專利名稱：多元聯(lián)排復(fù)合基板、頻率器件組和頻率器件及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及頻率器件，具體涉及用于封裝片式頻率器件的基板及其制備方法。
背景技術(shù)：
目前，片式頻率器件廣泛應(yīng)用于通訊、視聽以及自動化控制的各個領(lǐng)域，涉及到人 類生產(chǎn)、生活的方方面面。但是眾所周知用于手機、筆記本電腦及其他無線控制及數(shù)據(jù)傳輸 系統(tǒng)等高精度電子產(chǎn)品上的一些超小、超薄、高可靠性表面貼裝的頻率器件所使用的封裝 基座的核心技術(shù)一直掌握在國外。國內(nèi)雖然花巨資引進了多條國外片式頻率器件的生產(chǎn)線 及相關(guān)技術(shù)，但關(guān)鍵零部件依然依賴京瓷、住友等有限的幾家國外大公司，造成基座采購價 格高，基座成本占據(jù)了整個制造成本的50 %以上。目前占據(jù)市場99%以上的片式頻率器件所用的封裝構(gòu)件均是單個單元的一即一 個陶瓷基座配一個金屬或陶瓷的蓋板組成一套封裝構(gòu)件。其后在頻率片裝配、調(diào)頻、蓋帽等 裝配封裝過程中需要極高的定位技術(shù)一般點膠、上片和蓋帽等工序的操作精度要求控制 在士0. Imm以內(nèi)，所以許多工序都要依靠CXD輔助攝像定位，攝像定位一次，裝配一個，同時 還要定制高精度的金屬模板，將一個一個單元頻率器件放置在模板凹坑內(nèi)來保證單元頻率 器件之間的間距一致?，F(xiàn)有比較簡單高效的制造方法有CN1780141獨石型片式石英晶體頻率器件及其 制造方法以及CN1015941陶瓷封裝的片式石英晶體頻率器件及其制造方法，兩者都公開了 m*n個列陣的多單元裝配、封裝技術(shù)，通過大片裝配調(diào)頻封裝后再分割成單元器件的制造方 法，提高了生產(chǎn)效率，降低了生產(chǎn)成本，同時采用了防溢凹坑、電極凹坑、端頭棱邊的弧倒角 等措施來改善可靠性，但是上述技術(shù)方案仍有三項缺陷和不足1.上述技術(shù)方案中內(nèi)外電極的導(dǎo)通存在可靠性等方面的隱患。上述技術(shù)方案中內(nèi) 外電極導(dǎo)通是在大片封裝并切割成單元產(chǎn)品以后采用真空蒸發(fā)或濺射的方法在單個產(chǎn)品 的切割端面鍍膜使其內(nèi)外電極導(dǎo)通。因金屬沉積方法所形成的金屬薄膜其厚度極小，附著 力也比較差。因此在高溫潮濕氧化或受外力條件下，易發(fā)生脫落或斷路，造成內(nèi)外電極連接 不可靠，降低了產(chǎn)品可靠性。2、在多單元大片裝配過程中由于在分割成單元產(chǎn)品之前，內(nèi)外電極尚未導(dǎo)通，其 中頻差調(diào)整工序中，即時測量頻率是借用內(nèi)電極得以實現(xiàn)的，但現(xiàn)有微調(diào)設(shè)備都是使用外 電極進行頻率測量，若對現(xiàn)有設(shè)備進行改造不僅費用高而且由于增加導(dǎo)線長度，引入了分 布參數(shù)，勢必會損失頻率測量精度從而影響頻差精度。3、m*n個列陣的凹坑是通過專用工裝夾具貼膜噴砂獲得的，其相對尺寸精度(孔 間距)一般可以控制到士0. 05mnT士0. IOmm左右，但是隨著產(chǎn)品進一步小型化，其配合精度 要求越來越高，使用上述技術(shù)就存在一定的局限性。