專(zhuān)利名稱(chēng)：?jiǎn)纹漕l電路及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種單片射頻(RF)電路及其制造方法，更具體地講，涉及一種能夠提高生產(chǎn)率的單片RF電路及制造該單片RF電路的方法。
背景技術(shù)：
雙工器是作為應(yīng)用于無(wú)線通信設(shè)備的射頻(RF)元件的無(wú)線通信RF濾波器。雙工器將從天線接收的信號(hào)提供給接收器，并將從發(fā)送器輸出的信號(hào)提供給天線。換句話說(shuō)，如果接收器和發(fā)送器共用天線，則這種雙工器將接收的信號(hào)僅提供給接收器并將發(fā)送的信號(hào)僅提供給天線。
雙工器包括發(fā)送濾波器和接收濾波器。發(fā)送濾波器是僅使將被發(fā)送的頻帶的信號(hào)通過(guò)的帶通濾波器。接收濾波器是僅使將被接收的頻帶的信號(hào)通過(guò)的帶通濾器。雙工器不同地調(diào)節(jié)通過(guò)發(fā)送濾波器和接收濾波器的頻帶，從而通過(guò)天線進(jìn)行發(fā)送和/或接收。
應(yīng)用于雙工器的濾波器的示例包括介質(zhì)濾波器、聲表面波(SAW)濾波器、薄膜體聲波諧振(FBAR)濾波器等。
具體地講，F(xiàn)BAR濾波器可與其它有源元件集成在半導(dǎo)體基底上以形成單片微波集成電路(MMIC)形式的雙工器。
按照這種方式，可使用薄膜工藝形成FBAR濾波器，因此，F(xiàn)BAR濾波器的尺寸可以是介質(zhì)濾波器和集總常數(shù)(LC)濾波器尺寸的百分之一，此外，F(xiàn)BAR濾波器的介入損失低于SAW濾波器的介入損失。因此，F(xiàn)BAR濾波器非常穩(wěn)定，因此，適合于需要高質(zhì)量(Q)因子的MMIC。此外，可以以低制造成本將FBAR濾波器制造得更加緊湊。
使用薄膜工藝形成FBAR濾波器，所述FBAR濾波器包括上電極、壓電體和下電極。FBAR濾波器利用壓電現(xiàn)象產(chǎn)生特定頻帶的諧振，并利用所述諧振頻率僅使特定頻帶的信號(hào)通過(guò)。
無(wú)線通信設(shè)備的RF電路包括使RF信號(hào)切換的RF開(kāi)關(guān)。應(yīng)用于高頻的RF開(kāi)關(guān)的示例包括同軸開(kāi)關(guān)、正本征-負(fù)(PIN)二極管開(kāi)關(guān)和RF微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)開(kāi)關(guān)等。具體地講，RF MEMS開(kāi)關(guān)包括電極部分和壓電層，并使用半導(dǎo)體工藝形成。因此，RF MEMS開(kāi)關(guān)在工藝和結(jié)構(gòu)上與FBAR濾波器類(lèi)似。
然而，由于RF MEMS開(kāi)關(guān)的壓電層與FBAR濾波器的壓電體不同，所以RF MEMS開(kāi)關(guān)和FBAR濾波器形成在不同的基底上。因此，分別進(jìn)行形成RF MEMS開(kāi)關(guān)的工藝和形成FBAR濾波器的工藝。結(jié)果，可使RF電路的生產(chǎn)效率變低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的示例性實(shí)施例可克服上述缺點(diǎn)以及上面沒(méi)有描述的其它缺點(diǎn)。此外，本發(fā)明不需要克服上述缺點(diǎn)的話，本發(fā)明的示例性實(shí)施例也可不克服上述任何問(wèn)題。
本發(fā)明提供一種單片射頻(RF)電路以及一種制造該單片RF電路的方法。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，一種單片射頻(RF)電路包括基礎(chǔ)基底、濾波部分和開(kāi)關(guān)部分，所述濾波部分包括第一支撐層和第二支撐層，形成在所述基礎(chǔ)基底上；第一氣隙，形成在所述第一支撐層和第二支撐層之間；第一電極，形成在所述第二支撐層和所述第一氣隙上；第一壓電層，形成在所述第一支撐層和第一電極上；第二電極，形成在所述第一壓電層上，所述開(kāi)關(guān)部分包括第三支撐層，形成在所述基礎(chǔ)基底上，與所述第二支撐層相鄰；第二氣隙，形成在所述第二支撐層和第三支撐層之間；第一開(kāi)關(guān)電極，形成在所述第二氣隙和第三支撐層上；第二壓電層，形成在所述第一開(kāi)關(guān)電極上，其中，所述開(kāi)關(guān)部分將從外部源輸入的射頻信號(hào)切換。
