專利名稱：電平移動電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種轉(zhuǎn)換邏輯電平的電平移動電路，特別涉及具有功耗低 且進行低電壓工作的結(jié)構(gòu)的電平移動電路。
背景技術(shù)：
作為現(xiàn)有電平移動電路，例如鎖住(latch)式電平移動電路已為人所 知。圖1顯示這種電平移動電路。
圖1的電平移動電路包括兩個N型晶體管N51、 N52，兩個交叉耦 合式(cross coupled) P型晶體管P51、 P52及反相器INV50，所述兩個 P型晶體管P51、 P52的柵極互相連接在對方的漏極上。反相器INV50 轉(zhuǎn)換輸入信號IN，例如在1.5V等低電壓電源VDD下工作。除了反相器 INV50以外的元件是例如在3.3V等高電壓電源VDD3下工作的、在于高 電壓一側(cè)的元件。N型晶體管N51、 N52的源極接地，N型晶體管N51、 N52接收互補的信號即輸入信號IN和從反相器INV50輸出的轉(zhuǎn)換輸入信 號IN而得到的信號XIN。 P型晶體管P51、 P52的源極連接在高電壓電 源VDD3上，所述P型晶體管P51、 P52的柵極利用交叉耦合連接方式 互相連接在對方的漏極上，所述P型晶體管P51、 P52的漏極分別連接在 N型晶體管N51、 N52的漏極上。將一個P型晶體管P51與一個N型晶 體管N51的連接點假設(shè)為節(jié)點W51;將另 一個P型晶體管P52與另 一個 N型晶體管N52的連接點假設(shè)為節(jié)點W52。輸出信號OUT從節(jié)點W52 輸出。
對圖1的電平移動電路的工作情況加以說明。在穩(wěn)定狀態(tài)下，例如在 輸入信號IN為高(H) (VDD)電平且該輸入信號IN的反相信號XIN為 低(L) (VSS)電平時，N型晶體管N51處于導(dǎo)通狀態(tài)；N型晶體管N52 處于截止?fàn)顟B(tài)；P型晶體管P51處于截止?fàn)顟B(tài)；P型晶體管P52處于導(dǎo)通
狀態(tài)。此外， 一個節(jié)點W51處于低(VSS)電平；另一個節(jié)點W52處于 高(VDD3)電平。因為N型晶體管N51及P型晶體管P51、以及N型 晶體管N52及P型晶體管P52分別處于互補的關(guān)系，所以在這種穩(wěn)定狀 態(tài)下，電流不會流通。
之后，在輸入信號IN變?yōu)榈?VSS)電平而進入了狀態(tài)遷移階段時， N型晶體管N51成為截止?fàn)顟B(tài)，而N型晶體管N52成為導(dǎo)通狀態(tài)。因此， 貫通電流(through current)從高電壓電源VDD3經(jīng)過導(dǎo)通狀態(tài)下的P 型晶體管P52及N型晶體管N52流向接地，節(jié)點W52的電位開始從高 (VDD3)電平下降。當(dāng)節(jié)點W52的電位降到VDD3—Vtp (Vtp是P型 晶體管P51、 P52的閱值電壓)以下的值后，P型晶體管P51開始導(dǎo)通， 節(jié)點W51的電位(P型晶體管P52的柵極的電位)上升，P型晶體管P52 的漏極電流減少，節(jié)點W52的電位進一步降低。
最后，節(jié)點W51的電位成為高(VDD3)電平，節(jié)點W52的電位成 為低(VSS)電平，貫通電流變得不再流通，輸出邏輯轉(zhuǎn)換，成為等待下 一次輸入信號IN的變化的狀態(tài)。上面，對輸入信號IN從高電平(VDD) 變成低電平(VSS)時的情況進行了說明。不過，在與上述情況相反的情 況下也一樣。
作為其他電平移動電路，例如有在專利文獻1中記載的電平移動電路。專利文獻1日本專利公報專利第3477448號公報
