專利名稱：濾波器和雙工器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明大體上涉及濾波器和雙工器，更具體地說(shuō)，涉及這樣一種濾波器以及具有這樣的濾波器的雙工器，所述濾波器具有設(shè)置在壓電膜的相對(duì)的表面上的上部電極和下部電極，其中所述上部電極和下部電極隔著所述壓電膜的交疊區(qū)域具有橢圓形狀。
背景技術(shù)：
近來(lái)，隨著通常為蜂窩式電話的無(wú)線通信設(shè)備的迅速普及，對(duì)于具有緊湊且輕的諧振器的濾波器以及通過(guò)組合這些濾波器而構(gòu)成的濾波器的需求越來(lái)越多。在過(guò)去，主要采用介質(zhì)濾波器或表面聲波濾波器(SAW)?，F(xiàn)今，壓電薄膜諧振器和采用這些諧振器的濾波器正在引起注意，其中壓電薄膜諧振器的特征在于其具有良好的高頻性能，并且緊湊以及可生產(chǎn)成單片器件。
壓電薄膜諧振器可分成FBAR(薄膜塊體聲波諧振器)型和SMR(固態(tài)裝配諧振器，solidly mounted resonator)型。FBAR具有由上部電極、壓電膜和下部電極構(gòu)成的基本結(jié)構(gòu)，以及設(shè)在下部電極下方位于交疊區(qū)域(諧振部分)內(nèi)的間隙，在該交疊區(qū)域中，上部電極和下部電極隔著壓電膜而彼此交疊。可通過(guò)在硅基板的主表面上濕蝕刻犧牲層而在下部電極與硅基板之間形成所述間隙。也可通過(guò)從基板背面對(duì)該基板進(jìn)行濕蝕刻或干蝕刻從而形成所述間隙。SMR采用聲反射膜，而不采用間隙，在所述聲反射膜中，具有相對(duì)高的聲阻抗的第一膜和具有相對(duì)低的聲阻抗的第二膜與厚度為λ/4的膜交替層壓，其中λ為諧振器的聲波的波長(zhǎng)。
上部電極和下部電極可以由鋁(Al)、銅(Cu)、鉬(Mo)、鎢(W)、鉭(Ta)、鉑(Pt)、釕(Ru)、銠(Rh)、銥(Ir)等制成。壓電薄膜可以由氮化鋁(AlN)、氧化鋅(ZnO)、鋯鈦酸鉛(PZT)、鈦酸鉛(PbTiO3)等制成。除了硅之外，基板也可以由玻璃制成。
在上述壓電薄膜諧振器中，除了厚度縱向振動(dòng)波之外，還激發(fā)了不必要的橫向模式的波。橫向模式的波平行于電極表面?zhèn)鞑?，并被電極的端部或間隙反射。橫向模式的波會(huì)在諧振器的阻抗特性中引起不必要的寄生成分(spurious component)，從而在濾波器的通帶中引起波紋(ripple)。這些問(wèn)題導(dǎo)致了某些應(yīng)用上的困難。
日本專利申請(qǐng)第2005-124107號(hào)公報(bào)公開(kāi)了旨在抑制橫向波的影響的一種改進(jìn)的壓電薄膜諧振器和采用該諧振器的濾波器，其中下部電極和上部電極的交疊部分具有長(zhǎng)軸長(zhǎng)度a和短軸長(zhǎng)度b設(shè)計(jì)成滿足1.0＜a/b＜1.9的橢圓形狀。
與交疊部分具有圓形形狀的比較濾波器相比，上部電極和下部電極的交疊部分的橢圓形狀減小了諧振器的諧振性能中的寄生成分。然而，希望進(jìn)一步改進(jìn)諧振性能并減少通帶中的波紋，從而進(jìn)一步改進(jìn)濾波器的插入損失和群延時(shí)特性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述情形做出的，并提供了一種通帶中的波紋減少的濾波器以及配備有這樣的濾波器的雙工器。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種濾波器，該濾波器包括壓電薄膜諧振器，所述壓電薄膜諧振器具有基板；由所述基板支承的下部電極；設(shè)在所述下部電極上的壓電膜；以及設(shè)在所述壓電膜上的上部電極，所述壓電薄膜諧振器中的至少一個(gè)壓電薄膜諧振器具有其中所述上部電極隔著所述壓電膜與所述下部電極交疊的部分，所述部分的形狀與其他壓電薄膜諧振器的相應(yīng)部分的形狀不同，從而所述壓電薄膜諧振器中的所述至少一個(gè)壓電薄膜諧振器中的寄生成分在與所述其他壓電薄膜諧振器中出現(xiàn)寄生成分的頻率不同的頻率處出現(xiàn)。