所述第一壓電層和第二壓電層可由相同的材料形成。
所述第一開(kāi)關(guān)電極的一部分可形成在所述第二支撐層上，所述第二壓電層的一部分可形成在所述第一開(kāi)關(guān)電極的所述一部分上。
所述開(kāi)關(guān)電極還可包括形成在所述第二壓電層上的第二開(kāi)關(guān)電極。所述第二開(kāi)關(guān)電極的一部分可形成在所述第二支撐層的上方。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，一種單片RF電路包括基礎(chǔ)基底、濾波部分和開(kāi)關(guān)部分，所述濾波部分包括第一支撐層和第二支撐層，形成在所述基礎(chǔ)基底上；第一氣隙，形成在所述第一支撐層和第二支撐層之間；第一電極，形成在所述第二支撐層和所述第一氣隙上；第一壓電層，形成在所述第一支撐層和第一電極上；第二電極，形成在所述第一壓電層上，所述開(kāi)關(guān)部分包括第三支撐層，形成在所述基礎(chǔ)基底上，與所述第二支撐層相鄰；第二氣隙，形成在所述第二支撐層和第三支撐層之間；第二壓電層，形成在所述第二氣隙和第三支撐層上，開(kāi)關(guān)電極，形成在所述第二壓電層上，其中，所述開(kāi)關(guān)部分將從外部源輸入的RF信號(hào)切換。
所述第一壓電層和第二壓電層可由相同的材料形成。
所述第二壓電層的一部分可形成在所述第二支撐層上，所述開(kāi)關(guān)電極的一部分可形成在所述第二壓電層的所述一部分上。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，一種制造單片射頻電路的方法，所述方法包括在基礎(chǔ)基底上形成第一金屬層；將所述第一金屬層圖案化以形成第一支撐層、第二支撐層和第三支撐層；在所述第一支撐層和第二支撐層之間形成第一犧牲層，在所述第二支撐層和第三支撐層之間形成第二犧牲層；在所述第二支撐層和第一犧牲層上形成第一電極，在所述第三支撐層和第二犧牲層上形成第一開(kāi)關(guān)電極；在所述基礎(chǔ)基底上沉積壓電材料，所述基礎(chǔ)基底上形成有所述第一電極和第一開(kāi)關(guān)電極；將所述壓電材料圖案化以在所述第一支撐層和第一電極上形成第一壓電層以及在所述第一開(kāi)關(guān)電極上形成第二壓電層；在所述第一壓電層上形成第二電極；去除所述第一犧牲層以形成第一氣隙，去除所述第二犧牲層以形成第二氣隙。
在所述第二支撐層和第一犧牲層上形成第一電極以及在所述第三支撐層和第二犧牲層上形成第一開(kāi)關(guān)電極的步驟可包括在所述基礎(chǔ)基底上沉積第二金屬層，在所述基礎(chǔ)基底上形成有第一支撐層和第二支撐層；將所述第二金屬層圖案化以形成所述第一電極和第一開(kāi)關(guān)電極。
在所述第一壓電層上形成所述第二電極的步驟可包括在所述基礎(chǔ)基底上沉積第三金屬層，在所述基礎(chǔ)基底上形成有第一壓電層和第二壓電層；將所述第三金屬層圖案化以形成第二電極。
在所述第一壓電層上形成第二電極的步驟還可包括將所述第三金屬層圖案化以在所述第二壓電層上形成第二開(kāi)關(guān)電極。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，一種制造單片RF電路的方法，所述方法包括在基礎(chǔ)基底上形成第一金屬層；將所述第一金屬層圖案化以形成第一支撐層、第二支撐層和第三支撐層；在所述第一支撐層和第二支撐層之間形成第一犧牲層，在所述第二支撐層和第三支撐層之間形成第二犧牲層；在所述第二支撐層和第一犧牲層上形成第一電極；在所述基礎(chǔ)基底上沉積壓電材料，所述基礎(chǔ)基底上形成有所述第一電極；將所述壓電材料圖案化以在所述第一電極和第一犧牲層上形成第一壓電層以及在所述第三支撐層和第二犧牲層上形成第二壓電層；在所述第一壓電層上形成第二電極以及在所述第二壓電層上形成開(kāi)關(guān)電極；去除所述第一犧牲層以形成第一氣隙，去除所述第二犧牲層以形成第二氣隙。
