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表面波裝置及其制造方法

文檔序號:7515836閱讀:124來源:國知局
專利名稱:表面波裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種通過切割分離壓電晶片而形成的表面波裝置以及該表面波裝置 的制造方法,更具體而言,是涉及一種具有被切割分離的壓電基板的外周邊緣成為產(chǎn)品的 外周邊緣的封裝結(jié)構(gòu)的表面波裝置及其制造方法。
背景技術(shù)
對于用于移動電話的射頻段的表面波濾波裝置,進行了壓電基板的外周邊緣成為 產(chǎn)品的外周邊緣的封裝結(jié)構(gòu)的研發(fā)。借此,可以追求表面波裝置產(chǎn)品的小型化。而且,還可 以追求增加從壓電晶片獲取的表面波裝置的數(shù)量。在下述的專利文獻1中,公開了這種表面波裝置的一個例子。圖7是專利文獻1中所記載的表面波裝置的正面截面圖。表面波裝置101具有壓 電基板102。在壓電基板102的一個面上形成有包含IDT電極103的電極結(jié)構(gòu)。另外,與 IDT電極103電連接的墊整電極104、105在壓電基板102的一面上形成。另外,樹脂基板 106與壓電基板102相對配置。在樹脂基板106上形成有多個通孔,導(dǎo)體107、108包覆該通 孔的內(nèi)周面。導(dǎo)體107、108的下端與外部電極109、110電連接。并且,導(dǎo)體107、108的上 端與墊整電極的111、112電連接。在樹脂基板106的上表面形成有致密的層113。該致密的層113圍繞所述導(dǎo)體 107,108的上端以及設(shè)置墊整電極111、112的部分。另外,為了與所述致密的層113的上表 面高度一致,而在上述墊整電極111、112的周圍形成樹脂層114、115。如圖所示上述樹脂基板106與壓電基板102相對,并使用光硬化樹脂116、117接 合。在接合時,光硬化樹脂116、117被配置在用于不妨礙表面波傳輸?shù)目障禨的周圍。另 外,在光硬化樹脂116、117之內(nèi)形成有貫通導(dǎo)體118、119。該貫通導(dǎo)體118、119對上述墊整 電極104、105與墊整電極111、112進行電連接。在制造表面波裝置101時,準備大塊的壓電晶片,并為了在壓電晶片上構(gòu)成多個 表面波裝置101,而形成多個包括IDT電極103以及墊整電極104、105等的電極結(jié)構(gòu)。然 后,對于所述壓電晶片,通過光硬化樹脂來接合母板的樹脂基板106。對由此所獲得的層疊 體在厚度方向進行切割,從而獲得多個表面波裝置101。所獲得的表面波裝置101的俯視形 狀與壓電基板102的俯視形狀相同。專利文獻1 :JP特開2003-37471號公報在專利文獻1中所記載的表面波裝置101的制造方法中,在獲得母板的層疊體之 后來進行切割。這種情況下,在切割時,所切斷的部分,不但有壓電晶片,還包括光硬化樹脂 116、117、合成樹脂層、樹脂基板106等。另外,在通過電解鍍等手段形成上述貫通導(dǎo)體118、 119的情況下,形成用于向鍍層部分通電的布線圖案。由于這種布線圖案跨越壓電晶片上相 鄰的表面波裝置之間,所以在切割時布線圖案的一部分被切斷。因此,由于切割刀片切斷粘合劑的硬化物、金屬等,所以切割刀片容易磨損。而且, 從上述層疊體切割分離多個表面波裝置時,切割的次數(shù)比較多。因此,存在切割刀片磨損,
