞被封閉該通孔的另一主面?zhèn)鹊拈_口端部的樹脂材料阻斷，從而防止例如將電子器件封裝體安裝在基板上時(shí)的熱量導(dǎo)致的導(dǎo)電性材料和構(gòu)成電子器件封裝用密封部件的基材之間的粘著性降低。因此，能夠抑制電子器件封裝體的內(nèi)部空間的氣密性降低。本發(fā)明的電子器件封裝用密封部件的制造方法是作為具有在一主面上搭載有電子器件元件的第一密封部件、和與所述第一密封部件相對(duì)配置且對(duì)所述電子器件元件的電極進(jìn)行氣密密封的第二密封部件的電子器件封裝體中的所述第一密封部件使用的電子器件封裝用密封部件的制造方法，其特征在于，具有形成對(duì)構(gòu)成該電子器件封裝用密封部件的基材的兩主面進(jìn)行貫穿的通孔的通孔形成工序；在所述通孔的內(nèi)部填充導(dǎo)電性材料的填充工序；和利用樹脂材料封閉所述通孔的另一主面一側(cè)的開口端部的封孔工序。根據(jù)該方法，對(duì)構(gòu)成該電子器件封裝用密封部件的基材的兩主面進(jìn)行貫穿的通孔
4的另一主面一側(cè)的開口端部被樹脂材料封閉，從而能夠制造能夠防止填充在通孔中的導(dǎo)電性材料從通孔剝離、脫落的電子器件封裝用密封部件。另外，在通過該方法制造的電子器件封裝用密封部件中，從該電子器件封裝用密封部件的另一主面向填充在通孔中的導(dǎo)電性材料進(jìn)行的熱傳遞被封閉該通孔的另一主面?zhèn)鹊拈_口端部的樹脂材料阻斷，能夠防止例如將電子器件封裝體安裝在基板上時(shí)的熱量導(dǎo)致的導(dǎo)電性材料和構(gòu)成電子器件封裝用密封部件的基材之間的粘著性降低。因此，根據(jù)該方法，能夠制造能夠抑制電子器件封裝體的內(nèi)部空間的氣密性降低的電子器件封裝用密封部件。在本發(fā)明的電子器件封裝用密封部件的制造方法中，還可以具有在所述通孔的內(nèi)側(cè)面形成防護(hù)膜的防護(hù)膜形成工序，所述填充工序也可以包含在形成于所述通孔的內(nèi)側(cè)面上的防護(hù)膜的表面上電鍍形成由所述導(dǎo)電性材料構(gòu)成的填充層的電鍍工序。根據(jù)該方法，能夠提高電子器件封裝用密封部件的生產(chǎn)率。具體地，在相對(duì)于通孔的防護(hù)膜形成及填充層的電鍍形成能夠通過薄板工藝對(duì)多個(gè)通孔一起實(shí)施，從而生產(chǎn)率提高。另外，由與構(gòu)成填充層的導(dǎo)電性材料相同的材料構(gòu)成防護(hù)膜時(shí)，能夠提高防護(hù)膜和導(dǎo)電性材料的粘著性，即，提高導(dǎo)電性材料相對(duì)于構(gòu)成該電子器件封裝用密封部件的基材的粘著性。 在本發(fā)明的電子器件封裝用密封部件的制造方法中，所述封孔工序還可以包含通過使用了具有感光性的所述樹脂材料的光刻法，形成對(duì)所述通孔的所述開口端部進(jìn)行封閉的樹脂圖樣的工序。根據(jù)該方法，通過使用了具有感光性的樹脂材料的光刻法，能夠簡單且精度好地形成樹脂圖樣，其結(jié)果，能夠可靠地密封通孔的朝向電子器件封裝體的外方向配置的一側(cè)的開口端部。


圖1是公開了本實(shí)施方式的石英晶體振子的內(nèi)部空間的示意結(jié)構(gòu)圖，是沿圖2所示的底座的A-A線剖切整體時(shí)的石英晶體振子的示意剖視圖。圖2是本實(shí)施方式的底座的示意俯視圖。圖3是本實(shí)施方式的底座的示意后視圖。圖4是表示圖1所示的底座的通孔部分的大致結(jié)構(gòu)的示意剖視圖。圖5是本實(shí)施方式的蓋的示意后視圖。圖6是本實(shí)施方式的石英晶體振動(dòng)片的示意俯視圖。圖7是表示本實(shí)施方式的底座的制造工序中的一工序的晶片的局部示意剖視圖。圖8是表示本實(shí)施方式的底座的制造工序中的一工序的晶片的局部示意剖視圖。圖9是表示本實(shí)施方式的底座的制造工序中的一工序的晶片的局部示意剖視圖。圖10是表示本實(shí)施方式的底座的制造工序中的一工序的晶片的局部示意剖視圖。圖11是表示本實(shí)施方式的底座的制造工序中的一工序的晶片的局部示意剖視圖。圖12是表示本實(shí)施方式的底座的制造工序中的一工序的晶片的局部示意剖視圖。
圖13是表示本實(shí)施方式的底座的制造工序中的一工序的晶片的局部示意剖視圖。圖14是表示本實(shí)施方式的底座的制造工序中的一工序的晶片的局部示意剖視圖。圖15是表示本實(shí)施方式的底座的制造工序中的一工序的晶片的局部示意剖視圖。圖16是表示本實(shí)施方式的底座的制造工序中的一工序的晶片的局部示意剖視圖。圖17是表示本實(shí)施方式的底座的制造工序中的一工序的晶片的局部示意剖視圖。圖18是表示本實(shí)施方式的底座的制造工序中的一工序的晶片的局部示意剖視圖。圖19是表示本實(shí)施方式的底座的制造工序中的一工序的晶片的局部示意剖視圖。圖20是表示本實(shí)施方式的底座的制造工序中的一工序的晶片的局部示意剖視圖。圖21是表示本實(shí)施方式的底座的制造工序中的一工序的晶片的局部示意剖視圖。圖22是表示本實(shí)施方式的底座的制造工序中的一工序的晶片的局部示意剖視圖。圖23是表示本實(shí)施方式的底座的制造工序中的一工序的晶片的局部示意剖視圖。圖M是表示本實(shí)施方式的底座的制造工序中的一工序的晶片的局部示意剖視圖。圖25是表示本實(shí)施方式的底座的制造工序中的一工序的晶片的局部示意剖視圖。圖沈是表示本實(shí)施方式的底座的制造工序中的一工序的晶片的局部示意剖視圖。圖27是表示本實(shí)施方式的底座的制造工序中的一工序的晶片的局部示意剖視圖。圖觀是表示本實(shí)施方式的底座的制造工序中的一工序的晶片的局部示意剖視圖。圖四是其他實(shí)施方式的底座的示意剖視圖，是表示與圖4對(duì)應(yīng)的部分的通孔的大致結(jié)構(gòu)的示意結(jié)構(gòu)圖。圖30是其他實(shí)施方式的底座的示意剖視圖，是表示與圖4對(duì)應(yīng)的部分的通孔的大致結(jié)構(gòu)的示意結(jié)構(gòu)圖。圖31是表示其他實(shí)施方式的底座的大致結(jié)構(gòu)的示意剖視圖。圖32是其他實(shí)施方式的石英晶體振動(dòng)片的示意俯視圖。
