專利名稱：壓電振動裝置以及壓電振動裝置的制造方法
技術領域：
本發(fā)明尤其涉及批量生產(chǎn)性優(yōu)良的壓電振動裝置以及壓電振動裝置的制造方 法。
背景技術：
通常，隨著移動體通信機器或OA機器等的小型輕量化及高頻化，使用在這些的 壓電振動裝置也要求對應進一步的小型化及高頻化。另外，為了降低制造成本，要求批 量生產(chǎn)性優(yōu)良的壓電振動裝置的制造方法。根據(jù)專利文獻1 (日本特開2008-182468號公報)的壓電振動裝置的制造方法， 將各個蓋部放置在具有多個收放了壓電振動片的包裝件的晶片的引導部上。其次，該制 造方法通過引導部來嵌合蓋部和包裝件并進行密封之后，切斷包裝件晶片而形成多個壓 電振動裝置。由于專利文獻1中的壓電振動裝置的制造方法可以防止包裝件箱和蓋部的 位置的不齊，因此可以提高生產(chǎn)性。但是，在專利文獻1的制造方法中，收放了壓電振動片的包裝件以晶片為單 位，可蓋部則是個體狀態(tài)。因此，需要將蓋部分別搭載在形成了多個包裝件的晶片上。 從而，需要進一步提高生產(chǎn)性。

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的在于，提供提高了生產(chǎn)性且長期具有高頻率穩(wěn)定性的壓電裝置。第1觀點的壓電振動裝置，具有包含形成有勵振電極的壓電振動片以及配置 在壓電振動片的外圍的框體的壓電框架；以及接合在壓電框架的框體的一側的面上的面 板。其次，在框體和面板上形成有嵌合部，嵌合部通過接合材料進行接合。根據(jù)這種構成，提高了生產(chǎn)性且壓電振動裝置的密封性也高。另外在該壓電振動裝置中，接合材料為金屬材料，在嵌合部上形成有金屬膜。另外在該壓電振動裝置中，接合材料為樹脂材料。其次，在通過接合材料進行 接合的壓電振動裝置的外側上形成有耐蝕膜。該耐蝕膜包含無機氧化膜、氮化膜以及氮 氧化膜中的至少一種。另外在該壓電振動裝置中，面板由玻璃、陶瓷或者壓電材料中的任意一種構 成。另外壓電振動裝置的壓電振動片包含AT切割水晶振動片或音叉型水晶振動片。第1觀點的壓電振動裝置的制造方法，具有準備形成有多個壓電框架的壓電 晶片的工序，壓電框架具有形成有勵振電極的壓電振動片以及配置在壓電振動片的外圍 且形成有第1嵌合部的框體；準備形成有多個面板的面板晶片的工序，面板形成有與第1 嵌合部嵌合的第2嵌合部且具有與框體相同的大小；在第1嵌合部和第2嵌合部之間配置 接合材料的工序；以及重合壓電晶片以及面板晶片，并用接合材料進行接合的工序。根據(jù)這種構成，由于可以以晶片為單位進行生產(chǎn)，因此可以提高生產(chǎn)性。
第2觀點的壓電振動裝置的制造方法，在接合的工序之后，具有沿著框體的最 外圍切斷接合的晶片的工序。另外，在 通過接合材料進行接合的工序之后，具有形成通過壓電晶片的第1 嵌合部以及面板晶片的第2嵌合部的切口的工序；以及在切口形成耐蝕膜的工序。該耐 蝕膜包含無機氧化膜、氮化膜或氮氧化膜中的至少一種，且通過化學氣相生長法或噴鍍 法形成無機氧化膜、氮化膜或氮氧化膜中的至少一種。另外壓電振動裝置的制造方法，在接合的工序之后，具有沿著切口以比切口細 的寬度來切斷接合的晶片的工序。根據(jù)本發(fā)明，能夠以晶片為單位形成包裝件的同時可以提高壓電振動裝置的穩(wěn) 定性以及耐久性。


