專利名稱：溫度補償電路和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
在此描述的本發(fā)明的各種實施例涉及單片集成電路領(lǐng)域，并且更具體
地涉及基本上對溫度變化不敏感的CMOS單片張弛振蕩器(relaxation oscillator)電路，以及與其相關(guān)聯(lián)的組件、設(shè)備、系統(tǒng)和方法。
背景技術(shù)：
振蕩器被廣泛地用在各種微電子系統(tǒng)中用于諸如提供時鐘信號之類的 目的。在一些應(yīng)用中，振蕩器用來產(chǎn)生對溫度變化相對不敏感的穩(wěn)態(tài)時鐘 信號。例如，需要運動控制編碼器中的一些振蕩器在諸如-40至125攝氏 度之間的寬的溫度范圍中操作。
為了在這種寬的溫度范圍中獲得精確且穩(wěn)定的時鐘信號，設(shè)計者通常 使用諸如晶體和電感器之類的外部組件。然而，這些外部的解決方案給得 到的電路帶來了高的成本和尺寸負(fù)擔(dān)。具有外部晶體和LC電路的振蕩器 還難以集成為單片電路，并且通常具有窄的頻率帶寬的特性。
然而，張弛振蕩器可以以相對低的成本和小的尺寸被集成為單片電 路。張弛振蕩器的頻率可以被編程，由此可以在寬的頻帶中操作。然而， 如果不使用溫度補償電路，則大多數(shù)振蕩器電路對溫度變化敏感。
在當(dāng)前的技術(shù)水平中，溫度補償技術(shù)被用來減小張弛振蕩器的溫度系 數(shù)?；旧?，張弛振蕩器的頻率與充電電流成正比，并且與閾值電壓成反 比。
在現(xiàn)有技術(shù)的溫度補償張弛振蕩器電路的第一示例中，并且如在 Xijian Lin的標(biāo)題為"CMOS relaxation oscillator circuit with improved speed and reduced process temperature variations"的美國專禾U No. 6,720,836中進
一步詳細(xì)描述的，張弛振蕩器的頻率被表達為F=ISINK/
(2'd'VcLMP)。結(jié)果，頻率與充電電流Is!NK成正比，并且與定時電容器的值C,和閾值電壓Vclmp成反比。閾值電壓VcLMP在很大程度上對溫度 變化不敏感。VcLMP可以表達為VclMP=k* Vref，其中，k是常數(shù)而V^是帶
隙(bandgap)電壓。由于Isink必須對溫度不敏感以使得張弛振蕩器的頻 率獨立于溫度，因此電容器Ci必須具有低的溫度系數(shù)。因此，當(dāng)利用該溫
度補償技術(shù)時，必須使用諸如片外電阻器R^之類的精確的低溫度系數(shù)電
阻器，這增加了電路成本和尺寸。
在現(xiàn)有技術(shù)的溫度補償張弛振蕩器電路的第二示例中，并且如在
Vincent Wing Sing Tso白勺豐示題為"Programmable highly temperature and supply independent oscillator"的美國專利No. 6,157,270中進一步詳細(xì)描述 的，張弛振蕩器的頻率與充電電流和閾值電壓Vth成正比。該方法的基本 概念是生成具有基本上彼此抵消的、與溫度有關(guān)的參數(shù)的充電電流和閾值 電壓，以產(chǎn)生獨立于溫度的恒定頻率的輸出信號。雖然這種溫度補償技術(shù) 在典型操作條件下將張弛振蕩器的溫度系數(shù)降低到294 ppm/°C左右，但 是，這種方法沒有考慮張弛振蕩器的電阻器的溫度系數(shù)，其結(jié)果是產(chǎn)生由 溫度引起的張弛振蕩器的輸出信號的變化，除非使用高精度的片外電阻 器，而這會增加電路成本和尺寸。
在現(xiàn)有技術(shù)的溫度補償張弛振蕩器電路的第三示例中，并且如在 James B.Nolan等人白勺禾示題為 "Calibration techniques for a precision relaxation oscillator integrated circuit with temperature compensation"的美國 專利No. 6,356,161中進一步詳細(xì)描述的，還使用了昂貴且占空間的低溫度