具體實(shí)施例方式以下，參照

本發(fā)明的實(shí)施方式。此外，在以下的實(shí)施方式中，示出了如下情況作為電子器件封裝體，對(duì)壓電振動(dòng)器即石英晶體振子的封裝體適用本發(fā)明，而且作為電子器件元件，對(duì)壓電振動(dòng)片即音叉型石英晶體振動(dòng)片適用本發(fā)明。如圖1所示，在本實(shí)施方式的石英晶體振子1中設(shè)置有由音叉型石英晶體片構(gòu)成的石英晶體振動(dòng)片2 (本發(fā)明中所謂的電子器件元件)；保持該石英晶體振動(dòng)片2且用于對(duì)石英晶體振動(dòng)片2進(jìn)行氣密密封的底座4(作為本發(fā)明中所謂的第一密封部件的電子器件封裝用密封部件)；和與底座4相對(duì)配置且對(duì)保持在底座4的石英晶體振動(dòng)片2的激發(fā)電極31、32 (本發(fā)明中所謂的電子器件元件的電極)進(jìn)行氣密密封的蓋7 (本發(fā)明中所謂的第二密封部件)。在該石英晶體振子1中，底座4和蓋7通過由Au與Sn的合金構(gòu)成的接合材料12、 下述的第一接合層48和下述的第二接合層74被接合，通過該接合，構(gòu)成具有被氣密密封的內(nèi)部空間11的主體框體。在該內(nèi)部空間11中，石英晶體振動(dòng)片2通過使用了金凸點(diǎn)等導(dǎo)電性凸點(diǎn)13的FCB法(Flip Chip Bonding)電子機(jī)械地被超聲波接合在底座4上。此外， 在本實(shí)施方式中，對(duì)于導(dǎo)電性凸點(diǎn)13使用金凸點(diǎn)等非流動(dòng)性部件的電鍍凸點(diǎn)。以下，對(duì)該石英晶體振子1的各結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。底座4由硼硅酸鹽玻璃等玻璃材料構(gòu)成，如圖1 3所示，成形為由底部41、和沿底座4的一主面42的外周從底部41向上方延伸的壁部44構(gòu)成的箱狀體。這樣的底座4 是對(duì)長方體的一張板形的基材進(jìn)行濕式蝕刻而成形為箱狀體。底座4的壁部44的內(nèi)側(cè)面成形為錐形。另外，壁部44的頂面是與蓋7的接合面， 在該接合面上設(shè)置有用于與蓋7接合的第一接合層48。第一接合層48由多層的層疊構(gòu)造形成，并且由通過濺射法在底座4的壁部44的頂面濺射形成的濺射膜(參照圖1的附圖標(biāo)記92)、和在濺射膜上電鍍形成的電鍍膜(參照圖1的附圖標(biāo)記％)構(gòu)成。濺射膜由通過濺射法在底座4的壁部44的頂面濺射形成的Ti膜(省略圖示)、和通過濺射法在Ti膜上濺射形成的Au膜(省略圖示)構(gòu)成。另外，電鍍膜由電鍍形成在濺射膜上的Au膜構(gòu)成。在底座4的一主面42上成形有由底部41和壁部44圍成的俯視觀察為長方形的腔45。在腔45的底面451上沿其長度方向的一端部452的整體蝕刻成形有臺(tái)座部46。在該臺(tái)座部46上搭載有石英晶體振動(dòng)片2。此外，該腔45的壁面是壁部44的內(nèi)側(cè)面，如上所述那樣地成形為錐形。另外，在底座4上形成有分別與石英晶體振動(dòng)片2的激發(fā)電極31、32電子機(jī)械地接合的一對(duì)電極墊51、52 ；與外部器件或外部儀器電連接的外部端子電極53、54 ；對(duì)電極墊 51和外部端子電極M、及電極墊52和外部端子電極53進(jìn)行電連接的布線圖樣55。通過這些電極墊51、52、外部端子電極5354和布線圖樣55構(gòu)成底座4的電極5。電極墊51、52 形成在臺(tái)座部46的表面。另外，兩個(gè)外部端子電極5354在底座4的另一主面43上，形成在長度方向的兩端部，并沿長度方向分離地并列設(shè)置。電極墊51、52由形成在底座4的基板上的第一防護(hù)膜(參照圖1的附圖標(biāo)記92)、 形成在該第一防護(hù)膜上的第二防護(hù)膜(參照圖1的附圖標(biāo)記93)和形成在該第二防護(hù)膜上的電鍍膜(參照圖1的附圖標(biāo)記95)構(gòu)成。此外，構(gòu)成電極墊51、52的第一防護(hù)膜(參照圖1的附圖標(biāo)記92)由通過濺射法在底座4的一主面42上濺射形成的Ti膜(省略圖示)和通過濺射法在Ti膜上濺射形成的Cu膜(省略圖示)構(gòu)成。另外，第二防護(hù)膜(參照圖 1的附圖標(biāo)記93)由通過濺射法在第一防護(hù)膜上濺射形成的Ti膜(省略圖示)和通過濺射法在Ti膜上濺射形成的Au膜(省略圖示)構(gòu)成。另外，電鍍膜(參照圖1的附圖標(biāo)記 95)由電鍍形成在該第二防護(hù)膜上的Au膜構(gòu)成。布線圖樣55是為電連接電極墊51、52和外部端子電極53、54，而從底座4的一主面42通過通孔49 (參照下述)的內(nèi)側(cè)面491形成在底座4的另一主面43。