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種濾波器，該濾波器包括串聯(lián)臂諧振器和并聯(lián)臂諧振器，所述諧振器具有基板；由所述基板支承的下部電極；設(shè)在所述下部電極上的壓電膜；以及設(shè)在所述壓電膜上的上部電極，所述串聯(lián)臂諧振器和所述并聯(lián)臂諧振器中的多個(gè)諧振器中的每個(gè)諧振器都具有其中所述上部電極隔著所述壓電膜與所述下部電極交疊的部分，所述部分具有橢圓形狀，所述多個(gè)諧振器中的一個(gè)諧振器的所述部分的軸比與所述多個(gè)諧振器中的其他諧振器的部分的軸比不同。
根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種雙工器，該雙工器包括連接至公共端子的發(fā)送濾波器；以及連接至所述公共端子的接收濾波器，所述發(fā)送濾波器和所述接收濾波器中的至少一個(gè)濾波器具有這樣的濾波器，該濾波器包括壓電薄膜諧振器，所述壓電薄膜諧振器具有基板、由所述基板支承的下部電極、設(shè)在所述下部電極上的壓電膜、以及設(shè)在所述壓電膜上的上部電極，所述壓電薄膜諧振器中的至少一個(gè)壓電薄膜諧振器具有其中所述上部電極隔著所述壓電膜與所述下部電極交疊的部分，所述部分的形狀與其他壓電薄膜諧振器的相應(yīng)部分的形狀不同，從而所述壓電薄膜諧振器中的所述至少一個(gè)壓電薄膜諧振器中的寄生成分在與所述其他壓電薄膜諧振器中出現(xiàn)寄生成分的頻率不同的頻率處出現(xiàn)。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種雙工器，該雙工器包括連接至公共端子的發(fā)送濾波器；以及連接至所述公共端子的接收濾波器，所述發(fā)送濾波器和所述接收濾波器中的至少一個(gè)濾波器具有這樣的濾波器，該濾波器包括串聯(lián)臂諧振器和并聯(lián)臂諧振器，所述諧振器具有基板、由所述基板支承的下部電極、設(shè)在所述下部電極上的壓電膜、以及設(shè)在所述壓電膜上的上部電極，所述串聯(lián)臂諧振器和所述并聯(lián)臂諧振器中的多個(gè)諧振器中的每個(gè)諧振器都具有其中所述上部電極隔著所述壓電膜與所述下部電極交疊的部分，所述部分具有橢圓形狀，所述多個(gè)諧振器中的一個(gè)諧振器的所述部分的軸比與所述多個(gè)諧振器中的其他諧振器的部分的軸比不同。


當(dāng)結(jié)合附圖閱讀時(shí)從如下的詳細(xì)描述將更清楚本發(fā)明的其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)，在附圖中
圖1示出了壓電薄膜諧振器，其中圖1的部分(a)為其平面圖，而部分(b)為沿著部分(a)中所示的線A-A剖取的剖視圖；圖2A和圖2B為諧振器#1至#3的通帶特性的曲線圖；圖3為根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的濾波器的電路圖；圖4為根據(jù)第一實(shí)施例的濾波器#1的平面圖；圖5為根據(jù)第二實(shí)施例的濾波器#2的平面圖；圖6為根據(jù)第三實(shí)施例的濾波器#3的平面圖；圖7A至圖7C為濾波器#1至#3的通帶特性的曲線圖；以及圖8為根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的雙工器的框圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將參照試驗(yàn)結(jié)果給出對(duì)本發(fā)明原理的描述。