系數(shù)的外部的片外電阻器Rext來產(chǎn)生恒定頻率的更穩(wěn)定的時鐘輸出信號，
這在很大程度上獨立于溫度。
在現(xiàn)有技術(shù)的溫度補償張弛振蕩器電路的第四示例中，并且如在 Gregory Jon Manlove等人的標(biāo)題為"Accurate integrated oscillator circuit" 的美國專利No. 5,699,024中進一步詳細(xì)描述的，提供了一種具有可接受程 度的溫度無關(guān)性的振蕩器電路。Manlove等人的溫度補償電路依賴于雙極 型晶體管的溫度行為，因此需要使用bi-CMOS制造工藝。這種特殊要求增 加了電路成本。
所需要的是可以結(jié)合張弛振蕩器使用的溫度補償電路來提供低成本、
7小尺寸、基本上對溫度不敏感、寬頻帶的時鐘電路。
發(fā)明內(nèi)容
在一些實施例中，提供了一種張弛振蕩器電路，包括具有輸入端和 帶有頻率的輸出信號的張弛振蕩器；場效應(yīng)晶體管(FET);被配置來向
張弛振蕩器的輸入端提供充電電流并向該FET的漏極提供偏置電流的電流 鏡電路；具有如下輸出端的運算放大器，所述輸出端可操作地連接到該 FET的柵極；可操作地連接到運算放大器的第一輸入端的帶隙電路，以及 具有如下輸出端的電阻器陣列，所述輸出端可操作地連接到該FET的源極 和該運算放大器的第二輸入端，其中，電阻器陣列還包括相對于具有值R2 的負(fù)溫度系數(shù)電阻器被并聯(lián)布置的具有值R,的正溫度系數(shù)電阻器，R,和 R2的值被選擇以使得盡管該張弛振蕩器電路所處的環(huán)境溫度改變，輸出信 號的頻率也基本上保持恒定。
在另一實施例中，提供了一種張弛振蕩器電路，包括具有輸入端和 帶有頻率的輸出信號的張弛振蕩器；場效應(yīng)晶體管(FET);被配置來向 張弛振蕩器的輸入端提供充電電流并向該FET的漏極提供偏置電流的電流 鏡電路；具有如下輸出端的運算放大器，所述輸出端可操作地連接到該 FET的柵極；可操作地連接到運算放大器的第一輸入端的帶隙電路，以及 具有如下輸出端的電阻器陣列，所述輸出端可操作地連接到該FET的源極 和該運算放大器的第二輸入端，其中，電阻器陣列還包括相對于具有值R2 的負(fù)溫度系數(shù)電阻器被串聯(lián)布置的具有值&的正溫度系數(shù)電阻器，和 R2的值被選擇以使得盡管該張弛振蕩器電路所處的環(huán)境溫度改變，輸出信 號的頻率也基本上保持恒定。
在又一實施例中，提供了一種用于補償由張弛振蕩器電路提供的輸出 信號的頻率的變化的方法，其中，所述變化否則將由環(huán)境溫度的改變引 起，該方法包括提供具有輸入端和帶有頻率的輸出信號的張弛振蕩器； 提供場效應(yīng)晶體管(FET);提供電流鏡電路，該電流鏡電路被配置來向 張弛振蕩器的輸入端提供充電電流并向FET的漏極提供偏置電流；提供運 算放大器，該運算放大器具有可操作地連接到FET的柵極的輸出端；提供
8帶隙電路，該帶隙電路可操作地連接到運算放大器的第一輸入端，以及提 供電阻器陣列，該電阻器陣列具有可操作地連接到FET的源極和運算放大 器的第二輸入端的輸出端，其中，該電阻器陣列還包括相對于具有值R2的
負(fù)溫度系數(shù)電阻器被并聯(lián)布置的具有值R,的正溫度系數(shù)電阻器，R,和R2 的值被選擇以使得盡管張弛振蕩器電路所處的環(huán)境溫度改變，輸出信號的 頻率也基本上保持恒定。
在另一實施例中，提供了一種用于補償由張弛振蕩器電路提供的輸出 信號的頻率的變化的方法，其中，所述變化否則將由環(huán)境溫度的改變引 起，該方法包括提供具有輸入端和帶有頻率的輸出信號的張弛振蕩器； 提供場效應(yīng)晶體管(FET);提供電流鏡電路，該電流鏡電路被配置來向 張弛振蕩器的輸入端提供充電電流并向FET的漏極提供偏置電流；提供運 算放大器，該運算放大器具有可操作地連接到FET的柵極的輸出端；提供 帶隙電路，該帶隙電路可操作地連接到運算放大器的第一輸入端，以及提 供電阻器陣列，該電阻器陣列具有可操作地連接到FET的源極和運算放大