在所述第一壓電層上形成第二電極以及在所述第二壓電層上形成開(kāi)關(guān)電極的步驟可包括在所述基礎(chǔ)基底上沉積第二金屬層，在所述基礎(chǔ)基底上形成有第一壓電層和第二壓電層；將所述第二金屬層圖案化以形成所述第二電極和開(kāi)關(guān)電極。


通過(guò)下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明特定示例性實(shí)施例進(jìn)行的描述，本發(fā)明的上述和其它方面將會(huì)更加明顯，其中圖1是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的單片射頻(RF)電路的橫截面視圖；圖2A至圖2H是示出制造圖1中所示的單片RF電路的方法的截面圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施例的單片RF電路的橫截面視圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施例的單片RF電路的橫截面視圖；圖5A至圖5D是示出制造圖4中所示的單片RF電路的方法的截面圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將對(duì)本發(fā)明示例性實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)的描述，其示例表示在附圖中，其中，相同的標(biāo)號(hào)始終表示相同部件。下面通過(guò)參照附圖對(duì)示例性實(shí)施例進(jìn)行描述以解釋本發(fā)明的各個(gè)方面。
提供在說(shuō)明書(shū)中限定的內(nèi)容，例如詳細(xì)的結(jié)構(gòu)和元件以幫助全面理解本發(fā)明。因此，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)該明白，不用這些限定的內(nèi)容也可實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。此外，由于公知功能或者結(jié)構(gòu)可使本發(fā)明在不必要的細(xì)節(jié)上模糊，因此不對(duì)其進(jìn)行詳細(xì)描述。
圖1是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的單片射頻(RF)電路的橫截面視圖。參照?qǐng)D1，根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的單片RF電路100包括基礎(chǔ)基底110、絕緣層120、濾波部分130和開(kāi)關(guān)部分140。
詳細(xì)地講，基礎(chǔ)基底110是半導(dǎo)體絕緣基底，并可由硅片形成。
在基礎(chǔ)基底110上，絕緣層120由絕緣材料，例如二氧化硅(SiO2)形成。
濾波部分130形成在絕緣層120的上表面上，并僅使特定頻帶的信號(hào)通過(guò)。濾波部分130包括第一支撐層131a、第二支撐層131b、第一電極132、第一壓電層133和第二電極134。
第一支撐層131a和第二支撐層131b由金屬材料形成在絕緣層120上。第一氣隙AG1形成在第一支撐層131a和第二支撐層131b之間。
第一電極132形成在第二支撐層131b和第一氣隙AG1上。第一電極132由導(dǎo)電金屬材料，例如銅(Cu)、鋁(Al)、鎢(W)、金(Au)、鉑(Pt)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、鉻(Cr)、鈀(Pd)和鉬(Mo)等形成。這里，第一電極132覆蓋第二支撐層131b的一部分和第一氣隙AG1的一部分。