圖1示出了在一試驗(yàn)中使用的壓電薄膜諧振器。更具體地說(shuō)，圖1的部分(a)為該諧振器的平面圖，而其部分(b)為沿著部分(a)中所示的線A-A剖取的剖視圖。在硅基板10上形成下部電極12，該下部電極12由Ru膜和Cr膜這兩層膜構(gòu)成。在硅基板10和下部電極12上設(shè)有例如可以為AlN膜的壓電膜14。在壓電膜14上設(shè)有例如可以為Ru膜的上部電極16。開(kāi)口20形成在壓電膜14中，并位于下部電極12上方。該開(kāi)口20用于與下部電極12進(jìn)行電連接?？涨?8形成在硅基板10中，并位于上部電極16隔著壓電膜14與下部電極12交疊的部分的下方?？梢圆捎脼R射(sputtering)和蝕刻來(lái)形成下部電極12、壓電膜14和上部電極16?？赏ㄟ^(guò)深反應(yīng)離子蝕刻(deep-RIE)來(lái)干蝕刻硅基板10而限定空腔18，從而使空腔18具有近似垂直的壁。
在該試驗(yàn)中，發(fā)明人制備了三個(gè)壓電薄膜諧振器(諧振器#1至#3)，每個(gè)諧振器均具有接近2GHz的諧振頻率。發(fā)明人研究了上部電極16隔著壓電膜14與下部電極12交疊的橢圓部分22的長(zhǎng)軸長(zhǎng)度和短軸長(zhǎng)度之比與諧振特性中寄生成分之間的關(guān)系。諧振器#1至#3的橢圓部分22的長(zhǎng)軸a和短軸b的尺寸如表1所示，其中也示出了軸比。諧振器#1至#3的橢圓部分22具有大致相同的面積。
表1

圖2A示出了諧振器#1至#3的通帶特性，而圖2B為在圖2A中示出的矩形部分的放大視圖。從圖2B可以看出，橢圓部分22的不同軸比a/b改變了出現(xiàn)寄生成分的頻率。在多個(gè)諧振器組合而形成濾波器的情況下，如果這些諧振器具有相同的出現(xiàn)寄生成分的頻率，則在濾波器的通帶中發(fā)生波紋。鑒于上述情形，根據(jù)第一實(shí)施例，由具有不同的出現(xiàn)寄生成分的頻率的諧振器構(gòu)成一種濾波器，從而可以減少濾波器通帶中的波紋。
第一實(shí)施例是具有1950MHz的中心頻率并包括串聯(lián)臂諧振器和并聯(lián)臂諧振器的梯式濾波器。生產(chǎn)了三個(gè)上述梯式濾波器的樣品。這三個(gè)樣品命名為濾波器#1至#3。圖3是濾波器#1至#3的電路圖。第一實(shí)施例的梯式濾波器由串聯(lián)臂諧振器S1至S4和并聯(lián)臂諧振器P1至P4構(gòu)成。表2表示所生產(chǎn)的梯式濾波器(濾波器#1至#3)的諧振器的橢圓部分22的尺寸及長(zhǎng)軸a與短軸b的比。在每個(gè)濾波器#1至#3中，串聯(lián)臂諧振器S1至S3的橢圓部分22具有大致相同的面積；并且并聯(lián)臂諧振器P2至P4的橢圓部分22具有大致相同的面積。圖4為濾波器#1的平面圖，圖5是濾波器#2的平面圖，而圖6是濾波器#3的平面圖。在圖4至圖6中，相同的附圖標(biāo)記表示相同的部分。
表2


參照?qǐng)D4和表2，在濾波器#1中，所有串聯(lián)臂諧振器S1至S4的橢圓部分22都具有相同的軸比1.4。并聯(lián)臂諧振器P1的軸比等于1.2，而并聯(lián)臂諧振器P2至P4的軸比為1.4。
參照?qǐng)D5和表2，在濾波器#2中，串聯(lián)臂諧振器S1、S2和S3的橢圓部分22分別具有1.8、1.2和1.4的不同軸比。串聯(lián)臂諧振器S4和并聯(lián)臂諧振器P1至P4的軸比與濾波器#1中的軸比相同。如上所述，過(guò)濾器#2設(shè)計(jì)成串聯(lián)臂諧振器S1至S4中的串聯(lián)臂諧振器S1至S3的橢圓部分22具有幾乎相同的面積，但具有不同的軸比。
