專利名稱：低飄移電壓運(yùn)算放大器及其降低飄移電壓的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)一種運(yùn)算放大器，特別是關(guān)于一種低飄移電壓(offset)運(yùn) 算放大器及其降低飄移電壓的方法。
背景技術(shù)：
在運(yùn)算放大器及其在比較器電路的應(yīng)用中，飄移電壓是一個(gè)很重要的規(guī) 格，尤其是在需要高分辨率的應(yīng)用中。圖1顯示一傳統(tǒng)的折疊疊接式 (folded-cascade)運(yùn)算放大器100，其中差動(dòng)輸入對(duì)102包含MOS晶體管 Ml及M2及偏壓電流源106， NMOS晶體管Ml及M2分別受控于輸入電壓 V-及V+而導(dǎo)通電流II及12, PMOS晶體管M3及M4受控于偏壓Biasl而 分別導(dǎo)通電流13及14,電流13被分流為電流12及15 ，而電流14被分流為 電流I1及I7，鏡射電路104包含由NMOS晶體管M7、 M8、 M9及M10組 成的疊接電流鏡，用以鏡射電流I5產(chǎn)生電流I6至運(yùn)算放大器100的輸出Vo。 不管是比較器還是運(yùn)算放大器，其飄移電壓有很大一部分是來自工藝飄移或 電路設(shè)計(jì)不良所造成的非理想特性，以圖1的運(yùn)算放大器100為例，當(dāng)電壓 V+及V-相等時(shí)，在理想狀態(tài)下，電流I1等于電流I2,又晶體管M3及M4 具有相同的柵源極電壓，故電流I3也等于電流I4，而電流I5等于電流I6， 所以電流16應(yīng)該等于電流17，但若電路本身設(shè)計(jì)不當(dāng)或元件因工藝飄移造 成不匹配，將使上述情況不成立，造成電流16不等于電流17，這就是飄移 電壓產(chǎn)生的原因。為了更清楚說明飄移電壓的影響，以下用簡(jiǎn)單的方塊圖說明。圖2顯示 一運(yùn)算放大器200,其輸出Vo回授至反相輸入，而其非反相輸入則接地GND, 在理想狀態(tài)下，運(yùn)算放大器200的輸出Vo應(yīng)為0，但是，如果運(yùn)算放大器 200具有飄移電壓Vos時(shí)，運(yùn)算放大器200可以等效視為一電壓源202及一 理想運(yùn)算放大器204，電壓源202供應(yīng)飄移電壓Vos至理想運(yùn)算放大器204 的輸入，使得運(yùn)算放大器200的輸出Vo不為0而是Vos,因而影響到運(yùn)算 放大器200的準(zhǔn)確度。圖3顯示一比較器300,其反相輸入及非反相輸入分別連接電壓V-及 V+,在理想狀態(tài)下，比較器300輸出Vo的轉(zhuǎn)態(tài)點(diǎn)應(yīng)該是在電壓V-等于電壓 V+的位置，即￥+-￥-=0的位置，如圖4所示，但是，如果比較器300具有 飄移電壓Vos時(shí)，比較器300可以等效視為一可供應(yīng)飄移電壓Vos的電壓源 302連接一理想比較器304，如此一來，電壓V+不用大于電壓V-，只要比 電壓V-低于一個(gè)飄移電壓Vos,比較器300的輸出Vo就會(huì)由低態(tài)Vol轉(zhuǎn)為 高態(tài)Voh，如圖5所示，反之，電壓V-不僅要大于電壓V+，還要大超過一 個(gè)飄移電壓Vos，比較器300的輸出Vo才會(huì)由高態(tài)Voh轉(zhuǎn)為低態(tài)Vol，因而 嚴(yán)重影響到比較器300的準(zhǔn)確度。以往要消除飄移電壓都使用所謂的自動(dòng)歸零(auto zeroing )技術(shù)，該技 術(shù)主要是利用兩個(gè)階段中電容及開關(guān)的作用來消除飄移電壓。