第一壓電層133形成在第一電極132和第一支撐層131a的上表面上。第一壓電層133覆蓋第一支撐層131a的上表面和第一電極132的一部分。第一壓電層133還形成在第一氣隙AG1的在第一電極132和第一支撐層131a之間暴露的部分上。第一壓電層133由產(chǎn)生壓電效應(yīng)的壓電膜形成，在壓電效應(yīng)中，電能轉(zhuǎn)化成彈性形式的機(jī)械能。
第二電極134形成在第一壓電層133上。第二電極134由導(dǎo)電金屬材料，例如銅(Cu)、鋁(Al)、鎢(W)、金(Au)、鉑(Pt)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、鉻(Cr)、鈀(Pd)和鉬(Mo)等形成。
如上所述，在濾波部分130中，第一壓電層133形成在第一電極132和第二電極134之間。如果電源連接到第一電極132和第二電極134，則第一壓電層133產(chǎn)生壓電效應(yīng)，這就產(chǎn)生諧振現(xiàn)象。這里，濾波部分130僅使與諧振頻率相等頻帶的信號(hào)通過(guò)。
開(kāi)關(guān)部分140形成在濾波部分130旁邊，并將從外部源輸入的RF信號(hào)切換。開(kāi)關(guān)部分140包括第三支撐層141、第一開(kāi)關(guān)電極142和第二壓電層143。
第三支撐層141與第二支撐層131b相鄰地布置，并由金屬材料形成。第二氣隙AG2形成在第二支撐層131b和第三支撐層141之間。第二氣隙AG2還將第二支撐層131b和第三支撐層141分開(kāi)。
第一開(kāi)關(guān)電極142形成在第三支撐層141和第二氣隙AG2上。第一開(kāi)關(guān)電極142使第二氣隙AG2的一部分暴露以與濾波部分130絕緣。第一開(kāi)關(guān)電極142由導(dǎo)電金屬材料，例如銅(Cu)、鋁(Al)、鎢(W)、金(Au)、鉑(Pt)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、鉻(Cr)、鈀(Pd)和鉬(Mo)等形成。
第二壓電層143形成在第一開(kāi)關(guān)電極142的上表面上。第二壓電層143由與形成第一壓電層133的材料相同的材料形成。這里，在形成第一壓電層133的工藝中，第二壓電層143與第一壓電層133一起形成。
開(kāi)關(guān)部分140還包括在第二壓電層143上形成的第二開(kāi)關(guān)電極144。第二開(kāi)關(guān)電極144由導(dǎo)電金屬材料，例如銅(Cu)、鋁(Al)、鎢(W)、金(Au)、鉑(Pt)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、鉻(Cr)、鈀(Pd)和鉬(Mo)等形成。
第二壓電層143介于第一開(kāi)關(guān)電極142和第二開(kāi)關(guān)電極144之間。
如上所述，在單片RF電路100中，濾波部分130和開(kāi)關(guān)部分140一起形成在基礎(chǔ)基底110上以使雙工器和開(kāi)關(guān)部分140形成MMIC。
圖2A至圖2H是示出制造圖1中示出的單片RF電路100的方法的截面圖。參照?qǐng)D2A和圖2B，使用RF磁控管濺射法或者蒸發(fā)法在基礎(chǔ)基底110上形成絕緣層120。在絕緣層120上形成第一金屬層150。
如圖2B所示，將第一金屬層150圖案化以形成第一支撐層131a、第二支撐層131b和第三支撐層141。第一犧牲層161和第二犧牲層162形成在絕緣層120上，在所述絕緣層120上形成有第一支撐層131a、第二支撐層131b和第三支撐層141。這里，第一犧牲層161位于第一支撐層131a和第二支撐層131b之間，第二犧牲層162位于第二支撐層131b和第三支撐層141之間。
參照?qǐng)D2C和圖2D，第二金屬層170沉積在第一支撐層131a、第二支撐層131b、第三支撐層141、第一犧牲層161和第二犧牲層162上。
如圖2D所示，將第二金屬層170圖案化以形成第一電極132和第一開(kāi)關(guān)電極142。
參照?qǐng)D2E和圖2F，壓電膜180沉積在基礎(chǔ)基底110上，在所述基礎(chǔ)基底110上形成有第一電極132和第一開(kāi)關(guān)電極142。
