專利名稱：一種內(nèi)置天線低噪聲放大電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及信號(hào)放大電路，具體涉及一種內(nèi)置天線低噪聲放大電路。
背景技術(shù)：
目前，手機(jī)、MP3等眾多便攜式電子設(shè)備中，都裝配了功能；這些具備功能的便攜式電子設(shè)備，均將耳機(jī)線作為的天線，因此用戶在使用時(shí)必須佩戴耳機(jī)，這為功能的使用帶來了很大的不便；所以人們需要可以將天線內(nèi)置的便攜式電子設(shè)備；由于的工作頻率在 100MHZ附近，所需的天線較長，無法內(nèi)置到便攜式電子設(shè)備中；但為了使天線可以內(nèi)置到便攜式電子設(shè)備中，就必須大大縮小天線的長度，這樣在便攜式電子設(shè)備中的內(nèi)置天線接收到的信號(hào)就會(huì)極其微弱，導(dǎo)致無法正常使用；于是便產(chǎn)生了能夠?qū)?nèi)置天線接受到的信號(hào)進(jìn)行放大，以保證正常使用的內(nèi)置天線低噪聲放大電路?，F(xiàn)有的內(nèi)置天線低噪聲放大電路包括用以將天線接收到的信號(hào)進(jìn)行放大的三極管、用以保證三極管正常工作的偏置電阻，用以保證天線與噪聲放大電路阻抗匹配的匹配網(wǎng)絡(luò)；但現(xiàn)有的內(nèi)置天線低噪聲放大電路無法根據(jù)實(shí)際需要對(duì)其放大增益進(jìn)行調(diào)節(jié)，適應(yīng)性較差。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型為解決現(xiàn)有的技術(shù)內(nèi)置天線低噪聲放大電路無法根據(jù)實(shí)際需要對(duì)其放大增益進(jìn)行調(diào)節(jié)問題，提供一種增益可調(diào)的內(nèi)置天線低噪聲放大電路。為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型實(shí)施例提出了如下技術(shù)方案一種內(nèi)置天線低噪聲放大電路，包括三極管、第一偏置電阻、第二偏置電阻、匹配網(wǎng)絡(luò)；匹配網(wǎng)絡(luò)連接于所述內(nèi)置天線與三極管的基極之間；三極管的集電極經(jīng)第一偏置電阻與電源相連；三極管的集電極與所述內(nèi)置天線低噪聲放大電路的輸出端相連；第二偏置電阻連接于三極管的集電極與基極之間；三極管的發(fā)射極與地相連；還包括用以調(diào)節(jié)所述內(nèi)置天線低噪聲放大電路輸出增益的增益調(diào)節(jié)單元，所述增益調(diào)節(jié)單元連接于匹配網(wǎng)絡(luò)和三極管的基極之間。進(jìn)一步地，所述增益調(diào)節(jié)單元為可變電位器。進(jìn)一步地，所述匹配網(wǎng)絡(luò)包括電感。進(jìn)一步地，所述第一偏置電阻和電源之間設(shè)有PMOS管，所述PMOS管的源極與電源相連，所述PMOS管的漏極與第一電阻相連。進(jìn)一步地，所述三極管的發(fā)射極與地之間設(shè)有NMOS管，所述NMOS管的漏極與三極管的發(fā)射極相連，所述NMOS管的源極與地相連。進(jìn)一步地，所述三極管的基極通過第一電容與增益調(diào)節(jié)單元相連。進(jìn)一步地，三極管的集電極通過第二電容與所述內(nèi)置天線低噪聲放大電路的輸出端相連。進(jìn)一步地，包括第三電容，所述第三電容連接于電源與地之間。[0014]本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的一種內(nèi)置天線低噪聲放大電路，與現(xiàn)有技術(shù)相比，增加了用以調(diào)節(jié)所述內(nèi)置天線低噪聲放大電路輸出增益的增益調(diào)節(jié)單元，可根據(jù)實(shí)際需要對(duì)內(nèi)置天線低噪聲放大電路的輸出增益進(jìn)行調(diào)節(jié)，增強(qiáng)內(nèi)置天線低噪聲放大電路的適應(yīng)性。
圖1是本實(shí)用新型第一實(shí)施例的電路圖；圖2是本實(shí)用新型第二實(shí)施例的電路圖；圖3是本實(shí)用新型第三實(shí)施例的電路圖；圖4是本實(shí)用新型第二實(shí)施例增益調(diào)節(jié)曲線圖。
具體實(shí)施方式