圖IA是構成第一水晶振動裝置100的第一蓋部10的內面圖。圖IB是具有音叉型水晶振動片30的第一水晶框架20的平面圖。圖IC是第一底部40的平面圖。圖ID是以圖IA至圖IC的A-A剖面表示了第一水晶振動裝置100的剖視構成圖。圖2是從蓋部用晶片IOW側觀察了包裝件晶片80W的平面圖。圖3是具有第一水晶振動裝置100的包裝件晶片80W的B_B剖面線的放大剖視 圖。但是，表示各個晶片分離的狀態(tài)。圖4是從蓋部用晶片IOWA側觀察了包裝件晶片85W的平面圖。圖5是具有第二水晶振動裝置110的包裝件晶片85W的C_C剖面線的放大剖視 圖。但是，表示各個晶片分離的狀態(tài)。圖6A是包裝件晶片85W的D-D剖面線的放大剖視圖。圖6B是表示形成了切口 87的狀態(tài)的圖6A的剖視圖。圖6C是表示形成了耐蝕膜90的狀態(tài)的圖6B的剖視圖。圖6D是表示通過切斷而個別化的狀態(tài)的第二水晶振動裝置110的剖視圖。圖中10-第一蓋部，IOA-第二蓋部，15、25、45-金屬膜， 17-蓋部側凹部，20-第一水晶框架， 20A-第二水晶框架，21-振動臂，22-空間部，23-基部，26-支撐臂，29-外框部，30-音叉型水晶振動片，31、32-基部電極， 33、34-勵振電極，40-第一底部，40A-第二底部，41-第1通孔，43-第2通孔，42-第1連接電極， 44-第2連接電極，47-底部側凹部，49-連接電極用段差，
60-切斷槽，68、73-嵌合用凹部，69、72-嵌合用凸部， 70-封裝材料，75-共晶金屬球，80W、85W-包裝件晶片，87-切口，90-耐蝕膜， 96-切斷部，100-第一水晶振動裝置，110-第二水晶振動裝置，EXl-第1外部電極，EX2-第2外部電極， 10W、10WA-蓋部用晶片，80-包裝件，40W、40WA-底部用晶片，20W、20WA-振動片用的水晶晶片。
具體實施例方式<第1實施方式第一水晶振動裝置100的構成>圖IA是構成第一水晶振動裝置100的第一蓋部10的內面圖；圖IB是具有音叉 型水晶振動片30的第一水晶框架20的平面圖；圖IC是第一底部40的平面圖；圖ID是 以圖IA至圖IC的A-A剖面表示了第一水晶振動裝置100的剖視構成圖。第一水晶振 動裝置100由最上部的第一蓋部10、第一水晶框架20以及第一底部40構成。第一蓋部10以及第一底部40由玻璃、陶瓷材料或者水晶材料中的一種形成。第 一水晶框架20具有通過蝕刻形成的音叉型水晶振動片30。如圖IA所示，第一蓋部10在第一水晶框架20側的一面上具有蓋部側凹部17。 第一蓋部10在第一水晶框架20側的最外圍的內側上形成有嵌合用凹部73。在該嵌合用 凹部73的凹陷部分形成有金屬膜15。如圖IB所示，第一水晶框架20由音叉型水晶振動片30、外框部29、支撐臂26 構成，且一體形成在相同厚度的振動片用的水晶晶片20W(參照圖2)上。音叉型水晶振 動片30由一對振動臂21和基部23構成。第一水晶框架20在外框部29的最外圍的內側 的一面上形成嵌合用凸部72，在另一面上形成有嵌合用凹部73。另外，在嵌合用凸部72 以及嵌合用凹部73內分別形成金屬膜25。第一水晶框架20在外框部29、基部23以及支撐臂26上具有第1基部電極31以 及第2基部電極32。一對振動臂21在表面、里面及側面上形成有第1勵振電極33以及 第2勵振電極34。