如圖2F所示，將壓電膜180圖案化以在第一支撐層131a和第一電極132上形成第一壓電層133以及在第一開(kāi)關(guān)電極142的上表面上形成第二壓電層143。
參照?qǐng)D2G和圖2H，第三金屬層190沉積在基礎(chǔ)基底110上，在所述基礎(chǔ)基底110上形成有第一壓電層133和第二壓電層143。
如圖2H所示，將第三金屬層190圖案化以在第一壓電層133上形成第二電極134以及在第二壓電層143上形成第二開(kāi)關(guān)電極144。
分別去除第一犧牲層161和第二犧牲層162以形成如圖1所示的第一氣隙AG1和第二氣隙AG2。結(jié)果，完成濾波部分130和開(kāi)關(guān)部分140。
如上所述，在單片RF電路100中，濾波部分130和開(kāi)關(guān)部分140形成在基礎(chǔ)基底110上。這里，在形成濾波部分130的工藝中，開(kāi)關(guān)部分140與濾波部分130一起形成。因此，可將濾波部分130和開(kāi)關(guān)部分140集成為MMIC。結(jié)果，可減少工藝時(shí)間，從而提高了生產(chǎn)率。
圖3是根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施例的單片RF電路的截面圖。參照?qǐng)D3，根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施例的單片RF電路200除開(kāi)關(guān)部分210之外與圖1中示出的單片RF電路100的結(jié)構(gòu)相同。因此，單片RF電路200中與單片RF電路100的標(biāo)號(hào)相同的標(biāo)號(hào)表示相同的元件，因此將省略與其的詳細(xì)描述。
單片RF電路200包括基礎(chǔ)基底110、絕緣層120、濾波部分130和開(kāi)關(guān)部分210。
詳細(xì)地講，絕緣層120形成在基礎(chǔ)基底110的上表面上，濾波部分130和開(kāi)關(guān)部分210形成在絕緣層120上。
濾波部分130形成在絕緣層120的上表面上，并僅使特定頻帶的信號(hào)通過(guò)。濾波部分130包括第一支撐層131a、第二支撐層131b、第一電極132、第一壓電層133和第二電極134。
開(kāi)關(guān)部分210將從外部源輸入的RF信號(hào)切換。開(kāi)關(guān)部分210包括第三支撐層141、第一開(kāi)關(guān)電極211和第二壓電層212。
使用與形成第一支撐層131a和第二支撐層131b相同的材料在絕緣層120的上表面上形成第三支撐層141。第二氣隙AG2形成在第二支撐層131b和第三支撐層141之間。
第一開(kāi)關(guān)電極211形成在第三支撐層141的上表面和第二氣隙AG2上。具體地講，第一開(kāi)關(guān)電極211的一部分形成在第二支撐層131b的上表面上，并且第一開(kāi)關(guān)電極211與第一電極132隔開(kāi)。第一開(kāi)關(guān)電極211由導(dǎo)電金屬材料，例如銅(Cu)、鋁(Al)、鎢(W)、金(Au)、鉑(Pt)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、鉻(Cr)、鈀(Pd)和鉬(Mo)等形成。
第二壓電層212形成在第一開(kāi)關(guān)電極211的上表面上，第二壓電層212的一部分位于形成第二支撐層131b的區(qū)域上。在形成第一壓電層133的工藝中，第二壓電層212由與形成第一壓電層133的材料相同的材料與第一壓電層133一起形成。
開(kāi)關(guān)部分210還包括在第二壓電層212上形成的第二開(kāi)關(guān)電極213。
第二開(kāi)關(guān)電極213的一部分位于形成第二支撐層131b的區(qū)域上，第二開(kāi)關(guān)電極213由導(dǎo)電金屬材料，例如銅(Cu)、鋁(Al)、鎢(W)、金(Au)、鉑(Pt)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、鉻(Cr)、鈀(Pd)和鉬(Mo)等形成。