參照?qǐng)D6和表2，在濾波器#3中，串聯(lián)臂諧振器S1至S4和并聯(lián)臂諧振器P1與濾波器#2中的那些諧振器相同。并聯(lián)臂諧振器P2、P3和P4的橢圓部分22分別具有1.2、1.4和1.6的不同軸比。如上所述，濾波器#3設(shè)計(jì)成并聯(lián)臂諧振器P1至P4中的并聯(lián)臂諧振器P2至P4的橢圓部分22具有幾乎相同的面積，但具有不同的軸比。
圖7A至圖7C表示濾波器#1至#3的通帶特性。濾波器#1至#3依次具有進(jìn)一步減少的波紋。這表明所述多個(gè)諧振器的橢圓部分22的不同軸比改變了出現(xiàn)寄生成分的頻率，從而可以限制通帶中的波紋。
形成濾波器的串聯(lián)臂諧振器和并聯(lián)臂諧振器并不限于在第一實(shí)施例中采用的那些諧振器。本發(fā)明包括這樣的布置，其中，串聯(lián)臂壓電薄膜諧振器和并聯(lián)臂壓電薄膜諧振器中的至少一個(gè)諧振器的橢圓部分22的形狀與另外的諧振器的橢圓部分22的形狀不同，從而使寄生成分在不同的頻率處出現(xiàn)。因此可防止壓電薄膜諧振器的寄生成分相交疊，從而可抑制濾波器通帶中的波紋。
本發(fā)明并不限于其中所有串聯(lián)臂諧振器和并聯(lián)臂諧振器都具有橢圓部分的布置，而是包括其中某些諧振器的交疊部分22具有并非橢圓的形狀的其它布置。也就是說(shuō)，在串聯(lián)臂諧振器和并聯(lián)臂諧振器中只有某些諧振器具有橢圓部分22。具有橢圓部分22的諧振器中的至少一個(gè)諧振器的軸比a/b與其他的具有橢圓部分22的諧振器的軸比不同。因此可以防止所述多個(gè)具有橢圓部分22的諧振器的寄生成分相交疊，從而可減少濾波器通帶中的波紋，如圖7A至圖7C所示。
與濾波器#2類似，可使串聯(lián)臂諧振器S1至S4為橢圓部分22具有不同軸比a/b的諧振器。所述串聯(lián)臂諧振器S1至S4可能具有相近的出現(xiàn)寄生成分的頻率。如從濾波器#1(圖7A)和濾波器#2(圖7B)的通帶特性可以看出的那樣，串聯(lián)臂諧振器S1至S4的橢圓部分22的不同軸比限制了出現(xiàn)在濾波器通帶中的波紋。
另外，與濾波器#2類似，可使串聯(lián)臂諧振器S2至S4為橢圓部分22的面積大致相同但具有不同軸比a/b的諧振器。如果橢圓部分22具有大致相同的面積，則諧振器的寄生成分可能在大致相同的頻率處出現(xiàn)。因此，將具有大致相同面積的橢圓部分22設(shè)計(jì)成具有不同的軸比a/b，以防止寄生成分交疊，從而減少濾波器通帶中的波紋。優(yōu)選的是，所有具有不同面積的橢圓部分22的串聯(lián)臂諧振器都設(shè)計(jì)成具有互不相同的軸比a/b的橢圓部分22。該設(shè)置使得具有大致相同面積的橢圓部分22的串聯(lián)臂諧振器中的寄生成分在相互不同的頻率處產(chǎn)生，從而進(jìn)一步減少了濾波器通帶中的波紋。
與濾波器#3類似，可將具有不同的軸比a/b而面積大致相同的橢圓部分22的諧振器分配給并聯(lián)臂諧振器P1至P4。并聯(lián)臂諧振器可能具有相近的出現(xiàn)寄生成分的頻率。如從濾波器#1(圖7B)和濾波器#3(圖7C)的通帶特性之間的比較可以看出的那樣，并聯(lián)臂諧振器P1至P4的橢圓部分22的不同的軸比減少了濾波器通帶中的波紋。
另外，與濾波器#3類似，可將具有不同的軸比a/b而面積大致相同的橢圓部分22的諧振器分配給并聯(lián)臂諧振器P2至P4。如在濾波器#2的情況中一樣，可防止具有橢圓部分22的并聯(lián)臂諧振器P2至P4的寄生成分相交疊，從而可減少濾波器通帶中的波紋。因此，優(yōu)選的是將所有具有大致相同面積的橢圓部分22的并聯(lián)臂諧振器設(shè)計(jì)成具有不同的軸比a/b。這樣，可以使具有面積大致相同的橢圓部分22的并聯(lián)臂諧振器具有相互不同的出現(xiàn)寄生成分的頻率，從而可以進(jìn)一步減少濾波器通帶中的波紋。
優(yōu)選的是，與濾波器#3類似，串聯(lián)臂諧振器和并聯(lián)臂諧振器的橢圓部分22具有相互不同的軸比a/b。
