專利名稱：電涌吸收元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電涌吸收元件。
背景技術(shù)：
由于IC和LSI等半導(dǎo)體裝置因高壓靜電受到破壞，或者特性變壞。因此，在半導(dǎo)體裝置中，作為靜電對策使用變阻器(varistor)等電涌吸收元件。
但是，由于以變阻器為代表的電涌吸收元件具有寄生電容成分和寄生電感成分。因此，若將電涌吸收元件應(yīng)用于處理高速信號的電路中會使信號變差。為了將電涌吸收元件應(yīng)用于處理高速信號的電路中，若不減小電涌吸收元件的寄生電容成分，就不能避免高速信號的瞬變上升特性和延遲特性的劣化。但是，若減小電涌吸收元件的寄生電容成分，則會減少電涌吸收元件的控制電壓的上升和能量容量。
作為減輕寄生電容成分的影響的電涌吸收元件，已知有具備電感器(inductor)與2個變阻器的電涌吸收元件(例如，參照日本特開2001-60838號公報)。日本特開2001-60838號公報中所記載的電涌吸收元件，具備由第1變阻器和電感器組成的并聯(lián)電路、電串聯(lián)在并聯(lián)電路上的第2變阻器、以及連接在第2變阻器和前述并聯(lián)電路的串聯(lián)電路的兩端的輸入輸出電極和接地電極。
但是，在日本特開2001-60838號公報中所記載的電涌吸收元件中，因為是由第1變阻器的寄生電容與電感器構(gòu)成帶通濾波器，所以在整個寬頻帶取得阻抗匹配是困難的。所以，不能對高速信號實現(xiàn)足夠的特性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種即使對高速信號阻抗匹配也優(yōu)異的電涌吸收元件。
本發(fā)明的電涌吸收元件，具備第1端電極；第2端電極；第3端電極；電感器部，該電感器部具有相互極性反相耦合的第1內(nèi)部導(dǎo)體和第2內(nèi)部導(dǎo)體，第1內(nèi)部導(dǎo)體的一端與第1端電極連接，第2內(nèi)部導(dǎo)體的一端與第2端電極連接，第1內(nèi)部導(dǎo)體的另一端與第2內(nèi)部導(dǎo)體的另一端連接；電涌吸收部，該電涌吸收部具有連接在第1內(nèi)部導(dǎo)體和第2內(nèi)部導(dǎo)體的連接點上的第1內(nèi)部電極、以及連接在第3端電極上的第2內(nèi)部電極；以及電容器部，該電容器部具有連接在所述第1端電極和所述第2端電極之間的電容成分。
在本發(fā)明的電涌吸收元件中，電感器部具有相互極性反相耦合的第1內(nèi)部導(dǎo)體以及第2內(nèi)部導(dǎo)體。因此，通過相對于電涌吸收部的寄生電容成分適當(dāng)設(shè)定電感器部的電感系數(shù)，可以消除寄生電容成分的影響。其結(jié)果是，可以在整個寬頻帶上實現(xiàn)頻率特性的平坦的輸入阻抗。
本發(fā)明中還具備具有電容成分的電容器部。由此，可以相對于電涌吸收部的寄生電容成分靈活地設(shè)定電感器部的電感系數(shù)和電容器部的電容成分的電容。
優(yōu)選的是，電容器部具有的電容成分，由第1內(nèi)部導(dǎo)體和第2內(nèi)部導(dǎo)體形成。此時，在不需要另行設(shè)置用于構(gòu)成電容器部的內(nèi)部電極等而簡化元件的構(gòu)成的同時，可以實現(xiàn)元件的小型化。
優(yōu)選的是，電容器部具有與第1端電極連接的第3內(nèi)部電極、以及與第2端電極連接的第4內(nèi)部電極，電容器部具有的電容成分，由第3內(nèi)部電極和第4內(nèi)部電極形成。
