專利名稱：體聲波薄膜共振器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種體聲波薄膜共振器及其制造方法，特別是涉及一種可增加體聲波共振元件信號隔離的體聲波薄膜共振器及其制造方法。
背景技術(shù)：
近年來因?yàn)轶w聲波薄膜共振器的元件尺寸可以縮得更小、頻率特性更優(yōu)異，且可提升整體無線通訊系統(tǒng)的品質(zhì)及特性，因此體聲波薄膜共振器(FBAR)因其較佳的特性成為開發(fā)重點(diǎn)，如圖1示出的一種內(nèi)含多個體聲波薄膜共振元件的體聲波薄膜共振器10包含一硅基板11、一第一金屬層12、一壓電層13以及一第二金屬層14，該第一金屬層12形成在該硅基板11上，該第一金屬層12具有多個下電極12a，該壓電層13形成在該硅基板11上并覆蓋該第一金屬層12，該第二金屬層14形成在該壓電層13上，且該第二金屬層14包含有一第一上電極14a、一第二上電極14b及一第三上電極14c，該體聲波薄膜共振器10利用壓電效應(yīng)將機(jī)械能透過該壓電層13的形變轉(zhuǎn)換為電信號，由于該體聲波薄膜共振器10的機(jī)械振動，其振動能量不具有固定方向性，因此機(jī)械振動能量會由該壓電層13傳導(dǎo)，因此造成信號干擾，導(dǎo)致信號品質(zhì)不佳。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在于克服現(xiàn)有的體聲波薄膜共振器存在的缺陷，而提供一種新型結(jié)構(gòu)的體聲波薄膜共振器，所要解決的技術(shù)問題是增加該體聲波薄膜共振器的信號共振強(qiáng)度，并降低信號干擾，非常適于實(shí)用。本發(fā)明的另一目的在于，克服現(xiàn)有的體聲波薄膜共振器存在的缺陷，而提供一種新的體聲波薄膜共振器的制造方法，所要解決的技術(shù)問題是增加該體聲波薄膜共振器的信號共振強(qiáng)度，并降低信號干擾，非常適于實(shí)用。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的體聲波薄膜共振器其包含一硅基板、一第一金屬層、一壓電層以及一第二金屬層，該硅基板具有一第一表面與一第二表面，該第一金屬層形成在該硅基板上，該第一金屬層包含有多個下電極，該壓電層覆蓋該第一金屬層，該壓電層至少具有一第一上電極設(shè)置區(qū)、一第二上電極設(shè)置區(qū)、一第三上電極設(shè)置區(qū)、一環(huán)繞該第一上電極設(shè)置區(qū)外側(cè)的第一改質(zhì)區(qū)、一環(huán)繞該第二上電極設(shè)置區(qū)外側(cè)的第二改質(zhì)區(qū)及一環(huán)繞該第三上電極設(shè)置區(qū)外側(cè)的第三改質(zhì)區(qū)，該第二金屬層形成在該壓電層上，該第二金屬層包含有一第一上電極、一第二上電極及一第三上電極，該第一上電極位于該第一上電極設(shè)置區(qū)，該第二上電極位于該第二上電極設(shè)置區(qū)，該第三上電極位于該第三上電極設(shè)置區(qū)。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的體聲波薄膜共振器的制造方法其包含提供一硅基板，該硅基板具有一第一表面與一第二表面；形成一第一金屬層在該硅基板上，該第一金屬層包含有多個下電極；形成一壓電層在該硅基板上并覆蓋該第一金屬層，該壓電層至少具有一第一上電極設(shè)置區(qū)、一第二上電極設(shè)置區(qū)、一第三上電極設(shè)置區(qū)、一環(huán)繞該第一上電極設(shè)置區(qū)外側(cè)的第一改質(zhì)區(qū)、一環(huán)繞該第二上電極設(shè)置區(qū)外側(cè)的第二改質(zhì)區(qū)及一環(huán)繞該第三上電極設(shè)置區(qū)外側(cè)的第三改質(zhì)區(qū)；將該第一改質(zhì)區(qū)、該第二改質(zhì)區(qū)及該第三改質(zhì)區(qū)進(jìn)行改質(zhì)處理；以及形成一第二金屬層在該壓電層上，該第二金屬層包含有一第一上電極、一第二上電極及一第三上電極，該第一上電極位于該第一上電極設(shè)置區(qū)，該第二上電極位于該第二上電極設(shè)置區(qū)，該第三上電極位于該第三上電極設(shè)置區(qū)。