圖6顯示將自 動(dòng)歸零技術(shù)應(yīng)用在運(yùn)算放大器200時(shí)的電路架構(gòu)，其中開關(guān)SW1連接在運(yùn) 算放大器200的輸出Vo及電容Cl之間，開關(guān)SW2連接在輸入電壓Vi及電 容Cl之間，開關(guān)SW3連接在運(yùn)算放大器200的非反相輸入及接地GND之 間，電容Cl 一端連接在開關(guān)SW1及SW2，另一端則連接運(yùn)算放大器200 的非反相輸入，其中，開關(guān)SW1及SW3受控于信號(hào)①1，開關(guān)SW2受控于 信號(hào)①2。在儲(chǔ)存模式時(shí)，信號(hào)①1控制開關(guān)SW1及SW3導(dǎo)通，信號(hào)①2控 制開關(guān)SW2截止，因而形成如圖7所示的電路，此時(shí)，電容C1儲(chǔ)存飄移電 壓Vos，接著切換至正常模式，信號(hào)①1控制開關(guān)SW1及SW3截止，信號(hào) ①2控制開關(guān)SW2導(dǎo)通，因而形成如圖8所示的電路，此時(shí)，儲(chǔ)存在電容 Cl中的飄移電壓Vos將與運(yùn)算》文大器200的飄移電壓Vos互相抵消，達(dá)到 消除飄移電壓Vos的效果。圖9顯示將自動(dòng)歸零技術(shù)應(yīng)用在比較器300時(shí)的電路架構(gòu)，其中，開關(guān) SW1連接在電壓V-及比較器300的反相輸入之間，開關(guān)SW2連接在電壓 V+及電容C2之間，開關(guān)SW3連接在比較器300的反相輸入及電容C2之間， 開關(guān)SW4連接在比較器300的非反相輸入及接地GND之間，開關(guān)SW5連 接在比較器300的輸出Vo及反相輸入之間，電容C2連接在開關(guān)SW5及比 較器300的非反相輸入之間，其中，開關(guān)SW3、 SW4及SW5受控信號(hào)Ol, 開關(guān)SW1及SW2受控信號(hào)02。在儲(chǔ)存模式時(shí)，信號(hào)①1控制開關(guān)SW3、 SW4及SW5導(dǎo)通，而信號(hào)①2控制開關(guān)SW1及SW2截止，因而形成如圖 IO所示的電路，此時(shí)，飄移電壓Vos將被儲(chǔ)存在電容C2中，接著，切換至 正常^^式，信號(hào)①1控制開關(guān)SW3、 SW4及SW5截止，而信號(hào)①2控制開 關(guān)SW1及SW2導(dǎo)通，因而形成如圖11所示的電路，此時(shí)，儲(chǔ)存在電容C2 中的飄移電壓Vos將與比較器300的飄移電壓Vos互相抵消，達(dá)到消除飄移 電壓Vos的效果。應(yīng)用在IC內(nèi)部的電容通常有三種，即MOS電容、雙層多晶硅(double poly)電容以及金屬絕緣層金屬(Metal-Insulator-Metal; MIM)電容，其中 雙層多晶硅電容及MIM電容都需要額外的掩膜，而MOS電容單位面積的電 容值也是三種電容中最大的，換言之，MOS電容所需的面積及成本都較少， 然而MOS電容在應(yīng)用上一定要有一端接地或接至電源，因此，雖然自動(dòng)歸 零技術(shù)可以很有效的消除飄移電壓，但在此技術(shù)中必須使用浮接(floating) 的電容，不能使用一端接地或接至電源的MOS電容，使得成本無法降低。因此， 一種能使用MOS電容降低除飄移電壓的運(yùn)算放大器，是人們所 期待的。