在圖1的電平移動電路中，在N型晶體管N51、 N52當(dāng)導(dǎo)通工作時 的電流小于已進行了交叉耦合連接的P型晶體管P51、 P52當(dāng)導(dǎo)通工作時 的電流的情況下，即使輸入信號IN例如從"高"變?yōu)?低"，也不能使輸 出信號OUT成為"低"。因此，電平移動電路不再工作。特別是在低電壓 電源VDD的電壓比較低時，N型晶體管N51、 N52的驅(qū)動能力比較弱， 因此在電壓比較低時非常難以保證電平移動電路的工作。
若要保證這種電平移動電路在低電壓時工作，就例如能夠想到下迷方法。
I. 用電荷泵電路等附帶的電路增高向N型晶體管N51、 N52輸入的 電壓。
II. 對N型晶體管N51、 N52采取改變注入條件等措施，來降低閾值
電壓。
III.增大N型晶體管N51、 N52的柵極寬度尺寸。
首先，對I的方法進行說明。若采用I的方法，就能夠通過用附帶的
電路增高向N型晶體管N51、 N52輸入的電壓來防止N型晶體管N51、
N52的驅(qū)動電流能力減弱，能夠降低電平移動電路的工作下限電壓。但是，
若設(shè)置附帶的電路，就有電路面積增加這一缺點了。
接著，說明II的方法。若采用II的方法，就能夠通過降低N型晶體
管N51、 N52的閾值電壓來增強N型晶體管N51、 N52的驅(qū)動電流能力，
能夠降低電平移動電路的工作下限電壓。但是，需要變更注入條件等，有 工序成本變高這一缺點。
最后說明III的方法。若采用III的方法，就能夠通過增大柵極寬度尺 寸來增強N型晶體管N51、 N52的驅(qū)動電流能力，能夠降低電平移動電 路的工作下限電壓。但是，若增大晶體管的尺寸，就有電路面積增大這一
缺點了。
上述問題不限于如圖1中的結(jié)構(gòu)那樣的電平移動電路。在專利文獻1 中記載的觸發(fā)(flip-fl叩)式電平移動電路或其他(電荷泵式或電流鏡式) 電平移動電路等具有下述結(jié)構(gòu)的電路都會有同樣的問題，該結(jié)構(gòu)是包括 柵極接收由輸入信號及該輸入信號的反相信號構(gòu)成的一對互補信號的N 型晶體管。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明，正是為解決所述問題而研究開發(fā)出來的。其目的在于在不 導(dǎo)致電路面積的增大和工序成本的增高的狀態(tài)下，將電平移動電路設(shè)為即 使降低輸入信號的電源電壓也能夠確實地進行電平移動工作。
圖8是顯示N型晶體管的柵極寬度尺寸與闊值電壓的關(guān)系的曲線圖。 當(dāng)N型晶體管的柵極寬度為Wnl時，閾值電壓為Vtl。在此，如上所述， 當(dāng)?shù)碗妷弘娫碫DD降到了 N型晶體管N51、 N52的閾值電壓(Vtl)附 近時，N型晶體管N51、 N52的漏極電流減少，結(jié)果難以讓電平移動電路 進行工作。
然而，如圖8所示，在進一步縮小N型晶體管的柵極寬度尺寸的情況 下，發(fā)生閾值電壓下降這一現(xiàn)象。該現(xiàn)象一般凈皮稱為逆窄(inverse narrow width)特性或逆窄效應(yīng)。當(dāng)柵極寬度尺寸在1到2/im左右以下時，該 逆窄特性明顯地表現(xiàn)出來。
因此，在本發(fā)明中利用該逆窄特性，通過分割輸入一對互補信號的N 型晶體管的柵極寬度尺寸，縮小單位柵極寬度尺寸，來降低N型晶體管的 閾值電壓。這樣，就能夠在不導(dǎo)致電路面積的增大和工序成本的增高的狀 態(tài)下讓電平移動電路進行低電壓工作。