可根據(jù)濾波器的設(shè)計(jì)規(guī)格而任意采用具有面積大致相同的橢圓部分22的諧振器。如果諧振器設(shè)計(jì)成具有相同的軸比a/b，則諧振器的橢圓部分22的大致相同的面積導(dǎo)致相近的寄生成分交疊的頻率。該相近的寄生成分交疊的頻率是在濾波器通帶中出現(xiàn)波紋的因素。例如，如果多個(gè)諧振器的橢圓部分22的面積之間的差等于或小于±20％，則所述多個(gè)諧振器將具有相近的寄生成分交疊的頻率。如果多個(gè)諧振器的橢圓部分22的面積之間的差等于或小于±10％，則所述多個(gè)諧振器將具有更為相近的寄生成分更大交疊的頻率。
優(yōu)選的是，如在日本專利申請(qǐng)第2005-124107號(hào)公報(bào)中描述的那樣，諧振器的橢圓部分22的軸比a/b滿足1＜a/b＜1.9。因此，可減少諧振器的寄生成分，并減少濾波器通帶中的波紋。
第二實(shí)施例是配備有發(fā)送濾波器和接收濾波器的雙工器，所述濾波器是根據(jù)上述第一實(shí)施例構(gòu)成的。
參照?qǐng)D8，雙工器包括發(fā)送濾波器32、接收濾波器34和匹配電路31。發(fā)送濾波器32設(shè)在公共端子36與發(fā)送端子38之間，而接收濾波器34設(shè)在公共端子36與接收端子40之間。由于發(fā)送濾波器32和接收濾波器34是根據(jù)第一實(shí)施例構(gòu)成的，因此該雙工器在通帶中具有減少的波紋。第一實(shí)施例可以被應(yīng)用于發(fā)送濾波器32和接收濾波器34上，或者應(yīng)用于這些濾波器中的一個(gè)。
第一和第二實(shí)施例采用如圖1的部分(a)和(b)所示的壓電薄膜諧振器。這些諧振器可包括上述硅基板10、下部電極12、壓電膜14和上部電極16，它們可以用前面已經(jīng)描述的材料形成?？涨?8可被限定在硅基板10與下部電極12之間。也就是說(shuō)，下部電極12具有位于橢圓部分22中的彎曲部分，從而與硅基板10間隔開(kāi)。所述諧振器不限于FBAR，而可以是SMR。圖1的部分(a)和部分(b)中所示的結(jié)構(gòu)只是諧振器的主要部分，并且可在該部分上施加其他元件。例如，可將用作加強(qiáng)元件的介質(zhì)膜或用于空腔18的蝕刻終止層放置在下部電極12下方，以用于頻率調(diào)節(jié)。可在上部電極16上設(shè)置用于頻率調(diào)節(jié)的鈍化膜或介質(zhì)膜。橢圓部分22的橢圓形狀并不限于幾何上的橢圓形狀，而可以包括可通過(guò)使沿著長(zhǎng)軸和短軸對(duì)稱的圓變形而獲得的其他形狀。
本發(fā)明并不限于具體描述的實(shí)施例，而是在不脫離本發(fā)明范圍的情況下包括其他實(shí)施例和變型例。
本發(fā)明基于2006年4月27日提交的日本專利申請(qǐng)No.2006-124447，在此結(jié)合該申請(qǐng)的全部公開(kāi)內(nèi)容作為參考。
權(quán)利要求
1.一種濾波器，該濾波器包括壓電薄膜諧振器，所述壓電薄膜諧振器具有基板；由所述基板支承的下部電極；設(shè)在所述下部電極上的壓電膜；以及設(shè)在所述壓電膜上的上部電極，所述壓電薄膜諧振器中的至少一個(gè)壓電薄膜諧振器具有其中所述上部電極隔著所述壓電膜與所述下部電極交疊的部分，所述部分的形狀與其他壓電薄膜諧振器的相應(yīng)部分的形狀不同，從而所述壓電薄膜諧振器中的所述至少一個(gè)壓電薄膜諧振器中的寄生成分在與所述其他壓電薄膜諧振器中出現(xiàn)寄生成分的頻率不同的頻率處出現(xiàn)。
2.如權(quán)利要求1所述的濾波器，其中，所述壓電薄膜諧振器的所述部分設(shè)在形成于所述基板中的空腔的上方。