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的之一，在于提出一種低飄移電壓運(yùn)算放大器及其降低飄移 電壓的方法。本發(fā)明的目的之一，在于提出一種能使用MOS電容降低飄移電壓的運(yùn) 算放大器及方法。 根據(jù)本發(fā)明， 一種低飄移電壓運(yùn)算放大器包括一 MOS電容，用來儲(chǔ)存 一飄移消減電壓，該MOS電容耦接至該運(yùn)算放大器中的電流源，使得在該 運(yùn)算放大器正常操作時(shí)，該飄移消減電壓被用來調(diào)整該源電流的大小，因而 降低該運(yùn)算放大器的飄移電壓。具體來說，本發(fā)明提供一種低飄移電壓運(yùn)算放大器，包括 一鏡射電路， 具有一參考分支與一鏡射分支； 一第一電流源，耦接至該參考分支，該第一 電流源用以產(chǎn)生一第一電流； 一第二電流源，耦接至該鏡射分支，該第二電 流源用以產(chǎn)生一第二電流；一M0S電容，用以儲(chǔ)存一飄移消減電壓，該飄 移消減電壓用來提供給該第二電流源調(diào)整該第二電流的大小，以降低該運(yùn)算 放大器的飄移電壓；以及一差動(dòng)輸入對(duì)，用以接受一對(duì)差動(dòng)輸入，據(jù)以引發(fā) 該鏡射電路在該參考分支與該鏡射分支之間的電流不平衡，進(jìn)而決定該運(yùn)算 放大器的輸出電流。根據(jù)本發(fā)明， 一種降低運(yùn)算放大器飄移電壓的方法包括預(yù)先儲(chǔ)存一飄移 消減電壓在一 MOS電容上，當(dāng)該運(yùn)算放大器在正常操作時(shí)，將該飄移消減 電壓施加至該運(yùn)算放大器中的電流源，藉以調(diào)整該源電流的大小，因而降低 該運(yùn)算;^丈大器的飄移電壓。具體來說，本發(fā)明另提供一種降低運(yùn)算放大器中飄移電壓的方法，該運(yùn) 算放大器包含一對(duì)電流源分別耦接一鏡射電路的參考分支與鏡射分支，以及 一差動(dòng)輸入對(duì)耦接該鏡射電路，該方法包括下列步驟預(yù)先儲(chǔ)存一飄移消減 電壓在一MOS電容上；以及藉該飄移消減電壓的大小調(diào)整該對(duì)電流源其中 之一產(chǎn)生的電流大小。在該運(yùn)算放大器無負(fù)載的情況下，對(duì)其輸入一參考電壓，以求取其失衡 產(chǎn)生的該飄移消減電壓，并儲(chǔ)存至該MOS電容上，因而使該飄移消減電壓 包含該運(yùn)算放大器的飄移效應(yīng)在內(nèi)。本發(fā)明是在一儲(chǔ)存模式下將一飄移消減電壓儲(chǔ)存至一MOS電容上，在 該運(yùn)算放大器正常操作時(shí)利用該飄移消減電壓的大小來調(diào)整該運(yùn)算放大器
中的源電流大小，因而降低該運(yùn)算放大器的飄移電壓。


圖1顯示一傳統(tǒng)的折疊疊接式運(yùn)算放大器； 圖2顯示一運(yùn)算放大器的方塊圖； 圖3顯示一比較器的方塊圖；圖4是圖3比較器在理想狀況下的輸入及輸出關(guān)系圖；圖5是圖3比較器在非理想狀況下的輸入及輸出關(guān)系圖；圖6顯示將自動(dòng)歸零技術(shù)應(yīng)用在圖2中運(yùn)算放大器200的電路架構(gòu);圖7顯示圖6中運(yùn)算放大器200在儲(chǔ)存模式時(shí)的電路架構(gòu)；圖8顯示圖6中運(yùn)算放大器200在正常模式時(shí)的電路架構(gòu)；圖9顯示將自動(dòng)歸零技術(shù)應(yīng)用在圖3中比較器300的電路架構(gòu)；圖IO顯示圖9中比較器300在儲(chǔ)存模式時(shí)的電路架構(gòu)；圖ll顯示圖9中比較器300在正常模式時(shí)的電路架構(gòu)；圖12是本發(fā)明的第一實(shí)施例；圖13顯示圖12中運(yùn)算放大器400的儲(chǔ)存模式；圖14顯示圖12中運(yùn)算放大器400的正常模式；圖15是本發(fā)明的第二實(shí)施例；以及圖16是本發(fā)明的第三實(shí)施例。