就是說，本發(fā)明以下述電平移動電路作為接收輸入信號并輸出轉(zhuǎn)換該 輸入信號的邏輯電平而得到的輸出信號的電平移動電路，即包括低電壓 側(cè)電路部和高電壓側(cè)電路部，該低電壓側(cè)電路部在第一 電源電壓下工作， 并且作為一對互補信號輸出所述輸入信號及該輸入信號的反相信號，該高 電壓側(cè)電路部在高于所述第一電源電壓的第二電源電壓下工作，具有柵極 接收從所述低電壓側(cè)電路部輸出的所述一對互補信號的一對N型晶體管， 并且輸出所述輸出信號。所迷一對N型晶體管分別包括長方形擴散區(qū)域和 多個柵極，該長方形擴散區(qū)域起到漏極和源極的作用，所述多個柵極配置 在所述擴散區(qū)域，以所述擴散區(qū)域的短邊方向作為柵極寬度方向，沿柵極 長度方向排列；各個柵極相互間、各個漏極相互間以及各個源極相互間都 電連接起來；在假定以與所述擴散區(qū)域及所述柵極相接的方式包含所述擴 散區(qū)域及所述柵極的長方形區(qū)域的情況，且柵極長度、柵極從擴散區(qū)域突 出的長度、擴散區(qū)域從柵極突出的長度以及柵極間距相等的條件下，與在 所述長方形區(qū)域以擴散區(qū)域的長邊方向作為柵極寬度方向進行配置的平面 布置中的柵極總寬度相比，柵極總寬度更窄。
或者，所述N型晶體管分別包括多個長方形擴散區(qū)域和多個柵極，所 迷多個長方形擴散區(qū)域互相離開，并起到漏極和源極的作用，所述多個柵 極分別配置在所述各個擴散區(qū)域，以所述擴散區(qū)域的短邊方向作為柵極寬 度方向，沿柵極長度方向排列；各個柵極相互間、各個漏極相互間以及各 個源極相互間都電連接起來。
根據(jù)本發(fā)明，多個柵極配置在長方形擴散區(qū)域，以該擴散區(qū)域的短邊 方向作為柵極寬度方向，沿柵極長度方向排列?；蛘?，多個柵極配置在互 相離開的長方形擴散區(qū)域，以所述擴散區(qū)域的短邊方向作為柵極寬度方向，
沿柵極長度方向排列。通過采用這種平面布置方式，就能將N型晶體管的 單位柵極寬度尺寸設(shè)為很小的值，能夠利用上述逆窄特性降低N型晶體管 的閾值電壓。
因此，柵極作為一對互補信號接收輸入信號及該輸入信號的反相信號 的一對N型晶體管由閾值電壓很低的晶體管構(gòu)成，因而即使將輸入信號的 電源電壓設(shè)為進一步低的電壓，所述N型晶體管也與預(yù)期一樣地工作，確 實地進行電平移動工作。而且，因為不需要將該N型晶體管的柵極寬度尺 寸設(shè)為很大的值或追加附帶的電路，所以平面布置面積不會變大，此外， 因為不需要在注入條件等方面變更工序，所以還能夠抑制工序成本的增高。
一發(fā)明的效果一
根據(jù)本發(fā)明，在不導(dǎo)致電路面積的增大和工序成本的增高的狀態(tài)下， 能夠?qū)崿F(xiàn)即使將輸入信號的電源電壓設(shè)為進一步低的值也能夠確實地進行 穩(wěn)定的電平移動工作的電平移動電路。


圖1是顯示能夠采用本發(fā)明的電平移動電路之一例的結(jié)構(gòu)的圖。 圖2是顯示本發(fā)明的第一實施方式所涉及的N型晶體管的平面布置結(jié) 構(gòu)的圖。
圖3是顯示本發(fā)明的第一實施方式所涉及的N型晶體管的平面布置結(jié) 構(gòu)的其他例子的圖。
圖4是顯示本發(fā)明的第二實施方式所涉及的N型晶體管的平面布置結(jié) 構(gòu)的圖。
圖5是顯示本發(fā)明的第二實施方式所涉及的N型晶體管的平面布置結(jié) 構(gòu)的其他例子的圖。
圖7是作為比較例顯示N型晶體管的平面布置結(jié)構(gòu)的圖。
圖8是顯示晶體管的柵極寬度尺寸和閱值電壓之間的關(guān)系的圖。
符號說明
N51、 N52 —N型晶體管；1、 1A、 1B —擴散區(qū)域；2 —接點；3 —柵 極；4一漏極；5 —源極；ll一漏電流切斷電路；IN—輸入信號；XIN —反
相信號；OUT —輸出信號；X—長方形區(qū)域；L—柵極長度；GO —柵極從 擴散區(qū)域突出的長度；DO —擴散區(qū)域從柵極突出的長度；GS —柵極間距。