借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明體聲波薄膜共振器及其制造方法至少具有下列優(yōu)點(diǎn)及有益效果本發(fā)明將該壓電層的該第一改質(zhì)區(qū)、該第二改質(zhì)區(qū)及該第三改質(zhì)區(qū)進(jìn)行改質(zhì)處理，使該第一改質(zhì)區(qū)、該第二改質(zhì)區(qū)及該第三改質(zhì)區(qū)的密度、彈性系數(shù)、剛性系數(shù)及聲波傳播速度改變，以使該第一改質(zhì)區(qū)、該第二改質(zhì)區(qū)及該第三改質(zhì)區(qū)形成為機(jī)械波的阻擋介面， 以有效的將大部分的振動能量局限在該體聲波薄膜共振器的垂直結(jié)構(gòu)內(nèi)，而增加該體聲波薄膜共振器的信號共振強(qiáng)度，并降低信號干擾。綜上所述，本發(fā)明可有效增加該體聲波薄膜共振器的信號共振強(qiáng)度，并降低信號干擾。本發(fā)明在技術(shù)上有顯著的進(jìn)步，并具有明顯的積極效果，誠為一新穎、進(jìn)步、實(shí)用的新設(shè)計(jì)。上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段， 而可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實(shí)施例，并配合附圖，詳細(xì)說明如下。


圖1是現(xiàn)有習(xí)知的體聲波薄膜共振器的立體圖。圖2是本發(fā)明一較佳實(shí)施例的一種體聲波薄膜共振器的俯視圖。圖3是本發(fā)明一較佳實(shí)施例的該體聲波薄膜共振器沿圖2A-A方向的立體剖視圖。圖4A至4C是本發(fā)明一較佳實(shí)施例的該體聲波薄膜共振器的制造方法的剖面示意圖。圖5A至5B是本發(fā)明一較佳實(shí)施例的該體聲波薄膜共振器的制造方法的立體圖。10體聲波薄膜共振器11硅基板12第一金屬層12a下電極13壓電層14第二金屬層1 第一上電極14b第二上電極Hc第三上電極100體聲波薄膜共振器110硅基板111第一表面112第二表面113振動層114蝕刻遮罩層115共振腔120第一金屬層121下電極130壓電層
131 第--上電極設(shè)置區(qū)132 第二二上電極設(shè)置區(qū)
133第三三上電極設(shè)置區(qū)134 第--改質(zhì)區(qū)
1；35 第二二改質(zhì)區(qū)136第三三改質(zhì)區(qū)
140 第二二金屬層141 第--上電極
142 第二二上電極143第三三上電極
具體實(shí)施例方式請參閱圖2及圖3，其是本發(fā)明的一較佳實(shí)施例，一種體聲波薄膜共振器100包含一硅基板110、一第一金屬層120、一壓電層130以及一第二金屬層140，該硅基板110具有一第一表面111與一第二表面112，該第一金屬層120形成在該硅基板110上，該第一金屬層120包含有多個下電極121，該壓電層130覆蓋該第一金屬層120，該壓電層130至少具有一第一上電極設(shè)置區(qū)131、一第二上電極設(shè)置區(qū)132、一第三上電極設(shè)置區(qū)133、一環(huán)繞該第一上電極設(shè)置區(qū)131外側(cè)的第一改質(zhì)區(qū)134、一環(huán)繞該第二上電極設(shè)置區(qū)132外側(cè)的第二改質(zhì)區(qū)135及一環(huán)繞該第三上電極設(shè)置區(qū)133外側(cè)的第三改質(zhì)區(qū)136，該第二金屬層140 形成在該壓電層130上，該第二金屬層140包含有一第一上電極141、一第二上電極142及一第三上電極143，該第一上電極141位于該第一上電極設(shè)置區(qū)131，該第二上電極142位于該第二上電極設(shè)置區(qū)132，該第三上電極143位于該第三上電極設(shè)置區(qū)133。