主要組件符號(hào)說明100、 200、 400、 600 運(yùn)算放大器102、 402、 602 差動(dòng)輸入對(duì)104、 404、 604 鏡射電路106、 406、 606 電流源202、 302 電壓源204 理想運(yùn)算放大器300 比較器304 理想比較器 408 PMOS電容502、 504 PMOS晶體管608 NMOS電容具體實(shí)施方式
圖12是本發(fā)明的第一實(shí)施例，其為一N輸入折疊疊接架構(gòu)的運(yùn)算放大 器400,其中，PMOS晶體管M3受控于一偏壓Biasl以導(dǎo)通電流I3， PMOS 晶體管M4則根據(jù)電壓Vc導(dǎo)通電流14,開關(guān)SW5連接在PMOS晶體管M4 的柵漏極之間，PMOS電容408連接在電源電壓VDD及PMOS晶體管M4 的柵極之間，差動(dòng)輸入對(duì)402分別從電流13及14中汲取電流12及II ，鏡射 電路404包含由NMOS晶體管M7、 M8、 M9及M10組成疊接電流鏡，用 以鏡射電流15產(chǎn)生電流16至運(yùn)算放大器400的輸出Vo。在差動(dòng)輸入對(duì)402 中，偏壓電流源406連接在NMOS晶體管Ml及M2以及接地GND之間， 開關(guān)SW1連接在NMOS晶體管Ml的柵極及電壓V.之間，開關(guān)SW2連接 在NMOS晶體管Ml的柵極與電壓Vref之間，開關(guān)SW3連接在NMOS晶 體管M2的柵極與電壓Vref之間，開關(guān)SW4連接在NMOS晶體管M2的柵 極及電壓V+之間。在儲(chǔ)存模式時(shí)，開關(guān)SW2、 SW3及SW5被信號(hào)Ol導(dǎo)通，開關(guān)SW1 及SW4被信號(hào)①2截止，如圖13所示，并使運(yùn)算放大器的輸出Vo浮接， 差動(dòng)輸入對(duì)402中NMOS晶體管Ml及M2的柵極連接至相同的電壓Vref, 而NMOS晶體管M4接成二極管，由于運(yùn)算放大器400的輸出Vo并未連接 負(fù)載，因此電流17將被強(qiáng)迫等于電流16 ，又PMOS晶體管M4的漏極連接 至其柵極，因此，PMOS晶體管M4柵極上的電壓Vc將自動(dòng)調(diào)整以調(diào)節(jié)電 流14,直至電流I4與電流I1及I7達(dá)到平衡。若原本的非理想特性使電流I6 較理想值大，則電壓Vc將較低，而電流I7也將跟著變大，反之，若原本的 非理想特性使電流16較理想值小，則電壓Vc將較大，而電流17也將跟著 變小。PMOS電容408是用以儲(chǔ)存電源電壓VDD與PMOS晶體管M4柵極 上的電壓Vc之間的差值(VDD-Vc)，此差值是一個(gè)飄移消減電壓。當(dāng)運(yùn)算 放大器400操作在正常模式時(shí)，開關(guān)SW2、 SW3及SW5被信號(hào)①1截止， 開關(guān)SW1及SW4被信號(hào)①2導(dǎo)通，如圖14所示，差動(dòng)輸入對(duì)402中NMOS 晶體管Ml及M2的柵極分別連接電壓V.