具體實施例方式
下面，參照附圖，乂于本發(fā)明的實施方式力p以i兌明。
(第一實施方式)
圖1顯示能夠釆用本發(fā)明的電平移動電路的結(jié)構(gòu)之一例。圖1的電平 移動電路接收輸入信號IN,對轉(zhuǎn)換該輸入信號IN的邏輯電平而得到的輸 出信號OUT進行輸出。低電壓側(cè)電路部在第一電源電壓VDD下工作，作 為 一對互補信號輸出輸入信號IN及用反相器INV50得到的、輸入信號IN 的反相信號XIN。高電壓側(cè)電路部在高于第一電源電壓VDD的第二電壓 VDD3下工作，具有柵極接收從低電壓側(cè)電路部輸出的一對互補信號IN、 XIN的N型晶體管N51、 N52。因為工作的詳細情況與在背景技術(shù)一欄 中所述的情況一樣，所以在此省略說明。
補充說明一下，本發(fā)明不限于如圖1中的結(jié)構(gòu)那樣的電平移動電路， 也可以將本發(fā)明用于專利文獻1所述的觸發(fā)式電平移動電路及其他(電荷
泵式或電流鏡式)電平移動電路等等。就是說，只要是接收輸入信號并對 轉(zhuǎn)換該輸入信號的邏輯電平而得到的輸出信號進行輸出并且具有下述結(jié)構(gòu) 的電平移動電路，就可以采用本發(fā)明，該結(jié)構(gòu)是具有低電壓側(cè)電路部和 高電壓側(cè)電路部，該低電壓側(cè)電路部在第 一 電源電壓下工作，作為 一對互 補信號輸出輸入信號及該輸入信號的反相信號；該高電壓側(cè)電路部在高于 第一電源電壓的第二電源電壓下工作，具有柵極接收從低電壓側(cè)電路部輸 出的一對互補信號的一對N型晶體管，對輸出信號進行輸出。
圖2是顯示例如圖1的電平移動電路中的N型晶體管N51及N52那 樣的、柵極接收由輸入信號及該輸入信號的反相信號構(gòu)成的一對互補信號 的一對N型晶體管在本實施方式中的具體平面布置結(jié)構(gòu)的圖。
如圖2所示，本實施方式所涉及的N型晶體管包括起到漏極4和源 極5的作用的長方形擴散區(qū)域1、以及以擴散區(qū)域1的短邊方向作為柵極 寬度方向配置為沿柵極長度方向排列的多個柵極3。在各個漏極4及各個 源極5中形成有用以與布線連接的接點2。各個漏極4相互間通過布線連接起來，各個柵極3相互間通過布線也連接起來，各個源極5相亙間通過 布線也連接起來。單位柵極寬度尺寸為Wn2。
在此，假定以與擴散區(qū)域1及柵極3相接的方式包含該擴散區(qū)域1及 該柵極3的長方形區(qū)域X。將長方形區(qū)域X的寬度假設(shè)為W，將該長方形 區(qū)域X的高度假設(shè)為H (H>W)。在圖2的平面布置中，長方形區(qū)域X 的短邊方向(寬度方向)為柵極寬度方向。
圖7是顯示作為本實施方式的比較例的N型晶體管的平面布置結(jié)構(gòu)的 圖。在與圖2—樣地假定寬度為W且高度為H的長方形區(qū)域X的情況下， 通常如圖7所示將平面布置構(gòu)成為柵極沿長方形區(qū)域X的高度方向延伸， 以確保盡量大的柵極寬度尺寸。就是說，在圖7的平面布置中，長方形區(qū) 域X的長邊方向(高度方向)為柵極寬度方向。單位柵極寬度尺寸為Wnl。
與此相對，在本實施方式中，在假定寬度為W且高度為H (H〉W) 的長方形區(qū)域X的情況下，雖然柵極總寬度尺寸比較小，但是將平面布置 構(gòu)成為柵極沿長方形區(qū)域X的寬度方向延伸，以將單位柵極寬度尺寸設(shè)為 更小的值，如圖2所示。
在此，將柵極長度假設(shè)為L;將柵極從擴散區(qū)域突出的長度假設(shè)為GO; 將擴散區(qū)域從柵極突出的長度假設(shè)為DO;將柵極間距假設(shè)為GS。
在圖2的平面布置中，當(dāng)將柵極條數(shù)假設(shè)為m時，N型晶體管的柵極 總寬度為Wn2Xm，
