專利名稱：彈性表面波元件和彈性表面波裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有形成在壓電基板上的IDT電極的彈性表面波元 件和搭載了該元件的彈性表面波裝置。
背景技術(shù)：
從以往公知在壓電基板上形成有叉指狀電極(Inter Digital Transducer: 以下，僅稱作IDT電極)的彈性表面波元件。該IDT電極能把電信號和彈 性表面波相互交換。彈性表面波元件除了 IDT電極之外，還在夾著IDT 電極的位置配置反射器電極，用兩側(cè)的反射器電極多重反射由IDT電極激 勵的彈性表面波，能封閉能量。在移動電話等移動終端裝置中使用的雙工機(jī)中，以往主要使用電介質(zhì) 濾波器，但是近年來使用著搭載高性能、可小型輕量化的彈性表面波元件 的彈性表面波裝置。而且，彈性表面波裝置的輸入級別從移動終端裝置的 級間濾波器用的lOmW級別擴(kuò)大到移動終端裝置的雙工機(jī)所要求的1 3W 級別，這樣彈性表面波裝置的輸入級別隨著彈性表面波裝置的應(yīng)用范圍的 變寬而擴(kuò)大。因此，在移動終端裝置的雙工機(jī)中使用的彈性表面波裝置中， 伴隨著使用頻帶的上升，輸入級別的要求增大。另一方面，近年來彈性表面波元件的工作頻率從數(shù)百M(fèi)Hz向數(shù)GHz 高頻化。而且，彈性表面波元件所包含的IDT電極的線寬伴隨著該高頻化， 與頻率成反比地變細(xì)。具體而言，在800MHz頻帶下，IDT電極的電極線 寬為約1pm左右，而在1.9GHz頻帶下，電極線寬為約0.5pm。因此，IDT 電極的形成為梳齒形狀的電極指伴隨著頻帶的高頻化，要求精密的加工。如上所述，由于IDT電極的電極線寬變得更細(xì)、雙工機(jī)所包含的彈性 表面波元件的輸入級別增大，因此GHz頻帶下的彈性表面波元件的耐電 力壽命與800MHz頻帶的彈性表面波裝置相比，縮短2位數(shù)以上。此外，當(dāng)使用與高頻對應(yīng)的IDT電極的細(xì)的電極指，激勵并接收彈性 表面波的時(shí)候，如果施加到彈性表面波裝置的信號功率增大，則在彈性表 面波裝置的驅(qū)動時(shí)就產(chǎn)生由彈性表面波產(chǎn)生的壓電基板的主面的變形，在 IDT電極的電極指產(chǎn)生內(nèi)部應(yīng)力。而且，由于該內(nèi)部應(yīng)力，在電極指引起應(yīng)力遷移現(xiàn)象，破壞電極指，使IDT電極劣化。而且，為了緩和該內(nèi)部應(yīng)力，以A1 (鋁)形成的電極指內(nèi)的A1原子 移動(migrate)，作為結(jié)果，在Al晶界堆積空穴，產(chǎn)生孔隙(void)和突 起(hillock)。因此，彈性表面波裝置就會產(chǎn)生對彈性表面波的傳播和共 振等性能的特性劣化和電極指的破壞。從而，包含IDT電極的彈性表面波元件伴隨著用途的多樣化，要求對 高電力施加的耐久性。因此，代替以往那樣的具有A1或A1合金的金屬材 料以單層形成的電極指的IDT電極，具有層疊不同的材料，且增加了耐久 性的電極指的IDT電極的開發(fā)正在進(jìn)展。例如，如本申請的圖13所示，在專利文獻(xiàn)1中提出了以抑制IDT電 極111的應(yīng)力遷移的發(fā)生為目的，在Al電極層113與壓電基板IIO之間 配置由Ti (鈦)等材料形成的中間層112，且用保護(hù)膜(金屬膜)114覆 蓋它的構(gòu)造。此外，專利文獻(xiàn)2公開了對第一金屬層與第二金屬層進(jìn)行層疊而構(gòu)成 的IDT電極的構(gòu)造。該IDT電極的截面形狀成為接近壓電基板的下面比上 面寬的梯形。專利文獻(xiàn)3公開了反射器電極的材料由單一的金屬層構(gòu)成，其截面形狀是梯形的反射器的電極構(gòu)造。在專利文獻(xiàn)4中公開了對具有梯形的截面的第一金屬層與具有長方形 的截面的第二金屬層進(jìn)行層疊而構(gòu)成的IDT電極的構(gòu)造。專利文獻(xiàn)l:日本專利特開2001—217672號公報(bào)專利文獻(xiàn)2:日本專利特開2001 — 168671號公報(bào)專利文獻(xiàn)3:日本專利特開平3—217109號公報(bào)專利文獻(xiàn)4:國際公開第2003/058813Al號小冊子可是，在專利文獻(xiàn)l中的IDT電極lll的結(jié)構(gòu)中，中間層112和電極 層113的側(cè)面相對于壓電基板110的主面110a，幾乎垂直形成。此時(shí)，通過蒸鍍法等回繞少的成膜方法形成保護(hù)膜114時(shí)，形成保護(hù)膜114的材料從幾乎垂直于壓電基板110的主面110a的方向入射，所以在該電極指llla的側(cè)面保護(hù)膜114形成得較薄。因此，保護(hù)膜114對電極指llla的側(cè)面的覆蓋變差，其結(jié)果，有可能產(chǎn)生斷裂和剝離等應(yīng)力遷移。此外，專利文獻(xiàn)2公開了由材料不同的2種電極層構(gòu)成，且截面形狀為梯形的IDT電極，但是2種電極層的熱膨脹系數(shù)不同，所以在電極層彼此的邊界面容易產(chǎn)生剪切應(yīng)力。在專利文獻(xiàn)3中公開了截面形狀為梯形的反射器的電極構(gòu)造。 專利文獻(xiàn)4也與專利文獻(xiàn)2同樣，當(dāng)由于2種電極層的熱膨脹系數(shù)不同，所以在電極層彼此的邊界面容易產(chǎn)生剪切應(yīng)力時(shí)，無法防止各電極層的斷裂和剝離。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于，提供一種通過在層疊多個(gè)導(dǎo)體層的電極指的情況 下，具有能抑制這些導(dǎo)體層的斷裂和剝離等的發(fā)生的IDT電極，從而能提 高耐久性的彈性表面波元件和搭載該元件的彈性表面波裝置。根據(jù)本發(fā)明的彈性表面波元件，電極指是對包含第一導(dǎo)體層、與該第 一導(dǎo)體層的材料不同的材料的第二導(dǎo)體層的多個(gè)導(dǎo)體層進(jìn)行層疊而形成 的。