此外，CN1013886M公開了一種全石英封裝的頻率器件；同樣公開了可以采用大 片式的方案，但是和前述的提到的技術(shù)方案來說本質(zhì)上是相同的，因此，同樣面臨類似的 問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明旨在解決現(xiàn)有技術(shù)的上述缺陷，提供一種片式頻率器件封裝體的多元聯(lián)排 復(fù)合基板。本發(fā)明不僅符合后續(xù)工序的通用性使用要求，而且電極的導(dǎo)通更方便可靠，進一 步滿足了產(chǎn)品小型化發(fā)展的要求。為解決上述技術(shù)問題，一種多元聯(lián)排復(fù)合基板，它包括一個帶有m*n個凹坑的復(fù) 合基板，凹坑內(nèi)放置頻率片，所述復(fù)合基板由上下兩層基板復(fù)合而成，其中上層基板是帶有 m行*n列呈矩陣排列的通孔的多孔基板，其中m> l，n彡1 ；下層基板是由η排帶有m個凹 陷的基條水平粘接而成，每個基條帶有凹陷一面為內(nèi)側(cè)并設(shè)有內(nèi)電極，另一面為外側(cè)設(shè)有 外電極并和內(nèi)電極導(dǎo)通，所述凹陷長度小于頻率片的長度以支撐頻率片。所述的多元聯(lián)排復(fù)合基板，所述上層基板包括m+1個平行設(shè)置的縱向條狀板和設(shè) 置在縱向條狀板之間的n+1個條狀短板，條狀短板的兩端和縱向條狀板連接從而構(gòu)成m*n 個通孔。所述的多元聯(lián)排復(fù)合基板，所述上層基板通孔內(nèi)徑尺寸精度達到士0. 01mm，橫向、 徑向孔間距精度達到彡士0. 02mm。所述的多元聯(lián)排復(fù)合基板，所述下層基板的基條水平粘結(jié)方向的兩側(cè)端面設(shè)有η 組或n+1組與凹陷對應(yīng)的凹槽，所述基條的兩面分別設(shè)有內(nèi)電極和外電極，凹槽內(nèi)印刷有 導(dǎo)通電極以將內(nèi)外電極導(dǎo)通。所述的多元聯(lián)排復(fù)合基板的制備方法，它包括下列步驟步驟一a.根據(jù)頻率器件尺寸要求，制作一組相關(guān)尺寸的精度< 0. Olmm的基板、一組條狀 板以及一組同質(zhì)材料的定位銷；b.在水平方向放置一片上述基板，在基板上十字交叉粘接m個加工好的條狀板， 兩個相鄰的條狀板之間放置一個加工好的定位銷，并粘結(jié)第二片水平基板，重復(fù)η次；c.將經(jīng)b粘結(jié)而成的十字交叉復(fù)合疊加的多層基板進行真空加熱加壓固化，以確 保粘結(jié)面的粘結(jié)強度與密閉性，固化后取出定位銷，形成一個具有m*n個孔的復(fù)合基塊；d.將固化好的多孔復(fù)合基塊，根據(jù)頻率器件的不同要求，通過切割研磨加工成不 同厚度的具有m*n個通孔的上層基板；步驟二a.加工一塊基塊，其厚度尺寸為頻率器件長度尺寸加切割刀縫尺寸確定，厚度精 度通過平面研磨達到士0. 005mm，其寬度尺寸為η個頻率器件寬度加n+1個刀縫的尺寸，在 基塊兩側(cè)表面切割出η組或n+1組與凹陷對應(yīng)的導(dǎo)電槽，并在導(dǎo)電槽內(nèi)印刷金屬電極并預(yù) 先燒制；b.將燒制好的基塊進行水平分割，分割形成的基條的長度為η個頻率器件寬度加 n+1個刀縫尺寸之和，寬度為單個頻率器件長度加一個刀縫的寬度，并將基板加工至所需的
厚度；c.在上述基條上印刷一層保護膜，通過噴砂的方式形成η個凹陷；d.在基條上側(cè)和下側(cè)分別印制所需的內(nèi)電極和外電極并燒結(jié)待用；e.將m排設(shè)有η個凹坑和η組內(nèi)外電極的基條水平方向粘結(jié)成下層基板；