Wn2 = W —2XGO
m= (H —2XDO —L) / (L + GS)的整數(shù)項。 另一方面，在圖7的平面布置中，當(dāng)將柵極條數(shù)假設(shè)為n時，N型晶 體管的柵極總寬度為WnlXn, Wnl = H — 2XGO
n= (W — 2XDO —L) / (L + GS)的整數(shù)項。
在柵極長度L、柵極從擴散區(qū)域突出的長度GO、擴散區(qū)域從柵極突 出的長度DO以及柵極間距GS相等的條件下，圖2的平面布置中的柵極 總寬度在有些情況下小于圖7的平面布置中的柵極總寬度。就是說，
WnlXn^Wn2Xm
然而，連在這種情況下也能夠利用圖8所示的逆窄特性將閾值電壓降
低得比圖7的平面布置中的閾值電壓低。雖然柵極總寬度比較窄，但是因 為閾值電壓比較低，N型晶體管的電流能力隨之提高，所以能夠進一步減 低工作下限電壓。就是說，在圖2的平面布置中，低電壓時的N型晶體管 的驅(qū)動電流能力更強，能夠減低電平移動電路的工作下限電壓。此外，即 使柵極總寬度變窄也能夠降低工作下限電壓，這意味著還能夠減小為N型 晶體管需要的面積本身。
因此，通過將本實施方式所涉及的平面布置用于輸入一對互補信號的 N型晶體管，就即使在將低電壓電源的電壓設(shè)為更低的值的情況下，因為 該N型晶體管的閾值電壓很低，所以該N型晶體管也與預(yù)期一樣地工作。 因此，確實地進行電平移動工作。而且，因為不需要增大N型晶體管的柵
極寬度尺寸或追加附帶的電路，所以平面布置面積不會變大。此外，因為 不需要在注入條件等工序方面進行變更，所以能夠抑制工序成本的增高。 圖3是顯示本實施方式所涉及的平面布置的其他例子的圖。圖3的平 面布置與圖2的平面布置大致一樣，但是與圖2相比單位柵極寬度尺寸 Wn3更小?？梢詫挝粬艠O寬度尺寸Wn3縮小到在制造工序方面能夠保 證特性的柵極寬度尺寸中最小的柵極寬度尺寸為止。在這種情況下，形成 在各個漏極4及各個源極5中的接點2的個數(shù)最好分別在兩個以下。通過 進一步縮小單位柵極寬度尺寸Wn3，就能夠進一步減低N型晶體管的閾 值電壓。因此，能夠在更低的電壓下進行工作。 (第二實施方式)
圖4是顯示電平移動電路中的、柵極接收一對互補信號的一對N型晶
體管在本實施方式中的具體平面布置結(jié)構(gòu)的圖。
如圖4所示，本實施方式所涉及的N型晶體管包括互相離開的多個(在 圖4中為兩個)長方形擴散區(qū)域1A及1B和多個柵極3;所述擴散區(qū)域 1A及1B起到漏極4及源極5的作用；所述多個柵極3以擴散區(qū)域1A及 1B的短邊方向作為柵極寬度方向，配置為沿柵極長度方向排列。在各個 漏極4和源極5中形成有用以與布線連接的接點2。各個漏極4相互間通 過布線連接起來，各個柵極3相互間通過布線也連接起來，各個源極5相 互間通過布線也連接起來。單位柵極寬度尺寸為Wn2。
在圖4的平面布置中，當(dāng)將柵極條數(shù)假設(shè)為m并且將擴散區(qū)域的個數(shù)
假設(shè)為1時，N型晶體管的柵極總寬度為
Wn2XmXl。
能夠通過如圖4的平面布置那樣設(shè)置互相離開的擴散區(qū)域，來將單位 柵極寬度尺寸Wn2設(shè)為十分小的值。這樣，就能夠利用圖8所示的逆窄 特性將閾值電壓降低到比圖7的平面布置的閾值電壓低。這樣，N型晶體 管的電流能力就提高，因而能夠進一步減低工作下限電壓。就是說，圖4 的平面布置中的N型晶體管當(dāng)?shù)碗妷簳r的驅(qū)動電流能力更強，能夠減低電 平移動電路的工作下限電壓。
因此，通過將本實施方式所涉及的平面布置用于輸入一對互補信號的 N型晶體管，就即使將低電壓電源的電壓設(shè)為更低的值，因為該N型晶體 管的閾值電壓很低，所以該N型晶體管也與預(yù)期一樣地工作。因此，確實 地進行電平移動工作。