所述第一導(dǎo)體層與所述電極指的長度方向正交的面的截面形狀具有沿 著接近壓電基板的方向變寬的梯形形狀，所述第二導(dǎo)體層與所述電極指的 長度方向正交的面的截面形狀具有沿著接近壓電基板的方向變寬的梯形 形狀。而且，所述第一導(dǎo)體層的側(cè)面與所述壓電基板的主面所成的角度與 所述第二導(dǎo)體層的側(cè)面與所述壓電基板的主面所成的角度不同。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，電極指層疊2層的導(dǎo)體層，由形成在壓電基板的主面上 的第一導(dǎo)體層(中間層)和形成在該第一導(dǎo)體層上的第二導(dǎo)體層(電極層) 的導(dǎo)體層形成。該電極指所包含的第一導(dǎo)體層和第二導(dǎo)體層形成為與該電 極指的長度方向正交的面的截面隨著接近壓電基板的主面變得更寬。即第 一導(dǎo)體層和第二導(dǎo)體層分別具有梯形形狀。而且，各導(dǎo)體層能分別具有傾斜角度不同的梯形形狀，所以，即使形成各導(dǎo)體層的材料的特性(例如熱膨脹系數(shù))不同，也能進(jìn)一步抑制保護(hù) 膜的斷裂和剝離等的發(fā)生。據(jù)此，在以多個(gè)導(dǎo)體層形成電極指的情況下， 能良好地抑制保護(hù)膜的斷裂和剝離，能提高彈性表面波元件的耐久性。須指出的是，在上述敘述中使用層疊有2層導(dǎo)體層的電極指的例子進(jìn) 行了說明，但是在層疊有3層以上的導(dǎo)體層的電極指中，也能良好地應(yīng)用 本發(fā)明。所述第二導(dǎo)體層由具有比所述第一導(dǎo)體層更大的熱膨脹系數(shù)的材料 形成時(shí)，所述第一導(dǎo)體層的側(cè)面與所述壓電基板的主面所成的角度形成為 比所述第二導(dǎo)體層的側(cè)面與所述壓電基板的主面所成的角度更大。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，第一導(dǎo)體層的熱膨脹系數(shù)比第二導(dǎo)體層的熱膨脹系數(shù)更 小，所以第一導(dǎo)體層中產(chǎn)生的熱膨脹的寬度比第二導(dǎo)體層中產(chǎn)生的熱膨脹 的寬度更小。這里，"熱膨脹的寬度"表示在幾乎垂直于各導(dǎo)體層的側(cè)面 的方向的伸長的寬度。而且，由于第一導(dǎo)體層的側(cè)面的角度形成為比第二 導(dǎo)體層的側(cè)面的角度更大，所以能減輕形成電極指的各導(dǎo)體層的熱膨脹的寬度之差引起的剪切應(yīng)力(shear stress)。因此，各導(dǎo)體層的熱膨脹的寬 度中向沿著壓電基板的主面的方向的伸長與在各導(dǎo)體層的側(cè)面形成為相 同的角度時(shí)相比，能減輕該差。此外，所述第二導(dǎo)體層由具有比所述第一導(dǎo)體層更小的熱膨脹系數(shù)的 材料形成時(shí)，所述第一導(dǎo)體層的側(cè)面與所述壓電基板的主面所成的角度形 成為比所述第二導(dǎo)體層的側(cè)面與所述壓電基板的主面所成的角度更小。據(jù) 此，在用多個(gè)導(dǎo)體層形成電極指的情況下，也能良好地抑制覆蓋電極指表 面的保護(hù)膜的斷裂和剝離等的發(fā)生，所以能提高彈性表面波元件的耐久 性。此外，所述第一導(dǎo)體層以接觸的方式形成在所述壓電基板的主面上， 所述第二導(dǎo)體層形成在所述第一導(dǎo)體層上，所述第一導(dǎo)體層的與所述第二 導(dǎo)體層對置的截面的寬度形成為比所述第二導(dǎo)體層的與所述第一導(dǎo)體層 對置的截面的寬度更大。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于第二導(dǎo)體層的接合面形成為比 第一導(dǎo)體層的接合面更小，所以在從第一導(dǎo)體層上的第一導(dǎo)體層的側(cè)面到 第二導(dǎo)體層的側(cè)面的區(qū)域(臺階部)能層疊保護(hù)膜。據(jù)此，通過位于第一 導(dǎo)體層上的保護(hù)膜，能抑制第二導(dǎo)體層的熱膨脹引起的伸長。于是，能進(jìn)一步抑制第一導(dǎo)體層與第二導(dǎo)體層的邊界上產(chǎn)生的剪切應(yīng)力。須指出的是，所述IDT電極的電極指由保護(hù)膜覆蓋。據(jù)此，能防止形成電極指的各導(dǎo)體層的剝離。所述保護(hù)膜由與形成所述電極指的導(dǎo)體層中具有最大的熱膨脹系數(shù)的導(dǎo)體層相比具有更小的熱膨脹系數(shù)的材料形成。據(jù)此，保護(hù)膜能抑制第一導(dǎo)體層、第二導(dǎo)體層的熱膨脹引起的伸長。須指出的是，所述保護(hù)膜只形成在所述IDT電極上，且可以包含Ti、Cr、 Nb、 Pd、 Cu和Ni中的至少一種作為材料。本發(fā)明的彈性表面波裝置在安裝基板上安裝了上述的彈性表面波元 件，如上所述，具有可靠性高的IDT電極。據(jù)此，能期待該彈性表面波裝 置的壽命變長。如上所述，根據(jù)本發(fā)明，能減輕IDT電極的電極指中產(chǎn)生的剪切應(yīng)力。 據(jù)此，能改善彈性表面波元件的溫度特性。能抑制應(yīng)力遷移引起的突起和 孔隙的發(fā)生，難以產(chǎn)生對于高輸入電力的IDT電極的破壞，能提高彈性表 面波元件的耐久性。通過下面參照


本發(fā)明的實(shí)施方式，將使本發(fā)明的上述的或其 他優(yōu)點(diǎn)、特征和效果更加清楚。