3.一種濾波器，該濾波器包括串聯(lián)臂諧振器和并聯(lián)臂諧振器，所述諧振器具有基板；由所述基板支承的下部電極；設(shè)在所述下部電極上的壓電膜；以及設(shè)在所述壓電膜上的上部電極，所述串聯(lián)臂諧振器和所述并聯(lián)臂諧振器中的多個(gè)諧振器中的每個(gè)諧振器都具有其中所述上部電極隔著所述壓電膜與所述下部電極交疊的部分，所述部分具有橢圓形狀，所述多個(gè)諧振器中的一個(gè)諧振器的所述部分的軸比與所述多個(gè)諧振器中的其他諧振器的部分的軸比不同。
4.如權(quán)利要求3所述的濾波器，其中，所述多個(gè)諧振器為所述串聯(lián)臂諧振器。
5.如權(quán)利要求4所述的濾波器，其中，所述多個(gè)諧振器的所述部分具有大致相同的面積。
6.如權(quán)利要求3所述的濾波器，其中，所述多個(gè)諧振器為所述并聯(lián)臂諧振器。
7.如權(quán)利要求6所述的濾波器，其中，所述多個(gè)諧振器的所述部分具有大致相同的面積。
8.如權(quán)利要求3所述的濾波器，其中，所述多個(gè)諧振器中的每個(gè)諧振器的所述部分都具有長(zhǎng)軸a和短軸b滿足1＜a/b＜1.9的橢圓形狀。
9.如權(quán)利要求3所述的濾波器，其中，所述多個(gè)諧振器的所述部分設(shè)在形成于所述基板中的空腔的上方。
10.一種雙工器，該雙工器包括連接至公共端子的發(fā)送濾波器；以及連接至所述公共端子的接收濾波器，所述發(fā)送濾波器和所述接收濾波器中的至少一個(gè)濾波器具有這樣的濾波器，該濾波器包括壓電薄膜諧振器，所述壓電薄膜諧振器具有基板；由所述基板支承的下部電極；設(shè)在所述下部電極上的壓電膜；以及設(shè)在所述壓電膜上的上部電極，所述壓電薄膜諧振器中的至少一個(gè)壓電薄膜諧振器具有其中所述上部電極隔著所述壓電膜與所述下部電極交疊的部分，所述部分的形狀與其他壓電薄膜諧振器的相應(yīng)部分的形狀不同，從而所述壓電薄膜諧振器中的所述至少一個(gè)壓電薄膜諧振器中的寄生成分在與所述其他壓電薄膜諧振器中出現(xiàn)寄生成分的頻率不同的頻率處出現(xiàn)。
11.一種雙工器，該雙工器包括連接至公共端子的發(fā)送濾波器；以及連接至所述公共端子的接收濾波器，所述發(fā)送濾波器和所述接收濾波器中的至少一個(gè)濾波器具有這樣的濾波器，該濾波器包括串聯(lián)臂諧振器和并聯(lián)臂諧振器，所述諧振器具有基板；由所述基板支承的下部電極；設(shè)在所述下部電極上的壓電膜；以及設(shè)在所述壓電膜上的上部電極，所述串聯(lián)臂諧振器和所述并聯(lián)臂諧振器中的多個(gè)諧振器中的每個(gè)諧振器都具有其中所述上部電極隔著所述壓電膜與所述下部電極交疊的部分，所述部分具有橢圓形狀，所述多個(gè)諧振器中的一個(gè)諧振器的所述部分的軸比與所述多個(gè)諧振器中的其他諧振器的部分的軸比不同。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種濾波器和雙工器，該濾波器包括壓電薄膜諧振器，所述壓電薄膜諧振器具有基板、由所述基板支承的下部電極、設(shè)在所述下部電極上的壓電膜、以及設(shè)在所述壓電膜上的上部電極。所述壓電薄膜諧振器中的至少一個(gè)壓電薄膜諧振器具有其中所述上部電極隔著所述壓電膜與所述下部電極交疊的部分。上述部分的形狀與其他壓電薄膜諧振器的相應(yīng)部分的形狀不同，從而所述壓電薄膜諧振器中的上述至少一個(gè)壓電薄膜諧振器中的寄生成分在與所述其他壓電薄膜諧振器中出現(xiàn)寄生成分的頻率不同的頻率處出現(xiàn)。
文檔編號(hào)H03H9/54GK101064500SQ20071010770
公開(kāi)日2007年10月31日 申請(qǐng)日期2007年4月27日 優(yōu)先權(quán)日2006年4月27日
發(fā)明者西原時(shí)弘, 谷口真司, 巖城匡郁, 橫山剛, 坂下武, 上田政則, 齋藤康之 申請(qǐng)人:富士通媒體部品株式會(huì)社, 富士通株式會(huì)社