器的第二輸入端的輸出端，其中，該電阻器陣列還包括相對于具有值R2的
負(fù)溫度系數(shù)電阻器被串聯(lián)布置的具有值^的正溫度系數(shù)電阻器，R^和R2 的值被選擇以使得盡管張弛振蕩器電路所處的環(huán)境溫度改變，輸出信號的 頻率也基本上保持恒定。
在此公開了另外的實施例，或者本領(lǐng)域技術(shù)人員在閱讀和理解了本發(fā) 明的說明書和附圖之后，將清楚另外的實施例。
從下面的說明書、附圖和權(quán)利要求將清楚本發(fā)明的各個實施例的不同 方面，在附圖中
圖1示出了本發(fā)明的溫度補償張弛振蕩器電路的一個實施例； 圖2示出了本發(fā)明的溫度補償張弛振蕩器電路的另一實施例； 圖3示出了由圖l的電路提供的仿真輸出； 圖4示出了本發(fā)明的溫度補償張弛振蕩器電路的又一實施例； 圖5示出了由圖4的電路提供的仿真輸出；圖6示出了本發(fā)明的溫度補償張弛振蕩器電路的又另一實施例； 附圖不一定是按比例繪制的。在整個附圖中，除非另外提示，否則相 似的標(biāo)號指相似的部分或步驟。
具體實施例方式
在本發(fā)明的各個實施例中，提供了諸如溫度補償CMOS單片張弛振蕩 器電路之類的溫度補償張弛振蕩器電路，以及相應(yīng)的組件和方法，其中， 由張弛振蕩器電路提供的輸出信號的頻率基本上對溫度變化不敏感。
在本發(fā)明的各個實施例中克服了上述現(xiàn)有技術(shù)張弛振蕩器電路的問題 和缺點。
例如，本發(fā)明的張弛振蕩器電路的一個實施例在典型工藝角(process corner)仿真條件下獲得了大約5 ppm/°C的非常低的溫度系數(shù)。相反，如 在Tso的美國專利No. 6,157,270以及在Maxim Relaxation Oscillator Product MAX7384 (見http:〃datasheets週xim-ic.com/en/ds/MAX7384.pdf) 中進一步描述的，提供了 294 ppm/。C和士550 ppm/°C的各自的溫度系數(shù)。 在Maxim Relaxation Oscillator Product MAX7384的數(shù)據(jù)手冊中、由Jack G. Sneep禾口 Chris J.M. Verhoeven在 "A new low-noise 100-MHz balanced relaxation oscillator" (IEEE Journal of Solid-State Circuit,第692-698頁， Vol. 25， No.3， 1990年6月)中以及由A. Olmos在"A temperature compensation flilly trimmable on-chip IC oscillator" (Proceedings of the 16th-Symposium on Integrated Circuits and Systems Design ( SBCCI，03 )， 第 181-186頁，8-11， 2003年9月)中描述的典型工藝角仿真結(jié)果分別為± 100 ppm/°C、 -1000 ppm/°C和606 ppm/0C。
此外，與Lin的美國專利No. 6,720,836、 Tso的美國專利No. 6,157,270和Nolan的美國專利No. 6,356,161不同，本發(fā)明的各個實施例不 需要外部的、精密的、低溫度系數(shù)的片外電阻器。
另外，無需昂貴的bi-CMOS工藝來制造包括本發(fā)明的溫度補償電路的 芯片。實際上，本發(fā)明的張弛振蕩器的各個實施例可用利用傳統(tǒng)的低成本 CMOS工藝的制造來處理，但不限于此?，F(xiàn)在參考圖1，圖1示出了本發(fā)明的電路的一個實施例的框圖。圖1 的張弛振蕩器電路包括被配置來提供輸入充電電流U和頻率輸出FRQ的