優(yōu)選的是，電容器部通過層疊形成有第1內(nèi)部導(dǎo)體的電感器層以及形成有第2內(nèi)部導(dǎo)體的電感器層積層而構(gòu)成，電涌吸收部通過層疊形成有第1內(nèi)部電極的變阻器(varistor)層和形成有第2內(nèi)部電極的變阻器層而構(gòu)成，第1內(nèi)部導(dǎo)體和第2內(nèi)部導(dǎo)體包含從電感器層的層疊方向看相互重疊的區(qū)域，第1內(nèi)部電極和第2內(nèi)部電極含有從變阻器層的層疊方向看相互重疊的區(qū)域。此時，在第1內(nèi)部導(dǎo)體與第2內(nèi)部導(dǎo)體中的、從電感器層的層疊方向看相互重疊的區(qū)域相互之間電容耦合，由該區(qū)域相互之間形成上述的電容成分。由此，不需要另行設(shè)置用于構(gòu)成電容器部的內(nèi)部電極等而簡化元件的構(gòu)成，同時可以實現(xiàn)元件的小型化。另外，可以將電涌吸收部作為變阻器。
優(yōu)選的是，各變阻器層以ZnO為主要成分，作為添加物含有選自稀土類以及Bi的至少一種元素、Co，各電感器層以ZnO為主要成分，實質(zhì)上不含有Co。此時，變阻器層和電感器層的素體以相同材料(ZnO)為主要成分。因此，即使將它們一體燒結(jié)時，也難以在兩層之間產(chǎn)生基于燒結(jié)時的素體的體積變化率的不同的應(yīng)力等。由此，電涌吸收部和電感器部的剝離大幅度減少。另外，構(gòu)成電感器層的材料，即，含有ZnO作為主要成分同時實質(zhì)上不含有Co的材料，與ZnO單一成分或上述變阻器層的構(gòu)成材料(在ZnO中添加有稀土類或Bi和Co的材料)相比，是極高電阻率而低感應(yīng)率的。所以，含該材料的電感器層具有優(yōu)異的電感特性。
優(yōu)選的是，還具備包含電感器部、電涌吸收部以及電容器部的素體，第1端電極、第2端電極、以及第3端電極配置在素體的外表面，第1內(nèi)部導(dǎo)體的另一端、第2內(nèi)部導(dǎo)體的另一端以及第1內(nèi)部電極通過配置在素體外表面的外部導(dǎo)體連接。此時，可容易且確實地連接第1內(nèi)部導(dǎo)體的另一端、第2內(nèi)部導(dǎo)體的另一端以及第1內(nèi)部電極。
優(yōu)選的是，第1端電極為輸入端電極，第2端電極為輸出端電極，第1內(nèi)部導(dǎo)體與第2內(nèi)部導(dǎo)體正結(jié)合。
優(yōu)選的是，分別具有多個第1端電極、第2端電極、第3端電極、第1內(nèi)部導(dǎo)體、第2內(nèi)部導(dǎo)體、第1內(nèi)部電極以及第2內(nèi)部電極。此時，可以實現(xiàn)成為陣列狀的電涌吸收元件。
根據(jù)本發(fā)明，可以提供一種即使對高速信號阻抗匹配也優(yōu)異的電涌吸收元件。
從以下給出的詳細(xì)說明和僅以示例方式給出而不能認(rèn)為是限定本發(fā)明的附圖，可以更加清楚地理解本發(fā)明。
根據(jù)以下給出的詳細(xì)說明本發(fā)明的應(yīng)用范圍會更加清楚。然而，應(yīng)當(dāng)理解，這些詳細(xì)說明和具體實例，雖然表示本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，但只是通過示例的方式給出，根據(jù)這些詳細(xì)說明，在本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)的各種變化和修改對本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說都是顯而易見的。


圖1是表示第1實施方式的電涌吸收元件的立體示意圖。
圖2是用于說明第1實施方式的電涌吸收元件中所含的素體的結(jié)構(gòu)的立體分解圖。
圖3是用于說明第1實施方式的電涌吸收元件的電路構(gòu)成的圖。
圖4是表示圖3所示的電路結(jié)構(gòu)的等價電路的圖。