圖1是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的彈性表面波元件的俯視圖。 圖2是表示將彈性表面波元件安裝在安裝基板的狀態(tài)的、A—A線的 剖視圖。圖3是彈性表面波元件1所包含的IDT電極在圖1的B—B線的主要 部分剖視圖。圖4是該IDT電極中的一個(gè)電極指的放大剖視圖。 圖5是其他實(shí)施方式的彈性表面波元件2所包含的IDT電極在圖1的 B—B線的主要部分剖視圖。圖6是該IDT電極的一個(gè)電極指的放大剖視圖。圖7是其他另一實(shí)施方式的彈性表面波元件3所包含的IDT電極在圖 1的B—B線的主要部分剖視圖。圖8是該IDT電極的一個(gè)電極指的放大剖視圖。圖9是其他另一實(shí)施方式的彈性表面波元件4所包含的IDT電極在圖 1的B—B線的主要部分剖視圖。圖10是該IDT電極中的一個(gè)電極指的放大剖視圖。圖11是表示在彈性表面波元件1所包含的IDT電極的電極指上形成 了絕緣保護(hù)膜的狀態(tài)的放大剖視圖。圖12是本發(fā)明的其他實(shí)施方式的彈性表面波元件的俯視圖。圖13是以往的IDT電極的電極指的放大剖視圖。符號的說明。1、 2、 3、 4一彈性表面波元件；10、 20、 30、 40—壓電基板；10a、 20a、 30a、 40a—壓電基板的主面;11、 21、 31、 41一IDT電極;lla、 21a、 31a、 41a—電極指;12、 22、 32、 42—中間層;13、 23、 33、 43—電極層； 14、 24、 34、 44一保護(hù)膜；14b—絕緣保護(hù)膜。
具體實(shí)施方式
圖1是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的梯型的彈性表面波元件的俯視圖。圖 2是表示將彈性表面波元件安裝在安裝基板上時(shí)的A—A線的剖視圖。彈性表面波元件1具有壓電基板10、形成在壓電基板10的主面10a 上的IDT電極11。這里，"壓電基板10的主面10a"是指在板狀的壓電 基板10中形成有IDT電極11的面。此外，彈性表面波元件1在IDT電極11的信號的傳播方向(紙面上 下方向)，在夾著IDT電極11的位置，設(shè)置具有狹縫形狀的反射器電極 (以下也稱作反射器)19。通過該反射器19，能使由IDT電極11激勵的 彈性表面波多次反射，能封閉所產(chǎn)生的彈性表面波的能量。此外，在彈性表面波元件1，在壓電基板10的主面10a的包圍IDT 電極11或反射器19的位置形成有環(huán)狀電極16。在彈性表面波元件1形成 有通過引出電極17與IDT電極11連接的布線電極焊盤18。如剖視2所示，彈性表面波元件1使形成有IDT電極的主面10a 與樹脂制造的安裝基板90的上面對置，以所謂的倒裝(face down)方式 安放固定，例如通過焊錫等接合材料把環(huán)狀電極16與安裝基板90上的對置的環(huán)狀導(dǎo)體接合，把布線電極焊盤18與安裝基板90上的對置的布線導(dǎo) 體接合。通過把接合材料回流熔融，這些接合面相互接合。通過該回流熔 融，形成環(huán)狀電極16與環(huán)狀導(dǎo)體接合的環(huán)狀電極部91、以及布線電極焊盤18與布線導(dǎo)體接合的布線電極部92。通過這樣，在安裝基板90上安放固定彈性表面波元件1，進(jìn)行倒裝安 裝，由此制造出彈性表面波元件1與安裝基板90機(jī)電連接而成的彈性表 面波裝置S。壓電基板10由38,Y切割一X傳播的LiTa03單晶、64。Y切割一X 傳播的LiNb03單晶、45°X切割一Z傳播的LiB407單晶等具有壓電性的材 料形成。據(jù)此，壓電基板10能增大機(jī)電耦合系數(shù)，并且減小群延遲時(shí)間 溫度系數(shù)。此外，壓電基板10的優(yōu)選厚度是0.15 0.5mm。當(dāng)厚度小于0.15mm 時(shí)，壓電基板IO脆弱且容易破損。相反，當(dāng)厚度為0.5mm時(shí)，材料成本增大。如圖l所示，形成在壓電基板10的主面10a上的IDT電極11具有以 彼此嚙合的梳齒狀形成的一對電極指lla。對電極指1 la而言，各電極指1 la的優(yōu)選個(gè)數(shù)在每一個(gè)單側(cè)為50 200。 各電極指lla的寬度為0.1~10|am。相鄰的電極指Ua彼此的間距(pitch) 是0.1 10^im。對置的電極指lla彼此的嚙合長度(交叉寬度)為10~300^im。 而且，IDT電極11為了良好地取得作為彈性表面波共振器或彈性表面波 濾波器的預(yù)期特性，具有0.1~0.6|^m的高度(厚度)。對IDT電極11而言，采用濺射法、蒸鍍法、CVD法(Chemical Vapor Deposition:化學(xué)氣相沉積法)等薄膜形成法，如后所述那樣用由Al-Cu 類的Al合金等形成的電極層和由Ti類的中間層形成上述IDT電極11 。作為所述A1合金，添加到Al中的金屬有Cu。此外，有時(shí)與Cu—起， 或者代替Cu，還采用Ti、 Ta、 W、 Mo、 Mg等金屬。而且，對IDT電極 ll而言，采用光刻法被構(gòu)圖，成為規(guī)定的形狀。須指出的是，所述的IDT電極11的材料也能在具有把多個(gè)電極指平 行排列的狹縫型的形狀的反射器19中應(yīng)用。此外，在圖1中，作為彈性表面波元件l，表示梯型彈性表面波濾波器，但是也可以用圖12所示的DMS型彈性表面波共振器濾波器構(gòu)成。圖12的DMS型彈性表面波共振器濾波器與圖1的梯型彈性表面波元 件i同樣，具有壓電基板10'、形成在壓電基板10'的主面10a'上的IDT 電極11'。這些IDT電極ll'彼此通過引出布線17'結(jié)合。此外，彈性表面 波元件1'在IDT電極ll'的信號的傳播方向(紙面左右方向)，在夾著IDT電極ir的位置具有反射器19'。彈性表面波元件r在壓電基板io'的主面10a'的包圍IDT電極11'、反射器19'的位置形成有環(huán)狀電極16'。除此之外，在彈性表面波元件r形成有通過引出布線n'與idt電極ir連接的布線電極焊盤18'。以下，根據(jù)圖1的梯型彈性表面波元件1，說明IDT電極的構(gòu)造，但 是預(yù)先通知圖12的DMS型彈性表面波共振器濾波器的IDT電極ll'的構(gòu) 造也是同樣。圖3是彈性表面波元件1所包含的IDT電極11在圖1的B—B線的 主要部分剖視圖。圖4是該IDT電極11中的一個(gè)電極指lla的放大剖視 圖。彈性表面波元件1作為IDT電極11，在壓電基板10的主面10a上具 有層疊有多個(gè)導(dǎo)體層的電極指lla。該電極指lla被保護(hù)膜14覆蓋。如圖3所示，電極指lla層疊了形成在壓電基板10的主面10a上的 第一導(dǎo)體層(以下也稱作中間層)12、和形成在該中間層12上的第二導(dǎo) 體層(以下也稱作電極層)13這2層導(dǎo)體層。