張弛振蕩器100。振蕩器電路還包括電流產(chǎn)生電路，其包括電阻器陣列 101、帶隙電路102、電流鏡103、 NMOS晶體管200以及運算放大器 201。
現(xiàn)在參考圖2，圖2示出了由提供基本上獨立于溫度的輸出電流的恒 定理想電流源104來取代圖1的電流鏡103和電阻器陣列101。圖2的張 弛振蕩器的頻率輸出FRQ具有由下式定義的溫度系數(shù)
TCosc=a 式(1)
圖3示出了由圖1的電路提供的仿真輸出，其中，按照頻率相對于溫 度來描述該輸出?？梢钥闯?，平均輸出大約32 MHz并且隨著溫度變化。 參考圖1，輸出充電電流電路Ich具有由TCa^/3定義的溫度系數(shù)。輸出信 號FRQ與充電電流Ich成比例。因此，圖1的張弛振蕩器電路的輸出信號 FRQ可以表達為
TC，osc=a+/5 式(2)
現(xiàn)在將看到與輸出信號FRQ相關(guān)聯(lián)的凈溫度系數(shù)接近零。艮口
如果i8^-a，貝U TC，osc= a + |8 "0 式(3)
充電電流IcH由帶隙電路102提供的輸出V,以及電阻器陣列的電阻 R來定義，可以表達為
Ich=Vref/R 式(4)
因此，充電電流的溫度系數(shù)(TCcc)在符號上與電阻器陣列的溫度系
數(shù)(TCra)相反，這是因為vref基本上對溫度變化不敏感。艮口-
TCCC=U 式(5)
圖1中的電阻器陣列101包括兩種不同類型的電阻器，它們的溫度系 數(shù)異號。在典型的CMOS工藝中，多晶硅電阻器、擴散電阻器和n阱電阻 器具有正的溫度系數(shù)(TCPR)，而高多晶硅(Wgh-poly)電阻器具有負(fù)的 溫度系數(shù)(TCNR)。通過接通或斷開電阻器陣列101中的適當(dāng)開關(guān) Sl...Sn以及Sr...Sn、，電阻器陣列的總的溫度系數(shù)TQ^可以為TCpr和
iiTQ^之間的任何值，由此使兩種不同類型的電阻器的值之比變化。艮口
TCnr<TCra=-/3 <TCpr 式(6)
因此，電阻器陣列的最終的溫度系數(shù)(TCra)可以適當(dāng)?shù)乇辉O(shè)計以確保
如果TCNR< TCosc = a <TCPR，
貝U TC，osc = TCosc + TCCC = TC0SC -TCra= a 式(7)
在圖4呈現(xiàn)出了圖1所示的張弛振蕩器電路的簡化實施例。圖4中的 電阻器陣列105包括單個正溫度系數(shù)電阻器和單個負(fù)溫度系數(shù)電阻器 R2。對圖4中的Rl和R2的值進行適當(dāng)選擇會帶來圖5所示的仿真結(jié)果， 其中，可以看出，在典型工藝條件下由張弛振蕩器電路提供的頻率輸出基 本上敏感于溫度變化。如圖5所示，平均溫度系數(shù)大約5 ppm/°C，其可以 按下式計算
TC，。SC= (31.995 MHz - 31.97 MHz) / (125 °C + 40 。C) / 32 MHz = 4.7ppm/°C"5ppm/°C
在其它角的工藝條件時提供的仿真結(jié)果將不同于典型工藝仿真的結(jié) 果。然而，通過適當(dāng)?shù)嘏渲秒娮杵麝嚵?01或105中的開關(guān)SI至Sn，可 以使由圖1中的電路提供的輸出信號FRQ的溫度系數(shù)最小化。
現(xiàn)在參考圖6，圖6示出了本發(fā)明的溫度補償張弛振蕩器電路的另一 實施例，其中，正溫度系數(shù)和負(fù)溫度系數(shù)的電阻器被串聯(lián)布置而不是并聯(lián) 布置(如圖1)。在圖6中，通過接通或斷開電阻器陣列106中的適當(dāng)開 關(guān)Sl...Sn以及Sr…Sn、，電阻器陣列的總的溫度系數(shù)(TCra)可以被調(diào) 節(jié)至TCpr和TC順之間的任何值，由此使兩種不同類型的電阻器的值之比 變化。
現(xiàn)在，本領(lǐng)域的技術(shù)人員將清楚在此公開的本發(fā)明的各個實施例提 供了幾個優(yōu)點，包括但不限于提供表現(xiàn)出優(yōu)良的溫度補償特性、可以利用 低成本CMOS工藝而無需使用昂貴的片外組件來制造以構(gòu)建小的封裝的張 弛振蕩器。
