專利名稱：水晶裝置及水晶裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及包裝件部件的蓋部及底部的材質(zhì)都使用了水晶的水晶裝置，以及為了 形成該水晶裝置的制造方法。
背景技術(shù)：
通常，隨著移動體通信機(jī)器或OA機(jī)器等的小型輕量化及高頻化，使用在這些的水 晶裝置也要求對應(yīng)進(jìn)一步的小型化及高頻化。通常，水晶裝置是重合由玻璃或陶瓷構(gòu)成的蓋部和包裝件部件，在真空或惰性氣 體中通過陽極接合技術(shù)進(jìn)行封裝。這種水晶振子，已知有例如記載在專利文獻(xiàn)1(日本特開 平6-343017號公報)中的裝置。在專利文獻(xiàn)1中所公開的水晶振子中，由于在進(jìn)行包裝件部件的陽極接合時，在 玻璃蓋部或陶瓷蓋部上形成鋁(Al)等的金屬膜，因此在接合時會產(chǎn)生鋁膜的剝離及信賴 性問題。另外，由于鋁、玻璃、陶瓷及水晶的各自的熱膨脹系數(shù)互不相同，因此還存在因溫度 變化而引起接合部位剝落的問題。另外，由于一個一個地重合玻璃蓋部、包裝件部件來制造 水晶振子，因此存在難以提高生產(chǎn)性的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種制造水晶裝置的制造方法，該水晶裝置由水晶一體地 形成包裝件的一部分和水晶振動片的同時，蓋部及底部也都由水晶形成，并且利用硅氧烷 鍵(Si-O-Si)對這些部件進(jìn)行接合。根據(jù)第1觀點(diǎn)的水晶裝置，具有具有具備電極圖案的水晶振動片和支撐該水晶 振動片的外框的由水晶構(gòu)成的水晶框架；以及具有形成在第1面上的連接電極和形成在第 1面的相反側(cè)的第2面上的與連接電極導(dǎo)通的外部電極且有水晶構(gòu)成的水晶底部，并且在 重合接合水晶框架和水晶底部時，連接電極接觸在電極圖案上，外框和第1面不接觸。根據(jù)這種構(gòu)成，電極圖案和連接電極相互接合的同時，外框和水晶底部可以堅(jiān)固 地進(jìn)行接合。根據(jù)第2觀點(diǎn)的水晶裝置，在連接電極接觸在電極圖案時，在水晶框架和第1面之 間形成將電極圖案的厚度和連接電極的厚度相加的合計(jì)厚度的10%至30%的間隙為特征 的權(quán)利要求1所記載的間隙形成在外框和第1面之間。若在外框和第1面之間僅形成電極圖案厚度和連接電極厚度相加的合計(jì)厚度的 10%以下的間隙，則會發(fā)生雖然外框和水晶底部相接合，但電極圖案和連接電極相互沒有 接合情況。另一方面，若在外框和第1面之間形成電極圖案厚度和連接電極厚度相加的合 計(jì)厚度的30%以上的間隙，則會發(fā)生雖然電極圖案和連接電極相互接合，但外框和水晶底 部沒有接合的情況。根據(jù)第3觀點(diǎn)的水晶裝置，具備由水晶構(gòu)成且與外框重合而接合的水晶蓋，通過 硅氧烷鍵接合水晶蓋、外框及水晶底部。
由于水晶裝置的主要構(gòu)成都是水晶，因此即使是溫度變化比較大的環(huán)境，熱膨脹 也都相同。因此，水晶裝置不會發(fā)生因熱膨脹的不同而引起的分割。由于水晶框架和水晶 底部的電極的連接部分面積比較小，因此不容易產(chǎn)生因與水晶熱膨脹不同而引起的剝離。根據(jù)第4觀點(diǎn)的水晶裝置，水晶蓋具有第1凹部，水晶底部具有第2凹部，水晶振 動片配置在第1凹部和第2凹部之間。由此，可以不調(diào)整水晶振動片的厚度而確保水晶振動片的合適的振動。根據(jù)第5觀點(diǎn)的水晶裝置，電極圖案及連接電極由作為質(zhì)地的第1金屬層和形成 在其第1金屬層上的第2金屬層構(gòu)成，電極圖案的第2金屬層和連接電極的第2金屬層進(jìn) 行接合。