這里，形成單片RF電路200的工藝與圖2A至圖2H中示出的形成單片RF電路100的工藝相同，因此，將省略對(duì)其的描述。
如上所述，在單片RF電路200中，濾波部分130和開(kāi)關(guān)部分210形成在基礎(chǔ)基底110上以使雙工器和開(kāi)關(guān)部分210形成MMIC。此外，減少了制造工藝時(shí)間，從而提高了生產(chǎn)率。
圖4是根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施例的單片RF電路的截面圖。參照?qǐng)D4，根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施例的單片RF電路300除開(kāi)關(guān)部分310之外與圖1中示出的單片RF電路100的結(jié)構(gòu)相同。因此，單片RF電路300中與單片RF電路100的標(biāo)號(hào)相同的標(biāo)號(hào)表示相同的元件，因此將省略與其的詳細(xì)描述。
單片RF電路300包括基礎(chǔ)基底110、絕緣層120、濾波部分130和開(kāi)關(guān)部分310。
詳細(xì)地講，絕緣層120形成在基礎(chǔ)基底110的上表面上，濾波部分130和開(kāi)關(guān)部分310形成在絕緣層120上。
濾波部分130形成在絕緣層120的上表面上，并僅使特定頻帶的信號(hào)通過(guò)。濾波部分130包括第一支撐層131a、第二支撐層131b、第一電極132、第一壓電層133和第二電極134。
開(kāi)關(guān)部分310將從外部源輸入的RF信號(hào)切換。開(kāi)關(guān)部分310包括第三支撐層141、第二壓電層311和開(kāi)關(guān)電極312。
使用與形成第一支撐層131a和第二支撐層131b相同的材料在絕緣層120上形成第三支撐層141。第二氣隙AG2形成在第二支撐層131b和第三支撐層141之間。
第二壓電層311形成在第三支撐層141的上表面和第二氣隙AG2上。在形成第一壓電層133的工藝中，第二壓電層311由與形成第一壓電層133的材料相同的材料與第一壓電層133一起形成。
在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，第二氣隙AG2的一部分在第一電極132和第二壓電層311之間暴露。然而，第二壓電層311可延伸到第二支撐層131b。在這種情況下，第二氣隙AG2不被暴露。
使用導(dǎo)電金屬材料，例如銅(Cu)、鋁(Al)、鎢(W)、金(Au)、鉑(Pt)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、鉻(Cr)、鈀(Pd)和鉬(Mo)等在第二壓電層311的上表面上形成開(kāi)關(guān)電極312。
圖5A至圖5D示出了制造圖4中示出的單片RF電路300的方法的截面圖。
參照?qǐng)D5A，絕緣層120形成在基礎(chǔ)基底110上，第一支撐層131a、第二支撐層131b、第三支撐層141、第一犧牲層161和第二犧牲層162形成在絕緣層120的上表面上。這里，形成絕緣層120、第一支撐層131a、第二支撐層131b、第三支撐層141、第一犧牲層161和第二犧牲層162的工藝參照?qǐng)D2A和圖2B所述。因此，將省略對(duì)所述工藝的詳細(xì)描述。
第二金屬層170(參照?qǐng)D2C)形成在基礎(chǔ)基底110上，然后將其圖案化以形成第一電極132。
參照?qǐng)D5B和圖5C，壓電膜180沉積在基礎(chǔ)基底110上，在所述基礎(chǔ)基底110上形成有第一電極132。
如圖5C所示，將壓電膜180圖案化以在第一支撐層131a和第一電極132上形成第一壓電層133以及在第三支撐層141和第二犧牲層162的上表面上形成第二壓電層311。
參照?qǐng)D4和圖5D，第三金屬層190沉積在基礎(chǔ)基底110上，在所述基礎(chǔ)基底110上形成有第一壓電層133和第二壓電層311。
將第三金屬層190圖案化以在第一壓電層133上形成第二電極134以及在第二壓電層311上形成開(kāi)關(guān)電極312，如圖4所示。