另外，布線圖樣 55由形成在底座4的基板上的第一防護(hù)膜(參照圖1的附圖標(biāo)記92)構(gòu)成，在位于底座4 的一主面42的部分的第一防護(hù)膜(參照圖1的附圖標(biāo)記92)上，形成有第二防護(hù)膜(參照圖1的附圖標(biāo)記93)和電鍍膜(參照圖1的附圖標(biāo)記95)。構(gòu)成布線圖樣55的第一防護(hù)膜 (參照圖1的附圖標(biāo)記92)由通過濺射法在底座4的一主面42上濺射形成的Ti膜(省略圖示)和通過濺射法在Ti膜上濺射形成的Cu膜(省略圖示)構(gòu)成。另外，第二防護(hù)膜(參照圖1的附圖標(biāo)記93)由通過濺射法在第一防護(hù)膜上濺射形成的Ti膜(省略圖示)和通過濺射法在Ti膜上濺射形成的Au膜(省略圖示)構(gòu)成。另外，電鍍膜(參照圖1的附圖標(biāo)記95)由電鍍形成在該第二防護(hù)膜上的Au膜構(gòu)成。此外，在圖1所示的示意剖視圖中， 考慮觀察附圖的容易性，省略了底座4的一主面42中的連接電極墊52和外部端子電極53 的布線圖樣陽與連接電極墊51和外部端子電極M的布線圖樣55之間的空隙。此外，在其他的示意剖視圖或局部示意剖視圖中，也同樣地省略了前述的空隙。另外，外部端子電極53、54由在樹脂圖樣61 (參照下述)上形成的、及在形成于底座4的另一主面43上的布線圖樣55(參照圖1的附圖標(biāo)記92)上形成的防護(hù)膜(參照圖 1的附圖標(biāo)記93)；形成在該防護(hù)膜(參照圖1的附圖標(biāo)記93)上的第一電鍍膜(參照圖1 的附圖標(biāo)記94)；和形成在該第一電鍍膜上的第二電鍍膜(參照圖1的附圖標(biāo)記％)構(gòu)成。 此外，構(gòu)成外部端子電極53、討的防護(hù)膜(參照圖1的附圖標(biāo)記93)由通過濺射法在樹脂圖樣61上濺射形成的、及在形成于底座4的另一主面43上的布線圖樣55 (圖1的附圖標(biāo)記 92參照)上濺射形成的Ti膜(省略圖示)和通過濺射法在Ti膜上濺射形成的Au膜(省略圖示)構(gòu)成。另外，第一電鍍膜(參照圖1的附圖標(biāo)記94)由電鍍形成在防護(hù)膜上的Ni 膜構(gòu)成，第二電鍍膜(參照圖1的附圖標(biāo)記95)由電鍍形成在第一電鍍膜上的Au膜構(gòu)成。另外，在底座4上，如圖1 4所示，形成有用于將石英晶體振動(dòng)片2的激發(fā)電極 31、32經(jīng)由電極墊51、52通過布線圖樣55從腔45內(nèi)導(dǎo)出到腔45外的通孔49。通孔49是在通過光刻法蝕刻成形底座4時(shí)，與腔45的成形同時(shí)地形成，如圖1 圖4所示，在底座4上貫穿兩主面42、43間地形成有兩個(gè)通孔49。該通孔49的內(nèi)側(cè)面491 相對(duì)于底座4的一主面42及另一主面43具有傾斜，并形成為錐形。如圖4所示，通孔49 中的位于底座4的另一主面43 —側(cè)的通孔49的另一端開口面493的直徑最大，位于底座 4的一主面42 —側(cè)的通孔49的一端開口面492的直徑最小。這樣，在本實(shí)施方式中，通孔 49的內(nèi)側(cè)面491相對(duì)于底座4的一主面42及另一主面43傾斜，底座4的一主面42和通孔49的內(nèi)側(cè)面491所成的角度(參照圖4的附圖標(biāo)記θ )成為約45度，但不限于此。例如，底座4的一主面42和通孔49的內(nèi)側(cè)面491所成的角度(參照圖4的附圖標(biāo)記Θ)也可以比45度大，作為具體例，可以是70 90度。底座4的一主面42和通孔49的內(nèi)側(cè)面 491所成的角度(參照圖4的附圖標(biāo)記Θ)接近90度時(shí)，在底座4上，通孔49的占有面積變小，能夠提高布線圖樣陽的形成位置的自由度。
在這樣的通孔49的內(nèi)側(cè)面491上，形成有布線圖樣55的一部分即由Ti及Cu構(gòu)成的第一防護(hù)膜(參照圖1的附圖標(biāo)記92)。而且，在通孔49的內(nèi)部，由Cu構(gòu)成的填充材料(本發(fā)明中所謂的導(dǎo)電性材料)被填充到第一防護(hù)膜(參照圖1的附圖標(biāo)記92)上而形成填充層98，通過該填充層98封閉通孔49。該填充層98通過在第一防護(hù)膜的表面上電解電鍍形成的Cu電鍍層而構(gòu)成。此外，如圖4所示，填充層98以底座4的一主面42 —側(cè)的一端面981與底座4的一主面42齊平的方式形成。另外，通孔49的底座4的另一主面43 —側(cè)的開口端部(另一端開口面493 —側(cè)的開口端部)通過由具有感光性的樹脂材料構(gòu)成的樹脂圖樣61被封閉。樹脂圖樣61形成在底座4的另一主面43。在底座4的另一主面43上形成有樹脂圖樣61的樹脂圖樣形成區(qū)域47呈如圖3所示地由沿另一主面43的長度方向的長邊471 和沿另一主面43的寬度方向的短邊472構(gòu)成的大致長方形，并且，設(shè)置成在該樹脂圖樣形成區(qū)域47內(nèi)包含通孔49的另一端開口面493。通過這樣的形成在樹脂圖樣形成區(qū)域47的樹脂圖樣61，通孔49的另一端開口面493—側(cè)的開口端部被封閉，并且設(shè)置在通孔49的另一端開口面493的周緣部551上的布線圖樣55被覆蓋。這樣，通過樹脂圖樣61封閉在內(nèi)部形成有填充層98的通孔49的另一端開口面493 —側(cè)的開口端部，由此實(shí)現(xiàn)通孔49的封孔強(qiáng)度的提高。另外，如圖4所示，樹脂圖樣61的一部分在通孔49的內(nèi)部與填充層98相接。具體地，在電解電鍍形成填充層98時(shí)的電鍍沉積中，底座4的另一主面43側(cè)的填充層98的另一端部(填充層98的另一端面982側(cè)的端部)形成為凸?fàn)?