專利名稱：一種可控硅控制電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及控制電路，更具體地說，涉及一種可控硅控制電路。
背景技術(shù)：
可控硅在控制系統(tǒng)中是一種常用的器件，用于實現(xiàn)多種負載的控制，運用 簡單、可靠。目前可控硅分為三象限和四象限兩種，四象限可控硅可工作一至 四象限，但可控硅工作在第四象限時，觸發(fā)端的電流一般要比工作在一至三象 限時的觸發(fā)電流大一倍，造成能耗的增加，成本的上升。

實用新型內(nèi)容
本實用新型要解決的技術(shù)問題在于，針對現(xiàn)有技術(shù)的上述可控硅工作在四 象限時工作效率低缺陷，提供一種工作在二、三象限的可控硅控制電路。
本實用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是構(gòu)造一種可控硅控制電
路，包括雙向可控硅，其特征在于，所述可控硅的觸發(fā)端與MCU輸入/輸出口 之間連接有電容C1，可控硅的觸發(fā)端與地之間還連接有二極管D1，所述二極 管D1的正極與可控硅的觸發(fā)端相連、負極與地相連。
在本實用新型所述的可控硅控制電路中在所述MCU輸入/輸出口與電容 Cl之間還連接有限流電阻R1。
在本實用新型所述的可控硅控制電路中所述C1的電容值為1微法，所述電阻R1的阻值為100歐姆。
在本實用新型所述的可控硅控制電路中在所述可控硅的觸發(fā)端與地之間 還連接有抗干擾電阻R2。
在本實用新型所述的可控硅控制電路中所述電阻R2的阻值為1K-10K歐姆。
在本實用新型所述的可控硅控制電路中所述電阻R2的阻值為10K歐姆。 在本實用新型所述的可控硅控制電路中所述述二極管Dl的型號為 IN4148。
實施本實用新型的可控硅控制電路，具有以下有益效果由于本實用新型 的可控硅控制電路使得可控硅工作在二、三象限，降低能耗，減少成本； 由于本實用新型的可控硅控制電路采用脈沖驅(qū)動比電平驅(qū)動更省電，所以 適用于節(jié)能控制；當(dāng)系統(tǒng)出現(xiàn)故障時I/01 口輸出一持續(xù)的電平時，因為有耦 合電容C1的存在，電壓無法耦合到可控硅觸發(fā)端，可控硅觸發(fā)端無觸發(fā)電壓， 自動關(guān)斷，提高了電路的安全控制。


下面將結(jié)合附圖及實施例對本實用新型作進一步說明，附圖中 圖1是本實用新型的可控硅控制電路的電路圖。
具體實施方式
結(jié)合圖l描述本實用新型的可控硅控制電路的工作原理，原理如下Rl 為觸發(fā)端的限流電阻，Cl為耦合及儲能電容；Dl為嵌位二極管；R2為抗干 擾電阻；TR1為雙向可控硅；負載為可控硅TR1所驅(qū)動的負載。在此電路中，I/Ol采用脈沖驅(qū)動，當(dāng)I/Ol輸出為一高電平脈沖時，Cl將脈沖耦合到TR1 的觸發(fā)端，但因為二極管D1將觸發(fā)端的電壓嵌位在0.7V，嵌位電壓的范圍 0.3-0.7V，所以可控硅的觸發(fā)端和GND間只有0.7V電壓無法滿足可控硅的導(dǎo) 通壓降要求，可控硅無法導(dǎo)通從而使可控硅無法工作在一、四象限。
因為前一個正脈沖使電容C1進行了上正下負的充電，當(dāng)1/01輸出為一低 電平脈沖時，Cl開始經(jīng)Rl — MCU內(nèi)部的GND —可控硅的GND — TR1 — Cl，經(jīng)過以上回路儲能電容Cl給可控硅一觸發(fā)電壓使可控硅TR1導(dǎo) 通并工作在二、三象限。本實用新型的可控硅控制電路使得可控硅工作在二、 三象限，降低能耗，減少成本。其中可控硅控制電路采用脈沖驅(qū)動比電平 驅(qū)動更省電，適用于節(jié)能控制。當(dāng)系統(tǒng)出現(xiàn)故障時I/01 口輸出一持續(xù)的電平， 因為有耦合電容C1的存在，電壓無法耦合到可控硅觸發(fā)端，可控硅觸發(fā)端無 觸發(fā)電壓，自動關(guān)斷，提高了電路的安全控制。
權(quán)利要求1、一種可控硅控制電路，包括雙向可控硅，其特征在于，所述可控硅的觸發(fā)端與MCU輸入/輸出口之間連接有電容C1，可控硅的觸發(fā)端與地之間還連接有二極管D1，所述二極管D1的正極與可控硅的觸發(fā)端相連、負極與地相連。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的可控硅控制電路，其特征在于，在所述MCU輸入/輸出口與電容Cl之間還連接有限流電阻R1。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的可控硅控制電路，其特征在于，所述C1的電容值為1微法，所述電阻R1的阻值為100歐姆。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的可控硅控制電路，其特征在于，在所述可控硅的觸發(fā)端與地之間還連接有抗干擾電阻R2。
5、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的可控硅控制電路，其特征在于，所述電阻R2的阻值為1K-10K歐姆。
6、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的可控硅控制電路，其特征在于，所述電阻R2的阻值為IOK歐姆。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1一6中任何一項所述的可控硅控制電路，其特征在于，所述述二極管D1的型號為IN4148。
專利摘要本實用新型涉及一種可控硅控制電路，包括可控硅，所述可控硅的觸發(fā)端與MCU輸入/輸出口之間連接有電容C1，可控硅的觸發(fā)端與地之間還連接有二極管D1，所述二極管D1的正極與可控硅的觸發(fā)端相連、負極與地相連。由于本實用新型的可控硅控制電路使得可控硅工作在二、三象限，降低能耗，減少成本；由于本實用新型的可控硅控制電路采用脈沖驅(qū)動比電平驅(qū)動更省電，所以適用于節(jié)能控制；當(dāng)系統(tǒng)出現(xiàn)故障時I/O1口輸出一持續(xù)的電平時，因為有耦合電容C1的存在，電壓無法耦合到可控硅觸發(fā)端，可控硅觸發(fā)端無觸發(fā)電壓，自動關(guān)斷，提高了電路的安全控制。
文檔編號H03K17/72GK201266915SQ20082009614
公開日2009年7月1日 申請日期2008年8月4日 優(yōu)先權(quán)日2008年8月4日
發(fā)明者劉建偉, 汪顯方, 勇 王, 白清利, 董曉勇 申請人:深圳和而泰智能控制股份有限公司