第1勵振電極33連接在第1基部電極31上，第2勵振電極34連接在 第2基部電極32上。音叉型水晶振動片30是例如以32.768Hz振動的振動片、做成極其 小型的振動片。第1基部電極31、第2基部電極32、第1勵振電極33以及第2勵振電極34是 在150A~700A的鉻(Cr)層上形成400A~2000A的金(Au)層。一對支撐臂26從基部23的一端沿著振動臂21延伸的方向(Y方向)延伸而連接 在外框部29上。一對支撐臂26使振動臂21的振動不容易以振動滲漏的方式傳遞到第一 水晶振動裝置100的外部，另外具有不容易受到包裝件外部的溫度變化、或者沖擊的影 響的效果。如圖IC所示，第一底部40在第一水晶框架20側的一面上具有底部側凹部47。 第一底部40通過蝕刻形成底部側凹部47的同時形成第1通孔41和第2通孔43。在第一底部40的表面上形成有連接電極用段差49，在連接電極用段差49上形成第1連接電極42以及第2連接電極44。在第一底部40的底面形成有金屬噴鍍的第1外部電極EXl及 第2外部電極EX2。第一底部40在第一水晶框架20側的最外圍的內側形成嵌合用凸部 72。其次，在嵌合用凸部72上形成有金屬膜45。第1通孔41及第2通孔43在其內面形成金屬膜，其內面的金屬膜通過光刻工程 與第1連接電極42以及第2連接電極44同時形成。第1連接電極42通過第1通孔41 的金屬膜連接在設置于第一底部40底面上的第1外部電極EXl上。第2連接電極44通 過第2通孔43的金屬膜連接在設置于第一底部40底面上的第2外部電極EX2上。形成在外框部29的里面的第1基部電極31以及第2基部電極32分別連接在第 一底部40的表面上的第1連接電極42以及第2連接電極44上?？傊?，第1基部電極31 電連接在第1外部電極EXl上，第2基部電極32電連接在第2外部電極EX2上。形成在第一水晶框架20上的金屬膜25是在150A 700A的鉻(Cr)層上形成 400A 1500A的金(Au)層。在蓋部及底部由水晶構成的情況，金屬膜15及金屬膜45 在鉻層上形成金層。若蓋部以及底部是玻璃或陶瓷材料，則金屬膜15及金屬膜45只需 要形成金層。如圖ID的概略剖面構成圖所示，第一水晶振動裝置100是重合圖IA的第一蓋部 10、圖IB的第一水晶框架20以及圖IC的第一底部40而形成。在此，除去音叉型水晶 振動片30的外形部分稱為包裝件80。為了便于說明，在圖ID中將這些分開繪制。包 裝件80的第1通孔41及第2通孔43由封裝材料70進行封裝。如圖ID所示，第一蓋部10、第一底部40以及第一水晶框架20在接合面上形成 有嵌合用段差部。第一蓋部10的嵌合用凹部73嵌合在第一水晶框架20的嵌合用凸部72 上。第一底部40的嵌合用凸部72嵌合在第一水晶框架20的嵌合用凹部73上。雖然圖ID表示接合一個第一水晶振動裝置100之前的圖，但是在實際制造中， 在形成有數(shù)百到數(shù)千個第一水晶框架20的1張振動片用的水晶晶片20W(參照圖2)上重 合形成有數(shù)百到數(shù)千個第一蓋部10的1張蓋部用晶片10W(參照圖3)和形成有數(shù)百到數(shù) 千個第一底部40的1張底部用晶片40W(參照圖3)而形成。其次，以晶片為單位一次 性地制造出數(shù)百至數(shù)千個第一水晶振動裝置100。