，在形成于通?9的內(nèi)側(cè)面 491的另一主面43側(cè)的端部上的防護(hù)膜(參照圖4的附圖標(biāo)記92)和填充層98的另一端部之間，如圖4所示，具有間隙99。構(gòu)成樹脂圖樣61的樹脂材料進(jìn)入該間隙99并發(fā)揮錨效應(yīng)，由此，確保樹脂圖樣61、填充層98與通孔49的內(nèi)側(cè)面491 (圖4的附圖標(biāo)記92所示的防護(hù)膜)之間的粘著性。另外，底座4的另一主面43 —側(cè)的布線圖樣55的一部分以被樹脂圖樣61覆蓋的方式沿著樹脂圖樣形成區(qū)域47的長邊471的兩端部473、474和短邊472，形成在俯視觀察時(shí)的樹脂圖樣形成區(qū)域47的外側(cè)的區(qū)域552(參照圖幻。而且，在形成于樹脂圖樣形成區(qū)域47的俯視觀察時(shí)的外側(cè)的區(qū)域552上的布線圖樣55上、及在樹脂圖樣61上，形成有外部端子電極53、54。具體地，布線圖樣55和外部端子電極5354將樹脂圖樣61的兩端部夾在它們之間地形成。通過這樣形成布線圖樣55、外部端子電極5354和樹脂圖樣61，能夠?qū)崿F(xiàn)樹脂圖樣61向底座4的粘結(jié)強(qiáng)度及樹脂圖樣61的強(qiáng)度的提高。另外，對(duì)于構(gòu)成樹脂圖樣61的樹脂材料使用聚苯并噁唑(PBO)。此外，構(gòu)成樹脂圖樣61的樹脂材料不限于聚苯并噁唑(PBO)，只要是與構(gòu)成底座4的材料(例如，玻璃材料) 之間的粘著性良好的樹脂材料都可以使用。因此，對(duì)于構(gòu)成樹脂圖樣61的樹脂材料，還可以使用例如由苯并環(huán)丁烯(BCB)、環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺或氟類樹脂構(gòu)成的樹脂材料。另外，本實(shí)施方式中使用的構(gòu)成樹脂圖樣61的樹脂材料，即，聚苯并噁唑(PBO)是具有感光性的樹脂材料，是能夠通過光刻法形成圖樣的樹脂材料。這里，本發(fā)明中所謂的具有感光性的樹脂材料是指，除了由具有感光性的樹脂構(gòu)成的樹脂材料以外，還包括含有感光劑和樹脂在內(nèi)的感光性樹脂組合物的寬泛的概念。蓋7由硼硅酸鹽玻璃等玻璃材料構(gòu)成，如圖1及圖5所示，是由頂部71、和沿蓋7的一主面72的外周從頂部71向下方延伸的壁部73構(gòu)成。這樣的蓋7是對(duì)長方體的一張板的基材進(jìn)行濕式蝕刻而成形的。蓋7的壁部73的兩側(cè)面(內(nèi)側(cè)面731及外側(cè)面73 形成為錐形。另外，在壁部 73上形成有用于與底座4接合的第二接合層74。如圖1所示，蓋7的第二接合層74形成在從蓋7的壁部73的頂面733到外側(cè)面 732的范圍。該第二接合層74是由形成有由Ti構(gòu)成的Ti膜(省略圖示)、和在Ti膜上形成有由Au構(gòu)成的Au膜(省略圖示)的多層層疊構(gòu)造構(gòu)成的，這些Ti膜及Au膜通過濺射法濺射形成。上述的用于接合底座4和蓋7的接合材料12層疊在蓋7的第二接合層74上。該接合材料12是由在蓋7的第二接合層74上電鍍形成由Au與Sn的合金構(gòu)成的Au/Sn膜 (省略圖示)、在該Au/Sn膜上電鍍形成Au膜(省略圖示)的多層層疊構(gòu)造構(gòu)成的。此外， Au膜是由電鍍形成Au觸擊電鍍膜、在Au觸擊電鍍膜上電鍍形成Au電鍍膜的多層層疊構(gòu)造構(gòu)成的。在這樣的接合材料12中，Au/Sn膜因加熱而熔融，成為AuSn合金膜。此外，接合材料12也可以通過在蓋7的第二接合層74上電鍍形成AuSn合金膜而構(gòu)成。另外，在本實(shí)施方式中，接合材料12層疊在蓋7的第二接合層74上，但也可以層疊在底座4的第一接合層48上。石英晶體振動(dòng)片2是由異方性材料的石英晶體片即石英晶體原板(素板)(省略圖示)濕式蝕刻形成的石英晶體Z板。如圖6所示，該石英晶體振動(dòng)片2由振動(dòng)部即兩個(gè)腿部21、22、基部23和與底座 4的電極墊51、52接合的接合部M構(gòu)成，并由如下的壓電振動(dòng)原板20構(gòu)成在基部23的一端面231突出地設(shè)置有兩個(gè)腿部21、22，在基部23的另一端面232突出地設(shè)置有接合部 24。如圖6所示，基部23俯視觀察時(shí)呈左右對(duì)稱形狀。另外，基部23的側(cè)面233形成為，其一端面231 —側(cè)的部位具有與一端面231相同的寬度，其另一端面232 —側(cè)的部位在另一端面232 —側(cè)的范圍內(nèi)寬度逐漸變窄。如圖6所示，兩個(gè)腿部21、22從基部23的一端面231向同一方向突出地設(shè)置。這兩個(gè)腿部21、22的前端部211、221與腿部21、22的其他部位相比寬度寬(在與突出方向正交的方向上寬度寬)地形成，而且，各自的前端角部形成為曲面。另外，在兩個(gè)腿部21、22 的兩主面上，為改善CI值而形成有槽部25。如圖6所示，接合部M從基部23的另一端面232的寬度方向的中央部突出地設(shè)置。該接合部M由向相對(duì)于基部23的另一端面232俯視觀察時(shí)垂直的方向突出的短邊部 Ml、和與短邊部241的前端部相連且在短邊部241的前端部以俯視觀察時(shí)的直角彎折而向基部23的寬度方向延伸的長邊部242構(gòu)成，接合部M的前端部243朝向基部23的寬度方向。即，接合部M成形為俯視觀察時(shí)的L字形。另外，在接合部M設(shè)置有通過底座4的電極墊51、52和導(dǎo)電性凸點(diǎn)13接合的接合位置27。