圖5是表示變阻器的等價電路的圖。
圖6是表示用于說明制造第1實施方式的電涌吸收元件的工序的流程圖。
圖7是表示第2實施方式的電涌吸收元件的立體示意圖。
圖8是用于說明第2實施方式的電涌吸收元件中所含的素體的結(jié)構(gòu)的分解立體圖。
圖9是用于說明第2實施方式的電涌吸收元件中所含的素體的一個變形例的結(jié)構(gòu)的分解立體圖。
圖10是用于說明第3實施方式的電涌吸收元件中所含的素體的結(jié)構(gòu)的分解立體圖。
圖11是用于說明第4實施方式的電涌吸收元件中所含的素體的結(jié)構(gòu)的分解立體圖。
圖12是用于說明第4實施方式的電涌吸收元件的變形例中所含的素體的結(jié)構(gòu)的分解立體圖。
圖13是用于說明第4實施方式的電涌吸收元件中所含的素體的一個變形例的結(jié)構(gòu)的分解立體圖。
具體實施例方式
下面參照附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的最佳實施方式。此外，在說明中，對于具有相同元素或相同功能的元素，使用相同符號，省略重復(fù)的說明。
(第1實施方式)首先，根據(jù)圖1和圖2，說明第1實施方式的電涌吸收元件SA1的結(jié)構(gòu)。圖1是表示第1實施方式的電涌吸收元件的立體示意圖。圖2是用于說明第1實施方式的電涌吸收元件中所含的素體的結(jié)構(gòu)的立體分解圖。
如圖1所示，電涌吸收元件SA1具備素體1、第1端電極3、第2端電極5、第3端電極7和外部導(dǎo)體9。素體1呈長方體形狀，例如，長度設(shè)定為1mm左右，寬度設(shè)定為0.5mm左右，高度設(shè)定為0.3mm左右。第1端電極3和第2端電極5分別配置在素體1的長度方向的端部。第3端電極7和外部導(dǎo)體9互相相向地分別配置在素體1的側(cè)面。第1端電極3作為電涌吸收元件SA1的輸入端電極發(fā)揮功能。第2端電極5作為電涌吸收元件SA1的輸出端電極發(fā)揮功能。第3端電極7發(fā)揮電涌吸收元件SA1的接地端電極的功能。
如圖2所示，素體1具有電感器部10和電涌吸收部20。素體1呈從圖中下方起順次層疊有電涌吸收部20、電感器部10和保護層50的結(jié)構(gòu)。
電感器部10具有相互極性反相耦合的第1內(nèi)部導(dǎo)體11和第2內(nèi)部導(dǎo)體13。電感器部10通過層疊形成有第1內(nèi)部導(dǎo)體11的電感器層15和形成有第2內(nèi)部導(dǎo)體13的電感器層17而構(gòu)成。
第1內(nèi)部導(dǎo)體11的一端以在素體1的一個端面(配置有第1端電極3的端面)露出的方式，在電感器層15的一邊上引出。第1內(nèi)部導(dǎo)體11的一端與第1端電極3連接。第2內(nèi)部導(dǎo)體13的一端以在素體1的另一個端面(配置有第2端電極5的端面)上露出的方式，在電感器層17的一邊上引出。第2內(nèi)部導(dǎo)體13的一端與第2端電極5連接。第1內(nèi)部導(dǎo)體11的另一端與第2內(nèi)部導(dǎo)體13的另一端，以露出于素體1的相同側(cè)面(配置有外部導(dǎo)體9的側(cè)面)的方式，分別在電感器層15、17的一邊上引出。第1內(nèi)部導(dǎo)體11的另一端與第2內(nèi)部導(dǎo)體13的另一端，與形成在素體1的側(cè)面上的外部導(dǎo)體9連接。第1內(nèi)部導(dǎo)體11的另一端與第2內(nèi)部導(dǎo)體13的另一端，通過外部導(dǎo)體9電連接。