去除第一犧牲層161和第二犧牲層162以形成第一氣隙AG1和第二氣隙AG2(參照?qǐng)D1)。結(jié)果，完成濾波部分130和開(kāi)關(guān)部分310。
如上所述，在單片RF電路300中，濾波部分130和開(kāi)關(guān)部分310形成在基礎(chǔ)基底110上。這里，在形成濾波部分130的工藝中，開(kāi)關(guān)部分310與濾波部分130一起形成。因此，可將濾波部分130和開(kāi)關(guān)部分310集成為MMIC。結(jié)果，可減少工藝時(shí)間，從而提高了生產(chǎn)率。
如上所述，在根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的單片RF電路中，濾波部分和開(kāi)關(guān)部分可形成在基礎(chǔ)基底上。具體地講，在形成濾波部分的工藝中，開(kāi)關(guān)部分可與濾波部分一起形成。此外，可使用與形成濾波部分相同的工藝形成開(kāi)關(guān)部分。結(jié)果，濾波部分和開(kāi)關(guān)部分可形成為MMIC。此外，減少了工藝時(shí)間，從而提高生產(chǎn)率。
上述實(shí)施例僅是示例性的，并不應(yīng)該解釋為限制本發(fā)明。本教導(dǎo)可容易地應(yīng)用于其它類(lèi)型的設(shè)備。此外，本發(fā)明示例性實(shí)施例的描述旨在舉例說(shuō)明，并不限制權(quán)利要求的范圍，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，許多替換、修改和更改是清楚的。
權(quán)利要求
1.一種單片射頻電路，包括基礎(chǔ)基底；濾波部分，包括第一支撐層和第二支撐層，形成在所述基礎(chǔ)基底上；第一氣隙，形成在所述第一支撐層和第二支撐層之間；第一電極，形成在所述第二支撐層和所述第一氣隙上；第一壓電層，形成在所述第一支撐層和第一電極上；第二電極，形成在所述第一壓電層上；開(kāi)關(guān)部分，包括第三支撐層，形成在所述基礎(chǔ)基底上，與所述第二支撐層相鄰；第二氣隙，形成在所述第二支撐層和第三支撐層之間；第一開(kāi)關(guān)電極，形成在所述第二氣隙和第三支撐層上；第二壓電層，形成在所述第一開(kāi)關(guān)電極上，其中，所述開(kāi)關(guān)部分將從外部源輸入的射頻信號(hào)切換。
2.如權(quán)利要求1所述的單片射頻電路，其中，所述第一壓電層和第二壓電層由相同的材料形成。
3.如權(quán)利要求1所述的單片射頻電路，其中，所述第一開(kāi)關(guān)電極的一部分形成在所述第二支撐層上，所述第二壓電層的一部分形成在所述第一開(kāi)關(guān)電極的所述一部分上。
4.如權(quán)利要求1所述的單片射頻電路，其中，所述開(kāi)關(guān)電極還包括形成在所述第二壓電層上的第二開(kāi)關(guān)電極。
5.如權(quán)利要求4所述的單片射頻電路，其中，所述第二開(kāi)關(guān)電極的一部分形成在所述第二支撐層的上方。
6.一種單片射頻電路，包括基礎(chǔ)基底；濾波部分，包括第一支撐層和第二支撐層，形成在所述基礎(chǔ)基底上；第一氣隙，形成在所述第一支撐層和第二支撐層之間；第一電極，形成在所述第二支撐層和所述第一氣隙上；第一壓電層，形成在所述第一支撐層和第一電極上；第二電極，形成在所述第一壓電層上；開(kāi)關(guān)部分，包括第三支撐層，形成在所述基礎(chǔ)基底上，與所述第二支撐層相鄰；第二氣隙，形成在所述第二支撐層和第三支撐層之間；第二壓電層，形成在所述第二氣隙和第三支撐層上，開(kāi)關(guān)電極，形成在所述第二壓電層上，其中，所述開(kāi)關(guān)部分將從外部源輸入的射頻信號(hào)切換。
7.如權(quán)利要求6所述的單片射頻電路，其中，所述第一壓電層和第二壓電層由相同的材料形成。
8.如權(quán)利要求6所述的單片射頻電路，其中，所述第二壓電層的一部分形成在所述第二支撐層上，所述開(kāi)關(guān)電極的一部分形成在所述第二壓電層的所述一部分上。
