專利名稱：不同切角與鍍膜返回頻率的晶片獲得相同溫度頻差的方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種石英晶片制備方法，尤其是一種不同切角與鍍膜返回頻率的石英 晶片獲得相同溫度頻差的方法。
背景技術：
AT切型石英晶體諧振器/振蕩器由于覆蓋頻率范圍寬，頻率穩(wěn)定性好，并且適合 小型化等優(yōu)點，被廣泛應用于頻率控制領域。近年來，市場對寬溫小頻差高精度石英晶體諧 振器/振蕩器的需求增加。傳統(tǒng)上，為得到高精度頻率溫度要求時，采用縮小晶片的角度范 圍來得到，例如，溫度范圍在-20 +70°C時，要求石英晶體諧振器/振蕩器的頻率變化小 于士 lOppm，可使用切角是35° 14' 士2'的晶片制作成品；溫度范圍在-40 +85°C時， 要求石英晶體諧振器/振蕩器的頻率變化小于士 lOppm，可使用切角是35° 14' 士 15"的 晶片制作成品(1° =60' = 3600〃)，切角范圍由士 2'減少為士 15〃，加工難度明顯增 加，而且合格品的產(chǎn)出率大幅度降低，常用的方法通過角度篩選來獲得需要的晶片，這樣增 加了人工成本、材料成本和其他輔助成本。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術問題是提供一種不同切角與鍍膜返回頻率的晶片獲得相同 溫度頻差的方法，能夠通過調(diào)整石英晶片的鍍膜厚度使不同切角的石英晶片獲得相同的溫
度頻差。為解決上述技術問題，本發(fā)明所采取的技術方案是不同切角與鍍膜返回頻率的 晶片獲得相同溫度頻差的方法，首先用切割機對石英晶體進行AT型切片，并用鍍膜機對至 少兩片石英晶片進行鍍膜，然后按照如下步驟操作
A、數(shù)據(jù)獲取從所得鍍膜石英晶片中選取至少兩片切角和鍍膜返回頻率不同但溫度頻 差相同的石英晶片，記錄各片鍍膜石英晶片的切角θρ θ2、……、9 和鍍膜返回頻率、、
h ...... h .
U2、、IIn ,
B、建立方程對步驟A所得數(shù)據(jù)進行一元線性回歸分析得公式θ=ah + b ；
C、指導生產(chǎn)選取切角為θ未鍍膜石英晶片，將θi代入上步所得公式計算得到hi; 控制此石英晶片的鍍膜厚度使其鍍膜返回頻率為hi;即可生產(chǎn)出切角與鍍膜返回頻率不同 但溫度頻差相同的石英晶片。作為本發(fā)明的一種優(yōu)選技術方案，首先用切割機對石英晶體進行AT型切片，并用 鍍膜機對至少兩片石英晶片進行鍍膜，然后按照如下步驟操作
A、數(shù)據(jù)獲取從所得鍍膜石英晶片中選取六片切角和鍍膜返回頻率不同但溫度頻差 相同的石英晶片，記錄各片鍍膜石英晶片的切角θρ θ2、……、9 和鍍膜返回頻率、、 h2、……、hn，具體數(shù)值見下表
表1.六片鍍膜石英晶片的切角θ和鍍膜返回頻率h
權利要求
1.不同切角與鍍膜返回頻率的晶片獲得相同溫度頻差的方法，首先用切割機對石英晶 體進行AT型切片，并用鍍膜機對至少兩片石英晶片進行鍍膜，其特征步驟在于A、數(shù)據(jù)獲取從所得鍍膜石英晶片中選取至少兩片切角和鍍膜返回頻率不同但溫度頻 差相同的石英晶片，記錄各片鍍膜石英晶片的切角θρ θ2、……、9 和鍍膜返回頻率、、h ...... h .U2、、IIn ,B、建立方程對步驟A所得數(shù)據(jù)進行一元線性回歸分析得公式θ=ah + b ；C、指導生產(chǎn)選取切角為θ未鍍膜石英晶片，將θi代入上步所得公式計算得到hi; 控制此石英晶片的鍍膜厚度使其鍍膜返回頻率為hi;即可生產(chǎn)出切角與鍍膜返回頻率不同 但溫度頻差相同的石英晶片。
2.根據(jù)權利要求1所述的不同切角與鍍膜返回頻率的晶片獲得相同溫度頻差的方法， 其特征步驟在于首先用切割機對石英晶體進行AT型切片，并用鍍膜機對至少兩片石英晶 片進行鍍膜，然后按照如下步驟操作A、數(shù)據(jù)獲取從所得鍍膜石英晶片中選取六片切角和鍍膜返回頻率不同但溫度頻差 相同的石英晶片，記錄各片鍍膜石英晶片的切角θρ θ2、……、9 和鍍膜返回頻率、、 h2、……、hn，具體數(shù)值見下表表1.六片鍍膜石英晶片的切角θ和鍍膜返回頻率h
3.根據(jù)權利要求1或2所述的不同切角與鍍膜返回頻率的晶片獲得相同溫度頻差的方 法，其特征在于步驟A中選取溫度頻差相同的鍍膜石英晶片的方法為，利用溫度頻率儀對 鍍膜石英晶片的偏差角度進行測試，如果偏差角度相同，則溫度頻差相同。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種不同切角與鍍膜返回頻率的晶片獲得相同溫度頻差的方法，首先用切割機對石英晶體進行AT型切片，并用鍍膜機對至少兩片石英晶片進行鍍膜，然后從所得鍍膜石英晶片中選取至少兩片切角和鍍膜返回頻率不同但溫度頻差相同的石英晶片，記錄各片鍍膜石英晶片的切角θ1、θ2、……、θn和鍍膜返回頻率h1、h2、……、hn，線性回歸分析建立公式θ=ah＋b，再選取切角為θi的未鍍膜石英晶片，將θi代入上步所得公式計算得到hi，控制此石英晶片的鍍膜厚度使其鍍膜返回頻率為hi，即可生產(chǎn)出切角與鍍膜返回頻率不同但溫度頻差相同的石英晶片。本發(fā)明能夠通過調(diào)整石英晶片的鍍膜厚度使不同切角的石英晶片獲得相同的溫度頻差。
文檔編號H03H3/04GK102118137SQ20101057032
公開日2011年7月6日 申請日期2010年12月2日 優(yōu)先權日2010年12月2日
發(fā)明者趙維疆 申請人:廊坊中電熊貓晶體科技有限公司