如圖3所示，中間層12和電極層13形成為與其長度方向正交的面的 截面隨著接近壓電基板10的主面10a變得更寬。即中間層12和電極層13 在其截面分別具有梯形形狀。據(jù)此，即使形成保護(hù)膜14的材料通過回繞少的成膜方法，從幾乎垂 直于壓電基板10的主面10a的方向入射形成，在電極指lla的側(cè)面也能 以足夠的厚度形成保護(hù)膜14，所以能抑制保護(hù)膜14的斷裂和剝離。中間層12由Ti (其熱膨脹系數(shù)記為p,2。 p12=8.9X10'6/K)等金屬材 料形成。電極層13由具有比形成中間層12的材料更大的熱膨脹系數(shù)(該熱膨 脹系數(shù)記為Pu)的A1合金(例如p,產(chǎn)23.5X10—6/K的Al-Cu (Cu: 1重量%)合金)等金屬材料形成。此外，對電極層13而言，作為混入到作為形成該電極層13的主成分的A1中的材料，可以與Cu—起，或者代替Cu，用添加了Ti、 Ta、 W、 Mo、 Mg等金屬的金屬材料形成該電極層13。此外，如圖4所示，電極指lla所包含的2個(gè)導(dǎo)體層即電極層13和 中間層12將中間層12的側(cè)面與壓電基板10的主面lOa所成的角度oc,(例 如65。)形成為比電極層13的側(cè)面與壓電基板10的主面10a所成的角度 ^ (例如58°)更大(ot^P,)。據(jù)此，能分散電極指lla的各導(dǎo)體層中產(chǎn) 生的應(yīng)力(后面描述細(xì)節(jié))。電極指lla的各導(dǎo)體層的側(cè)面的角度如以下那樣通過進(jìn)行蝕刻能調(diào) 整。即層疊電極指lla的各導(dǎo)體層，采用光刻法把該形狀構(gòu)圖，接著采用 干蝕刻法形成。在該干蝕刻法中，使用Cl2、 BC13、 N2作為反應(yīng)氣體，通 過調(diào)整氣體流量、壓力、施加電力、時(shí)間等蝕刻條件，利用Ti與Al合金 的蝕刻率的不同，控制側(cè)蝕刻量(各導(dǎo)體層的側(cè)面部的蝕刻量)。據(jù)此， 能調(diào)整電極指lla的各導(dǎo)體層(中間層12和電極層13)的側(cè)面的角度cx,、 P!。具體而言，為了增大側(cè)蝕刻量即減小導(dǎo)體層的側(cè)面與壓電基板的主面 所成的角度，增大BCl3的氣體濃度，增大施加的電力是有效的。為了保護(hù)電極指lla覆蓋保護(hù)膜14。對保護(hù)膜14而言，在形成IDT 電極11后，采用CVD法在IDT電極11上形成規(guī)定的材料，從而形成保 護(hù)膜14。除了采用CVD法，還可以采用濺射法、蒸鍍法等方法，形成上 述保護(hù)膜14。須指出的是，保護(hù)膜14可以采用由具有導(dǎo)電性的材料形成的導(dǎo)體保 護(hù)膜、由具有半導(dǎo)體性(semiconductor)的材料形成的半導(dǎo)體膜、或者由 具有絕緣性的材料形成的絕緣保護(hù)膜。在導(dǎo)體保護(hù)膜的情況下，這里，說明為由Ti形成的導(dǎo)體保護(hù)膜，但 是除了Ti，也能把Cr、 Nb、 Pd、 Cu和Ni等金屬材料中的任意一個(gè)作為 主成分。導(dǎo)體保護(hù)膜14只形成在IDT電極11的電極指lla上。此外，絕緣保護(hù)膜由二氧化硅或氮化硅等具有絕緣性的材料形成。半 導(dǎo)體膜由多晶硅等具有半導(dǎo)體性的材料形成。此時(shí)，絕緣保護(hù)膜或半導(dǎo)體 膜可以只形成在電極指lla上，也可以除了電極指lla上之外，還形成在壓電基板10的主面10a上。
以下，說明彈性表面波元件l的基于角度a,、 (3,的設(shè)定的、各導(dǎo)體層 中產(chǎn)生的剪切應(yīng)力的減輕的機(jī)構(gòu)。
在各導(dǎo)體層(中間層12和電極層13)的側(cè)面附近，各導(dǎo)體層的熱膨 脹而產(chǎn)生的應(yīng)力在幾乎垂直于各導(dǎo)體層的側(cè)面的方向，朝外向產(chǎn)生。如圖 4所示，在中間層12的側(cè)面附近產(chǎn)生熱膨脹的寬度A,的伸長，在電極層 13的側(cè)面附近，產(chǎn)生熱膨脹的寬度B，的伸長。這里，"熱膨脹的寬度" 表示幾乎垂直于各導(dǎo)體層的側(cè)面的方向的伸長的寬度，由導(dǎo)體層的體積、 向平面方向的寬度、熱膨脹系數(shù)p等規(guī)定。
在本例子中，中間層12的熱膨脹系數(shù)pu比電極層13的熱膨脹系數(shù) Pu更小，所以熱膨脹的寬度A,比熱膨脹的寬度B,的更小(A^B》。
于是，在中間層12,基于熱膨脹的寬度A,的在沿著壓電基板10的主 面10a的方向產(chǎn)生的伸長成為A,sina,，在電極層13，基于熱膨脹的寬度 B,的在沿著壓電基板10的主面10a的方向產(chǎn)生的伸長成為B,sin(3,。
這里，中間層12的側(cè)面的角度a,形成為比電極層13的側(cè)面的角度^ 更大(sina戶sinp,)，所以在各導(dǎo)體層的沿著壓電基板10的主面10a的方 向產(chǎn)生的伸長(A,sinoc,、 B,sinp,)與在各導(dǎo)體層的側(cè)面形成為相同的角度 時(shí)相比，能減輕該差。
因此，按照該導(dǎo)體層所具有的熱膨脹系數(shù)，調(diào)整各導(dǎo)體層的側(cè)面所成 的角度，從而能減輕在中間層12與電極層13的邊界面所產(chǎn)生的剪切應(yīng)力， 作為結(jié)果，能抑制保護(hù)膜14的斷裂和剝離。
可是，中間層12的側(cè)面所成的優(yōu)選角度a,具有不超過80度的角度。 該角度通過取不超過80度的范圍的值，例如，即使在使用蒸鍍等回繞少 的成膜方法形成保護(hù)膜14時(shí)，也可以使直到電極指lla的側(cè)面的接近壓 電基板10的主面10a的部分具有充分的厚度，對于中間層12和電極層13， 具有良好的緊貼性。
此外，中間層12和電極層13所成的角度之差(a, — (3)優(yōu)選為10° 20。的范圍，更優(yōu)選是15°。據(jù)此，此時(shí)保護(hù)膜14對于中間層12和電極層 13，具有良好的緊貼性。