注意，除了上面描述的那些之外，本領(lǐng)域已知的各種類型的電阻器和 制造工藝都可以應(yīng)用在本發(fā)明中。
還注意，包括在本發(fā)明的范圍內(nèi)的是制造以及已經(jīng)制造在此描述的各種組件、設(shè)備和系統(tǒng)的方法。
應(yīng)當(dāng)將上述實施例考慮為本發(fā)明的示例而非對本發(fā)明范圍的限制。除 了本發(fā)明的前述實施例之外，對詳細(xì)描述和附圖進行回顧會顯示存在本發(fā) 明的其它實施例。因此，未在此闡述的對本發(fā)明前面的實施例的許多組 合、排列、變更和修改仍然落在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種張弛振蕩器電路，包括張弛振蕩器，該張弛振蕩器具有輸入端和帶有頻率的輸出信號；場效應(yīng)晶體管FET；電流鏡電路，被配置來向所述張弛振蕩器的輸入端提供充電電流并向所述場效應(yīng)晶體管的漏極提供偏置電流；運算放大器，該運算放大器具有可操作地連接到所述場效應(yīng)晶體管的柵極的輸出端；帶隙電路，該帶隙電路可操作地連接到所述運算放大器的第一輸入端；以及電阻器陣列，該電阻器陣列具有可操作地連接到所述場效應(yīng)晶體管的源極和所述運算放大器的第二輸入端的輸出端，其中，所述電阻器陣列還包括相對于具有值R2的負(fù)溫度系數(shù)電阻器被并聯(lián)布置的具有值R1的正溫度系數(shù)電阻器，R1和R2的值被選擇以使得盡管所述張弛振蕩器電路所處的環(huán)境溫度改變，所述輸出信號的頻率也基本上保持恒定。
2. 如權(quán)利要求1所述的張弛振蕩器電路，其中，所述正溫度系數(shù)電阻 器是多晶硅電阻器、擴散電阻器、高多晶硅電阻器和n阱電阻器。
3. 如權(quán)利要求1所述的張弛振蕩器電路，其中，所述負(fù)溫度系數(shù)電阻 器是高多晶硅電阻器。
4. 如權(quán)利要求1所述的張弛振蕩器電路，其中，所述張弛振蕩器電路 是布置在單個芯片或集成電路上的CMOS電路。
5. 如權(quán)利要求1所述的張弛振蕩器電路，其中，所述張弛振蕩器電路 是布置在單個芯片或集成電路上的bi-CMOS電路。
6. 如權(quán)利要求1所述的張弛振蕩器電路，其中，所述輸出信號的頻率 在約-40攝氏度和約+125攝氏度之間的溫度范圍中基本上保持恒定。
7. 如權(quán)利要求1所述的張弛振蕩器電路，其中，所述輸出信號是時鐘 信號。
8. 如權(quán)利要求1所述的張弛振蕩器電路，其中，所述輸出信號的所述 頻率是可編程的。
9. 如權(quán)利要求1所述的張弛振蕩器電路，其中，所述張弛振蕩器電路 的溫度系數(shù)小于或等于約10ppm/°C。
10. 如權(quán)利要求1所述的張弛振蕩器電路，其中，所述張弛振蕩器電 路的溫度系數(shù)小于或等于約5 ppm/°C。
11. 一種張弛振蕩器電路，包括張弛振蕩器，該張弛振蕩器具有輸入端和帶有頻率的輸出信號； 場效應(yīng)晶體管FET;電流鏡電路，被配置來向所述張弛振蕩器的輸入端提供充電電流并向 所述場效應(yīng)晶體管的漏極提供偏置電流；運算放大器，該運算放大器具有可操作地連接到所述場效應(yīng)晶體管的 柵極的輸出端；帶隙電路，該帶隙電路可操作地連接到所述運算放大器的第一輸入 端；以及電阻器陣列，該電阻器陣列具有可操作地連接到所述場效應(yīng)晶體管的 源極和所述運算放大器的第二輸入端的輸出端，其中，所述電阻器陣列還包括相對于具有值R2的負(fù)溫度系數(shù)電阻器被 串聯(lián)布置的具有值Rj勺正溫度系數(shù)電阻器，Ri和R2的值被選擇以使得盡 管所述張弛振蕩器電路所處的環(huán)境溫度改變，所述輸出信號的頻率也基本 上保持恒定。
12. 如權(quán)利要求11所述的張弛振蕩器電路，其中，所述正溫度系數(shù)電 阻器是多晶硅電阻器、擴散電阻器、高多晶硅電阻器和n阱電阻器。