第1內(nèi)部導(dǎo)體11與第2內(nèi)部導(dǎo)體13，分別包含從電感器層15、17的層疊方向看相互重疊的區(qū)域11a、13a。第1內(nèi)部導(dǎo)體11與第2內(nèi)部導(dǎo)體13，在區(qū)域11a、13a上電容耦合。第1內(nèi)部導(dǎo)體11與第2內(nèi)部導(dǎo)體13，也可以不通過如上述的外部導(dǎo)體9，而通過配置在素體1的內(nèi)部的通孔導(dǎo)體等連接。作為第1內(nèi)部導(dǎo)體11與第2內(nèi)部導(dǎo)體13中所含的導(dǎo)電材料，沒有特別的限定，但優(yōu)選由Pd或Ag-Pd合金構(gòu)成。
各電感器層15、17由以ZnO為主要成分的陶瓷材料構(gòu)成。構(gòu)成電感器層15、17的陶瓷材料，除了ZnO，也可以含有稀土類(例如，Pr)、K、Na、Cs、Rb等金屬元素作為添加物。特別優(yōu)選添加稀土類。通過添加稀土類，可以容易地減少電感器層15、17和后述的電感器層25、27的體積變化率的差。為了提高與后述的電涌吸收部20的接合性，在感器層15、17中還可以含有Cr、Ca和Si。在電感器層15、17中所含的這些金屬元素，可以以金屬單質(zhì)和氧化物等的各種形態(tài)存在。電感器層15、17中所含的添加物的合適的含有量，優(yōu)選為在該電感器層15、17中所含的ZnO總量中0.02mol％以上2mol％以下。這些金屬元素的含有量，可以用例如電感耦合高頻等離子體光譜分析裝置(ICP)測定。
各電感器層15、17，實質(zhì)上不含有在后述的變阻器25、27中所含的Co。這里，所謂“實質(zhì)上不含有”的狀態(tài)，是指在形成電感器層15、17時作為原料不有意含有這些元素時的狀態(tài)。例如，通過由電涌吸收部20向電感器部10的擴散等而非有意地使含有這些元素的情況，相當(dāng)于“實質(zhì)上不含有”的狀態(tài)。另外，電感器層15、17只要滿足上述條件，為了進一步提高特性等，也可以進一步含有其他的金屬元素等。
電涌吸收元件20具有第1內(nèi)部電極21和第2內(nèi)部電極23。電涌吸收部20通過層疊形成有第1內(nèi)部電極21的變阻器層25和形成有第2內(nèi)部電極23的變阻器層27而構(gòu)成。
第1內(nèi)部電極21具有直線型圖案，沿著變阻器層25的短邊方向延伸。第1內(nèi)部電極21的一端，以露出于素體1的側(cè)面(配置有外部導(dǎo)體9的側(cè)面)的方式，在變阻器層25的一邊引出。第1內(nèi)部電極21的另一端，不露出素體1的側(cè)面(配置有第3端電極7的側(cè)面)地，位于從該側(cè)面引入的位置。第1內(nèi)部電極21的一端，與形成在素體1的側(cè)面的外部導(dǎo)體9連接。第1內(nèi)部導(dǎo)體11的另一端、第2內(nèi)部導(dǎo)體13的另一端以及第1內(nèi)部電極21的一端通過外部導(dǎo)體9電連接。
第2內(nèi)部電極23具有直線型圖案，沿著變阻器層27的短邊方向延伸。第2內(nèi)部電極23的一端，以露出于素體1的側(cè)面(配置有第3端電極7的側(cè)面)的方式，在變阻器層27的一邊引出。第2內(nèi)部電極23的另一端，不露出于素體1的側(cè)面(配置外部導(dǎo)體9的側(cè)面)，位于從該側(cè)面引入的位置。第2內(nèi)部電極23的一端，與形成在素體1的側(cè)面的第3端電極7連接。
第1內(nèi)部電極21與第2內(nèi)部電極23，分別包含從變阻器層25、27的層疊方向看相互重疊的區(qū)域21a、23a。因此，變阻器層25、27中的在第1內(nèi)部電極21與第2內(nèi)部電極23上重疊的區(qū)域21a、23a作為表現(xiàn)變阻器特性的區(qū)域而發(fā)揮功能。作為第1內(nèi)部電極21與第2內(nèi)部電極23中所含的導(dǎo)電材料，沒有特別的限定，但優(yōu)選由Pd或Ag-Pd合金構(gòu)成。