及V+以導(dǎo)通電流II及12， PMOS 電容408儲(chǔ)存的飄移消減電壓抵消電源電壓VDD的一部分，因此供應(yīng)至 PMOS晶體管M4的柵極偏壓Vc已經(jīng)包含飄移因子在內(nèi)，使得PMOS晶體 管M4導(dǎo)通的電流I4已經(jīng)補(bǔ)償了飄移所造成的影響。換言之，由于在儲(chǔ)存模 式時(shí)針對(duì)電流16及17之間的不匹配情形調(diào)整PMOS晶體管M4柵極上的偏 壓Vc，故能降低偏移電壓。在最佳狀況下，可以達(dá)到零偏移電壓的效果， 也就是完成去除偏移效應(yīng)。一般來說，電容難免都有漏電流問題，在某些電容的漏電流很大的情況 下，將4吏儲(chǔ)存在MOS電容中的飄移消減電壓衰減，導(dǎo)致降低偏移電壓的效 果也降低。圖15是本發(fā)明的第二實(shí)施例，假設(shè)運(yùn)算放大器400中的PMOS 晶體管M4在實(shí)際集成電路的制作上是由多個(gè)PM0S晶體管組成，因此，為 了降低PMOS電容408漏電流的影響，可以將PMOS晶體管M4中部分PMOS 晶體管502的相W及接至偏壓Biasl或其它偏壓，如圖15所示，另一部分PMOS 晶體管504則連接PMOS電容408，如此可保證PMOS晶體管M4中有部分 的PMOS晶體管502不受PMOS電容408的漏電流影響而正常工作，同時(shí) 有一部分的PMOS晶體管504可以用來降低偏移電壓，而且可以根據(jù)應(yīng)用的 情況調(diào)整PMOS晶體管502及504兩部分的比例。在其它實(shí)施例中，也可以 通過增加一與PMOS晶體管M4并聯(lián)而其柵極連接至偏壓Biasl或其它偏壓 的晶體管，來防止因PMOS電容408漏電流而造成的影響。圖16是本發(fā)明的第三實(shí)施例，其為一P輸入折疊疊接架構(gòu)的運(yùn)算放大 器600,其中，NMOS晶體管M9連接在NM0S晶體管M7及接地GND之 間，受控于偏壓Biasl以導(dǎo)通電流13, NMOS晶體管M10連接在NMOS晶 體管M8及接地之間，受控于電壓Vc以導(dǎo)通電流14， NMOS電容608連接 在NMOS晶體管M10的柵極及接地GND之間，開關(guān)SW5連接在NMOS
晶體管M10的柵漏極之間，鏡射電路604包含由PMOS晶體管M3、 M4、 M5及M6組成的疊接電流鏡，用以鏡射電流15產(chǎn)生電流16至運(yùn)算放大器 500的輸出Vo,在差動(dòng)輸入對(duì)602中，電流源606的一端連接至PMOS晶 體管M1及M2，另一端則連接電源電壓VDD，開關(guān)SW1連接在PMOS晶 體管Ml的柵極及電壓V-之間，開關(guān)SW2連接在PMOS晶體管Ml的柵極 及電壓Vref之間，開關(guān)SW3連接在PMOS晶體管M2的柵極及電壓Vref 之間，開關(guān)SW4連接在PMOS晶體管M2及電壓V+之間，PMOS晶體管 M1及M2根據(jù)其柵極上的電壓導(dǎo)通電流I1及I2。同樣地，在儲(chǔ)存模式時(shí)， 運(yùn)算^L大器600的輸出Vo浮接，開關(guān)SW2、 SW3及SW5導(dǎo)通而開關(guān)SW1 及SW4截止，使差動(dòng)輸入對(duì)602的PMOS晶體管Ml及M2的柵極連接相 同的電壓Vref，而NMOS晶體管M10接成二^l管以自動(dòng)調(diào)節(jié)其柵極上的電 壓Vc，進(jìn)而使電流14與電流12及17達(dá)到平衡。由于此實(shí)施例中的NMOS 電容608的一端接地，因此其上儲(chǔ)存的飄移消減電壓等于NMOS晶體管M10 柵極上的偏壓Vc。