在此，將重合了振動片用的水晶晶片 20W、蓋部用晶片IOW以及底部用晶片40W的晶片成為包裝件晶片80W。圖2是從蓋部用晶片IOW側觀察了包裝件晶片80W的平面圖。另外，圖2是 在蓋部用晶片IOW為透明的狀態(tài)下，以振動片用的水晶晶片20W的音叉型水晶振動片30 為主體進行繪制。為了便于說明，包裝件晶片80W用假想線(雙點劃線)來表示相當于 一個第一水晶振動裝置100的外形(XY平面的大小)的區(qū)域。另外，為了便于區(qū)別音叉 型水晶振動片30和外框部29，以網(wǎng)狀線來表示空間部22。如圖2所示，在蓋部用晶片IOW上形成有切斷槽60。在底部用晶片40W(參 照圖3)上與蓋部用晶片IOW的切斷槽60相同的位置(XY平面)也形成有同樣的切斷槽 60。包裝件晶片80W固定在未圖示的切斷薄膜上由切斷鋸進行切斷。蓋部用晶片IOW 以及底部用晶片40W的切斷槽60是在用切斷鋸切斷時不在第一水晶振動裝置100上產(chǎn)生 裂縫地進行設置。由于切斷鋸是沿直線移動，因此蓋部用晶片IOW以及底部用晶片40W 的切斷槽60延伸至這些晶片的周緣部分。切斷槽60的深度為例如20 μ m至40 μ m。
另外，如圖2所示，形成在蓋部用晶片IOW上的金屬膜15、形成在振動片用的 水晶晶片20W上的金屬膜25以及形成在底部用晶片40W上的金屬膜45以在XY平面上 重合的方式形成。第一蓋部10的嵌合用凹部73重合在第一水晶框架20的嵌合用凸部72 上而進行嵌合。另外，金屬膜15、金屬膜25以及金屬膜45以不接觸切斷槽60的方式形 成在第一水晶振動裝置100的外形的內側上。這是為了防止金屬膜的金層附著在切斷鋸 的齒尖上。
圖3是表示沿B-B剖面線切斷并分離了圖2所示的具有第一水晶振動裝置100的 包裝件晶片80W的狀態(tài)的剖視圖。為了便于說明，包裝件晶片80W用假想線(雙點劃 線)來表示相當于一個第一水晶振動裝置100大小的區(qū)域。
如圖3所示，包裝件晶片80W由具有第一蓋部10的蓋部用晶片10W、具有第一 水晶框架20的振動片用的水晶晶片20W以及具有第一底部40的底部用晶片40W構成。 為了便于說明，圖3表示將振動片用的水晶晶片20W夾在中央，以蓋部用晶片IOW為下 方，以底部用晶片40為上方進行配置而接合前的狀態(tài)。蓋部用晶片IOW以及底部用晶 片40W上形成有相當于第一水晶振動裝置100大小的切斷槽60。
蓋部用晶片IOW通過濕刻形成蓋部側凹部17。同時，蓋部用晶片IOW通過濕 刻在振動片用的水晶晶片20W側形成嵌合用凹部73。另外，蓋部用晶片IOW通過濕刻 在蓋部側凹部17的相反側形成相當于第一水晶振動裝置100大小的切斷槽60。底部用晶 片40W也通過濕刻形成底部側凹部47和嵌合用凸部72。另外，底部用晶片40W通過濕 刻形成相當于第一水晶振動裝置100大小的切斷槽60。
另外，振動片用的水晶晶片20W通過濕刻在蓋部用晶片IOW側形成嵌合用凸部 72，在底部用晶片40W側形成嵌合用凹部73。形成在蓋部用晶片IOW上的嵌合用凹部 73嵌合在振動片用的水晶晶片20W的嵌合用凸部72上。形成在底部用晶片40W上的嵌 合用凸部72嵌合在振動片用的水晶晶片20W的嵌合用凹部73上。
如圖3所示，蓋部用晶片IOW在嵌合用凹部73上具有金屬膜15。振動片用的 水晶晶片20W在嵌合用凸部72及嵌合用凹部73上具有金屬膜25。底部用晶片40W在 嵌合用凸部72上具有金屬膜45。