步驟三在步驟二獲得的下層基板上疊加與步驟一所制成的具有m*n個通孔的上層基板 粘結(jié)并真空加熱加壓固化形成多元聯(lián)排復(fù)合基板。所述的任一多元聯(lián)排復(fù)合基板制作的多元聯(lián)排頻率器件組，所述頻率器件組還包 括一個覆蓋在上層基板上的上蓋復(fù)合基板以將頻率片封閉，所述上蓋復(fù)合基板的內(nèi)側(cè)設(shè)有 m行*n列個縱橫尺寸大于復(fù)合基板凹坑的上凹坑，上凹坑周圍涂覆有固態(tài)接著劑從而形成 一個有網(wǎng)格狀的固態(tài)接著劑層的上蓋復(fù)合基板。所述的頻率器件組，所述頻率片通過導(dǎo)電膠固定在所述復(fù)合基板的凹坑內(nèi)，所述 上蓋復(fù)合基板與裝有m行*n列個頻率片的復(fù)合基板真空加熱加壓粘結(jié)而形成一個由m行 *n列個頻率器件構(gòu)成的多元聯(lián)排頻率器件組。所述的頻率器件組制作的頻率器件，所述頻率器件由所述多元聯(lián)排頻率器件組經(jīng) 縱向及橫向切割而成m*n個分立的頻率器件，其中上蓋復(fù)合基板成為分立的頻率器件的上 蓋板，由上下兩層基板構(gòu)成的復(fù)合基板成為分立的頻率器件的基座。所述的頻率器件，所述頻率器件的端面整齊，上蓋板與基座大小一致并完全重合； 當(dāng)m > 1，η = 1時，則至少有一對平行端面經(jīng)切割而成，端面完全重合，即上蓋板與基座長 度或?qū)挾瘸叽缫恢虏⑾嗷ブ睾稀１景l(fā)明將主要是在大片生產(chǎn)的前提下，提供了容易加工的中間夾板的結(jié)構(gòu)，并為 內(nèi)外電極的導(dǎo)通預(yù)先設(shè)置導(dǎo)通電極，同時將中間夾板和底板復(fù)合粘接起來，而且上蓋板上 涂有固態(tài)接著劑，可在真空加溫加壓下與復(fù)合基板的上層基板粘接，在生產(chǎn)時候?qū)⒁唤M頻 率片裝配在復(fù)合基板的凹坑內(nèi)，經(jīng)過頻差調(diào)整、封裝后制成多元聯(lián)排頻率器件組；最后將 大片的多元聯(lián)排封裝體切割成單個的頻率器件即可。由此可見，由于本發(fā)明采用了獨特的構(gòu)造設(shè)計，利用多層十字交叉粘結(jié)及定位技 術(shù)以及聯(lián)排復(fù)合的方法，使每一個單個單元的內(nèi)外電極實現(xiàn)導(dǎo)通，不僅提高了可靠性，而且 減少了原有技術(shù)中的切割面端面蒸發(fā)工序，降低了成本，提高了效率，并且能將這種大片聯(lián) 排多單元的裝配、封裝技術(shù)在行業(yè)內(nèi)推廣。由于定位一次即可裝配30-300只頻率器件，能 大大提高昂貴設(shè)備的工效。從而部分替代進口封裝構(gòu)件。同時其每個單元內(nèi)的孔徑大小及 孔間距的尺寸精度都達到了極高的水平，完全符合頻率器件進一步小型化的要求。


下面結(jié)合附圖和實施方式對本發(fā)明作進一步的詳細說明圖Ia至圖If為復(fù)合基板的上層基板的制作過程示意圖；圖加至圖2f為復(fù)合基板的下層基板的制作過程示意圖；圖3a為上、下層基板復(fù)合過程示意圖；圖北為本發(fā)明所述復(fù)合基板的剖視圖；圖4為所述上蓋復(fù)合板示意圖；圖5為所述多元聯(lián)排頻率器件組的示意圖；圖6a為所述分立的頻率器件示意圖；圖6b為所述分立的頻率器件剖視圖。