在電極圖案及連接電極由2層金屬層形成的情況，通過硅氧烷鍵時所施加的熱和 加動，水晶框架和水晶底部的金屬彼此擴(kuò)散，相同的第2金屬層彼此進(jìn)行接合。根據(jù)第6觀點(diǎn)的水晶裝置，具有具有具備電極圖案的水晶振動片和支撐該水晶 振動片的外框的由水晶構(gòu)成的水晶框架；以及具有形成在第1面上的連接電極和形成在第 1面的相反側(cè)的第2面上的與連接電極導(dǎo)通的外部電極且有水晶構(gòu)成的水晶底部，并且外 框和第1面的任何一方上形成櫛齒狀或波形的區(qū)域。通過在進(jìn)行硅氧烷鍵的部位上形成櫛齒狀或波形的區(qū)域，電極圖案和連接電極相 互接合的同時，外框和水晶底部也堅(jiān)固地進(jìn)行接合。根據(jù)第7觀點(diǎn)的水晶裝置的制造方法，具有在第1水晶晶片上形成多個水晶蓋的 工序；在第2水晶晶片上形成具有具備電極圖案的水晶振動片和支撐該水晶振動片的外框 的多個水晶框架的工序；在第3水晶晶片上形成具有形成在第1面上的連接電極和形成在 第1面的相反側(cè)的第2面上與連接電極導(dǎo)通的外部電極的多個水晶底部的工序；重合第1 水晶晶片、第2水晶晶片及第3水晶晶片而接合的接合工序；在該接合工序之后，將接合的 水晶蓋、水晶框架及水晶底部作為水晶裝置進(jìn)行切割的工序。根據(jù)這種構(gòu)成的制造方法，由于可以以水晶晶片單位進(jìn)行重合而制造水晶裝置， 因此生產(chǎn)性高。另外第1水晶晶片、第2水晶晶片及第3水晶晶片的熱膨脹都相同，因此容 易使3張對齊而進(jìn)行接合。根據(jù)第8觀點(diǎn)的水晶裝置的制造方法，在重合第2水晶晶片和第3水晶晶片而進(jìn) 行接合時，連接電極接觸在電極圖案上，外框和第1面不接觸。在接合第1水晶晶片、第2水晶晶片及第3水晶晶片時，還可以接合電極圖案和連 接電極。由于本發(fā)明的水晶裝置的蓋部都由水晶構(gòu)成且可以通過簡易的方法進(jìn)行制造，并 且可以同時接合電極等，因此可以大量制造的同時實(shí)現(xiàn)成本的降低。


圖IA是本實(shí)施方式所涉及的水晶振子100的概略剖視圖，是圖IB的X_X剖視圖。圖IB是水晶框架50的俯視圖。圖IC是底部40的俯視圖。圖2A是第1實(shí)施例的水晶框架50及底部40的局部放大剖視圖。圖2B是重合了第1實(shí)施例的水晶框架50及底部40的剖視圖。
圖2C是第2實(shí)施例的水晶框架50及底部40的部分放大剖視圖。圖2D是第3實(shí)施例的水晶框架50及底部40的部分放大剖視圖。圖2E是第4實(shí)施例的水晶框架50及底部40的側(cè)視圖。圖2F是第4實(shí)施例的水晶框架50及底部40的部分放大剖視圖。圖3A是表示形成了音叉型水晶振動片30的水晶晶片10的概略立體圖。
圖3B是放大了水晶晶片10的水晶框架50的一部分的俯視圖。圖4是重合蓋部20的水晶晶片10、音叉型水晶振動片30及水晶框架50的水晶晶 片10、底部40的水晶晶片10的圖。圖中10-水晶晶片，11-連結(jié)部，12-開口部，20-蓋部，27-蓋部用凹部，30-音叉型水 晶振動片，31 -振動臂，32-基部，33、34-基部電極，35、36-勵振電極，37、38-錘部，40-底 部，41、43_通孔，42、44_連接電極，45、46_外部電極，47-底部用凹部，49、59、59’-段差部， 50-水晶框架，52-空間部。