下面，說明本發(fā)明的其他實(shí)施方式的彈性表面波元件。須指出的是，以下的說明中的彈性表面波元件2、 3、 4 (包含壓電基板20、 30、 40、其 主面20a、 30a、 40a、 IDT電極21、 31、 41)在未特別提及的部分，具有 與圖1的彈性表面波元件1 (包含壓電基板10、其主面10a、 IDT電極11) 或圖12的彈性表面波元件1，(包含壓電基板10，、其主面10a，、 IDT電極 11')同樣的構(gòu)造。
圖5是其他實(shí)施方式的彈性表面波元件2所包含的IDT電極21在圖 1的B—B線的主要部分剖視圖，圖6是該IDT電極21的一個(gè)電極指21a 的放大剖視圖。
彈性表面波元件2作為IDT電極21 ，在壓電基板20的主面20a上具 有層疊了多個(gè)導(dǎo)體層的電極指21a。該電極指21a由保護(hù)膜24覆蓋。
如圖5所示，電極指2la層疊了形成在壓電基板20的主面20a上的 第一導(dǎo)體層即中間層22、和形成在該中間層22上的第二導(dǎo)體層即電極層 23這2層導(dǎo)體層。如圖5所示，電極指21a所包含的中間層22和電極層 23形成為與其長度方向正交的面的截面隨著接近壓電基板20的主面20a 變得更寬。即中間層22和電極層23在其截面分別具有梯形形狀。
中間層22由在Al中含有Cu、 Mg等金屬材料的Al合金(如果將其 熱膨脹系數(shù)記為P22，則p2^23.5X10-6/K的Al-Cu (Cu: 1重量％)合金) 等金屬材料形成。
電極層23由具有比形成中間層22的材料更小的熱膨脹系數(shù)P23的Ta (如果將其熱膨脹系數(shù)記為P23，則熱膨脹系數(shù)P2^6.6X10—VK)等金屬材 料形成。
如圖6所示，形成電極指21a的2個(gè)導(dǎo)體層將中間層22的側(cè)面與壓 電基板20的主面20a所成的角度ot2 (例如60°)形成為比電極層23的側(cè) 面與壓電基板20的主面20a所成的角度P2 (例如75°)更小(a2<p2)。
保護(hù)膜24是為了保護(hù)電極指21a而設(shè)置的。對保護(hù)膜24而言，與保 護(hù)膜14同樣，形成IDT電極21后，通過采用CVD法，在IDT電極21 上形成規(guī)定的材料，由此形成該保護(hù)膜24。
在中間層22的側(cè)面附近，產(chǎn)生熱膨脹的寬度A2的伸長，在電極層23 的側(cè)面附近，產(chǎn)生熱膨脹的寬度B2的伸長。此時(shí)，中間層22的熱膨脹系 數(shù)Pn比電極層23的熱膨脹系數(shù)P23更大，所以熱膨脹的寬度A2比熱膨脹的寬度B2更大(A2>B2)。于是，在中間層22，基于熱膨脹的寬度A2的在沿著壓電基板20的主 面20a的方向產(chǎn)生的伸長成為A2Sinoc2，在電極層23，基于熱膨脹的寬度 B2的在沿著壓電基板20的主面20a的方向產(chǎn)生的伸長成為B2Sin(32。中間 層22的側(cè)面的角度0C2形成為比電極層23的側(cè)面的角度(32更小 (Sina2<sin(32)，所以在各導(dǎo)體層的沿著壓電基板20的主面20a的方向產(chǎn) 生的伸長(A2sina2、 B2sin|32)與在各導(dǎo)體層的側(cè)面形成為相同的角度時(shí)相 比，能減輕該差。因此，按照該導(dǎo)體層所具有的熱膨脹系數(shù)，調(diào)整各導(dǎo)體層的側(cè)面所成 的角度，從而能減輕在中間層22和電極層23的邊界面產(chǎn)生的剪切應(yīng)力， 作為結(jié)果，能抑制保護(hù)膜24的斷裂和剝離。須指出的是，中間層22的側(cè)面的優(yōu)選角度012是45° 80°的范圍的角 度。更優(yōu)選是60° 80°的范圍。把高頻濾波器的電極圖案精密化，電極指21a上的精密的質(zhì)量(mass) 差變得重要起來。該質(zhì)量差意味著基于壓電基板20上的電極薄膜的形狀 的電極的質(zhì)量差。這里，IDT電極21的形狀即形成IDT電極21的電極指 21a的質(zhì)量影響彈性表面波的激勵。這稱作"質(zhì)量效應(yīng)"，對彈性表面波 的頻率特性帶來影響，這些特性中的中心頻率由于電極薄膜的質(zhì)量(形狀， 特別是線寬和膜厚)而有可能從所希望的值偏移。如果中間層22的側(cè)面 所成的角度0C2是超過45度的角度，就能減輕上述的質(zhì)量效應(yīng)，很少發(fā)生 該頻率特性的設(shè)計(jì)值與實(shí)測值大不相同，所以能取得穩(wěn)定的成品率。此外，中間層22和電極層23所成的角度之差(a2_p2)優(yōu)選是10° 20。的范圍，更優(yōu)選是15。。此時(shí)，保護(hù)膜24對于中間層22和電極層23， 具有良好的緊貼性。圖7是其他實(shí)施方式的彈性表面波元件3所包含的IDT電極31在圖 1的B—B線的主要部分剖視圖。圖8是該IDT電極31的一個(gè)電極指31a 的放大剖視圖。彈性表面波元件3作為IDT電極31，在壓電基板30的主面30a上具 有層疊了多個(gè)導(dǎo)體層的電極指31a。該電極指31a被保護(hù)膜34覆蓋。如圖7所示，電極指31a層疊了形成在壓電基板30的主面30a上的中間層32、和形成在該中間層32上的電極層33這2層導(dǎo)體層。如圖7所示，電極指31a所包含的中間層32和電極層33形成為與其長度方向正交的面的截面隨著接近壓電基板30的主面30a變得更寬。即中間層32和電極層33在其截面分別具有梯形形狀。電極指31a中的電極層33的下面即與中間層32的接合面不會從中間層32的接合面32a伸出，而是包含在中間層32的接合面32a之中。如圖8所示，中間層32與電極層33對置的接合面32a的截面的寬度L,形成為與電極層33與中間層32對置的接合面33a的截面的寬度k相比更大。因此，電極指31a在中間層32的側(cè)面與電極層33的側(cè)面之間，作為 在中間層32的接合面32a上能直接形成保護(hù)膜34的區(qū)域，在左右具有縱 截面形狀為L字形狀且具有寬度R3的臺階部32b。在該臺階部32b，在中 間層32的接合面32a上直接形成保護(hù)膜34。