具體實施例方式請看圖2c-圖2e，圖3a和圖北同時結(jié)合圖6b，從圖可見，一種多元聯(lián)排復(fù)合 基板，它為一個帶有m*n個凹坑31的復(fù)合基板，所述頻率器件的頻率片51至于凹坑31內(nèi)， 所述復(fù)合基板由上下兩層基板1、2復(fù)合而成，其中上層基板1是帶有m行*n列個呈矩陣排 列的通孔14的多孔基板，其中m > l，n彡1 ；下層基板2是由η排帶有m個凹陷M的小基 板201通過水平粘結(jié)而成，所述凹陷23和上層基板1的通孔14 一起共同構(gòu)成用來容納頻 率片51的凹坑31 ；所述的每排小基板201帶有凹陷M —面為內(nèi)側(cè)并設(shè)有內(nèi)電極23，另一 面為外側(cè)設(shè)有外電極22，而成，在其水平粘結(jié)方向的兩側(cè)端面設(shè)有η組或η+1組與凹陷對 對應(yīng)的電極槽21，電極槽21內(nèi)印刷有導(dǎo)通電極以將內(nèi)外電極23、22導(dǎo)通。所述凹陷對長 度小于頻率片51的長度以支撐頻率片51?，F(xiàn)請看圖Ι-f，所述上層復(fù)合基板1包括m+1個平行設(shè)置的縱向條狀板111和設(shè)置 在縱向條狀板111之間的m*(n+l)個條狀短板121，條狀短板121的兩端和縱向條狀板111 連接從而構(gòu)成m*n個通孔14。所述上層復(fù)合基板1通孔14內(nèi)徑尺寸精度達到士0. 01mm，橫向、徑向孔間距精度 達至< 士 0. 02mm。請看圖Ι-a至圖3_b，所述的任一多單元聯(lián)排復(fù)合基板的制備方法包括，步驟(參見圖l_a至圖l_f)a.根據(jù)頻率器件尺寸要求，制作一組相關(guān)尺寸的精度< 0. Olmm的基板11、一組條 狀板12以及一組同質(zhì)材料的定位銷13 ；b.在水平方向放置一片上述基板11，在基板11上十字交叉粘接m排加工好的條 狀板12，兩個相鄰條狀板12之間放置一個加工好的定位銷13，并粘結(jié)第二片水平基板11， 重復(fù)η次；c.將經(jīng)步驟b粘結(jié)而成的十字交叉復(fù)合疊加的多層基板進行真空加熱加壓固化， 以確保粘結(jié)面的粘結(jié)強度與密閉性，固化后取出定位銷13，形成一個具有m*n個孔的復(fù)合 基塊；d.將固化好的多孔復(fù)合基塊，根據(jù)頻率器件的不同要求，通過切割、研磨加工成不 同厚度的具有m*n個列陣通孔14的上層基板1 ；步驟二，(參見圖加至圖2f，圖3a)a.加工一塊基塊20，其厚度尺寸為頻率器件長度尺寸加切割刀縫尺寸確定，厚度 精度通過平面研磨達到士0. 005mm，其寬度尺寸為η個頻率器件寬度加η+1個刀縫的尺寸， 在基板20兩側(cè)表面切割出η組或η+1組電極槽21，并在電極槽21內(nèi)印刷金屬電極并預(yù)先 燒制；b.將燒制好電極的基塊20進行水平分割形成基條201，分割后的基條201的長度 為η個頻率器件寬度加η+1個刀縫尺寸之和，寬度為單個頻率器件長度加一個刀縫的寬度， 并將基條201加工至所需的厚度；c.在上述基條201上印刷一層保護膜，通過噴砂的方式形成η個凹陷M ；d.在基條201上側(cè)和下側(cè)分別印制所需的內(nèi)電極23和外電極22并燒結(jié)；e.將d燒結(jié)后形成的m排設(shè)有η個凹坑和η組內(nèi)外電極23、22的基條201按水平 方向粘結(jié)成下層基板2;