具體實(shí)施例方式<水晶振子100的構(gòu)成>以下，參照附圖對本發(fā)明的各實(shí)施方式所涉及的水晶振子100進(jìn)行說明。圖1A、圖 IB及圖IC是表示本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的水晶振子100的概略圖。圖IA是表示水晶振子100的構(gòu)成的圖IB的X-X整體剖視圖，為了有助于理解該 整體剖視圖表示接合前的各部件的剖視圖。圖IB是水晶框架50的俯視圖，圖IC是底部40 的俯視圖。在圖IA中，水晶振子100由最上部的蓋部20、最下部的底部40及中央的水晶框 架50構(gòu)成。蓋部20、底部40及中央的水晶框架50由水晶晶片形成。蓋部20在水晶框架 50側(cè)的一面具有由蝕刻形成的蓋部用凹部27。底部40在水晶框架50側(cè)的一面具有由蝕 刻形成的底部用凹部47。水晶框架50具有由蝕刻形成的音叉型水晶振動片30。水晶振子100以具有水晶振動片30的水晶框架50為中心，在其水晶框架50的下 側(cè)接合底部40，在水晶框架的50的上側(cè)接合蓋部20。即，利用硅氧烷鍵(Si-O-Si)技術(shù)， 蓋部20接合在水晶框架50上，底部40接合在水晶框架50上而進(jìn)行接合。如圖IB所示，水晶框架50在其中央部具有所謂的音叉型水晶振動片30，以及在外 側(cè)具有外框部51，且在音叉型水晶振動片30和外框部51之間形成有空間部52。規(guī)定水晶 振動片30的外形的空間部52由水晶蝕刻形成。音叉型水晶振動片30具有基部32和從基 部延伸的一對振動臂31?；?2與外框部51形成為一體。在基部32及外框部51的第1 主面上形成有第1基部電極33和第2基部電極34，且在第2主面也同樣地形成有第1基部 電極33和第2基部電極34。水晶振動片30在第1主面及第2主面上形成有第1勵振電極35及第2勵振電極 36，第1勵振電極35連接在形成于基部32及外框部51上的第1基部電極33上，第2勵振 電極36連接在形成于基部32及外框部51上的第2基部電極34上。另外，在水晶振動片 30的振動臂31的前端上形成有錘部37及錘部38。由光刻工程同時形成第1基部電極33 及第2基部電極34、第1勵振電極35及第2勵振電極36、錘部37及錘部38。若在這些施加電壓，則水晶振動片30會以規(guī)定的頻率進(jìn)行振動。錘部37及錘部38是為了使水晶振動 片30的振動臂31更容易振動而設(shè)置的錘，且為了頻率調(diào)整而設(shè)置。如圖IC所示，底部40在由蝕刻形成底部用凹部47的同時形成第1通孔41及第 2通孔43，還形成段差部49。底部40具有第1連接電極42及第2連接電極44。該第1連 接電極42及第2連接電極44形成在段差部49上。第1通孔41及第2通孔43在其里面形成金屬膜，其里面的金屬膜通過光刻工程 與第1連接電極42及第2連接電極44同時形成。底部40在底面具有進(jìn)行了金屬噴鍍的 第1外部電極45及第2外部電極46。第1連接電極42通過第1通孔41連接在設(shè)置于底 部40的底面的第1外部電極45上。第2連接電極44通過第2通孔43連接在設(shè)置于底部 40的底面的第2外部電極46上。如上所述的蓋部20、底部40及水晶框架50由硅氧烷鍵進(jìn)行接合。硅氧烷鍵以具 有水晶振動片30的水晶框架50為中心，使設(shè)置有底部用凹部47的底部40及設(shè)置了蓋部 用凹部27的蓋部20的接觸面在潔凈的狀態(tài)下進(jìn)行重合，并通過在保持400°C至450°C的高 溫槽中進(jìn)行加熱而接合，至此結(jié)束水晶振子包裝。雖然在蓋部20及底部40上分別形成有蓋部用凹部27及底部用凹部 47，但未必需 要設(shè)置在蓋部20及底部40上。還可以以不妨礙水晶振動片30的振動的方式，形成水晶振 動片30和蓋部20的間隙及水晶振動片30和底部40的間隙。因此，在水晶框架50的中央 形成水晶振動片30時，若使水晶振動片30的厚度比較薄，也可以是沒有在蓋部20及底部 40上設(shè)置凹部的平板。但是，為了同時進(jìn)行蓋部20、底部40及水晶框架50的硅氧烷鍵和 第1基部電極33及第2基部電極34與第1連接電極42及第2連接電極44的接合，本實(shí) 施方式具有如下說明的段差部49。