各變阻器層25、27由以ZnO為主要成分的陶瓷材料構(gòu)成。在該陶瓷材料中，作為添加物，還可以含有選自稀土類和Bi的至少一種元素和Co。在本實施方式中，變阻器層25、27，除了稀土類，還含有Co。由此，電變阻器層25、27在具有優(yōu)異的電壓非直線特性(nonlinearvoltage.current characteristics)，即具有可變電阻特性的同時，具有高感應(yīng)率(ε)。上述變阻器層15、17，由于不含Co，不具有可變電阻特性，另外感應(yīng)率小，而且電阻率高，所以作為電感器部10的構(gòu)成材料具有極合適的特性。構(gòu)成變阻器層25、27的陶瓷材料，作為添加物還可以含有Al。在含有Al的情況下，變阻器層25、27為低電阻。作為添加物而含有的稀土類，優(yōu)選Pr。
作為這些添加物的金屬元素，在變阻器層25、27中，可以以金屬單質(zhì)或氧化物等形態(tài)存在。另外，變阻器層25、27，為了進一步提高特性，還可以含有上述以外的金屬元素等(例如，Cr、Ca、Si、K等)作為添加物。
保護層50分別為由陶瓷材料構(gòu)成的層，保護電感器部10。雖然保護層50的構(gòu)成材料沒有特別的限定，可以應(yīng)用各種陶瓷材料等，但從降低與上述層疊結(jié)構(gòu)的剝離的觀點出發(fā)，優(yōu)選含有以ZnO為主要成分的材料。
第1端電極3、第2端電極5、第3端電極7和外部導(dǎo)體9，優(yōu)選是由可與構(gòu)成內(nèi)部導(dǎo)體11、13和內(nèi)部電極21、23的金屬(例如，Pd等)良好地電連接的金屬材料構(gòu)成的。例如，Ag，由于與由Pd構(gòu)成的內(nèi)部導(dǎo)體11、13和內(nèi)部電極21、23的電連接性良好，而且對素體1的端面的粘結(jié)性良好，所以適于作為外部電極用的材料。
在第1端電極3、第2端電極5、第3端電極7和外部導(dǎo)體9的表面上，依次形成有Ni鍍層(圖示省略)以及Sn鍍層等(圖示省略)。這些鍍層，主要是在將電涌吸收元件SA1通過回流焊而搭載在基板等時，為了提高焊錫耐熱性和焊錫濕潤性而形成的。
下面，根據(jù)圖3和圖4，說明具有上述結(jié)構(gòu)的電涌吸收元件SA1的電路構(gòu)成。圖3是用于說明第1實施方式的電涌吸收元件的電路構(gòu)成的圖。圖4是表示圖3所示的電路結(jié)構(gòu)的等價電路的圖。
第1內(nèi)部導(dǎo)體11和第2內(nèi)部導(dǎo)體13，如上所述，分別含有從電感器層15、17的層疊方向看相互重疊的區(qū)域11a、13a，在該區(qū)域11a、13a上電容耦合。因此，電涌吸收元件SA1，如圖3所示，具有由第1內(nèi)部導(dǎo)體11和第2內(nèi)部導(dǎo)體13形成的電容成分61。電容成分61連接在第1端電極3和第2端電極5之間。
這里，所謂“極性反相耦合”意思是，如圖3所示，在將相當(dāng)于第1內(nèi)部導(dǎo)體11的電感成分的卷繞起始作為第1端電極3側(cè)，將相當(dāng)于第2內(nèi)部導(dǎo)體13的電感成分的卷繞起始作為與第1內(nèi)部導(dǎo)體11連接的一側(cè)(在本實施方式中，外部導(dǎo)體9側(cè))時，第1內(nèi)部導(dǎo)體11和第2內(nèi)部導(dǎo)體13的結(jié)合為“正”。即，所謂“極性反相耦合”，意思是，電流從第1端電極3側(cè)流入第1內(nèi)部導(dǎo)體11，電流從與第1內(nèi)部導(dǎo)體11連接的一側(cè)(本實施方式中，外部導(dǎo)體9側(cè))流入第2內(nèi)部導(dǎo)體13，在第1內(nèi)部導(dǎo)體11中產(chǎn)生的磁通量與在第2內(nèi)部導(dǎo)體13產(chǎn)生的磁通量相互增強。