步驟三在步驟二之獲得的下層基板2與步驟一所制成的具有m*n個列陣通孔的上層基板 1復(fù)合粘結(jié)并真空加熱加壓固化形成多元聯(lián)排復(fù)合基板3。(見圖3-b)如圖4、圖5、6_a、圖6-b所示，所述的任一片式頻率器件用多元聯(lián)排復(fù)合基板制作 的頻率器件組，它還包括一個覆蓋在上層基板1上的上蓋復(fù)合板4(參見圖4)以將頻率片 51封閉，所述上蓋復(fù)合基板4的內(nèi)側(cè)設(shè)有m行*n列個縱橫尺寸大于復(fù)合基板凹坑的上凹坑 41，上凹坑41周圍涂覆有固態(tài)接著劑42從而形成一個有網(wǎng)格狀的固態(tài)接著劑層的上蓋復(fù) 合基板4。由所述多元聯(lián)排頻率器件組經(jīng)縱向及橫向切割而成m*n個分立的頻率器件7，其 中上蓋復(fù)合板4成為分立的頻率器件7的上蓋板，由上下兩層基板1、2構(gòu)成的復(fù)合基板成 為分立的頻率器件7的基座。所述頻率器件7的端面整齊，上蓋板與基座大小一致并完全重合；當(dāng)m> l，n = 1 時，則至少有一對平行端面經(jīng)切割而成，端面完全重合，即上蓋板與基座長度或?qū)挾瘸叽缫?致并相互重合。本發(fā)明將主要是在大片生產(chǎn)的前提下，提供了容易加工的中間夾板的結(jié)構(gòu)，并為 內(nèi)外電極的導(dǎo)通預(yù)先設(shè)置導(dǎo)通電極，同時將中間夾板和底板復(fù)合粘接起來，而且上蓋復(fù)合 板4上涂有固態(tài)接著劑，可在加溫加壓下與復(fù)合基板中的上層基板1粘接，形成密閉的封裝 體，在生產(chǎn)頻率器件時只需將一組頻率片放入復(fù)合基板3，經(jīng)過頻差調(diào)整、封裝后制成多元 聯(lián)排頻率器件組，最后將大片的多元聯(lián)排頻率器件組切割成單個的頻率器件7即可。自然，本發(fā)明的技術(shù)方案還可以和防溢凹坑、棱邊的圓弧倒角等措施組合來進一 步改善可靠性問題，但從簡潔角度考慮，在此不再贅述。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)明白，上述的具體實施方式
僅用來說明本發(fā)明，而不應(yīng)當(dāng) 視為對權(quán)利要求的限定。比如，本發(fā)明所述復(fù)合基板3的帶有m*n個通孔的上層板1和通過水平聯(lián)排粘結(jié) 的下層板2，也可分別由如圖3-a所示形式的帶有m*n通孔的整體瓷基板，及帶有m*(n+l) 個電極導(dǎo)通孔的整體瓷基板所替代。其制備方法一般可在精度可控條件下，在流延法制得 的陶瓷薄膜上沖壓出符合尺寸要求的帶有m*n個通孔或小的導(dǎo)電通孔的膜片，通過疊壓燒 結(jié)、平面研磨、或輔以激光切割等工藝方法制得。又，所述復(fù)合基板3的下層水平粘結(jié)的聯(lián)排基板2亦可以由下述各種方案替代可在平面基板2的相應(yīng)位置制作凸起的支點以替代凹陷支撐頻率片，凸點可用印 制玻璃漿料并燒結(jié)得以實現(xiàn)。所述聯(lián)排基板2的內(nèi)外電極導(dǎo)通也可采用真空濺射的方法實現(xiàn)而無須在其側(cè)面 預(yù)制導(dǎo)電凹槽21。聯(lián)排基板2的內(nèi)外電極導(dǎo)通也可采用側(cè)面印刷燒結(jié)電極的方法導(dǎo)通。其 方法為預(yù)先制得基板201的寬度為所需產(chǎn)品寬度，在制備完成內(nèi)外及側(cè)面導(dǎo)通電極后在水 平拼接時通過相應(yīng)定位夾具，使兩片相鄰基板的間距大于切割刀縫，并與上層基板1復(fù)合 即可。上面揭示的各種替代技術(shù)方案以及沒有揭示的類似的技術(shù)方案，都是在本發(fā)明的 權(quán)利要求的技術(shù)方案的實質(zhì)精神范圍內(nèi)加以變形、替換，均將落入本申請的權(quán)利要求所請 求的保護范圍內(nèi)。