在嵌合用凹部73上，可以以不滾落的狀態(tài)配置球形的共晶金屬球75。若在嵌合 了嵌合用凸部72和嵌合用凹部73的狀態(tài)下使共晶金屬球75熔化，則熔化的共晶金屬沿 著金屬膜15、金屬膜25以及金屬膜45流動。S卩，熔化的共晶金屬通過毛細管現(xiàn)象來浸 濕金屬膜15、金屬膜25以及金屬膜45的表面。其次，若熔化的共晶金屬凝固，則金屬 膜15和金屬膜25進行接合，金屬膜15和金屬膜45進行接合?？傊谝凰д駝友b 置100在形成包裝件時，通過金屬膜15、金屬膜25以及金屬膜45來進行接合。
在此，共晶金屬球75由金硅(Au3.15&:硅的重量百分比為3.15)合金、金鍺 (Aul2Ge)合金、或金錫(Au20Sn)合金構成。金硅合金的熔化溫度為363°C，金鍺合金 的熔化溫度為356°C，金錫合金的熔化溫度為280°C。
第1通孔41以及第2通孔43通過封裝材料70進行封裝，也可以使用與粘接材 料相同的金硅合金、金鍺合金或者金錫合金。若使用相同的共晶金屬，則可以同時進行 封裝和接合。例如，將包裝件晶片80W配置在真空或充滿惰性氣體的回流熔爐中，由此 可以在相同溫度下進行通孔的封裝和各晶片的接合。
當然，也可以在封裝材料70和接合材料(共晶金屬球7 上分別使用不同的合 金。此時，將熔化溫度高的金屬作為在先熔化的共晶金屬。是為了防止在先熔化的共晶 金屬在熔化共晶金屬的后續(xù)工序中熔化。
在用假想線(雙點劃線)表示的、以第一水晶振動裝置100大小切斷的區(qū)域內不 存在金屬膜15、25、45。因此，在該區(qū)域內也不存在熔化了共晶金屬球75的接合材料。 從而，在用切斷鋸使第一水晶振動裝置100個別化時，切斷鋸不會切斷金屬部分，可以 抑制切斷鋸的磨耗、塞齒，可以避免在包裝件晶片80W上產(chǎn)生卷刃及裂紋等的麻煩。
由于蓋部用晶片IOW以及底部用晶片40W具有切斷槽60，因此可以減輕切斷鋸 的切斷負荷、提高作業(yè)效率。另外，在進行切斷時，將蓋部用晶片IOW或者底部用晶片 40W貼在未圖示的切斷帶子上之后進行切斷。此時，切斷槽60可以防止切斷的碎塊與蓋 部用晶片IOW或者底部用晶片40W產(chǎn)生碰撞。
<第2實施方式第二水晶振動裝置110的構成>
圖4是從蓋部用晶片IOWA側觀察了包裝件晶片85W的平面圖。另外，圖4是 在蓋部用晶片IOWA為透明的狀態(tài)下，以振動片用的水晶晶片20WA的音叉型水晶振動片 30為主體進行繪制。為了便于說明，包裝件晶片85W用假想線(雙點劃線)來表示相當 于一個第二水晶振動裝置110的外形(XY平面的大小)的區(qū)域。另外，為了便于區(qū)別音 叉型水晶振動片30和外框部四，以網(wǎng)狀線來表示空間部22。
如圖4所示，在蓋部用晶片IOWA上形成有切斷槽60。在底部用晶片40WA(參 照圖5)上與蓋部用晶片IOWA的切斷槽60相同的位置(XY平面)也形成有同樣的切斷 槽60。沿著相當于第二水晶振動裝置110的外形(XY平面的大小)的區(qū)域，用虛線表示 了嵌合用凹部68以及嵌合用凸部69。
圖5是表示沿C-C剖面線切斷并分離圖4所示的具有第二水晶振動裝置110的 包裝件晶片85W的狀態(tài)的剖視圖。第二水晶振動裝置110在形成包裝件時，通過樹脂材 料來進行接合。為了便于說明，包裝件晶片85W用假想線(雙點劃線)來表示相當于一 個第二水晶振動裝置110的大小的區(qū)域。