結(jié)束硅氧烷鍵之后，在底部40的第1通孔41及第2通孔43內(nèi)填充由金錫(Au-Sn) 合金或金硅(Au-Si)合金、或金漿銀漿燒成而成的金及銀，并保持在真空中或惰性氣體中 的反射爐中進(jìn)行封裝。利用了金錫合金的情況，由于金錫合金的熔點(diǎn)為280°C，因此使反射 爐的溫度為300°C。由于金硅合金的熔點(diǎn)為363°C，因此使反射爐的溫度為380°C。由此，完 成包裝件內(nèi)為真空或充滿惰性氣體的水晶振子100。由于蓋部20、水晶振動片30及底部40都由水晶構(gòu)成，因此即使水晶振子100放置 在溫度變化比較大的環(huán)境中，由熱膨脹引起的伸縮都會相同。由于材質(zhì)的不同而引起的因 熱膨脹的伸縮程度是不同的，因此存在接合部位剝離的問題，到此解決了上述由伸縮程度 不同而引起的接合部位剝離的問題。<水晶之間及電極之間的彼此接合>《第1實(shí)施例》圖2A及圖2B是第1實(shí)施例的水晶框架50和底部40的放大剖視圖。圖2A表示分離了水晶框架50和底部40的狀態(tài)。圖2B表示重合了水晶框架50 和底部40的狀態(tài)，但并不是表示進(jìn)行了硅氧烷鍵的狀態(tài)的圖。在圖2A及圖2B中，形成在底部40上的第1連接電極42及第2連接電極44 (參 照圖IA及圖1C)的位置上設(shè)置有段差部49。由濕刻等形成的設(shè)置在該底部40上的段差 部49的深度A為2500A ~ 3000A。形成在水晶框架50上的第1基部電極33及未圖示的 第2基部電極34的厚度B為1500A ~ 2000入。另外，形成在底部40上的第1連接電極42及未圖示的第2連接電極44的厚度B也是1500人~ 2000A。即，形成在水晶框架50上的 基部電極的厚度和形成在底部40上的連接電極的厚度的合計(jì)為3000A至4000A (2*B)。若想使底部40和水晶框架50接觸，則第1基部電極33及第2基部電極34和第1 連接電極42及第2連接電極44首先接觸。此時，水晶框架50的底面和底部40的上面之 間的間隙C約為500A~ 1000A。若在這種狀態(tài)下進(jìn)行硅氧烷鍵，則第1基部電極33及第 2基部電極34和第1連接電極42及第2連接電極44的金屬相互接合。另外，通過在水晶 框架50和底部40上施加壓力而使間隙C消失，由此水晶框架50的底面和底部40的上面 相接觸且可以由硅氧烷鍵堅(jiān)固地進(jìn)行接合。在沒有設(shè)置段差部49的狀態(tài)下，若想接合水晶框架50的底面和底部40的上面， 則由于形成在水晶框架50上的基部電極和形成在底部40上的連接電極的合計(jì)厚度達(dá)到 3000A至4000A,因此水晶框架50的底面和底部40的上面沒有接合的情況比較多。另一 方面，若設(shè)置與基部電極和連接電極的合計(jì)厚度(3000A至4000A)相同深度的段差部 49，則雖然水晶框架50和水晶底部40可以進(jìn)行硅氧烷鍵，但是第1基部電極33及第2基 部電極34和第1連接電極42及第2連接電極44沒有接合，兩者沒有導(dǎo)通的情況比較多。因此，形成水晶厚度比第1基部電極33及第2基部電極34和第1連接電極42及 第2連接電極44的合計(jì)厚度大約薄10%至30%的段差部49的深度A。即，若基部電極和 連接電極的合計(jì)厚度與段差部49的深度之差為0至10 %，則基部電極和連接電極沒有接合 的情況比較多，若段差部49的深度比基部電極和連接電極的合計(jì)厚度薄30 %以上，則水晶 框架50和水晶底部40不能進(jìn)行硅氧烷鍵的情況比較多?！兜?實(shí)施例》圖2C是第2實(shí)施例的水晶框架50和底部40的放大剖視圖。水晶框架50的第1 基部電極33及第2基部電極34(參照圖IA及圖1B)的位置上設(shè)置有凹下的段差部59。