在如上所述地構(gòu)成的石英晶體振動(dòng)片2中，形成有由異電位構(gòu)成的第一及第二激發(fā)電極31、32 ；為將這些第一及第二激發(fā)電極31、32電接合在底座4的電極墊51、52而從第一及第二激發(fā)電極31、32引出的引出電極33、34。另外，第一及第二激發(fā)電極31、32的一部分形成在腿部21、22的槽部25的內(nèi)部。由此，即使使石英晶體振動(dòng)片2小型化，也能夠抑制腿部21、22的振動(dòng)損失，并將CI值抑制得較低。第一激發(fā)電極31形成于一個(gè)腿部21的兩主面、和另一個(gè)腿部22的兩側(cè)面及前端部221的兩主面。同樣，第二激發(fā)電極32形成于另一個(gè)腿部22的兩主面、和一個(gè)腿部21 的兩側(cè)面及前端部211的兩主面。另外，引出電極33、34形成在基部23及接合部24，形成在一個(gè)腿部21的兩主面上的第一激發(fā)電極31通過形成在基部23的引出電極33與形成在另一個(gè)腿部22的兩側(cè)面及前端部221的兩主面上的第一激發(fā)電極31連接，形成在另一個(gè)腿部22的兩主面上的第二激發(fā)電極32通過形成在基部23的引出電極34與形成在一個(gè)腿部21的兩側(cè)面及前端部 211的兩主面上的第二激發(fā)電極32連接。此外，在基部23上形成有貫穿壓電振動(dòng)原板20的兩主面的兩個(gè)通孔沈，在這些通孔26內(nèi)，填充有導(dǎo)電性材料。引出電極33、34通過這些通孔沈被弓I回基部23的兩主面間。在如上所述地構(gòu)成的石英晶體振子1中，如圖1所示，石英晶體振動(dòng)片2的接合部 24經(jīng)由導(dǎo)電性凸點(diǎn)13通過FCB法電子機(jī)械地超聲波接合在形成于底座4的一主面42上的臺(tái)座部46。通過該接合，石英晶體振動(dòng)片2的激發(fā)電極31、32通過引出電極33、34和導(dǎo)電性凸點(diǎn)13電子機(jī)械地接合在底座4的電極墊51、52，并將石英晶體振動(dòng)片2搭載在底座 4上。而且，在搭載有石英晶體振動(dòng)片2的底座4上，蓋7通過FCB法臨時(shí)接合，然后，在真空環(huán)境下加熱，由此，接合材料12、第一接合層48和第二接合層74熔融，由此，蓋7的第二接合層74通過接合材料12接合在底座4的第一接合層48，制造氣密密封了石英晶體振動(dòng)片2的石英晶體振子1。此外，對(duì)于導(dǎo)電性凸點(diǎn)13使用非流動(dòng)性部件的電鍍凸點(diǎn)。以下，使用圖7 圖觀說明該石英晶體振子1及底座4的制造方法。如圖7所示，通過使用了光刻技術(shù)的濕式蝕刻法蝕刻由玻璃材料構(gòu)成的晶片8的兩主面81、82，形成多個(gè)底座4(底座成形工序)。圖7示出了蝕刻晶片8的兩主面81、82 而成形的底座4之一，在底座4上形成有腔45、臺(tái)座部46和通孔49。此外，各底座4的臺(tái)座部46、腔45和通孔49等也可以使用干式蝕刻法、噴砂法等機(jī)械加工法形成。底座成形工序后，通過濺射法在晶片8 (兩主面81、82、通孔49的內(nèi)側(cè)面491等) 濺射形成由Ti構(gòu)成的Ti層。Ti層形成后，通過濺射法在Ti層上濺射形成層疊由Cu構(gòu)成的Cu層，如圖8所示，形成第一金屬層92 (金屬層形成工序)。這里形成的第一金屬層92 成為由圖1所示的底座4的電極墊51、52和構(gòu)成布線圖樣55的Ti膜及Cu膜形成的防護(hù)膜。金屬層形成工序后，通過浸涂法在第一金屬層92上涂布抗蝕劑，形成新的正性抗蝕劑層97 (抗蝕劑層形成工序)，然后，對(duì)于形成在晶片8的一主面81側(cè)的通孔49的開口端部上的正性抗蝕劑層97通過光刻法實(shí)施曝光及顯像，如圖9所示，形成通孔49的內(nèi)側(cè)面的圖樣(圖樣形成工序)。圖樣形成工序后，如圖10所示，對(duì)于通孔49的內(nèi)側(cè)面491的露出的第一金屬層 92 (防護(hù)膜)實(shí)施Cu電解電鍍，由此電鍍形成由Cu構(gòu)成的填充層98 (填充工序)。填充工序后，如圖11所示，剝離除去正性抗蝕劑層97 (抗蝕劑剝離工序)?？刮g劑剝離工序后，在第一金屬層92及填充層98上通過浸涂法涂布抗蝕劑，形成新的正性抗蝕劑層97 (第二抗蝕劑層形成工序)，然后，對(duì)電極墊51、52和形成布線圖樣55 的位置以外的正性抗蝕劑層進(jìn)行曝光及顯像，從而形成圖1所示的底座4的電極墊51、52 及布線圖樣陽和底座4的外形的圖樣(圖12所示的第二圖樣形成工序)。第二圖樣形成工序后，金屬蝕刻并除去露出的第一金屬層92 (圖13所示的金屬蝕刻工序)。金屬蝕刻工序后，如圖14所示，剝離除去正性抗蝕劑層97 (第二抗蝕劑剝離工序)。第二抗蝕劑剝離工序后，在第一金屬層92、填充層98及露出的晶片8的兩主面 81,82上通過浸涂法涂布具有感光性的樹脂材料，形成樹脂層96 (圖15的樹脂層形成工序)。樹脂層形成工序后，對(duì)于形成對(duì)通孔49的另一端開口面493 —側(cè)的開口端部進(jìn)行封閉的樹脂圖樣61的位置以外的樹脂層96通過光刻法進(jìn)行曝光及顯像，如圖16所示，形成樹脂圖樣61 (樹脂圖樣形成工序)。樹脂圖樣形成工序后，如圖17所示，在露出的第一金屬層92、樹脂層96和露出的晶片8的兩主面81、82上，通過濺射法濺射形成由Ti構(gòu)成的Ti層。Ti層的形成后，在Ti 層上通過濺射法濺射形成并層疊Au層，從而形成第二金屬層93 (第二金屬層形成工序)。 