在本實(shí)施例中，該第一上電極設(shè)置區(qū)131具有一第一密度，該第二上電極設(shè)置區(qū) 132具有一第二密度，該第三上電極設(shè)置區(qū)133具有一第三密度，該第一改質(zhì)區(qū)134具有一第一改質(zhì)后密度，該第二改質(zhì)區(qū)135具有一第二改質(zhì)后密度，該第三改質(zhì)區(qū)136具有一第三改質(zhì)后密度，該第一改質(zhì)后密度、該第二改質(zhì)后密度及該第三改質(zhì)后密度不等于該第一密度、該第二密度及該第三密度，且該第一上電極設(shè)置區(qū)131具有一第一彈性系數(shù)，該第二上電極設(shè)置區(qū)132具有一第二彈性系數(shù)，該第三上電極設(shè)置區(qū)133具有一第三彈性系數(shù)，該第一改質(zhì)區(qū)134具有一第一改質(zhì)后彈性系數(shù)，該第二改質(zhì)區(qū)135具有一第二改質(zhì)后彈性系數(shù)， 該第三改質(zhì)區(qū)136具有一第三改質(zhì)后彈性系數(shù)，該第一改質(zhì)后彈性系數(shù)、該第二改質(zhì)后彈性系數(shù)及該第三改質(zhì)后彈性系數(shù)不等于該第一彈性系數(shù)、該第二彈性系數(shù)及該第三彈性系數(shù)。此外，該第一上電極設(shè)置區(qū)131具有一第一剛性系數(shù)，該第二上電極設(shè)置區(qū)132具有一第二剛性系數(shù)，該第三上電極設(shè)置區(qū)133具有一第三剛性系數(shù)，該第一改質(zhì)區(qū)134具有一第一改質(zhì)后剛性系數(shù)，該第二改質(zhì)區(qū)135具有一第二改質(zhì)后剛性系數(shù)，該第三改質(zhì)區(qū)136 具有一第三改質(zhì)后剛性系數(shù)，該第一改質(zhì)后剛性系數(shù)、該第二改質(zhì)后剛性系數(shù)及該第三改質(zhì)后剛性系數(shù)不等于該第一剛性系數(shù)、該第二剛性系數(shù)及該第三剛性系數(shù)，該第一上電極設(shè)置區(qū)131具有一第一聲波傳播速度，該第二上電極設(shè)置區(qū)132具有一第二聲波傳播速度， 該第三上電極設(shè)置區(qū)133具有一第三聲波傳播速度，該第一改質(zhì)區(qū)134具有一第一改質(zhì)后聲波傳播速度，該第二改質(zhì)區(qū)135具有一第二改質(zhì)后聲波傳播速度，該第三改質(zhì)區(qū)136具有一第三改質(zhì)后聲波傳播速度，該第一改質(zhì)后聲波傳播速度、該第二改質(zhì)后聲波傳播速度及該第三改質(zhì)后聲波傳播速度不等于該第一聲波傳播速度、該第二聲波傳播速度及該第三聲波傳播速度。接著，請參閱圖4A至圖5B圖，其是本發(fā)明的一種體聲波薄膜共振器100的制造方法，首先，請參閱圖4A，其提供一硅基板110，該硅基板110具有一第一表面111、一第二表面 112、一形成在該第一表面111的振動層113及一形成在該第二表面112的蝕刻遮罩層114 ； 