在正常模式時(shí)，開關(guān)SW2、 SW3及SW5截止而開關(guān)SW1 及SW4導(dǎo)通，使差動(dòng)輸入對(duì)602中的PMOS晶體管Ml及M2分別連接電 壓V.及V+, NMOS電容608則供應(yīng)電壓Vc至NMOS晶體管M10的柵極。同樣的，為了降低NMOS電容608漏電流的影響，可以將部分NMOS 晶體管M10的柵極連接至偏壓Biasl或其它偏壓，或者增加一與NMOS晶 體管M10并聯(lián)而其柵極連接至偏壓Biasl或其它偏壓的晶體管。雖然在上述實(shí)施例中用來儲(chǔ)存飄移消減電壓的MOS電容408及608在 電路的表達(dá)上是一個(gè)電容，但是在實(shí)際集成電路的制作上可以包含多個(gè)并聯(lián) 的MOS電容實(shí)體，而且也可以利用集成電路上的寄生電容來實(shí)現(xiàn)。由于此 用來儲(chǔ)存飄移消減電壓的MOS電容408及608有一端是用來連接電源VDD 或接地GND，而不是浮接，因此在以集成電路實(shí)現(xiàn)時(shí)可以有較低成本的優(yōu) 點(diǎn)。
權(quán)利要求
1、一種低飄移電壓運(yùn)算放大器，其特征在于包括一鏡射電路，具有一參考分支與一鏡射分支；一第一電流源，耦接至該參考分支，該第一電流源用以產(chǎn)生一第一電流；一第二電流源，耦接至該鏡射分支，該第二電流源用以產(chǎn)生一第二電流；一MOS電容，用以儲(chǔ)存一飄移消減電壓，該飄移消減電壓用來提供給該第二電流源調(diào)整該第二電流的大小，以降低該運(yùn)算放大器的飄移電壓；以及一差動(dòng)輸入對(duì)，用以接受一對(duì)差動(dòng)輸入，據(jù)以引發(fā)該鏡射電路在該參考分支與該鏡射分支之間的電流不平衡，進(jìn)而決定該運(yùn)算放大器的輸出電流。
2、 如權(quán)利要求1所述的運(yùn)算放大器，其特征在于，其中該第二電流源 包括一晶體管，用以產(chǎn)生該第二電流，該晶體管具有一柵極耦接該MOS電 容，因而讓該飄移消減電壓調(diào)整其偏壓；該運(yùn)算放大器還包括一開關(guān)，連接 在該晶體管的柵漏極之間，在一正常模式下，該開關(guān)截止；在一儲(chǔ)存模式下， 該開關(guān)導(dǎo)通。
3、 如權(quán)利要求1所述的運(yùn)算放大器，其特征在于，其中該第二電流源 包括一對(duì)晶體管，用以聯(lián)合產(chǎn)生該第二電流，其中的笫一晶體管具有一柵極 耦接該MOS電容，因而讓該飄移消減電壓調(diào)整其偏壓，其中的第二晶體管 具有一柵極耦接與該飄移消減電壓無關(guān)的偏壓；該運(yùn)算放大器還包括一開 關(guān)，連接在該第一晶體管的柵漏極之間，在一正常模式下，該開關(guān)截止；在 一儲(chǔ)存模式下，該開關(guān)導(dǎo)通。
4、 如權(quán)利要求1所述的運(yùn)算放大器，其特征在于，其中該差動(dòng)輸入對(duì) 包括一對(duì)NMOS晶體管，其柵極用來接受該對(duì)差動(dòng)輸入；該MOS電容具有 一第 一端耦接至該第二電流源，以及一第二端用來耦接電源。
5、 如權(quán)利要求1所述的運(yùn)算放大器，其中該差動(dòng)輸入對(duì)包括一對(duì)PMOS 晶體管，其柵極用來接受該對(duì)差動(dòng)輸入；該MOS電容具有一第一端耦接至 該第二電流源，以及一第二端用來接地。