4而無法進行高精度切割或切割速度降低等問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于,提供一種可以解決上述以往的技術(shù)缺陷、不容易發(fā)生切割刀 片磨損、且能夠從母板的層疊體以高精度和高生產(chǎn)效率切割獲得各個表面波裝置的表面波 裝置及其制造方法。根據(jù)本發(fā)明的表面波裝置,包括,壓電基板;IDT電極,形成于所述壓電基板的上 表面;墊整電極,與所述IDT電極電連接;支撐層,形成在所述壓電基板上,以具有所述IDT 電極所面對的開口的方式包圍所述IDT電極,并且外周邊緣比所述壓電基板的上表面的外 周邊緣更靠內(nèi)側(cè)且由絕緣材料構(gòu)成;覆蓋層,由絕緣材料形成在所述支撐層上,以將所述開 口封閉,且在俯視時,其外周邊緣與所述壓電基板的外周邊緣重合。根據(jù)本發(fā)明的表面波裝置的某一特定實施方案,所述表面波裝置進一步包括,墊 整電極,形成在所述壓電基板上,并與所述IDT電極電連接;導(dǎo)電連接元件,與所述墊整電 極電連接,且貫通所述支撐層和所述覆蓋層,并達到所述覆蓋層的上表面。在這種情況下, 因為具備貫通所述支撐層和所述覆蓋層的導(dǎo)電連接元件,所以能夠在覆蓋層的上表面將表 面波裝置和外部電連接。根據(jù)本發(fā)明的表面波裝置的其他特定實施方案,所述導(dǎo)電連接元件具有以電解鍍 來形成的導(dǎo)電材料部分;且所述表面波裝置進一步包括,電解鍍用布線,設(shè)置在所述壓電基 板上且從該壓電基板的外周邊緣達到所述墊整電極;包覆層,在所述電解鍍用布線的未被 所述支撐層覆蓋的部分,由覆蓋所述電解鍍用布線的絕緣材料構(gòu)成。因此,通過在壓電晶 片階段使用所述電解鍍用布線通電來進行電解鍍,能夠以良好的效率形成所述導(dǎo)電材料部 分。然后,由于在所述電解鍍用布線的未被所述支撐層覆蓋的部分被所述包覆層所包覆,所 以可以可靠地防止因電解鍍用布線被切斷后的切屑所導(dǎo)致的不希望發(fā)生的短路。根據(jù)本發(fā)明的表面波裝置的制造方法,包括,為形成多個表面波裝置而準備在上 表面形成有與多個表面波裝置的IDT電極對應(yīng)的多個IDT電極的壓電晶片的工序;在所述 壓電晶片的上表面形成支撐層的工序,所述支撐層具有各表面波裝置的IDT電極所面對的 多個開口部,且還具有從表面波裝置的外周邊緣向內(nèi)側(cè)隔開距離的外周邊緣;在所述壓電 晶片上接合母板的覆蓋層以封閉所述支撐層的所述開口部,獲得母板的層疊體的工序;沿 著沿各個表面波裝置之間的界線的切斷區(qū)域切斷所述母板的層疊體而獲得各個表面波裝 置的工序。根據(jù)本發(fā)明的表面波裝置的制造方法的某一特定實施方案,該制造方法還包括 在所述壓電晶片上形成與所述IDT電極電連接的墊整電極的工序;形成導(dǎo)電材料部分的工 序,在接合所述支撐層以及所述覆蓋層時,以在該墊整電極的上方形成貫穿所述支撐層以 及所述覆蓋層的通孔的方式形成所述支撐層并接合所述覆蓋層,在接合所述覆蓋層之后, 通過在所述通孔進行電解鍍而形成與所述墊整電極電連接的導(dǎo)電材料部分。在這種情況 下,在接合上述覆蓋層之后,通過電解鍍法可以以良好的效率形成上述導(dǎo)電材料部分。根據(jù)本發(fā)明的表面波裝置的制造方法的其他的特定實施方案,進一步包括與所述 墊整電極電連接且在切斷層疊體時端部被切斷的電解鍍用布線。