這里形成的第二金屬層93成為構(gòu)成圖1所示的第一接合層48的由Ti膜及Au膜形成的濺射膜、和構(gòu)成電極墊51、52、外部端子電極5354和布線圖樣55的由Ti膜及Au膜形成的防護(hù)膜。第二金屬層形成工序后，在第二金屬層93上通過浸涂法涂布抗蝕劑，形成新的正性抗蝕劑層97(第三抗蝕劑層形成工序)，然后，對(duì)于底座4的形成外部端子電極53、54的位置上的正性抗蝕劑層97通過光刻法進(jìn)行曝光及顯像，從而進(jìn)行圖1所示的底座4的外部端子電極53、54的圖樣形成(圖18所示的第三圖樣形成工序)。第三圖樣形成工序后，在露出的第二金屬層93上，如圖19所示，電鍍形成由Ni構(gòu)成的第一電鍍層94(第一電鍍形成工序)。這里，形成的第一電鍍層94成為底座4的外部端子電極53、54的Ni膜的第一電鍍膜(參照圖1的附圖標(biāo)記94)。第一電鍍形成工序后，剝離除去正性抗蝕劑層97 (圖20所示的第三抗蝕劑剝離工序)。第三抗蝕劑剝離工序后，在露出的第二金屬層93及第一電鍍層94上通過浸涂法涂布抗蝕劑，形成新的正性抗蝕劑層97 (圖21所示的第四抗蝕劑層形成工序)，然后，對(duì)于圖1所示的底座4的第一接合層48、電極墊51、52、外部端子電極5354和形成布線圖樣55 的位置上的正性抗蝕劑層97，通過光刻法進(jìn)行曝光及顯像，從而進(jìn)行底座4的第一接合層 48、電極墊51、52、外部端子電極5354和布線圖樣55的圖樣形成(圖22所示的第四圖樣形成工序)。第四圖樣形成工序后，在露出的第二金屬層93及第一電鍍層94上，如圖23所示， 電鍍形成由Au構(gòu)成的第二電鍍層95 (第二電鍍形成工序)。這里形成的第二電鍍層95成為構(gòu)成圖1所示的底座4的第一接合層48、電極墊51、52、外部端子電極5354和布線圖樣陽的由Au膜形成的電鍍膜。第二電鍍形成工序后，如圖M所示，剝離正性抗蝕劑層97(第四抗蝕劑剝離工
12序)。第四抗蝕劑剝離工序后，在露出的第二金屬層93及第二電鍍層95上通過浸涂法涂布抗蝕劑，形成新的正性抗蝕劑層97(圖25所示的第五抗蝕劑層形成工序)，然后，如圖 26所示，對(duì)于形成底座4的第一接合層48、電極墊51、52、外部端子電極5354和布線圖樣 55的位置上以外的正性抗蝕劑層97，通過光刻法進(jìn)行曝光及顯像，從而形成圖1所示的底座4的第一接合層48、電極墊51、52、外部端子電極53、54、布線圖樣55和底座4的外形的圖樣(第五圖樣形成工序)。第五圖樣形成工序后，如圖27所示，金屬蝕刻并除去露出的第二金屬層93 (第二金屬蝕刻工序)。第二金屬蝕刻工序后，剝離除去正性抗蝕劑層97，如圖觀所示，在晶片8上形成多個(gè)底座4 (第五抗蝕劑剝離工序)。第五抗蝕劑剝離工序后，分別分隔多個(gè)底座4并分裝多個(gè)底座4 (底座分裝工序)， 從而制造多個(gè)圖觀所示的底座4。而且，在圖觀所示的底座4上配置圖6所示的石英晶體振動(dòng)片2，經(jīng)由導(dǎo)電性凸點(diǎn)13通過FCB法將石英晶體振動(dòng)片2電子機(jī)械地超聲波接合于底座4，將石英晶體振動(dòng)片 2搭載保持在底座4上。另外，在其他工序中，在圖5所示的蓋7的第二接合層74上層疊接合材料12。然后，將蓋7配置在搭載保持石英晶體振動(dòng)片2的底座4上，將底座4的第一接合層48和蓋7的第二接合層74借助接合材料12通過FCB法電子機(jī)械地超聲波接合，從而制造圖1所示的石英晶體振子1。上述制造工序中的通過底座成形工序形成通孔49的工序相當(dāng)于本發(fā)明中所謂的通孔形成工序。另外，經(jīng)過金屬層形成工序，在通孔49的內(nèi)側(cè)面491形成防護(hù)膜即第一金屬層92的工序相當(dāng)于本發(fā)明中所謂的防護(hù)膜形成工序。另外，在填充工序中，對(duì)于在通孔 49的內(nèi)側(cè)面491露出的第一金屬層92 (防護(hù)膜)進(jìn)行Cu電解電鍍的工序相當(dāng)于本發(fā)明中所謂的電鍍工序。另外，經(jīng)過樹脂層形成工序及樹脂圖樣形成工序，形成樹脂圖樣61并通過該樹脂圖樣61封閉通孔49的另一端開口面493—側(cè)的開口端部的工序相當(dāng)于本發(fā)明中所謂的封孔工序。根據(jù)上述本實(shí)施方式的石英晶體振子1，能夠通過對(duì)與填充層98的另一端面982 相接而形成的通孔49的另一端開口面493 —側(cè)的開口端部進(jìn)行封閉的樹脂圖樣61防止被填充到通孔49中的導(dǎo)電性材料(填充層98)從通孔49剝離、脫落，并能夠抑制石英晶體振子1的內(nèi)部空間11中的氣密性的降低。另外，在本實(shí)施方式的石英晶體振子1中，如圖4所示，在通孔49的另一端開口面 493 一側(cè)的開口端部設(shè)置樹脂圖樣61，通孔49的內(nèi)部的防護(hù)膜(參照圖4的附圖標(biāo)記92) 和填充層98的界面S成為不從石英晶體振子1的外側(cè)露出的結(jié)構(gòu)。由此，將石英晶體振子 1接合在印制電路布線板時(shí)的釬料不會(huì)經(jīng)由防護(hù)膜和填充層98的界面S進(jìn)入內(nèi)部空間11。 因此，能夠防止將石英晶體振子1接合在印制電路布線板時(shí)的釬料的侵蝕導(dǎo)致的石英晶體振動(dòng)片2的激發(fā)電極31、32及引出電極33、34的劣化。另外，在本實(shí)施方式的石英晶體振子1中，能夠通過填充層98防止因?qū)⑹⒕w振子1搭載在印制電路布線板時(shí)的熱的影響等而從樹脂圖樣61產(chǎn)生的氣體侵入內(nèi)部空間 11。