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權(quán)利要求
1.一種多元聯(lián)排復(fù)合基板，它包括一個帶有m*n個凹坑的復(fù)合基板，凹坑內(nèi)放置頻率 器件的頻率片，其特征在于，所述復(fù)合基板由上下兩層基板復(fù)合而成，其中上層基板是帶有 m行*n列呈矩陣排列的通孔的多孔基板，其中m> l，n彡1 ；下層基板是由η排帶有m個凹 陷的基條水平粘接而成，每排基條帶有凹陷一面為內(nèi)側(cè)并設(shè)有內(nèi)電極，另一面為外側(cè)設(shè)有 外電極并和內(nèi)電極導(dǎo)通，所述凹陷長度小于頻率片的長度以支撐頻率片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多元聯(lián)排復(fù)合基板，其特征在于，所述上層基板包括m+1個平 行設(shè)置的縱向條狀板和設(shè)置在縱向條狀板之間的n+1個條狀短板，條狀短板的兩端和縱向 條狀板連接從而構(gòu)成m*n個通孔。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的多元聯(lián)排復(fù)合基板，其特征在于，所述上層基板通孔內(nèi)徑 尺寸精度達到士0.01mm，橫向、徑向孔間距精度達到彡士0.02mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多元聯(lián)排復(fù)合基板，其特征在于，所述下層基板的水平粘結(jié) 方向的兩側(cè)端面設(shè)有η組或n+1組與凹陷對應(yīng)的凹槽，所述條狀板的兩面分別設(shè)有內(nèi)電極 和外電極，凹槽內(nèi)印刷有導(dǎo)通電極以將內(nèi)外電極導(dǎo)通。
5.根據(jù)權(quán)利要求1、2或4所述的多元聯(lián)排復(fù)合基板的制備方法，其特征在于，它包括下 列步驟步驟一a.根據(jù)頻率器件尺寸要求，制作一組相關(guān)尺寸的精度<0. Olmm的基板、一組條狀板以 及一組同質(zhì)材料的定位銷；b.在水平方向放置一片上述基板，在基板上十字交叉粘接m排加工好的條狀板，相鄰 兩個條狀板之間放置一個加工好的定位銷，并粘結(jié)第二片水平基板，重復(fù)η次；c.將經(jīng)b粘結(jié)而成的十字交叉復(fù)合疊加的多層基板進行真空加熱加壓固化，以確保粘 結(jié)面的粘結(jié)強度與密閉性，固化后取出定位銷，形成一個具有m*n個孔的復(fù)合基塊；d.將固化好的多孔復(fù)合基塊，根據(jù)頻率器件的不同要求，通過切割研磨加工成不同厚 度的具有m*n個通孔的上層基板；步驟二a.加工一塊基塊，其厚度尺寸為頻率器件長度尺寸加切割刀縫尺寸確定，厚度精度通 過平面研磨達到士0. 005mm，其寬度尺寸為η個頻率器件寬度加n+1個刀縫的尺寸，在基塊 兩側(cè)表面切割出η組或n+1組與凹陷對應(yīng)的導(dǎo)電槽，并在導(dǎo)電槽內(nèi)印刷金屬電極并預(yù)先燒 制；b.將燒制好電極的基塊進行水平分割，分割形成的基條的長度為η個頻率器件寬度加 n+1個刀縫尺寸之和，寬度為單個頻率器件長度加一個刀縫的寬度，并將基板加工至所需的厚度；c.在上述基條上印刷一層保護膜，通過噴砂的方式形成η個凹陷；d.在基條上側(cè)和下側(cè)分別印制所需的內(nèi)電極和外電極并燒結(jié)成條狀板待用；e.將m排設(shè)有η個凹坑和η組內(nèi)外電極的基條按水平方向粘結(jié)成下層基板；步驟三在步驟二獲得的下層基板上疊加與步驟一所制成的具有m*n個通孔的上層基板粘結(jié) 并真空加熱加壓固化形成多元聯(lián)排復(fù)合基板。