這種情況下,電解鍍用布 線最終在切斷層疊體時被切斷,但是在切斷層疊體之前,能夠通過電解鍍方法在壓電晶片上形成多個表面波裝置的上述導(dǎo)電材料部分。根據(jù)本發(fā)明的表面波裝置的制造方法的其他的特定實施方案,該制造方法進一步 包括從所述電解鍍用布線通電而通過電解鍍方法形成所述導(dǎo)電材料部分的工序。通過從電 解鍍用布線通電,能夠用電解鍍方法以較好的效率來形成上述導(dǎo)電材料部分。進一步根據(jù)本發(fā)明的表面波裝置的制造方法的其他的特定實施方案,進一步包括 形成由絕緣材料構(gòu)成的包覆層以包覆所述電解鍍用布線的工序,在形成該包覆層之后進行 所述電解鍍。在這種情況下,可以準確可靠地防止因電解鍍用布線被切斷后的切屑而導(dǎo)致 的不希望發(fā)生的短路。對于根據(jù)本發(fā)明的表面波裝置,由于支撐層的外周邊緣配置在比壓電基板的上表 面的外周邊緣更靠近內(nèi)側(cè)的位置,所以在通過切割來分離層疊了壓電晶片和母板的覆蓋層 的層疊體來獲得各個表面波裝置時,上述支撐層不會被切割刀片所切斷。因此,切割刀片不 容易發(fā)生磨損,并且能夠有效提高切割時的生產(chǎn)效率。也就是說,因為本發(fā)明的表面波裝置能夠通過上述本發(fā)明的制造方法來獲得,因 此切割刀片不容易發(fā)生磨損且切割時的切斷速度不容易降低,所以能夠提高表面波裝置的
生產(chǎn)效率。


圖1中圖1(a)和圖1(b)是用于說明本發(fā)明的一個實施方式的表面波裝置的制造 方法的各個截面圖,并相當于沿圖2的A-A線以及B-B線的截面圖。圖2是表示在壓電晶片上所形成的一個表面波裝置的電極結(jié)構(gòu)的示意俯視圖。圖3是用于說明利用本發(fā)明一個實施方式的制造方法在壓電晶片上形成的多個 電極結(jié)構(gòu)、支撐層以及覆蓋層的俯視形狀的示意俯視圖。圖4是用于說明比較例子中的制造方法的問題點的局部剖切后的正面截面圖;圖5是示意性地示出從壓電晶片切割分離出的表面波裝置的端部的正面截面圖。圖6是用于說明圖3所示出的實施方式中的制造方法的變形例的示意俯視圖。圖7是用于說明以往表面波裝置的正面截面圖。圖8是用于說明表面波裝置的制作方法的問題點的局部剖切后的正面截面圖。圖中:1-3…IDT電極,la、lb…分割I(lǐng)DT部,4-7…墊整電極(padelectrode),10… 壓電晶片,10A…壓電基板,10a…上表面,11…支撐層,11a…開口部,11B…支撐層,lib-外周邊緣,12、13…切斷區(qū)域,14、14A…覆蓋層,15、16…通孔,17、18…導(dǎo)電連接元件,19... 釬焊凸點(solderbump),20...電解鍍用布線,21…表面波裝置,22…包覆層,32、33…切斷 區(qū)域,101…表面波裝置,102…壓電基板,103…IDT電極,104、105…墊整電極,106…樹脂 基板,107、108…導(dǎo)體,109、110…外部電極111、112…墊整電極,113…層,114、115…樹脂 層116、117…樹脂,118、119…貫通導(dǎo)體,121…壓電晶片,122…支撐層,123…覆蓋層,124… IDT電極,125、126…切斷區(qū)域。
具體實施例方式下面,結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施方式
進行說明,以便了解本發(fā)明的內(nèi)容。以下,將參照圖1 圖3,對根據(jù)本發(fā)明的一個具體實施方式
的表面波裝置的制造