13. 如權(quán)利要求11所述的張弛振蕩器電路，其中，所述負(fù)溫度系數(shù)電 阻器是高多晶硅電阻器。
14. 如權(quán)利要求11所述的張弛振蕩器電路，其中，所述張弛振蕩器電 路是布置在單個芯片或集成電路上的CMOS電路。
15. 如權(quán)利要求11所述的張弛振蕩器電路，其中，所述張弛振蕩器電 路是布置在單個芯片或集成電路上的bi-CMOS電路。
16. 如權(quán)利要求11所述的張弛振蕩器電路，其中，所述輸出信號的頻率在約-40攝氏度和約+125攝氏度之間的溫度范圍中基本上保持恒定。
17. 如權(quán)利要求11所述的張弛振蕩器電路，其中，所述輸出信號是時 鐘信號。
18. 如權(quán)利要求11所述的張弛振蕩器電路，其中，所述輸出信號的所 述頻率是可編程的。
19. 如權(quán)利要求11所述的張弛振蕩器電路，其中，所述張弛振蕩器電 路的溫度系數(shù)小于或等于約10ppmTC。
20. 如權(quán)利要求11所述的張弛振蕩器電路，其中，所述張弛振蕩器電 路的溫度系數(shù)小于或等于約5 ppm/°C。
21. —種用于補償由張弛振蕩器電路提供的輸出信號的頻率的變化的 方法，其中，所述變化否則將由環(huán)境溫度的改變引起，所述方法包括提供具有輸入端和帶有頻率的輸出信號的張弛振蕩器； 提供場效應(yīng)晶體管FET;提供電流鏡電路，該電流鏡電路被配置來向所述張弛振蕩器的輸入端 提供充電電流并向所述場效應(yīng)晶體管的漏極提供偏置電流；提供運算放大器，該運算放大器具有可操作地連接到所述場效應(yīng)晶體 管的柵極的輸出端；提供帶隙電路，該帶隙電路可操作地連接到所述運算放大器的第一輸 入端；以及提供電阻器陣列，該電阻器陣列具有可操作地連接到所述場效應(yīng)晶體 管的源極和所述運算放大器的第二輸入端的輸出端，其中，所述電阻器陣 列還包括相對于具有值R2的負(fù)溫度系數(shù)電阻器被并聯(lián)布置的具有值R,的 正溫度系數(shù)電阻器，Ri和R2的值被選擇以使得盡管所述張弛振蕩器電路 所處的環(huán)境溫度改變，所述輸出信號的頻率也基本上保持恒定。
22. —種用于補償由張弛振蕩器電路提供的輸出信號的頻率的變化的 方法，其中，所述變化否則將由環(huán)境溫度的改變引起，所述方法包括提供具有輸入端和帶有頻率的輸出信號的張弛振蕩器； 提供場效應(yīng)晶體管FET;提供電流鏡電路，該電流鏡電路被配置來向所述張弛振蕩器的輸入端提供充電電流并向所述場效應(yīng)晶體管的漏極提供偏置電流；提供運算放大器，該運算放大器具有可操作地連接到所述場效應(yīng)晶體管的柵極的輸出端；提供帶隙電路，該帶隙電路可操作地連接到所述運算放大器的第一輸 入端；以及提供電阻器陣列，該電阻器陣列具有可操作地連接到所述場效應(yīng)晶體 管的源極和所述運算放大器的第二輸入端的輸出端，其中，所述電阻器陣 列還包括相對于具有值R2的負(fù)溫度系數(shù)電阻器被串聯(lián)布置的具有值&的 正溫度系數(shù)電阻器，Ri和R2的值被選擇以使得盡管所述張弛振蕩器電路 所處的環(huán)境溫度改變，所述輸出信號的頻率也基本上保持恒定。
全文摘要
本發(fā)明公開了溫度補償電路和方法。所公開的是可以利用傳統(tǒng)的CMOS制造技術(shù)制造的溫度補償張弛振蕩器電路的各個實施例。在此描述的張弛振蕩器電路表現(xiàn)出了良好的低溫度系數(shù)性能特性，并且不需要使用昂貴的片外高精度電阻器來實現(xiàn)溫度補償。以電阻器陣列形式布置的正溫度系數(shù)和負(fù)溫度系數(shù)的電阻器相互抵消，從而在張弛振蕩器電路中提供溫度補償。
文檔編號H03L7/00GK101599761SQ20091014063
公開日2009年12月9日 申請日期2009年6月8日 優(yōu)先權(quán)日2008年6月6日
發(fā)明者潘國振, 艾利克斯·建中·陳, 譚同棣, 陳吉恩 申請人:安華高科技Ecbu Ip(新加坡)私人有限公司