須指出的是，這樣的臺階部 例如在蝕刻電極指時(shí)，增加蝕刻的時(shí)間，進(jìn)行過蝕刻(over etching)，從 而使中間層與電極層對置的接合面的截面的寬度L,比電極層與中間層對 置的接合面的截面的寬度k更長。中間層32由Ti (如果將其熱膨脹系數(shù)記為p32，則p^8.9X10—6/K) 等金屬材料形成。電極層33由具有比形成中間層32的材料更大的熱膨脹系數(shù)P33的Al 合金(如果將其熱膨脹系數(shù)記為P33，則p3產(chǎn)23.5X10—6/K的Al匿Cu (Cu: 1 重量％)合金)等金屬材料形成。如圖8所示，形成電極指31a的2個(gè)導(dǎo)體層將中間層32的側(cè)面與壓 電基板30的主面30a所成的角度oc3 (例如65°)形成為比電極層33的側(cè) 面與壓電基板30的主面30a所成的角度P3 (例如58°)更大(a3>(33)。如上所述，對電極指31a中所產(chǎn)生的剪切應(yīng)力而言，由于中間層32 的側(cè)面的角度OC3形成為比電極層33的側(cè)面的角度P3更大，所以與在各導(dǎo) 體層的側(cè)面形成為相同的角度時(shí)相比，能減輕該差。據(jù)此，按照該導(dǎo)體層所具有的熱膨脹系數(shù)，調(diào)整各導(dǎo)體層的側(cè)面所成 的角度，從而能減輕在中間層32和電極層33的邊界面產(chǎn)生的剪切應(yīng)力， 作為結(jié)果，能防止保護(hù)膜34的斷裂和剝離。保護(hù)膜34由具有比形成IDT電極31的各導(dǎo)體層(中間層32和電極
層33)的熱膨脹系數(shù)P32、 P33中最大的熱膨脹系數(shù)(此時(shí)，P33)更小的熱
膨脹系數(shù)的材料形成。據(jù)此，電極層33的熱膨脹引起的伸長由位于臺階 部32b上的保護(hù)膜34抑制。于是，能進(jìn)一步抑制在中間層32與電極層33 的邊界產(chǎn)生的剪切應(yīng)力。此外，能提高保護(hù)膜34的緊貼性。
圖9是其他另一實(shí)施方式的IDT電極41在圖1的B — B線的主要部 分剖視圖，圖10是該IDT電極41中的一個(gè)電極指41a的放大剖視圖。
彈性表面波元件4作為IDT電極41 ，在壓電基板40的主面40a上具 有層疊了多個(gè)導(dǎo)體層的電極指41a。該電極指41a被保護(hù)膜44覆蓋。
如圖9所示，電極指41a將形成在壓電基板40的主面40a上的中間 層42、和形成在該中間層42上的電極層43這2層的導(dǎo)體層交替地層疊了 合計(jì)4層。
電極指41a所包含的中間層42和電極層43形成為與其長度方向正交 的面的截面隨著接近壓電基板40的主面40a變得更寬。即中間層42和電 極層43分別具有梯形形狀。
如圖IO所示，電極指41a的中間層42與電極層43對置的接合面42a 的截面的寬度形成為與電極層43與中間層42對置的接合面43a的截面的 寬度相比更大。因此，電極指41a在中間層42的側(cè)面與電極層43的側(cè)面 之間，作為在中間層42的接合面42a上能直接形成保護(hù)膜44的區(qū)域，在 左右具有縱截面形狀為L字形狀且具有寬度R4的臺階部42b。須指出的是， 這樣的臺階部例如在蝕刻電極指時(shí)，增加蝕刻的時(shí)間，進(jìn)行過蝕刻，由此 使中間層與電極層對置的接合面的截面的寬度比電極層與中間層對置的 接合面的截面的寬度更長。
中間層42由Ti (如果將其熱膨脹系數(shù)記為p42，則P4^8.9X10力K) 等金屬材料形成。
電極層43由具有比形成中間層42的材料更大的熱膨脹系數(shù)的Al合 金(如果將其熱膨脹系數(shù)記為P42，則P4尸23.5X10—VK的Al-Cu (Cu: l重 量％)合金)等金屬材料形成。
如圖IO所示，形成電極指41a的多個(gè)導(dǎo)體層將中間層42的側(cè)面與壓 電基板40的主面40a所成的角度oc4 (例如74°)形成為比電極層43的側(cè)面與壓電基板40的主面40a所成的角度p4 (例如60°)更大(a4>p4)。
保護(hù)膜44由具有比形成IDT電極41的各導(dǎo)體層42以及43的熱膨脹 系數(shù)P42、 p43中最大的熱膨脹系數(shù)(此時(shí)，p43)更小的熱膨脹系數(shù)的材料 形成。
電極指41a中產(chǎn)生的剪切應(yīng)力如上所述，因?yàn)橹虚g層42的側(cè)面的角 度OC4形成為比電極層43的側(cè)面的角度P4更大，所以與在各導(dǎo)體層的側(cè)面 形成為相同的角度時(shí)相比，能減輕該差。而且，電極層43的接合面43a 的截面的寬度形成為比中間層42的接合面42a的截面的寬度更小，所以 在臺階部42b層疊的保護(hù)膜44能抑制電極層43的熱膨脹引起的伸長。據(jù) 此，能減輕在中間層42與電極層43的邊界所產(chǎn)生的剪切應(yīng)力，作為結(jié)果， 能防止保護(hù)膜44的斷裂和剝離。
此外，在臺階部42b中，由于在中間層42的接合面42a上直接形成 保護(hù)膜44，所以能抑制具有比中間層42更大的熱膨脹系數(shù)pc的電極層 43向壓電基板40的主面40a方向的伸長。
此外，在本實(shí)施方式中，用3層以上的導(dǎo)體層形成電極指41a，所以 能進(jìn)一步增加電極指41a的耐久性。
須指出的是，在上述的彈性表面波元件1中，說明只在IDT電極上形 成導(dǎo)體保護(hù)膜的實(shí)施方式，但是如圖11所示，可以在電極指lla的導(dǎo)體 保護(hù)膜的上面還形成絕緣保護(hù)膜14b，或者代替導(dǎo)體保護(hù)膜，形成絕緣保 護(hù)膜14b。據(jù)此，能一邊保護(hù)IDT電極ll， 一邊提高電極指lla與壓電基 板10的緊貼性。在形成絕緣保護(hù)膜14b時(shí)，絕緣保護(hù)膜14b還可以形成 在壓電基板10的主面上。當(dāng)然，在彈性表面波元件2、 3、 4，同樣能在IDT 電極21、 31、 41上形成絕緣保護(hù)膜。
實(shí)施例
<實(shí)施例1>
制造了圖3、圖4所示的彈性表面波元件1。在壓電基板IO，作為具 有壓電性的材料，采用了由L i T a 0 3單晶形成的基板。