設(shè) 置在水晶框架50上的段差部59的深度為25OOA ~ 3000A。第1基部電極33及第2基部 電極34的厚度B和第1連接電極42及第2連接電極44的厚度B分別為15 O OA ~ 2 O O OA， 合計(jì)的電極厚度為3000入~ 4000人。合計(jì)的電極厚度(2*B)和段差部59的深度A的差為 500A~ 1000A (間隙C)。通過保持該間隙C使第1基部電極33及第2基部電極34和 第1連接電極42及第2連接電極44進(jìn)行連接。另外，通過在水晶框架50和底部40上施 加壓力而使間隙C消失，由此水晶框架50的底面和底部40的上面相接處且可以通過硅氧 烷鍵堅(jiān)固地進(jìn)行接合?！兜?實(shí)施例》圖2D是第3實(shí)施例的水晶框架50和底部40的放大剖視圖。水晶框架50的第1 基部電極33及第2基部電極34(參照圖IA及圖1Β)的位置上設(shè)置有凹下的段差部59’。 設(shè)置在水晶框架50上的段差部59’的深度A為2500Α ~ 3000Α。如上所述，基部電極及連 接電極的合計(jì)的電極厚度為3000Α~ 4000Α。因此，合計(jì)的電極厚度(2*Β)和段差部59’ 的深度A的差為500Α ~ 1000Α (間隙C)。通過保持該間隙C使第1基部電極33及第2 基部電極34和第1連接電極42及第2連接電極44進(jìn)行連接。另外，通過在水晶框架50 和底部40上施加壓力而使間隙C消失，由此水晶框架50的底面和底部40的上面相接觸且 可以通過硅氧烷鍵堅(jiān)固地進(jìn)行接合?！兜?實(shí)施例》
圖2E是第4實(shí)施例的水晶框架50和底部40的側(cè)視圖，圖2F為其放大剖視圖。另 夕卜，基部電極和連接電極的合計(jì)的電極厚度為3000A ~4000A。雖然第4實(shí)施例的段差部 59”的深度A與第3實(shí)施例相同為25OOA ~ 3000A，但是成櫛齒狀且一部分的段差的深度 為零。即使是這種段差部59”，第1基部電極33及第2基部電極34和第1連接電極42及 第2連接電極44也進(jìn)行連接。另外，通過在水晶框架50和底部40上施加壓力而使間隙C 消失，由此水晶框架50的底面和底部40的上面相接觸且可以通過硅氧烷鍵堅(jiān)固地進(jìn)行接
I=I O在圖2E及圖2F的第4實(shí)施例中，雖然櫛齒狀的段差部59”形成在水晶框架50的 外框部51上，但也可以將櫛齒狀的段差部設(shè)置在底部40上。另外，也可以不是櫛齒狀的段 差部而是波形段差部，且此時波形的一部分的段差的深度為零，一部分比基部電極及連接 電極的合計(jì)的電極厚度(2*B)薄500Α~ ΙΟΟΟΑ。<水晶框架50及音叉型水晶振動片30的制造工序>
圖3A是表示形成了音叉型水晶振動片30的水晶晶片10的概略立體圖。圖3A所 示的狀態(tài)是表示由圓形的水晶晶片10通過蝕刻同時形成了音叉型水晶振動片30及水晶框 架50的狀態(tài)的圖。由圓形的水晶晶片10通過對斜線部分所示的開口區(qū)域12及空間部52 進(jìn)行蝕刻，以規(guī)定的大小形成音叉型水晶振動片30及水晶框架50。表示將音叉型水晶振動 片30及水晶框架50以3個為1塊，配置了 11塊的狀態(tài)。圓形的水晶晶片10為了能夠特 定軸方向，在水晶晶片10的周邊部IOe的一部分上形成有特定水晶的結(jié)晶方向的定向平面 IOc0在此，為了便于說明在水晶晶片10上繪制有33個音叉型水晶振動片30，但是實(shí)際上 在水晶晶片10上形成有數(shù)百、數(shù)千個音叉型水晶振動片30。在圖3A中，音叉型水晶振動片30及水晶框架50沒有完全從水晶晶片10中切割 分離，水晶框架50的一部分仍連接在圓形的水晶晶片10上。因此，不用一個一個地對水晶 框架50進(jìn)行處理，可以在1張水晶晶片10單位進(jìn)行操作。