接著，請參閱圖4B，其形成一共振腔115在該第二表面112，之后，形成一第一金屬層120在該硅基板110的該振動層113上；接著，請參閱圖4C及5A，其形成一壓電層130在該硅基板110的該振動層113上并覆蓋該第一金屬層120，該壓電層130至少具有一第一上電極設(shè)置區(qū)131、一第二上電極設(shè)置區(qū)132、一第三上電極設(shè)置區(qū)133、一環(huán)繞該第一上電極設(shè)置區(qū)131外側(cè)的第一改質(zhì)區(qū)134、一環(huán)繞該第二上電極設(shè)置區(qū)132外側(cè)的第二改質(zhì)區(qū)135及一環(huán)繞該第三上電極設(shè)置區(qū)133外側(cè)的第三改質(zhì)區(qū)136 ；接著，請參閱圖5B，將該第一改質(zhì)區(qū)134、該第二改質(zhì)區(qū)135及該第三改質(zhì)區(qū)136進(jìn)行改質(zhì)處理，在本實(shí)施例中，該第一改質(zhì)區(qū)134、該第二改質(zhì)區(qū)135及該第三改質(zhì)區(qū)136進(jìn)行改質(zhì)處理的方法可以為激光照射法；最后，如圖2所示，形成一第二金屬層140在該壓電層130上，該第二金屬層140包含有一第一上電極141、一第二上電極142及一第三上電極143，該第一上電極141位于該第一上電極設(shè)置區(qū)131，該第二上電極142位于該第二上電極設(shè)置區(qū)132，該第三上電極143位于該第三上電極設(shè)置區(qū)133以形成該體聲波薄膜共振器100。本發(fā)明是在該壓電層130的該第一改質(zhì)區(qū)134、該第二改質(zhì)區(qū)135及該第三改質(zhì)區(qū) 136進(jìn)行改質(zhì)處理，使該第一改質(zhì)區(qū)134、該第二改質(zhì)區(qū)135及該第三改質(zhì)區(qū)136的改質(zhì)后密度、改質(zhì)后彈性系數(shù)、改質(zhì)后剛性系數(shù)及改質(zhì)后聲波傳播速度不等于該第一上電極設(shè)置區(qū)131、該第二上電極設(shè)置區(qū)132及該第三上電極設(shè)置區(qū)133的密度、彈性系數(shù)、剛性系數(shù)及聲波傳播速度，因此使得該體聲波薄膜共振器100所產(chǎn)生的機(jī)械振動被該壓電層130的該第一改質(zhì)區(qū)134、該第二改質(zhì)區(qū)135及該第三改質(zhì)區(qū)136阻隔，因此大部分的振動能量將會被局限于該體聲波薄膜共振器100的垂直結(jié)構(gòu)內(nèi)，以增加該體聲波薄膜共振器100的信號共振強(qiáng)度，并降低信號干擾。以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的方法及技術(shù)內(nèi)容作出些許的更動或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對以上實(shí)施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種體聲波薄膜共振器，其特征在于至少包含一硅基板，其具有一第一表面與一第二表面；一第一金屬層，其形成在該硅基板上，該第一金屬層包含有多個下電極；一壓電層，其覆蓋該第一金屬層，該壓電層至少具有一第一上電極設(shè)置區(qū)、一第二上電極設(shè)置區(qū)、一第三上電極設(shè)置區(qū)、一環(huán)繞該第一上電極設(shè)置區(qū)外側(cè)的第一改質(zhì)區(qū)、一環(huán)繞該第二上電極設(shè)置區(qū)外側(cè)的第二改質(zhì)區(qū)及一環(huán)繞該第三上電極設(shè)置區(qū)外側(cè)的第三改質(zhì)區(qū)；以及一第二金屬層，其形成在該壓電層上，該第二金屬層包含有一第一上電極、一第二上電極及一第三上電極，該第一上電極位于該第一上電極設(shè)置區(qū)，該第二上電極位于該第二上電極設(shè)置區(qū)，該第三上電極位于該第三上電極設(shè)置區(qū)。