9.一種制造單片射頻電路的方法，包括在基礎(chǔ)基底上形成第一金屬層；將所述第一金屬層圖案化以形成第一支撐層、第二支撐層和第三支撐層；在所述第一支撐層和第二支撐層之間形成第一犧牲層，在所述第二支撐層和第三支撐層之間形成第二犧牲層；在所述第二支撐層和第一犧牲層上形成第一電極，在所述第三支撐層和第二犧牲層上形成第一開(kāi)關(guān)電極；在所述基礎(chǔ)基底上沉積壓電材料，所述基礎(chǔ)基底上形成有所述第一電極和第一開(kāi)關(guān)電極；將所述壓電材料圖案化以在所述第一支撐層和第一電極上形成第一壓電層以及在所述第一開(kāi)關(guān)電極上形成第二壓電層；在所述第一壓電層上形成第二電極；去除所述第一犧牲層以形成第一氣隙，去除所述第二犧牲層以形成第二氣隙。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，在所述第二支撐層和第一犧牲層上形成第一電極以及在所述第三支撐層和第二犧牲層上形成第一開(kāi)關(guān)電極的步驟包括在所述基礎(chǔ)基底上沉積第二金屬層，在所述基礎(chǔ)基底上形成有第一支撐層和第二支撐層；將所述第二金屬層圖案化以形成所述第一電極和第一開(kāi)關(guān)電極。
11.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，在所述第一壓電層上形成所述第二電極的步驟包括在所述基礎(chǔ)基底上沉積第三金屬層，在所述基礎(chǔ)基底上形成有第一壓電層和第二壓電層；將所述第三金屬層圖案化以形成第二電極。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中，在所述第一壓電層上形成第二電極的步驟還包括將所述第三金屬層圖案化以在所述第二壓電層上形成第二開(kāi)關(guān)電極。
13.一種制造單片射頻電路的方法，包括在基礎(chǔ)基底上形成第一金屬層；將所述第一金屬層圖案化以形成第一支撐層、第二支撐層和第三支撐層；在所述第一支撐層和第二支撐層之間形成第一犧牲層，在所述第二支撐層和第三支撐層之間形成第二犧牲層；在所述第二支撐層和第一犧牲層上形成第一電極；在所述基礎(chǔ)基底上沉積壓電材料，所述基礎(chǔ)基底上形成有所述第一電極；將所述壓電材料圖案化以在所述第一電極和第一犧牲層上形成第一壓電層以及在所述第三支撐層和第二犧牲層上形成第二壓電層；在所述第一壓電層上形成第二電極以及在所述第二壓電層上形成開(kāi)關(guān)電極；去除所述第一犧牲層以形成第一氣隙，去除所述第二犧牲層以形成第二氣隙。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，在所述第一壓電層上形成第二電極以及在所述第二壓電層上形成開(kāi)關(guān)電極的步驟包括在所述基礎(chǔ)基底上沉積第二金屬層，在所述基礎(chǔ)基底上形成有第一壓電層和第二壓電層；將所述第二金屬層圖案化以形成所述第二電極和開(kāi)關(guān)電極。
全文摘要
本發(fā)明提供一種單片射頻(RF)電路以及一種制造該單片RF電路的方法。單片RF電路包括基礎(chǔ)基底、濾波部分和開(kāi)關(guān)部分。所述濾波部分包括第一支撐層和第二支撐層，形成在所述基礎(chǔ)基底上；第一氣隙，形成在所述第一支撐層和第二支撐層之間；第一電極，形成在所述第二支撐層和所述第一氣隙上；第一壓電層，形成在所述第一支撐層和第一電極上；第二電極，形成在所述第一壓電層上。所述開(kāi)關(guān)部分包括第三支撐層，與所述第二支撐層相鄰；第二氣隙，形成在所述第二支撐層和第三支撐層之間；第一開(kāi)關(guān)電極，形成在所述第二氣隙和第三支撐層上；第二壓電層，形成在所述第一開(kāi)關(guān)電極上。
文檔編號(hào)H03H9/00GK101017839SQ20061016565
公開(kāi)日2007年8月15日 申請(qǐng)日期2006年12月11日 優(yōu)先權(quán)日2006年2月10日
發(fā)明者宋寅相, 權(quán)相旭, 金哲秀, 樸允權(quán) 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社