補充說明一下，在圖4的平面布置中，設(shè)置兩個互相離開的擴散區(qū)域。 但是，也可以設(shè)置三個以上的互相離開的擴散區(qū)域。此外，在圖4的平面 布置中，配置在擴散區(qū)域1A的各個柵極和配置在擴散區(qū)域1B的各個柵 極形成在同一條直線上，成為一體作為柵極3。但是，各個擴散區(qū)域的各 個柵極也可以未形成在同一條直線上。此外，在圖4的平面布置中，擴散 區(qū)域1A、 1B配置為沿所述擴散區(qū)域1A、 1B的短邊方向棑列。但是，也 可以采用與這種配置方式不同的配置方式。
圖5是顯示本實施方式所涉及的平面布置的其他例子的圖。圖5的平 面布置與圖4的平面布置大致一樣，但是與圖4相比單位柵極寬度尺寸 Wn3更小。可以將單位柵極寬度尺寸Wn3縮小到在制造工序方面能夠保 證特性的柵極寬度尺寸中最小的柵極寬度尺寸為止。在這種情況下，形成 在各個漏極4及各個源極5中的接點2的個數(shù)最好分別在兩個以下。通過 進一步縮小單位柵極寬度尺寸Wn3,就能夠進一步減低N型晶體管的閾 值電壓。因此，能夠在更低的電壓下工作。
補充說明一下，有可能N型晶體管的漏電流通過采用所述各個實施方 式所示的平面布置而增加。因此，如圖6所示，最好將漏電流切斷電路ll 設(shè)置在電平移動電路中。漏電流切斷電路11起到下述作用，即當(dāng)N型 晶體管N51及N52中的任一個N型晶體管成為截止?fàn)顟B(tài)時切斷該N型晶
體管的漏電流。補充說明一下，在圖6的結(jié)構(gòu)中，漏電流切斷電路ll設(shè) 置在比N型晶體管N51、 N52靠近接地一側(cè)的位置上。但是，也可以將 該漏電流切斷電路11設(shè)置在比N型晶體管N51、 N52靠近電源一側(cè)的位 置上。
補充說明一下，應(yīng)該認為上述各個實施方式到底是示例的，沒有加以 限制的意義。例如，在各個實施方式中顯示的平面布置不限于如圖l的結(jié) 構(gòu)那樣的電平移動電路，也可以將該平面布置用于在專利文獻1中記載的 觸發(fā)式電平移動電路及其他(電荷泵式或電流鏡式)電平移動電路等等。
—工業(yè)實用性一
為了實現(xiàn)下述電平移動電路，本發(fā)明很有用，該電平移動電路是即 使將輸入信號 一 側(cè)的低電壓電源設(shè)為很低的電壓，也能夠 一 邊謀求低功耗 化， 一邊^(qū)f呆證工作的電平移動電路。
權(quán)利要求
1. 一種電平移動電路，接收輸入信號并輸出轉(zhuǎn)換該輸入信號的邏輯電平而得到的輸出信號，包括低電壓側(cè)電路部和高電壓側(cè)電路部，該低電壓側(cè)電路部在第一電源電壓下工作，并且作為一對互補信號輸出所述輸入信號及該輸入信號的反相信號，該高電壓側(cè)電路部在高于所述第一電源電壓的第二電源電壓下工作，具有柵極接收從所述低電壓側(cè)電路部輸出的所述一對互補信號的一對N型晶體管，并且輸出所述輸出信號，其特征在于所述一對N型晶體管分別包括長方形擴散區(qū)域，起到漏極和源極的作用，和多個柵極，配置在所述擴散區(qū)域，以所述擴散區(qū)域的短邊方向作為柵極寬度方向，沿柵極長度方向排列；各個柵極相互間、各個漏極相互間以及各個源極相互間都電連接起來；在假定以與所述擴散區(qū)域及所述柵極相接的方式包含所述擴散區(qū)域及所述柵極的長方形區(qū)域的情況，且柵極長度、柵極從擴散區(qū)域突出的長度、擴散區(qū)域從柵極突出的長度以及柵極間距相等的條件下，與在所述長方形區(qū)域以擴散區(qū)域的長邊方向作為柵極寬度方向進行配置的平面布置中的柵極總寬度相比，柵極總寬度更窄。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的電平移動電路，其特征在于 在各個漏極和各個源極中形成有接點；形成在各個漏極及各個源極中的接點的個數(shù)分別在兩個以下。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電平移動電路，其特征在于 所述電平移動電路還包括漏電流切斷電路，當(dāng)所述一對N型晶體管中的任一個N型晶體管成為截止?fàn)顟B(tài)時，該漏電流切斷電路切斷該N型晶 體管的漏電流。