為了使本實(shí)用新型所解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚明白，
以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。實(shí)施例一如圖1所示一種內(nèi)置天線低噪聲放大電路，包括三極管Q1、第一偏置電阻R1、 第二偏置電阻R2、匹配網(wǎng)絡(luò)；匹配網(wǎng)絡(luò)連接于所述內(nèi)置天線Al與三極管的基極之間；三極管的集電極經(jīng)第一偏置電阻與電源相連；三極管的集電極與所述內(nèi)置天線低噪聲放大電路的輸出端相連；第二偏置電阻連接于三極管的集電極與基極之間；三極管的發(fā)射極與地相連；還包括用以調(diào)節(jié)所述內(nèi)置天線低噪聲放大電路輸出增益的增益調(diào)節(jié)單元，所述增益調(diào)節(jié)單元連接于匹配網(wǎng)絡(luò)和三極管的基極之間。實(shí)施例一將通過天線Al接收到的調(diào)頻信號(hào)進(jìn)行低噪聲放大并經(jīng)過輸出端Out將放大后的信號(hào)輸出至便攜式電子設(shè)備的解調(diào)芯片；可根據(jù)實(shí)際需要通過增益調(diào)節(jié)單元來對(duì)內(nèi)置天線低噪聲放大電路的增益進(jìn)行適應(yīng)性調(diào)節(jié)，以使得收音機(jī)工作在最佳狀態(tài)。實(shí)施例二 如圖2所示實(shí)施例二為對(duì)實(shí)施例一的進(jìn)一步細(xì)化及優(yōu)化；在本實(shí)用新型實(shí)施例中所述匹配網(wǎng)絡(luò)為電感Li，在某些實(shí)施例中匹配網(wǎng)絡(luò)也可以為LC網(wǎng)絡(luò)；所述增益調(diào)節(jié)單元為可變電位器R3 ；電感的一端與天線Al相連，電感的另一端與可變電位器的輸入端相連， 為保證低噪聲放大電路更好地工作，可變電位器的輸出端經(jīng)過第一電容Cl與三極管的基極相連，三極管的集電極經(jīng)過第二電容與所述內(nèi)置天線低噪聲放大電路的輸出端相連，以隔離直流電信號(hào)；電源Vcc與地之間還設(shè)有第三電容C3，以保持電源電壓穩(wěn)定；第一偏置電阻Rl和電源之間設(shè)有PMOS管，所述PMOS管的源極與電源相連，所述PMOS管的漏極與第一電阻相連；所述PMOS管的柵極為控制內(nèi)置天線低噪聲放大電路工作狀態(tài)的使能端Ctrl ； 當(dāng)工作時(shí)，可以于Ctrl端施加低電平，控制PMOS管導(dǎo)通，使三級(jí)管的集電極與電源相連，控制內(nèi)置天線低噪聲放大電路處于工作狀態(tài)；當(dāng)不工作時(shí)，可以于Ctrl端施加高電平，控制 PMOS管關(guān)斷，使三級(jí)管的集電極與電源斷開，控制內(nèi)置天線低噪聲放大電路處于關(guān)斷狀態(tài)； 以便避免內(nèi)置天線低噪聲放大電路始終處于工作狀態(tài)，節(jié)省功耗；在不同情況下可通過調(diào)節(jié)可變電位器的阻值對(duì)內(nèi)置天線低噪聲放大電路的增益進(jìn)行適應(yīng)性調(diào)節(jié)，以使得工作在最佳狀態(tài)。實(shí)施例二中所使用的三極管型號(hào)為BRF92A，PMOS管型號(hào)為A03401，電感為10納亨，第一電阻為1000歐姆，第二電阻為2000歐姆，第一電容為1000皮法，第二電容為10皮法，第三電容為1000皮法，可變電位為0到100歐姆可調(diào)。[0026]圖4是本實(shí)用新型第二實(shí)施例增益調(diào)節(jié)曲線圖；如圖4所示，其中的實(shí)線為可變電位器R3阻值為100歐姆時(shí)增益隨頻率變化的曲線；虛線為可變電位器R3阻值為50歐姆時(shí)益隨頻率變化的曲線；由此可見，對(duì)可變電位器R3阻值的調(diào)整可有效調(diào)節(jié)內(nèi)置天線低噪聲放大電路的輸出增益。 實(shí)施例三如圖3所示實(shí)施例三與實(shí)施例二的區(qū)別在于在實(shí)施例一的基礎(chǔ)上所述三極管的發(fā)射極與地之間設(shè)有NMOS管，所述NMOS管的漏極與三極管的發(fā)射極相連，所述NMOS管的源極與地相連；所述NMOS管的柵極為控制內(nèi)置天線低噪聲放大電路工作狀態(tài)的使能端 Ctrl ；當(dāng)工作時(shí)，可以于Ctrl端施加高電平，控制NMOS管導(dǎo)通，使三級(jí)管的發(fā)射極與地相連，控制內(nèi)置天線低噪聲放大電路處于工作狀態(tài)；當(dāng)不工作時(shí)，可以于Ctrl端施加低電平， 控制NMOS管關(guān)斷，使三級(jí)管的發(fā)射極與地?cái)嚅_，控制內(nèi)置天線低噪聲放大電路處于關(guān)斷狀態(tài)；以便避免內(nèi)置天線低噪聲放大電路始終處于工作狀態(tài)，節(jié)省功耗。