此外，在本實(shí)施方式的石英晶體振子1中，填充層98由電鍍形成在通孔49的內(nèi)側(cè)面的防護(hù)膜(參照圖1的附圖標(biāo)記92)上的Cu電鍍層構(gòu)成，但只要填充層98是將導(dǎo)電性材料填充到通孔49中而構(gòu)成的即可，不限于此。也就是說，填充層98也可以通過將金屬膏 (添加了導(dǎo)電性填充物的膏狀樹脂材料)填充到通孔49中而構(gòu)成。另外，在本實(shí)施方式的石英晶體振子1中，如圖4所示，填充層98形成為底座4的一主面42 —側(cè)的一端面981與底座4的一主面42齊平，但這是優(yōu)選的例子，不限于此。也就是說，填充層98只要封閉通孔49即可，如圖四所示，填充層98的一端面981也可以位于底座4的一主面42的下方?；蛘撸鐖D30所示，填充層98的一端面981也可以位于底座 4的一主面42的上方。也就是說，填充層98的一端面981也可以從底座4的一主面42突出。在圖30所示的結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選填充層98的突出部(從底座4的一主面42突出的部分) 的厚度T，以形成在填充層98上的構(gòu)成布線圖樣55的電鍍膜(參照圖30的附圖標(biāo)記95) 不與石英晶體振動(dòng)片2接觸的方式，為2 μ m以下。另外，在本實(shí)施方式的石英晶體振子1中，對(duì)通孔49的另一端開口面493 —側(cè)的開口端部進(jìn)行封閉的樹脂圖樣61形成在除了另一主面43的外周部之外的大致整個(gè)面，但這是優(yōu)選的例子，不限于此。也就是說，例如，如圖31所示，即使只在通孔49的另一端開口面493 —側(cè)的開口端部形成樹脂圖樣，也能夠得到被填充在通孔49內(nèi)部的導(dǎo)電性材料(填充層98的構(gòu)成材料)的防脫落效果。此外，在圖31所示的結(jié)構(gòu)中，外部端子電極53、54由在形成于底座4的另一主面43上的布線圖樣55(參照圖1的附圖標(biāo)記92)上形成的由Ti 膜及Au膜構(gòu)成的防護(hù)膜(參照圖1的附圖標(biāo)記93)、和形成在該防護(hù)膜上的由Au膜構(gòu)成的電鍍膜(參照圖31的附圖標(biāo)記95)構(gòu)成。另外，在本實(shí)施方式的石英晶體振子1中，電極墊51、52及布線圖樣55由形成在底座4的基板上的由Ti膜及Cu膜構(gòu)成的第一防護(hù)膜(參照圖1的附圖標(biāo)記92)、形成在該第一防護(hù)膜上的由Ti膜及Au膜構(gòu)成的第二防護(hù)膜(參照圖1的附圖標(biāo)記93)和電鍍形成在該第二防護(hù)膜上的由Au膜構(gòu)成的電鍍膜(參照圖1的附圖標(biāo)記95)構(gòu)成，但電極墊51、 52及布線圖樣55的電極構(gòu)成不限于此。例如，電極墊51、52及布線圖樣55也可以不在底座4的基板上設(shè)置由Ti膜及Cu膜構(gòu)成的防護(hù)膜，直接形成由Ti膜及Au膜構(gòu)成的防護(hù)膜， 并在該防護(hù)膜上電鍍形成Au膜。也就是說，通孔49的內(nèi)側(cè)面491的布線圖樣55的防護(hù)膜也可以是由Ti膜及Au膜構(gòu)成。這樣，在將通孔49的內(nèi)側(cè)面491的防護(hù)膜由Ti膜和Au膜構(gòu)成的情況下，將在通孔49的內(nèi)側(cè)面491的布線圖樣55的防護(hù)膜上電鍍形成的填充層98 作為AuSn電鍍層時(shí)，能夠提高內(nèi)側(cè)面491的布線圖樣55的防護(hù)膜和填充層98的粘結(jié)強(qiáng)度。另外，在本實(shí)施方式的石英晶體振子1的底座4中，第一接合層48如上所述地由濺射形成在底座4的基材上的由Ti膜及Au膜構(gòu)成的濺射膜(參照圖1的附圖標(biāo)記93)和電鍍形成在該濺射膜上的由Au膜構(gòu)成的電鍍膜(參照圖1的附圖標(biāo)記95)構(gòu)成，但不限于該結(jié)構(gòu)。例如，第一接合層48也可以由濺射形成在底座4的基材上的由Ti膜及Au膜構(gòu)成的濺射膜、電鍍形成在該濺射膜上的M電鍍膜和電鍍形成在M電鍍膜上的Au電鍍膜構(gòu)成。這樣，在濺射膜和Au電鍍膜之間夾設(shè)M電鍍膜時(shí)，能夠防止接合材料12 (釬料)導(dǎo)致的濺射膜(Au膜)的侵蝕，并能夠提高底座4和蓋7的接合強(qiáng)度。另外，在本實(shí)施方式的石英晶體振子1的底座4中，外部端子電極5354如上所述地由形成在底座4的另一主面43的布線圖樣55的防護(hù)膜(參照圖1的附圖標(biāo)記92)上及形成在樹脂圖樣61上的由Ti膜及Au膜構(gòu)成的防護(hù)膜(參照圖1的附圖標(biāo)記93)、電鍍形成在該防護(hù)膜上的由Ni構(gòu)成的第一電鍍膜(參照圖1的附圖標(biāo)記94)和電鍍形成在該第一電鍍膜上的由Au構(gòu)成的第二電鍍膜(參照圖1的附圖標(biāo)記95)構(gòu)成，但不限于該結(jié)構(gòu)，例如，也可以在防護(hù)膜(參照圖1的附圖標(biāo)記93)上直接(不設(shè)置由Ni構(gòu)成的第一電鍍膜) 形成由Au構(gòu)成的第二電鍍膜。另外，在本實(shí)施方式中，作為底座4及蓋7的材料使用玻璃，但底座4及蓋7都不限于使用玻璃，例如，也可以使用石英晶體。另外，在本實(shí)施方式中，作為接合材料12主要使用AuSn，但接合材料12只要能夠接合底座4和蓋7，就沒有特別限定，例如，也可以使用CuSn等Sn合金釬料。此外，在上述實(shí)施方式的石英晶體振子1中，作為石英晶體振動(dòng)片使用了圖6所示的音叉型石英晶體振動(dòng)片2，但也可以使用圖32所示的AT切割石英晶體振動(dòng)片2。