6方法和該表面波裝置進行說明。在本實施方式的制造方法中,首先,為了形成許多表面波裝置,準備壓電晶片。對 于構(gòu)成壓電晶片的壓電材料沒有特別的限制,可以使用鉭酸鋰(LiTa03)、鈮酸鋰(LiNb03)、 或者水晶等的壓電單晶體或者壓電陶瓷。為了形成多個表面波裝置,要在壓電晶片的一個面上形成包括IDT電極的電極。 圖2是表示構(gòu)成一個表面波裝置的部分電極結(jié)構(gòu)的示意俯視圖。在本實施方式中,形成有 IDT電極1、在IDT電極1的表面波傳輸方向的兩側(cè)配置的IDT電極2、3,以及墊整電極4 7。IDT電極1具有通過分割一方的匯流條(bus bar)而構(gòu)成的第1分割I(lǐng)DT部la和第2 分割I(lǐng)DT部lb。分割I(lǐng)DT部la、lb分別與墊整電極4、5電連接。此外,IDT電極2、3的各 自一端與墊整電極6、7電連接。雖然沒有特別在圖中示出,但是在形成有IDT電極1 3 的區(qū)域的表面波傳輸方向兩側(cè),配置有分級型反射器。此外,形成表面波裝置的電極結(jié)構(gòu)并不局限于圖2所示出的結(jié)構(gòu)。如圖3所示意那樣在壓電晶片上形成有多個構(gòu)成上述表面波裝置的電極結(jié)構(gòu)。在 本實施方式中,如圖3所示,多個用于形成一個表面波裝置的上述電極結(jié)構(gòu)被配置成矩陣 狀。當然,也可以采用矩陣狀以外的圖案,來配置多個電極結(jié)構(gòu)。而且,在圖3中,在上述電極結(jié)構(gòu)內(nèi)形成IDT電極1 3的部分被簡略地示出。此 夕卜,在該圖中,還示出了墊整電極4 7以及連接墊整電極4 7與IDT電極1或者IDT電 極2、3的布線圖案被后述的覆蓋層所覆蓋的狀態(tài)。構(gòu)成上述各表面波裝置的電極結(jié)構(gòu)是通過在壓電晶片上形成Ag、Cu、Al、Ti、Pt、 NiCr或者Ag-Pd合金等合適的金屬膜,并對該金屬膜制作圖案來形成的。當然,對于電極結(jié) 構(gòu)的形成方法沒有限制。此外,具有IDT電極1 3的電極結(jié)構(gòu),也可以由層疊了多個金屬 膜的層疊金屬膜來形成。接下來,形成圖1(a)所示的支撐層11。在本實施方式中,通過在壓電晶片10的上 表面10a全面施予感光性聚酰亞胺樹脂,并以光刻法來制作圖案,以形成支撐層11。當然, 支撐層11也可以用其他合成樹脂來形成。以形成不妨礙表面波的傳輸?shù)目障禖的方式,來對支撐層11制作圖案。也就是 說,支撐層11具有開口部11a,以包圍形成有IDT電極1 3的區(qū)域。另外,在各表面波裝 置中,支撐層11的外周邊緣lib位于比最終獲得的表面波裝置的壓電基板10A的外周邊緣 更靠近內(nèi)側(cè)的位置。在圖3中,沿左右方向延伸的切斷區(qū)域12、13以及沿上下方向延伸的 切斷區(qū)域32、33即為在切割時被去除的部分。然后,被切斷區(qū)域12、13、32、33圍起來的部 分即為構(gòu)成各個表面波裝置的部分。支撐層11的外周邊緣11b,位于比各個表面波裝置的 外周邊緣即最終獲得的壓電基板10A的外周邊緣更靠近內(nèi)側(cè)的位置。在本實施方式中,在形成支撐層11之后,利用熱層壓法等適當?shù)姆椒?,來形成?蓋層14。在本實施方式中,覆蓋層14由非感光性環(huán)氧系樹脂構(gòu)成。另外,覆蓋層14也可以 由非感光性環(huán)氧系樹脂以外的包括適當?shù)暮铣蓸渲趦?nèi)的各種絕緣材料制成。因此,如圖1所示,比上述支撐層11的開口部11a以及支撐層11的外周邊緣lib 靠外的空間被上述覆蓋層14所覆蓋。然后,通過激光照射,來構(gòu)成圖1(b)所示的通孔15、16。該通孔15、16從墊整電極 4、5的上表面貫通支撐層11和覆蓋層14,達到覆蓋層14的上表面。