如圖5所示，形成有包裝件晶片85W由具有第二蓋部IOA的蓋部用晶片10WA、 具有第二水晶框架20A的振動片用的水晶晶片20WA以及具有第二底部40A的底部用晶 片40WA構成。為了便于說明，圖5表示將振動片用的水晶晶片20WA夾在中央，以蓋 部用晶片IOWA為下方，以底部用晶片40WA為上方進行配置而接合前的狀態(tài)。蓋部用 晶片IOWA以及底部用晶片40WA上形成有相當于第二水晶振動裝置110大小的切斷槽 60。
蓋部用晶片IOWA通過濕刻形成凹陷的蓋部側凹部17。同時，蓋部用晶片IOWA 通過濕刻在振動片用的水晶晶片20WA側形成凹陷的嵌合用凹部68。另外，蓋部用晶片 IOWA通過濕刻在蓋部側凹部17的相反側形成相當于第二水晶振動裝置110大小的切斷槽 60。底部用晶片40WA也通過濕刻形成凹陷的底部側凹部47和凸狀的嵌合用凸部69。 另外，底部用晶片40WA通過濕刻形成相當于第二水晶振動裝置110大小的切斷槽60。
另外，振動片用的水晶晶片20WA通過濕刻在蓋部用晶片IOWA側形成嵌合用凸 部69，在底部用晶片40WA側形成嵌合用凹部68。形成在蓋部用晶片IOWA上的嵌合用 凹部68嵌合在振動片用的水晶晶片20WA的嵌合用凸部69上。形成在底部用晶片40WA8上的嵌合用凸部69嵌合在振動片用的水晶晶片20WA的嵌合用凹部68上。第二水晶振 動裝置110可以由樹脂等的粘接材料簡單地進行接合，因此在嵌合用凸部69或者嵌合用 凹部68上不形成金屬膜。作為樹脂等的粘接材料可以使用環(huán)氧樹脂、硅酮樹脂以及聚亞 胺樹脂等的一種或多種。
<第二水晶振動裝置110的制造工序>
圖6A 圖6D是表示沿D_D剖面線切斷并接合圖4所示的具有第二水晶振動裝 置Iio的包裝件晶片85W的狀態(tài)的剖視圖。圖6A 圖6D是說明第二水晶振動裝置110 的制造工序的圖。為了便于說明，包裝件晶片85W用假想線(雙點劃線)來表示相當于 一個第二水晶振動裝置110的大小的區(qū)域。
圖6A是表示重合了形成有第二蓋部IOA的蓋部用晶片10WA、形成有具有音叉 型水晶振動片30的第二水晶框架20A的振動片用的水晶晶片20WA以及形成有第二底部 40A的底部用晶片40WA的狀態(tài)的圖。通過這些晶片的嵌合用凹部68嵌合在嵌合用凸部 69上來接合這些晶片。在嵌合用凹部68上涂布樹脂的粘接劑來重合3張晶片，使得這些 晶片不會相互剝離。
在蓋部用晶片IOWA以及底部用晶片40WA上形成有切斷槽60。切斷槽60可 以防止切斷時在包裝件晶片85W上產(chǎn)生裂縫等的裂紋，但并不是必須的。
在進行重合時，預先通過蝕刻形成第二蓋部IOA的蓋部側凹部17以及切斷槽 60。另外，通過蝕刻形成第二底部40A的底部側凹部47以及切斷槽60，還形成第1連 接電極42以及第2連接電極44。
蓋部用晶片10WA、振動片用的振動片用的水晶晶片20WA以及底部用晶片 40WA的接合面在對齊位置并在接合面上配置例如環(huán)氧樹脂而進行重合之后，為了加強 環(huán)氧樹脂在大氣中的粘接力而進行加壓。由此，堅固地進行樹脂接合而形成包裝件晶片 85W。在進行接合時，第1基部電極31以及第2基部電極32(參照圖幻和第1連接電 極42以及第2連接電極44也堅固地進行接合。