以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種內(nèi)置天線低噪聲放大電路，包括三極管、第一偏置電阻、第二偏置電阻、匹配網(wǎng)絡(luò)；匹配網(wǎng)絡(luò)連接于內(nèi)置天線與三極管的基極之間；三極管的集電極經(jīng)第一偏置電阻與電源相連；三極管的集電極與所述內(nèi)置天線低噪聲放大電路的輸出端相連；第二偏置電阻連接于三極管的集電極與基極之間；三極管的發(fā)射極與地相連；其特征在于還包括用以調(diào)節(jié)所述內(nèi)置天線低噪聲放大電路輸出增益的增益調(diào)節(jié)單元，所述增益調(diào)節(jié)單元連接于匹配網(wǎng)絡(luò)和三極管的基極之間。
2.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)置天線低噪聲放大電路，其特征在于，所述增益調(diào)節(jié)單元為可變電位器。
3.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)置天線低噪聲放大電路，其特征在于，所述匹配網(wǎng)絡(luò)包括電感。
4.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)置天線低噪聲放大電路，其特征在于，所述第一偏置電阻和電源之間設(shè)有PMOS管，所述PMOS管的源極與電源相連，所述PMOS管的漏極與第一電阻相連。
5.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)置天線低噪聲放大電路，其特征在于，所述三極管的發(fā)射極與地之間設(shè)有NMOS管，所述NMOS管的漏極與三極管的發(fā)射極相連，所述NMOS管的源極與地相連。
6.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)置天線低噪聲放大電路，其特征在于，所述三極管的基極通過第一電容與增益調(diào)節(jié)單元相連。
7.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)置天線低噪聲放大電路，其特征在于，三極管的集電極通過第二電容與所述內(nèi)置天線低噪聲放大電路的輸出端相連。
8.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)置天線低噪聲放大電路，其特征在于，包括第三電容，所述第三電容連接于電源與地之間。
專利摘要本實(shí)用新型提供了一種內(nèi)置天線低噪聲放大電路，包括三極管、第一偏置電阻、第二偏置電阻、匹配網(wǎng)絡(luò)；匹配網(wǎng)絡(luò)連接于所述內(nèi)置天線與三極管的基極之間；三極管的集電極經(jīng)第一偏置電阻與電源相連；三極管的集電極與所述內(nèi)置天線低噪聲放大電路的輸出端相連；第二偏置電阻連接于三極管的集電極與基極之間；三極管的發(fā)射極與地相連；還包括用以調(diào)節(jié)所述內(nèi)置天線低噪聲放大電路輸出增益的增益調(diào)節(jié)單元，所述增益調(diào)節(jié)單元連接于匹配網(wǎng)絡(luò)和三極管的基極之間，與現(xiàn)有技術(shù)相比，增加了用以調(diào)節(jié)所述內(nèi)置天線低噪聲放大電路輸出增益的增益調(diào)節(jié)單元，可根據(jù)實(shí)際需要對(duì)內(nèi)置天線低噪聲放大電路的輸出增益進(jìn)行調(diào)節(jié)，增強(qiáng)內(nèi)置天線低噪聲放大電路的適應(yīng)性。
文檔編號(hào)H03F3/16GK201966872SQ201020131208
公開日2011年9月7日 申請(qǐng)日期2010年3月11日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月11日
發(fā)明者何其娟, 孔憲君 申請(qǐng)人:比亞迪股份有限公司