6、 一種降低運(yùn)算放大器中飄移電壓的方法，該運(yùn)算放大器包含一對(duì)電 流源分別耦接一鏡射電路的參考分支與鏡射分支，以及一差動(dòng)輸入對(duì)耦接該鏡射電路，其特征在于，該方法包括下列步驟預(yù)先儲(chǔ)存一飄移消減電壓在一MOS電容上；以及藉該飄移消減電壓的大小調(diào)整該對(duì)電流源其中之一產(chǎn)生的電流大小。
7、 如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，其中藉該飄移消減電壓的 大小調(diào)整該對(duì)電流源其中之一產(chǎn)生的電流大小的步驟包括下列步驟將該飄移消減電壓與 一原來的偏壓結(jié)合施加到 一 晶體管的柵極上；以及 導(dǎo)通該晶體管，以產(chǎn)生該電流。
8、 如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，其中該預(yù)先儲(chǔ)存一飄移消 減電壓在一MOS電容上的步驟包括下列步驟耦接該MOS電容的第一端至該晶體管的柵極，第二端至電源或接地； 將該晶體管的^J"漏極短路；浮接該運(yùn)算放大器的輸出端；以及 施加一參考電壓至該差動(dòng)輸入對(duì)。
9、 如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，其中藉該飄移消減電壓的 大小調(diào)整該對(duì)電流源其中之一產(chǎn)生的電流大小的步驟包括下列步驟將該飄移消減電壓與一第一電壓結(jié)合施加到一第一晶體管的柵極上； 將一與該飄移消減電壓無關(guān)的第二電壓施加到一第二晶體管的柵極上；以及導(dǎo)通該二晶體管，以聯(lián)合產(chǎn)生該電流。
10、 如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，其中該預(yù)先儲(chǔ)存一飄移消 減電壓在一MOS電容上的步驟包括下列步驟耦接該MOS電容的第一端至該第一晶體管的4冊(cè)極，第二端至電源或接 將該第一晶體管的柵漏極短路；浮接該運(yùn)算放大器的輸出端；以及施加一參考電壓至該差動(dòng)輸入對(duì)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種低飄移電壓運(yùn)算放大器及其降低飄移電壓的方法，該低飄移電壓運(yùn)算放大器包括一鏡射電路，具有一參考分支與一鏡射分支；一第一電流源，耦接至參考分支，用以產(chǎn)生一第一電流；一第二電流源，耦接至鏡射分支，用以產(chǎn)生一第二電流；一MOS電容，用以儲(chǔ)存一飄移消減電壓來提供給第二電流源調(diào)整第二電流的大小；以及一差動(dòng)輸入對(duì)，用以接受一對(duì)差動(dòng)輸入，據(jù)以引發(fā)鏡射電路在參考分支與鏡射分支之間的電流不平衡，進(jìn)而決定運(yùn)算放大器的輸出電流。本發(fā)明是在一儲(chǔ)存模式下將一飄移消減電壓儲(chǔ)存至一MOS電容上，在該運(yùn)算放大器正常操作時(shí)，利用該飄移消減電壓的大小來調(diào)整該運(yùn)算放大器中的源電流大小，因而降低該運(yùn)算放大器的飄移電壓。
文檔編號(hào)H03F3/45GK101154927SQ20061014188
公開日2008年4月2日 申請(qǐng)日期2006年9月30日 優(yōu)先權(quán)日2006年9月30日
發(fā)明者陳怡成 申請(qǐng)人:義隆電子股份有限公司