2.如權(quán)利要求1所述的體聲波薄膜共振器，其特征在于其中該第一上電極設(shè)置區(qū)具有一第一密度，該第二上電極設(shè)置區(qū)具有一第二密度，該第三上電極設(shè)置區(qū)具有一第三密度， 該第一改質(zhì)區(qū)具有一第一改質(zhì)后密度，該第二改質(zhì)區(qū)具有一第二改質(zhì)后密度，該第三改質(zhì)區(qū)具有一第三改質(zhì)后密度，該第一改質(zhì)后密度、該第二改質(zhì)后密度及該第三改質(zhì)后密度不等于該第一密度、該第二密度及該第三密度。
3.如權(quán)利要求1所述的體聲波薄膜共振器，其特征在于其中該第一上電極設(shè)置區(qū)具有一第一彈性系數(shù)，該第二上電極設(shè)置區(qū)具有一第二彈性系數(shù)，該第三上電極設(shè)置區(qū)具有一第三彈性系數(shù)，該第一改質(zhì)區(qū)具有一第一改質(zhì)后彈性系數(shù)，該第二改質(zhì)區(qū)具有一第二改質(zhì)后彈性系數(shù)，該第三改質(zhì)區(qū)具有一第三改質(zhì)后彈性系數(shù)，該第一改質(zhì)后彈性系數(shù)、該第二改質(zhì)后彈性系數(shù)及該第三改質(zhì)后彈性系數(shù)不等于該第一彈性系數(shù)、該第二彈性系數(shù)及該第三彈性系數(shù)。
4.如權(quán)利要求1所述的體聲波薄膜共振器，其特征在于其中該第一上電極設(shè)置區(qū)具有一第一剛性系數(shù)，該第二上電極設(shè)置區(qū)具有一第二剛性系數(shù)，該第三上電極設(shè)置區(qū)具有一第三剛性系數(shù)，該第一改質(zhì)區(qū)具有一第一改質(zhì)后剛性系數(shù)，該第二改質(zhì)區(qū)具有一第二改質(zhì)后剛性系數(shù)，該第三改質(zhì)區(qū)具有一第三改質(zhì)后剛性系數(shù)，該第一改質(zhì)后剛性系數(shù)、該第二改質(zhì)后剛性系數(shù)及該第三改質(zhì)后剛性系數(shù)不等于該第一剛性系數(shù)、該第二剛性系數(shù)及該第三剛性系數(shù)。
5.如權(quán)利要求1所述的體聲波薄膜共振器，其特征在于其中該第一上電極設(shè)置區(qū)具有一第一聲波傳播速度，該第二上電極設(shè)置區(qū)具有一第二聲波傳播速度，該第三上電極設(shè)置區(qū)具有一第三聲波傳播速度，該第一改質(zhì)區(qū)具有一第一改質(zhì)后聲波傳播速度，該第二改質(zhì)區(qū)具有一第二改質(zhì)后聲波傳播速度，該第三改質(zhì)區(qū)具有一第三改質(zhì)后聲波傳播速度，該第一改質(zhì)后聲波傳播速度、該第二改質(zhì)后聲波傳播速度及該第三改質(zhì)后聲波傳播速度不等于該第一聲波傳播速度、該第二聲波傳播速度及該第三聲波傳播速度。
6.一種體聲波薄膜共振器的制造方法，其特征在于至少包含提供一硅基板，該硅基板具有一第一表面與一第二表面；形成一第一金屬層在該硅基板上，該第一金屬層包含有多個下電極；形成一壓電層在該硅基板上并覆蓋該第一金屬層，該壓電層至少具有一第一上電極設(shè)置區(qū)、一第二上電極設(shè)置區(qū)、一第三上電極設(shè)置區(qū)、一環(huán)繞該第一上電極設(shè)置區(qū)外側(cè)的第一改質(zhì)區(qū)、一環(huán)繞該第二上電極設(shè)置區(qū)外側(cè)的第二改質(zhì)區(qū)及一環(huán)繞該第三上電極設(shè)置區(qū)外側(cè)的第三改質(zhì)區(qū)；將該第一改質(zhì)區(qū)、該第二改質(zhì)區(qū)及該第三改質(zhì)區(qū)進(jìn)行改質(zhì)處理；以及形成一第二金屬層在該壓電層上，該第二金屬層包含有一第一上電極、一第二上電極及一第三上電極，該第一上電極位于該第一上電極設(shè)置區(qū)，該第二上電極位于該第二上電極設(shè)置區(qū)，該第三上電極位于該第三上電極設(shè)置區(qū)。