6.一種采用權(quán)利要求1、2或4所述的任一多元聯(lián)排復(fù)合基板制作的多元聯(lián)排頻率器件組，其特征在于，所述頻率器件組還包括一個覆蓋在上層基板上的上蓋復(fù)合基板以將頻率 片封閉，所述上蓋復(fù)合基板的內(nèi)側(cè)設(shè)有m行*n列個縱橫尺寸大于復(fù)合基板凹坑的上凹坑， 上凹坑周圍涂覆有固態(tài)接著劑從而形成一個有網(wǎng)格狀的固態(tài)接著劑層的上蓋復(fù)合基板。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的多元聯(lián)排頻率器件組，其特征在于，所述頻率片通過導(dǎo)電膠 固定在所述復(fù)合基板的凹坑內(nèi)，所述上蓋復(fù)合基板與裝有m行*n列個頻率片的復(fù)合基板經(jīng) 真空加熱加壓粘結(jié)而形成一個由m行*n列個頻率器件構(gòu)成的多元聯(lián)排頻率器件組。
8.一種根據(jù)權(quán)利要求7所述的多元聯(lián)排頻率器件組制作的頻率器件，其特征在于，所 述頻率器件由所述多元聯(lián)排頻率器件組經(jīng)縱向及橫向切割而成m*n個分立的頻率器件，其 中上蓋復(fù)合基板成為分立的頻率器件的上蓋板，由上、下兩層基板復(fù)合而成的復(fù)合基板構(gòu) 成分立的頻率器件的基座。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的頻率器件，其特征在于，所述頻率器件的端面整齊，上蓋板與 基座大小一致并完全重合；當(dāng)m > 1，η = 1時，則至少有一對平行端面經(jīng)切割而成，端面完 全重合，即上蓋板與基座長度或?qū)挾瘸叽缫恢虏⑾嗷ブ睾稀?br> 全文摘要
本發(fā)明涉及用于封裝片式頻率器件的基板及其制備方法。一種多元聯(lián)排復(fù)合基板，它包括一個帶有m*n個凹坑的復(fù)合基板，凹坑內(nèi)放置頻率器件的頻率片，所述復(fù)合基板由上下兩層基板復(fù)合而成，其中上層基板是帶有m行*n列呈矩陣排列的通孔的多孔基板，其中m＞1，n≥1；下層基板是由n排帶有m個凹陷的基條水平粘接而成，每排基條帶有凹陷一面為內(nèi)側(cè)并設(shè)有內(nèi)電極，另一面為外側(cè)設(shè)有外電極并和內(nèi)電極導(dǎo)通，所述凹陷長度小于頻率片的長度以支撐頻率片。通過裝配頻率片，調(diào)頻，加蓋真空加熱封裝后形成所需的封裝體，并經(jīng)切割后形成所需的單個頻率器件。本發(fā)明提高了可靠性，降低了成本，提高了效率，完全符合頻率器件進一步小型化的要求。
文檔編號H03H3/007GK102118140SQ201010158468
公開日2011年7月6日 申請日期2010年3月22日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月4日
發(fā)明者姚一濱 申請人:姚一濱