在形成通孔15、16時,要使上述墊整電極4、5的上表面露出。然后,通過電解鍍,以覆蓋通孔15、16的內(nèi)周面或者填充通孔15、16的方式形成導(dǎo) 電連接元件17、18。如上所述對銅、鎳等適當?shù)慕饘龠M行電解鍍來形成所述導(dǎo)電連接元件 17、18。作為優(yōu)選方式,為了防止表面氧化,進一步在導(dǎo)電連接元件17、18的上表面采用電 解鍍等方式形成0. 5微米膜厚的金(Au)膜。上述導(dǎo)電連接元件17、18為本發(fā)明中通過電解鍍形成的導(dǎo)電材料部分。在這種情 況下,導(dǎo)電連接元件17、18也可以包括包覆通孔15、16的內(nèi)周面的導(dǎo)電膜和在該導(dǎo)電膜所 包圍的部分所填充的導(dǎo)體。如此,可以是通過電解鍍形成上述導(dǎo)電膜的上述導(dǎo)電材料部分, 也可以通過電解鍍以外的其他方法施予填充導(dǎo)體。也就是說,導(dǎo)電連接元件并非一定要其全體都要由通過電解鍍所形成的導(dǎo)體材料 部分來構(gòu)成。在上述導(dǎo)電連接元件17、18上印刷以錫-銀-銅系合金等為主體的釬焊膏。該釬 焊膏的印刷,例如使用金屬掩模來進行,在與上述導(dǎo)電連接元件17、18的上端電連接地印 刷所述釬焊膏。然后,加熱到釬焊膏的溶解溫度,例如加熱到260攝氏度左右。借此,使得釬 焊料與導(dǎo)電連接元件17、18固定。接下來,用焊劑清洗劑來去除焊劑。這樣,便形成圖1(b) 所示的球狀釬焊凸點19、19。此外,也可以使用由其他金屬構(gòu)成的凸點來代替釬焊凸點19、19。并且,在形成上述導(dǎo)電連接元件17、18時,通過對墊整電極4、5通電而進行電解 鍍。如圖3所示,墊整電極4、5和墊整電極6、7通過電解鍍用布線20相互電連接。因此, 通過從電解鍍用布線進行通電,能夠在壓電晶片10上的許多表面波裝置構(gòu)成部分,一次性 且容易地形成所述導(dǎo)電連接元件17、18。然后,沿著上述切斷區(qū)域12、13、32、33來進行切割。經(jīng)過切割,切斷區(qū)域12、13和 切斷區(qū)域32、33被去除,以切斷由壓電晶片10、支撐層11以及覆蓋層14構(gòu)成的層疊體,獲 得各個表面波裝置。在這種情況下,圖1 (a)的壓電基板10A所表示的部分成為一個表面波裝置構(gòu)成部 分。在所獲得的表面波裝置21中,在通過切割壓電晶片10而獲得的壓電基板10A上形成支 撐層11,在該支撐層11上層疊經(jīng)過切割而被切斷的覆蓋層14。而且,在進行上述切割時, 壓電晶片10和覆蓋層14被切割刀片切斷,而支撐層11不被切斷。因此,能夠使得切割刀 片的負擔變小,而抑制切割刀片的磨損。此外,還能夠提高切割的速度。下面,參照圖4的比較例子和相當于以往技術(shù)的圖 8,對此進一步具體說明。在圖8所示的結(jié)構(gòu)中,在壓電晶片121的上表面層疊支撐層122和覆蓋層123。在 此,支撐層122具有開口部,該開口部包圍形成IDT電極124的部分。但是,支撐層122達 到切斷領(lǐng)域125、126。此外,覆蓋層123也達到切斷領(lǐng)域。因此,切斷刀片在進行切割時,要 切斷壓電晶片121、支撐層122以及覆蓋層123等所有部分。因此,如前面所述,切割刀片的 負擔變大,并且切割刀片也變得容易磨損。并且,無法提高切斷速度。針對于此,在圖4所示的比較例子中,所考慮的方案是使支撐層11達到切斷領(lǐng)域 12、13,而覆蓋層14不達到切斷領(lǐng)域12、13。在這種情況下,在進行切割時,被切割刀片所切 斷的是壓電晶片10和支撐層11B。但是,在切割時容易在壓電晶片10和支撐層11B的界面