包裝件晶片85W在第1通孔41以及第2通孔43內配置封裝材料70，并保持 在未圖示的真空回流熔爐的真空或惰性氣體中進行封裝。封裝材料70例如使用金鍺 (Aul2Ge)合金。熔化溫度為356°C。
圖6B是表示形成了切口 87的狀態(tài)的圖6A的剖視圖。如圖6B所示，包裝件 晶片85W由切斷鋸沿著相當于第二水晶振動裝置110的大小的區(qū)域的切斷槽60的假想線 (雙點劃線)被切斷，并在包裝件晶片85W上形成切口 87。該切口 87的切割深度超過 通過重合來進行接合的嵌合用凸部69以及嵌合用凹部68的范圍。在不以晶片為單位而 以各個第二水晶振動裝置110來處理的情況下，切口 87也可以貫通至包裝件晶片85W的 底面，從而切斷成各個第二水晶振動裝置110。
圖6C是表示形成了耐蝕膜90的狀態(tài)的圖6B的剖視圖。如圖6C所示，在形成 有切口 87的包裝件晶片85W上形成耐蝕膜90。耐蝕膜90通過化學氣相生長法(CVD) 以及物理氣相生長法(PVD)形成在包裝件晶片85W的側面以及上面上。尤其，嵌合用 凸部69以及嵌合用凹部68的側面最好由耐蝕膜90較厚地進行覆蓋。
耐蝕膜90由無機氧化膜，氮化膜以及氧化氮化膜中的至少一種形成。也可以 做成二重膜。例如，無機氧化膜有二氧化硅6:10 膜、氧化鈦(TiC^)膜以及氧化鋁(A1203)膜等。氮化膜有氮化硅6i3N4)膜以及氮化鋁(AlN)膜等。氧化氮化膜有氮氧 化硅 6i20N2)。
第二水晶振動裝置110由樹脂等的粘接材料接合嵌合用凸部69以及嵌合用凹 部68。隨著時間的推移樹脂等的粘接材料的粘接力或接合力逐漸惡化的情況比較多。 因此，樹脂等的粘接材料很難長期保持第二水晶振動裝置110的真空度或惰性氣體的濃 度。耐蝕膜90克服了這種困難，可以長期保持第二水晶振動裝置110的真空度或惰性氣 體的濃度。
在此，化學氣相生長法(CVD)是在作為氣體而供給的薄膜的構成材料上施加等 離子體等的能量來形成原料氣體分子的分解、反應、中間生成物，且經(jīng)過在基板表面上 的吸附、反應、脫離來堆積薄膜的方法。物理氣相生長法(PVD)是通過熱或等離子體等 的能量來暫時蒸發(fā)、氣化薄膜化的原料，并在基板上堆積薄膜的方法。作為PVD的代表 性方法，有真空蒸鍍法或噴鍍法等。
圖6D是表示形成耐蝕膜90之后通過切斷而個別化的狀態(tài)的第二水晶振動裝置 110的剖視圖。如圖6D所示，由比切口 87更細的切斷鋸沿著切口 87形成切斷部96。 第二水晶振動裝置110通過切割被一個一個地切斷。
在圖6A 圖6D中，由封裝材料70封裝了第1通孔41以及第2通孔43之后， 在包裝件晶片85W上形成切口 87。但是，并不限于該順序。例如，可以在包裝件晶片 85W上形成切口 87以及耐蝕膜90之后，在真空中或惰性氣體中封裝包裝件晶片85W。
就產(chǎn)業(yè)利用而言，以上雖然對作為最適合本發(fā)明的實施方式的第一水晶振動裝 置100、第二水晶振動裝置110進行了說明，但是也可以通過形成在蓋部、壓電框架以及 底部上的嵌合部形成包裝件，由此提高壓電振動裝置的密封性。在以上的說明中，雖然 使用沒有在振動臂上形成槽的音叉型水晶振子來說明了實施例，但可以是在振動臂上形 成了槽的音叉型水晶振子，且在使用了利用厚度滑動的AT切割水晶板的水晶振子也可以 取得同樣的效果。另外，也可以改變接合面、嵌合面以及接合材料的形狀等的組合。10