4. 一種電平移動電路，接收輸入信號并輸出轉(zhuǎn)換該輸入信號的邏輯 電平而得到的輸出信號，包括低電壓側(cè)電路部和高電壓側(cè)電路部，該低電 壓側(cè)電路部在第一電源電壓下工作，并且作為一對互補信號輸出所述輸入 信號及該輸入信號的反相信號，該高電壓側(cè)電路部在高于所述第 一 電源電 壓的第二電源電壓下工作，具有柵極接收從所述低電壓側(cè)電路部輸出的所述一對互補信號的一對N型晶體管，并且輸出所述輸出信號，其特征在于 所述N型晶體管分別包括多個長方形擴散區(qū)域，互相離開，并起到漏極和源極的作用，和 多個柵極，分別配置在所述各個擴散區(qū)域，以所述擴散區(qū)域的短邊方 向作為柵極寬度方向，沿柵極長度方向排列；各個柵極相互間、各個漏極相互間以及各個源極相互間都電連接起來。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的電平移動電路，其特征在于 所述各個擴散區(qū)域配置為沿所述各個擴散區(qū)域的短邊方向棑列。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的電平移動電路，其特征在于 配置在所述各個擴散區(qū)域的各個柵極與配置在相鄰的擴散區(qū)域的各個柵極形成在同一條直線上。
7. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的電平移動電路，其特征在于 在各個漏極和各個源極中形成有接點；形成在各個漏極及各個源極中的接點的個數(shù)分別在兩個以下。
8. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的電平移動電路，其特征在于 所述電平移動電路包括漏電流切斷電路，當(dāng)所述一對N型晶體管中的任一個N型晶體管成為截止?fàn)顟B(tài)時，該漏電流切斷電路切斷該N型晶體 管的漏電流。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種電平移動電路。為柵極作為一對互補信號接收輸入信號及該輸入信號的反相信號的一對N型晶體管采用能設(shè)單位柵極寬度尺寸為很小的值的平面布置。該平面布置結(jié)構(gòu)包括互相離開并起到漏極(4)及源極(5)的作用的多個長方形擴散區(qū)域(1A)、(1B)和以各個擴散區(qū)域(1A)、(1B)的短邊方向作為柵極寬度方向配置為沿柵極長度方向排列的多個柵極(3)，各個柵極(3)相互間、各個漏極(4)相互間及各個源極(5)相互間都電連接起來。因此，在不導(dǎo)致電路面積的增大和工序成本的增高的狀態(tài)下，即使將輸入信號的電源電壓設(shè)為很低的電壓也能讓電平移動電路確實地進行電平移動工作。
文檔編號H03K19/0185GK101388663SQ200810135708
公開日2009年3月18日 申請日期2008年7月3日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月10日
發(fā)明者宇佐美志郎 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社