8發(fā)生剝離。因此,例如在要通過從電解鍍用布線20通電來進行濕式電鍍而形成導(dǎo)電材料部 分的情況下,鍍液容易從上述界面浸入。因此,導(dǎo)致上述導(dǎo)電連接元件17、18形成不良,容 易導(dǎo)致最終獲得的表面波裝置的耐濕性、耐環(huán)境特性(適應(yīng)環(huán)境特性)降低。針對于此,本實施方式中的制造方法中,在進行上述的切割時,不容易發(fā)生支持層 11和壓電晶片10之間的界面的剝離。因此,即使從電解鍍用布線20通電來進行濕式電鍍 而形成導(dǎo)電連接元件17、18,鍍液也不容易浸入,所以能夠獲得可靠性優(yōu)越的表面波裝置。 并且,還能夠準確可靠地形成導(dǎo)電連接元件17、18。當然,電解鍍用布線20在上述切割過程中被切斷。因此,如圖5所示,在電解鍍用 布線20的切斷部分,可能產(chǎn)生金屬切屑20A。在與相鄰的電解鍍用布線20、20電連接的情 況下,該金屬切屑20A可能造成短路不良。例如,如果附著的金屬切屑20A跨越電連接在墊 整電極4上的電解鍍用布線部分與電連接在墊整電極5上的電解鍍用布線部分,則會使最 終獲得的表面波裝置21產(chǎn)生短路不良。為了防止出現(xiàn)這種短路不良,如圖6的示意俯視圖所示,優(yōu)選形成包覆電解鍍用 布線20的包覆層22。該包覆層22優(yōu)選包覆電解鍍用布線20全體。當然,在防止相鄰的 電解鍍用布線之間的短路方面,例如,包覆層22只要對端部連接于相鄰的墊整電極4、5上 的電解鍍用布線中至少一方進行覆蓋即可。另外,包覆層22沒有必要一定要達到切斷區(qū)域 12、13、32、33之內(nèi)。該包覆層22可以用適當?shù)慕^緣材料構(gòu)成。作為這種絕緣材料,可以適 用形成支撐層11的合成樹脂。優(yōu)選使用相同的材料來構(gòu)成支撐層11和上述包覆層22,如 此,在形成支撐層11時,能夠同時形成上述包覆層22。因此,在不增加生產(chǎn)工序的情況下, 能夠可靠地防止出現(xiàn)上述的短路不良。另外,通過設(shè)置上述包覆層22,還能夠更加可靠地防止電解鍍時鍍液侵入內(nèi)部。在上述的實施方式中,IDT電極與達到覆蓋層上表面的導(dǎo)電連接元件17、18電連 接,但是,在本發(fā)明中,用于IDT電極與外部電連接的結(jié)構(gòu)不限于此。
9
權(quán)利要求
一種表面波裝置,其特征在于,包括壓電基板;IDT電極,形成在所述壓電基板的上表面;墊整電極,與所述IDT電極電連接;支撐層,由絕緣材料構(gòu)成,以包圍所述IDT電極的方式設(shè)在所述壓電基板上,以具有所述IDT電極所面對的開口,并且該支撐層的外周邊緣比所述壓電基板的上表面的外周邊緣更靠內(nèi)側(cè);和覆蓋層,由絕緣材料形成在所述支撐層上,以封閉所述開口,且在俯視時該覆蓋層的外周邊緣與所述壓電基板的外周邊緣重合。