采用濺射法，在壓電基板10上堆積(deposit) Ti作為中間層12，在 中間層12上，作為電極層13，堆積了在Al中含有Cu的Al-Cu (Cu: 1 重量％)合金。膜厚是Ti為18nm， Al-Cu合金為402nm。對IDT電極11和反射器19而言，采用光刻法的技術(shù)來構(gòu)圖其形狀，接著采用干蝕刻法形成了上述IDT電極11和反射器19。在干蝕刻法中，采用Cl2、 BC13、 N2作為反應(yīng)氣體，通過調(diào)整氣體流量、壓力、施加電力等蝕刻條件，調(diào)整Ti與Al-Cu合金的蝕刻選擇比。 即調(diào)整氣體流量、壓力、施加電力、時(shí)間等蝕刻條件，根據(jù)Ti與Al-Cu合金的蝕刻率的不同，控制側(cè)蝕刻量，調(diào)整傾斜角oc,、 P,。具體而言，所采用的RIE裝置是ICP (Inductive Coupled Plasma) -R正裝置，蝕刻條件是氣體流量BC13為20sccm， Cl2為20sccm， N2為10sccm，壓力l.OPa，偏置功率60W，加工所需的蝕刻時(shí)間為約60秒。對此時(shí)的電極指lla的側(cè)面的角度而言，在以壓電基板10的主面10a為基準(zhǔn)時(shí)，中間層12具有的角度ot,是65度，電極層13具有的角度P,是58度。接著，在形成中間層12和電極層13后，使用干蝕刻時(shí)所使用的掩模， 通過濺射法，形成了成為保護(hù)膜14的金屬層(Ti)。即使在這樣制造的彈性表面波元件l作用高頻，且改變環(huán)境溫度，也 不會產(chǎn)生保護(hù)膜14的剝離。此外，取得彈性表面波元件1的晶片面內(nèi)以 及晶片之間的高成品率。<實(shí)施例2>制造了圖5、圖6所示的彈性表面波元件2。在壓電基板20，作為具 有壓電性的材料，采用了由LiTa03單晶形成的基板。首先采用濺射法，在壓電基板20上堆積Al-Cu (Cu: 1重量％)合金 作為中間層22，在中間層22上堆積Ti作為電極層23。膜厚是Al-Cu為 402nm， Al-Cu合金為18nm。對IDT電極21和反射器(未圖示)而言，采用光刻法的技術(shù)將其形狀構(gòu) 圖，接著采用干蝕刻法形成了上述IDT電極21和反射器，此時(shí)，調(diào)整了 中間層22與電極層23的蝕刻選擇比。此外，采用該干蝕刻法，調(diào)整為使 電極指21a所包含的各導(dǎo)體層的側(cè)面與壓電基板20的主面20a所成的角 度成為設(shè)計(jì)后的角度。蝕刻條件是氣體流量BCl3為20sccm，Cl2為20sccm， N2為20sccm，壓力l.OPa,偏置功率60W，加工所需的蝕刻時(shí)間為約60 秒。對此時(shí)的電極指21a的側(cè)面的角度而言，在以壓電基板20的主面20a 為基準(zhǔn)時(shí)，中間層22具有的角度OC2是60度，電極層23具有的角度02是 75度。
接著，在形成中間層22和電極層23后，采用濺射法，用Si02形成了 保護(hù)膜24。然后，通過干蝕刻法，去掉保護(hù)膜24的不需要的部分。
即使在這樣制造的彈性表面波元件2作用高頻，且改變環(huán)境溫度，也 不會產(chǎn)生保護(hù)膜24的剝離。
<實(shí)施例3>
制造了圖7、圖8所示的彈性表面波元件3。在壓電基板30，作為具 有壓電性的材料，采用了由LiTa03單晶形成的基板。
接著，采用濺射法，在壓電基板30上堆積Ti作為中間層32，在中間 層32上堆積Al-Cu(Cu: 1重量％)合金作為電極層33。膜厚是Ti為18nm， Al-Cu合金為402nm。
對IDT電極31和反射器(未圖示)而言，采用光刻法的技術(shù)將其形狀構(gòu) 圖，接著采用干蝕刻法形成了上述IDT電極21和反射器。在干蝕刻法中， 采用Cl2、 BC13、 N2作為反應(yīng)氣體，通過調(diào)整氣體流量、壓力、施加電力 等蝕刻條件，調(diào)整中間層32與電極層33的蝕刻選擇比。此外，采用該干 蝕刻法，調(diào)整為使電極指31a所包含的各導(dǎo)體層的側(cè)面與壓電基板30的 主面30a所成的角度成為設(shè)計(jì)后的角度。蝕刻條件是氣體流量BC13為 20sccm， Cl2為20sccm， N2為10sccm，壓力l.OPa，偏置功率60W，加工 所需的蝕刻時(shí)間為約70秒。
對此時(shí)的電極指31a的側(cè)面的角度而言，在以壓電基板30的主面30a 為基準(zhǔn)時(shí)，中間層32具有的角度oc3是65度，電極層33具有的角度&是 58度。
此外，電極指31a的蝕刻時(shí)，通過進(jìn)行過蝕刻，相對于中間層32的 接合面32a的截面的寬度，將電極層33的接合面33a的截面的寬度左右 各縮短了 8nm (參照圖8的113)。
接著，在形成中間層32和電極層33后，用光刻構(gòu)圖，采用濺射，以 Si02形成了保護(hù)膜34。然后，通過干蝕刻法，去掉保護(hù)膜34的不需要的 部分。即使在這樣制造的彈性表面波元件3作用高頻，且改變環(huán)境溫度，也 沒有產(chǎn)生保護(hù)膜34的剝離。<實(shí)施例4>制造了圖9、圖10所示的彈性表面波元件4。在壓電基板40，作為具 有壓電性的材料，采用了由LiTa03單晶形成的基板。首先，采用濺射法，在壓電基板40上堆積成為中間層42的Ti，在中 間層42上堆積成為電極層43的Al-Cu (Cu: 1重量％)合金。這樣在壓 電基板40的主面40a上將中間層42和電極層43交替層疊了 4層。膜厚 使每1層Ti為6nm， Al-Cu合金為130nm。對IDT電極41和反射器(未圖示)而言，采用光刻法的技術(shù)將其形 狀構(gòu)圖，接著采用干蝕刻法形成了上述IDT電極41和反射器。在干蝕刻 法中，采用Cl2、 BC13、 N2作為反應(yīng)氣體，通過調(diào)整氣體流量、壓力、施 加電力等蝕刻條件，調(diào)整了中間層42與電極層43的蝕刻選擇比。此外， 采用該干蝕刻法，調(diào)整為使電極指41a所包含的各導(dǎo)體層的側(cè)面與壓電基 板40的主面40a所成的角度成為設(shè)計(jì)后的角度。