7.如權(quán)利要求6所述的體聲波薄膜共振器的制造方法，其特征在于其中該第一改質(zhì)區(qū)、該第二改質(zhì)區(qū)及該第三改質(zhì)區(qū)進(jìn)行改質(zhì)處理是以激光照射方法進(jìn)行改質(zhì)。
8.如權(quán)利要求6所述的體聲波薄膜共振器的制造方法，其特征在于該第一上電極設(shè)置區(qū)具有一第一密度，該第二上電極設(shè)置區(qū)具有一第二密度，該第三上電極設(shè)置區(qū)具有一第三密度，該第一改質(zhì)區(qū)具有一第一改質(zhì)后密度，該第二改質(zhì)區(qū)具有一第二改質(zhì)后密度，該第三改質(zhì)區(qū)具有一第三改質(zhì)后密度，該第一改質(zhì)后密度、該第二改質(zhì)后密度及該第三改質(zhì)后密度不等于該第一密度、該第二密度及該第三密度。
9.如權(quán)利要求6所述的體聲波薄膜共振器的制造方法，其特征在于其中該第一上電極設(shè)置區(qū)具有一第一彈性系數(shù)，該第二上電極設(shè)置區(qū)具有一第二彈性系數(shù)，該第三上電極設(shè)置區(qū)具有一第三彈性系數(shù)，該第一改質(zhì)區(qū)具有一第一改質(zhì)后彈性系數(shù)，該第二改質(zhì)區(qū)具有一第二改質(zhì)后彈性系數(shù)，該第三改質(zhì)區(qū)具有一第三改質(zhì)后彈性系數(shù)，該第一改質(zhì)后彈性系數(shù)、該第二改質(zhì)后彈性系數(shù)及該第三改質(zhì)后彈性系數(shù)不等于該第一彈性系數(shù)、該第二彈性系數(shù)及該第三彈性系數(shù)。
10.如權(quán)利要求6所述的體聲波薄膜共振器的制造方法，其特征在于其中該第一上電極設(shè)置區(qū)具有一第一剛性系數(shù)，該第二上電極設(shè)置區(qū)具有一第二剛性系數(shù)，該第三上電極設(shè)置區(qū)具有一第三剛性系數(shù)，該第一改質(zhì)區(qū)具有一第一改質(zhì)后剛性系數(shù)，該第二改質(zhì)區(qū)具有一第二改質(zhì)后剛性系數(shù)，該第三改質(zhì)區(qū)具有一第三改質(zhì)后剛性系數(shù)，該第一改質(zhì)后剛性系數(shù)、該第二改質(zhì)后剛性系數(shù)及該第三改質(zhì)后剛性系數(shù)不等于該第一剛性系數(shù)、該第二剛性系數(shù)及該第三剛性系數(shù)。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)于一種體聲波薄膜共振器及其制造方法，其中的體聲波薄膜共振器包含一硅基板、一第一金屬層、一壓電層以及一第二金屬層，該第一金屬層形成在該硅基板上，該第一金屬層包含有多個下電極，該壓電層覆蓋該第一金屬層，該壓電層至少具有一第一上電極設(shè)置區(qū)、一第二上電極設(shè)置區(qū)、一第三上電極設(shè)置區(qū)、一環(huán)繞該第一上電極設(shè)置區(qū)外側(cè)的第一改質(zhì)區(qū)、一環(huán)繞該第二上電極設(shè)置區(qū)外側(cè)的第二改質(zhì)區(qū)及一環(huán)繞該第三上電極設(shè)置區(qū)外側(cè)的第三改質(zhì)區(qū)，第二金屬層形成在壓電層上，第二金屬層包含有一第一上電極、一第二上電極及一第三上電極，第一上電極位于該第一上電極設(shè)置區(qū)，第二上電極位于該第二上電極設(shè)置區(qū)，第三上電極位于該第三上電極設(shè)置區(qū)。
文檔編號H03H3/08GK102347746SQ20101024241
公開日2012年2月8日 申請日期2010年7月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月29日
發(fā)明者周雄, 林瑞欽, 鄭建銓, 陳英忠, 高國升, 魏清梁 申請人:周雄