圖3B是放大了 1塊音叉型水晶振動片30及水晶框架50的俯視圖。由圓形的水 晶晶片10通過蝕刻斜線部分的開口區(qū)域12，以規(guī)定大小形成水晶框架50。在水晶框架50 的外周的一部分上形成有連結(jié)部11。連結(jié)部11連結(jié)圓形的水晶晶片10和水晶框架50，使 得多個水晶框架50可以在圓形的水晶晶片10單位同時進(jìn)行操作。規(guī)定水晶振動片30的 外形的空間部52 (斜線部分)與開口區(qū)域12同時通過蝕刻形成。另外，在水晶晶片10單位中，在水晶振動片30上形成有第1基部電極33及第2 基部電極34、第1勵振電極35及第2勵振電極36、錘部37及錘部38。在從基部32突出的 一對振動臂31上形成有槽部39。該槽部39上也形成有第1勵振電極35及第2勵振電極 36，使得降低了 CI (結(jié)晶阻抗)值。形成在水晶振動片30上的第1基部電極33及第2基部電極34、第1勵振電極35 及第2勵振電極36、錘部37及錘部38由濺射或真空蒸鍍而形成金屬膜，經(jīng)過光刻工程而進(jìn) 行制作。具體地，基部電極使用如下金屬膜，通過濺射形成作為質(zhì)地的鉻(Cr)、鎳(Ni)或鈦 (Ti)等，并在其之上重合了金層(Au)或銀層(Ag)。在本實(shí)施方式中，第1基部電極33及 第2基部電極34、第1勵振電極35及第2勵振電極36的鎳層的厚度為500A ~ 1000人， 金層的厚度為500A~ 1000A,使得整體的厚度為1500A ~2000A。<音叉型水晶振子100的制造工序>
圖4是重合形成有蓋部20的水晶晶片10、形成有音叉型水晶振動片30及水晶框 架50的水晶晶片10、形成有底部40的水晶晶片10之前的圖。蓋部20和底部40都是通過 連結(jié)部11連接在水晶晶片10上。在進(jìn)行重合時，預(yù)先通過水晶蝕刻形成蓋部20的蓋部用凹部27。另外，預(yù)先通過水晶蝕刻形成底部40的底部用凹部47，另外還形成第1連接電極42及第2連接電極44。 另外，如圖3A及圖3B所示，在音叉型水晶振動片30上形成有第1基部電極33及第2基部 電極34、第1勵振電極35及第2勵振電極36。由于各個水晶晶片10的直徑例如為4英寸且形成有定向平面10c，因此可以正確 地定位3張水晶晶片10而進(jìn)行重合。對重合的3張水晶晶體10進(jìn)行硅氧烷鍵。如圖2A 至圖2F所示，在水晶晶片10彼此進(jìn)行硅氧烷鍵時，可以牢固地接合第1基部電極33及第 2基部電極34和第1連接電極42及第2連接電極44。在重合了 3張水晶晶體10的狀態(tài)下，通過折斷共通的連結(jié)部11而完成水晶振子 100。在這種方法中，由于所謂包裝和電極的接合可以同時進(jìn)行，且在水晶晶片單位進(jìn)行制 造，因此可以提高生產(chǎn)性。在產(chǎn)業(yè)利用上，雖然以上詳細(xì)說明了本發(fā)明的最適合的實(shí)施方式，但如本領(lǐng)域的 技術(shù)人員所知，本發(fā)明可以在其技術(shù)內(nèi)容范圍內(nèi)對上述各個實(shí)施方式進(jìn)行各種各樣的變 更、變形而實(shí)施。在本發(fā)明中，作為填充通孔的實(shí)施方式記載有AuSn，AuSi，金漿，銀漿，但 可以期待Aul2Ge或熔點(diǎn)為300°C 450°C的金屬(合金)也具有同樣的效果。另外，在上述說明中對音叉型水晶振動片30進(jìn)行了說明，但用AT振動片及使用了 水晶基板的SAW元件來代替音叉型水晶振動片也可以適用于本發(fā)明。
權(quán)利要求