權利要求
1.一種壓電振動裝置，其特征在于，具有包含形成有勵振電極的壓電振動片以及配置在所述壓電振動片的外圍的框體的壓電 框架；以及，接合在所述壓電框架的框體的一側的面上的面板，在所述框體和所述面板上形成有嵌合部，所述嵌合部通過接合材料進行接合。
2.根據(jù)權利要求1所述的壓電振動裝置，其特征在于， 所述接合材料為金屬材料，在所述嵌合部上形成有金屬膜。
3.根據(jù)權利要求1所述的壓電振動裝置，其特征在于， 所述接合材料為樹脂材料。
4.根據(jù)權利要求3所述的壓電振動裝置，其特征在于，在通過所述接合材料進行接合的所述壓電振動裝置的外側上形成有耐蝕膜。
5.根據(jù)權利要求4所述的壓電振動裝置，其特征在于，所述耐蝕膜包含無機氧化膜、氮化膜以及氮氧化膜中的至少一種。
6.根據(jù)權利要求1至權利要求5的任何一項所述的壓電振動裝置，其特征在于， 所述面板由玻璃、陶瓷或者壓電材料中的任意一種構成。
7.根據(jù)權利要求1至權利要求5的任何一項所述的壓電振動裝置，其特征在于， 所述壓電振動片包含AT切割水晶振動片或音叉型水晶振動片。
8.根據(jù)權利要求6所述的壓電振動裝置，其特征在于， 所述壓電振動片包含AT切割水晶振動片或音叉型水晶振動片。
9.一種壓電振動裝置的制造方法，其特征在于，具有準備形成有多個壓電框架的壓電晶片的工序，所述壓電框架具有形成有勵振電極的 壓電振動片以及配置在所述壓電振動片的外圍且形成有第1嵌合部的框體；準備形成有多個面板的面板晶片的工序，所述面板形成有與所述第1嵌合部嵌合的 第2嵌合部且具有與所述框體相同的大小；在所述第1嵌合部和所述第2嵌合部之間配置接合材料的工序；以及， 重合所述壓電晶片以及所述面板晶片，并用所述接合材料進行接合的工序。
10.根據(jù)權利要求9所述的壓電振動裝置的制造方法，其特征在于，在所述接合的工序之后，具有沿著所述框體的最外圍切斷所述接合的晶片的工序。
11.根據(jù)權利要求9所述的壓電振動裝置的制造方法，其特征在于，具有 在通過所述接合材料進行接合的工序之后，具有形成通過所述壓電晶片的第1嵌合部以及所述面板晶片的第2嵌合部的切口的工序； 以及，在所述切口形成耐蝕膜的工序。
12.根據(jù)權利要求11所述的壓電振動裝置的制造方法，其特征在于，所述耐蝕膜包含無機氧化膜、氮化膜或氮氧化膜中的至少一種，且通過化學氣相生 長法或噴鍍法形成所述無機氧化膜、氮化膜或氮氧化膜中的至少一種。
13.根據(jù)權利要求11所述的壓電振動裝置的制造方法，其特征在于，在所述接合的工序之后，具有沿著所述切口以比所述切口細的寬度來切斷所述接合 的晶片的工序。
全文摘要
提供一種提高了生產(chǎn)性且長期具有高頻率穩(wěn)定性的壓電裝置。該壓電振動裝置(100)，具有包含形成有勵振電極的壓電振動片(30)以及配置在壓電振動片的外圍的框體的壓電框架(20)；以及接合在壓電框架的框體的一側的面上的面板(10或者40)。其次，在框體和面板上形成有嵌合部(72、73)，嵌合部通過接合材料進行接合。
文檔編號H03H3/02GK102025335SQ20101023575
公開日2011年4月20日 申請日期2010年7月21日 優(yōu)先權日2009年9月16日
發(fā)明者川原浩 申請人:日本電波工業(yè)株式會社