蝕刻條件是氣體流量BCl3 為20sccm， Cl2為20sccm， N2為10sccm，壓力l.OPa，偏置功率60W,加 工所需的蝕刻時(shí)間為約60秒。對此時(shí)的電極指41a的側(cè)面的角度而言，在以壓電基板40的主面40a 為基準(zhǔn)時(shí)，中間層42具有的角度oc4是74度，電極層43具有的角度P4是 60度。此外，電極指41a的蝕刻時(shí)，通過進(jìn)行過蝕刻，相對于比電極層43 的接合面43a的截面的寬度，將中間層42的接合面42a的截面的寬度左 右各增加了 16nm (參照圖10的R4)。接著，形成中間層42和電極層43后，用光刻構(gòu)圖，采用濺射，以Si02 形成了保護(hù)膜44。并且，形成保護(hù)膜44后，利用干蝕刻法形成了 IDT電 極41。即使在這樣制造的彈性表面波元件4作用高頻，且改變環(huán)境溫度，也 沒有產(chǎn)生保護(hù)膜44的剝離。
權(quán)利要求
1.一種彈性表面波元件，包括壓電基板；和具有電極指的IDT電極，其形成在所述壓電基板的主面上；所述電極指通過將多個(gè)導(dǎo)體層層疊而形成，其中所述多個(gè)導(dǎo)體層包括第一導(dǎo)體層和與該第一導(dǎo)體層的材料不同材料的第二導(dǎo)體層；所述第一導(dǎo)體層，在與所述電極指的長度方向正交的面的截面形狀具有沿著接近壓電基板的方向變寬的梯形形狀；所述第二導(dǎo)體層，在與所述電極指的長度方向正交的面的截面形狀具有沿著接近壓電基板的方向變寬的梯形形狀；所述第一導(dǎo)體層的側(cè)面與所述壓電基板的主面所成的角度與所述第二導(dǎo)體層的側(cè)面與所述壓電基板的主面所成的角度不同。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的彈性表面波元件，其中， 所述電極指的所述第一導(dǎo)體層的材料的熱膨脹系數(shù)與所述第二導(dǎo)體層的材料的熱膨脹系數(shù)不同。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的彈性表面波元件，其中， 所述第二導(dǎo)體層由具有比所述第一導(dǎo)體層更大的熱膨脹系數(shù)的材料形成；所述第一導(dǎo)體層的側(cè)面與所述壓電基板的主面所成的角度形成為比 所述第二導(dǎo)體層的側(cè)面與所述壓電基板的主面所成的角度更大。
4. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的彈性表面波元件，其中， 所述第二導(dǎo)體層由具有比所述第一導(dǎo)體層更小的熱膨脹系數(shù)的材料形成；所述第一導(dǎo)體層的側(cè)面與所述壓電基板的主面所成的角度形成為比 所述第二導(dǎo)體層的側(cè)面與所述壓電基板的主面所成的角度更小。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的彈性表面波元件，其中， 所述第一導(dǎo)體層以接觸的方式形成在所述壓電基板的主面上； 所述第二導(dǎo)體層形成在所述第一導(dǎo)體層上；所述第一導(dǎo)體層的與所述第二導(dǎo)體層對置的截面的寬度形成為比所 述第二導(dǎo)體層的與所述第一導(dǎo)體層對置的截面的寬度更大。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的彈性表面波元件，其中， 所述第一導(dǎo)體層以接觸的方式形成在所述壓電基板的主面上；所述第二導(dǎo)體層形成在所述第一導(dǎo)體層上；由與所述第一導(dǎo)體層相同的材料形成的第三導(dǎo)體層形成在所述第二導(dǎo)體層上；由與所述第二導(dǎo)體層相同的材料形成的第四導(dǎo)體層形成在所述第三 導(dǎo)體層上；所述第三導(dǎo)體層的側(cè)面與所述壓電基板的主面所成的角度形成為與 所述第一導(dǎo)體層的側(cè)面與所述壓電基板的主面所成的角度相同；所述第四導(dǎo)體層的側(cè)面與所述壓電基板的主面所成的角度形成為與 所述第二導(dǎo)體層的側(cè)面與所述壓電基板的主面所成的角度相同。
7. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的彈性表面波元件，其中， 所述第一導(dǎo)體層的截面形狀和所述第二導(dǎo)體層的截面形狀通過干蝕刻法制作。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的彈性表面波元件，其中， 所述IDT電極的電極指由保護(hù)膜覆蓋。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的彈性表面波元件，其中， 所述保護(hù)膜由與形成所述電極指的導(dǎo)體層中具有最大的熱膨脹系數(shù)的導(dǎo)體層相比，具有更小的熱膨脹系數(shù)的材料形成。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的彈性表面波元件，其中， 所述保護(hù)膜形成在所述IDT電極上；包含Ti、 Cr、 Nb、 Pd、 Cu和Ni中的至少一種作為材料。
11. 一種彈性表面波裝置，在安裝基板上安裝有權(quán)利要求1所述的彈 性表面波元件。
全文摘要
該彈性表面波元件(1)具備在壓電基板(10)上具有電極指(11a)的IDT電極(11)。電極指(11a)層疊中間層(12)與具有比中間層(12)更大的熱膨脹系數(shù)的電極層(13)。電極指(11a)具有在接近壓電基板(10)的方向變寬的梯形形狀的截面形狀。中間層(12)的側(cè)面(1)所成的角度(α₁)形成為比電極層(13)的側(cè)面所成的角度(β₁)更大。
文檔編號H03H9/145GK101268611SQ20068003474
公開日2008年9月17日 申請日期2006年9月20日 優(yōu)先權(quán)日2005年9月20日
發(fā)明者西村由里子, 長峰成彥, 飯岡淳弘 申請人:京瓷株式會社