在使用了 AT切割石英晶體振動(dòng)片2的石英晶體振子1中，與AT切割石英晶體振動(dòng)片2相匹配地在底座4上形成電極，但關(guān)于本發(fā)明的結(jié)構(gòu)，與本實(shí)施方式相同，發(fā)揮與本實(shí)施方式同樣的效果。另外，也可以在本實(shí)施方式的底座4上除了石英晶體振動(dòng)片2還搭載IC芯片，構(gòu)成發(fā)振器。在底座4上搭載IC芯片的情況下，與IC芯片的電極構(gòu)成相匹配的電極形成在底座4上。本發(fā)明能夠在不脫離其精神或主要特征的范圍內(nèi)以其他各種形式實(shí)施。由此，上述實(shí)施例只不過是在所有方面簡單的例示，不應(yīng)進(jìn)行限定性的解釋。本發(fā)明的范圍根據(jù)權(quán)利要求書確定，不受說明書本文的限定。而且，權(quán)利要求書的保護(hù)范圍內(nèi)的變形或變更全部包含在本發(fā)明的范圍內(nèi)。附圖標(biāo)記的說明1 石英晶體振子11 內(nèi)部空間12接合材料13 導(dǎo)電性凸點(diǎn)2 石英晶體振動(dòng)片(電子器件元件)20 壓電振動(dòng)原板21、22 腿部211、221 前端部23 基部231 一端面232 另一端面233 側(cè)面24接合部241短邊部242長邊部243前端部25 槽部
26通孔27接合位置31、32激發(fā)電極33、34引出電極4底座(作為第一密封部件的電子器件封裝用密封部件)41底部42一主面43另一主面44壁部45月空452一端部46臺(tái)座部47樹脂圖樣形成區(qū)域471長邊472短邊473、474 端部48第一接合層49通孔491內(nèi)側(cè)面492一端開口面493另一端開口面51、52 電極墊53,54外部端子電極55布線圖樣551周緣部552區(qū)域61樹脂圖樣7蓋(第二密封部件)71頂部72一主面73壁部731內(nèi)側(cè)面732外側(cè)面733頂面74第二接合層8晶片81、82 主面92第一金屬層93第二金屬層
16
94第一電鍍層
95第二電鍍層
96樹脂層
97正性抗蝕劑層
98填充層
981一端面
982另一端面
99間隙
權(quán)利要求
1.一種電子器件封裝用密封部件，作為具有第一密封部件和第二密封部件的電子器件封裝體中的所述第一密封部件使用，所述第一密封部件在一主面上搭載有電子器件元件， 所述第二密封部件與所述第一密封部件相對(duì)配置，且對(duì)所述電子器件元件的電極進(jìn)行氣密密封，其特征在于，在對(duì)構(gòu)成該電子器件封裝用密封部件的基材的兩主面間進(jìn)行貫穿的通孔中，填充導(dǎo)電性材料，所述通孔的另一主面一側(cè)的開口端部被樹脂材料封閉。
2.如權(quán)利要求1所述的電子器件封裝用密封部件，其特征在于，在所述通孔的內(nèi)側(cè)面上形成防護(hù)膜，在該防護(hù)膜的表面上電鍍形成由所述導(dǎo)電性材料構(gòu)成的填充層。
3.如權(quán)利要求1所述的電子器件封裝用密封部件，其特征在于，所述通孔的所述開口端部被由具有感光性的樹脂材料構(gòu)成的樹脂圖樣封閉。
4.一種電子器件封裝體，具有在一主面上搭載有電子器件元件的第一密封部件、和與所述第一密封部件相對(duì)配置且對(duì)所述電子器件元件的電極進(jìn)行氣密密封的第二密封部件， 其特征在于，所述第一密封部件是權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的電子器件封裝用密封部件。
5.一種電子器件封裝用密封部件的制造方法，是作為具有第一密封部件和第二密封部件的電子器件封裝體中的所述第一密封部件使用的電子器件封裝用密封部件的制造方法， 所述第一密封部件在一主面上搭載有電子器件元件，所述第二密封部件與所述第一密封部件相對(duì)配置且對(duì)所述電子器件元件的電極進(jìn)行氣密密封，其特征在于，具有形成對(duì)構(gòu)成該電子器件封裝用密封部件的基材的兩主面進(jìn)行貫穿的通孔的通孔形成工序；在所述通孔的內(nèi)部填充導(dǎo)電性材料的填充工序；和利用樹脂材料封閉所述通孔的另一主面一側(cè)的開口端部的封孔工序。
6.如權(quán)利要求5所述的電子器件封裝用密封部件的制造方法，其特征在于，具有在所述通孔的內(nèi)側(cè)面形成防護(hù)膜的防護(hù)膜形成工序，所述填充工序包含在形成于所述通孔的內(nèi)側(cè)面上的防護(hù)膜的表面上電鍍形成由所述導(dǎo)電性材料構(gòu)成的填充層的電鍍工序。
7.如權(quán)利要求5或6所述的電子器件封裝用密封部件的制造方法，其特征在于，所述封孔工序包含通過使用了具有感光性的所述樹脂材料的光刻法形成對(duì)所述通孔的所述開口端部進(jìn)行封閉的樹脂圖樣的工序。
全文摘要
本發(fā)明通過在一主面上搭載有電子器件元件的電極的第一密封部件、和與第一密封部件相對(duì)配置且對(duì)電子器件元件的電極進(jìn)行氣密密封的第二密封部件構(gòu)成電子器件封裝體。這里，在對(duì)構(gòu)成第一密封部件的基材的兩主面進(jìn)行貫穿的通孔中，填充導(dǎo)電性材料，而且，通孔的第一密封部件的另一主面一側(cè)的開口端部被樹脂材料封閉。
文檔編號(hào)H03H3/007GK102403977SQ20111026263
公開日2012年4月4日 申請日期2011年9月7日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月7日
發(fā)明者幸田直樹 申請人:株式會(huì)社大真空