一種水晶裝置，其特征在于，具有具有具備電極圖案的水晶振動片和支撐該水晶振動片的外框的由水晶構(gòu)成的水晶框架；以及具有形成在第1面上的連接電極和形成在所述第1面的相反側(cè)的第2面上且與所述連接電極導(dǎo)通的外部電極，并由水晶構(gòu)成的水晶底部，在重合結(jié)合所述水晶框架和所述水晶底部時，所述連接電極接觸在所述電極圖案上，所述外框和所述第1面不接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的水晶裝置，其特征在于，在所述連接電極接觸在所述電極圖案時，在所述外框和所述第1面之間形成將所述電 極圖案的厚度和連接電極的厚度相加的合計(jì)厚度的10%至30%的間隙。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的水晶裝置，其特征在于， 具備由水晶構(gòu)成且與所述外框重合而結(jié)合的水晶蓋，所述水晶蓋、所述外框及所述水晶底部通過硅氧烷鍵進(jìn)行結(jié)合。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的水晶裝置，其特征在于，所述水晶蓋具有第1凹部，所述水晶底部具有第2凹部，所述水晶振動片配置在所述第 1凹部和第2凹部之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4的任意一項(xiàng)所述的水晶裝置，其特征在于，所述電極圖案及所述連接電極由作為質(zhì)地的第1金屬層和形成在其第1金屬層上的第 2金屬層構(gòu)成，所述電極圖案的第2金屬層和所述連接電極的第2金屬層進(jìn)行結(jié)合。
6.一種水晶裝置，其特征在于，具有具有具備電極圖案的水晶振動片和支撐該水晶振動片的外框的由水晶構(gòu)成的水晶框 架；以及具有形成在第1面上的連接電極和形成在所述第1面的相反側(cè)的第2面上的與所述連 接電極導(dǎo)通的外部電極且有水晶構(gòu)成的水晶底部，所述外框和所述第1面的任何一方上形成有櫛齒狀或波形的區(qū)域。
7.一種水晶裝置的制造方法，其特征在于，具有 在第1水晶晶片上形成多個水晶蓋的工序；在第2水晶晶片上形成具有具備電極圖案的水晶振動片和支撐該水晶振動片的外框 的多個水晶框架的工序；形成多個水晶底部的工序，該水晶底部具有形成在第3水晶晶片的第1面上的連接電 極和形成在所述第1面的相反側(cè)的第2面上與所述連接電極導(dǎo)通的外部電極； 重合所述第1水晶晶片、第2水晶晶片及第3水晶晶片而結(jié)合的結(jié)合工序； 在該結(jié)合工序之后，將結(jié)合的水晶、蓋水晶框架及水晶底部作為水晶裝置進(jìn)行切割的 工序。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的水晶裝置的制造方法，其特征在于，在重合所述第2水晶晶片和第3水晶晶片而進(jìn)行結(jié)合時，所述連接電極接觸在所述電 極圖案上，所述外框和所述第1面不接觸。
全文摘要
提供一種水晶裝置，該水晶裝置的蓋部及底部都由水晶形成且通過硅氧烷鍵(Si-O-Si)進(jìn)行接合。水晶裝置(100)具有具有具備電極圖案的水晶振動片和支撐該水晶振動片的外框(51)的由水晶構(gòu)成的水晶框架(50)；以及具有形成在第1面上的連接電極和形成在第1面的相反側(cè)的第2面上的與連接電極導(dǎo)通的外部電極且有水晶構(gòu)成的水晶底部(40)，并且在重合接合水晶框架和水晶底部時，連接電極接(42)觸在電極圖案(33)上，外框(51)和水晶底部(40)不接觸。
文檔編號H03H3/02GK101816125SQ20088010529
公開日2010年8月25日 申請日期2008年7月3日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月3日
發(fā)明者豬瀨直人, 竹內(nèi)敏晃 申請人:日本電波工業(yè)株式會社