2.如權(quán)利要求1所述的表面波裝置,其特征在于,進一步包括 墊整電極,形成在所述壓電基板上并與所述IDT電極電連接;導(dǎo)電連接元件,與所述墊整電極電連接,且貫通所述支撐層和所述覆蓋層,并達到所述 覆蓋層的上表面。
3.如權(quán)利要求2所述的表面波裝置,其特征在于,所述導(dǎo)電連接元件具有通過電解鍍 形成的導(dǎo)電材料部分;所述表面波裝置進一步包括電解鍍用布線,在所述壓電基板上從該壓電基板的外周邊緣達到所述墊整電極;和 包覆層,在所述電解鍍用布線的未被所述支撐層覆蓋的部分以覆蓋所述電解鍍用布線 的方式由絕緣材料構(gòu)成。
4.一種表面波裝置的制造方法,其特征在于,包括為了形成多個表面波裝置而準備壓電晶片的工序,在該壓電晶片的上表面形成有與多 個表面波裝置的IDT電極對應(yīng)的多個IDT電極;在所述壓電晶片的上表面形成支撐層的工序,所述支撐層具有各表面波裝置的IDT電 極所面對的多個開口部,且該支撐層的外周邊緣從表面波裝置的外周邊緣向內(nèi)側(cè)隔開距 罔;在所述壓電晶片上以封閉所述支撐層的所述開口部的方式接合母板的覆蓋層,而獲得 母板的層疊體的工序;和沿著切斷區(qū)域切斷所述母板的層疊體而獲得各個表面波裝置的工序,所述切斷區(qū)域沿 著各個表面波裝置之間的界線。
5.如權(quán)利要求4所述的表面波裝置的制造方法,其特征在于,還包括 在所述壓電晶片上形成與所述IDT電極電連接的墊整電極的工序;和形成導(dǎo)電材料部分的工序,在所述支撐層以及所述覆蓋層進行接合時,以在該墊整電 極的上方形成貫穿所述支撐層以及所述覆蓋層的通孔的方式形成所述支撐層并接合所述 覆蓋層,在接合所述覆蓋層之后,在所述通孔中通過電解鍍法形成導(dǎo)電材料部分,且該導(dǎo)電 材料部分通過鍍層與所述墊整電極電連接。
6.如權(quán)利要求5所述的表面波裝置的制造方法,其特征在于,進一步包括與所述墊整 電極電連接且在切斷所述層疊體時端部被切斷的電解鍍用布線。
7.如權(quán)利要求6所述的表面波裝置的制造方法,其特征在于,進一步包括從所述電解 鍍用布線通電而通過電解鍍法形成所述導(dǎo)電材料部分的工序。
8.如權(quán)利要求7所述的表面波裝置的制造方法,其特征在于,進一步包括以包覆所述電解鍍用布線的方式形成由絕緣材料構(gòu)成的包覆層的 工序,在形成該包覆層之后進行所述 電解鍍。
全文摘要
提供不易產(chǎn)生切割刀片磨損且不易使切割速度降低地從母板的層疊體以高精度高效率獲得的表面波裝置。這種通過切割方式切斷壓電晶片(10)來獲得的表面波裝置,包括通過切割壓電晶片(10)而獲得的壓電基板(10A),在壓電基板(10A)上表面形成的IDT電極(1~3)以及墊整電極(4~7),支撐層(11)具有IDT電極(1~3)所面對的開口,支撐層(11)的外周邊緣(11b)被配置在比壓電基板(10A)的上表面的外周邊緣更靠近內(nèi)側(cè)的位置,進一步,覆蓋層(14)在支撐層(11)上由絕緣材料制成,用來封閉所述支撐層(11)的開口部,在俯視時,覆蓋層(14)的外周邊緣與壓電基板(10A)的外周邊緣重合。
文檔編號H03H9/25GK101868917SQ200880116839
公開日2010年10月20日 申請日期2008年12月8日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月14日
發(fā)明者工藤敬實, 高田忠彥 申請人:株式會社村田制作所
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