在電涌吸收元件SA1中，由第1內(nèi)部電極21、第2內(nèi)部電極23、變阻器層25、27中第1內(nèi)部電極21和第2內(nèi)部電極23中重疊的區(qū)域21a、23a，構(gòu)成一個變阻器63。變阻器63，如圖3所示，連接在第1內(nèi)部導(dǎo)體11與前述第2內(nèi)部導(dǎo)體13的連接點(外部導(dǎo)體9)和前述第3端電極7之間。
相互極性反相耦合的第1內(nèi)部導(dǎo)體11以及第2內(nèi)部導(dǎo)體13，如圖4所示，可以變換為第1電感成分65、第2電感成分67和第3電感成分69。第1電感成分65和第2電感成分67串聯(lián)連接在第1端電極3和第2端電極5之間。第3電感成分69連接在串聯(lián)連接的第1電感成分65和第2電感成分67的連接點和變阻器63之間。若設(shè)各內(nèi)部導(dǎo)體11、13的電感系數(shù)為Lz，內(nèi)部導(dǎo)體11、13間的耦合系數(shù)為Kz，則第1電感成分65和第2電感成分67的電感系數(shù)為(1+Kz)Lz，第3電感成分69的電感系數(shù)為-KzLz。
變阻器63，如圖4所示，可變換為在第3電感成分69和第3端電極7之間并聯(lián)連接的可變電阻71和寄生電容成分73?？勺冸娮?1，通常電阻值很大，若外加高壓電涌則電阻值變小。在變阻器63中，對小振幅的高速信號，可以只以寄生電容成分73近似。
圖4所示的電涌吸收元件SA1的輸入阻抗Zin，用下式(1)表示。這里，設(shè)電容成分61的電容為Cs，變阻器63的寄生電容成分73的電容為Cz。
Zin=2(1+Kz)LzCz1-ω2Lz((1-Kz)Cz/2)1-ω2Lz(2(1+Kz)Cs)---(1)]]>在(1)式中，若設(shè)定電容成分61的電容為Cs使其滿足下式(2)，則輸入阻抗Zin不依賴于頻率特性。若在設(shè)定電容成分61的電容Cs為下式(2)的基礎(chǔ)上，如下式(3)所示設(shè)定各內(nèi)部導(dǎo)體的電感系數(shù)Lz，則輸入阻抗Zin可匹配于特性阻抗Z0。
Cs=1-Kz4(1+Kz)Cz---(2)]]>Lz=Z02Cz2(1+Kz)---(3)]]>由上述(2)式和(3)式可知，由于任意地選擇內(nèi)部導(dǎo)體11、13之間的耦合系數(shù)Kz，所以可進行靈活性高的電路設(shè)計。
所以，根據(jù)本實施方式，可以使電涌吸收元件SA1為可保護半導(dǎo)體裝置等免受高壓靜電，同時，即使對高速信號阻抗匹配也優(yōu)異的電涌吸收元件。
另外，變阻器63，如圖5所示，也含有寄生電感成分75。通常，可變電阻71的電阻值大，若外加高壓電涌則電阻值變小。但是，存在寄生電容成分73以及寄生電感成分75。因此，若在處理作為輸入信號的高速信號的半導(dǎo)體裝置的輸入側(cè)附加電涌吸收元件SA1，則成為高速信號變差的原因。為了將電涌吸收元件SA1應(yīng)用于處理高速信號的電路，優(yōu)選不僅要減小寄生電容成分73的影響還要減小寄生電感成分75的影響。
由圖4所示的等價電路可知，若利用具有負(fù)性電感系數(shù)的第3電感成分69，則可以消除變阻器63的寄生電感成分75。但是，看上去，由于與耦合變小的狀態(tài)相同，耦合系數(shù)Kz與電感系數(shù)Lz不變而使電容成分61的電容Cs為下式(4)。其中，設(shè)寄生電感成分75的電感系數(shù)為Le。
Cs=1-Kz+2Le/Lz4(1+Kz)Cz---(4)]]>但是，KzLz≥Le。如此設(shè)計，即使電涌吸收元件SA1中含有寄生電容成分73和寄生電感成分75，也可以使輸入阻抗Zin匹配于特性阻抗Z0。
下面，參照圖6說明制造第1實施方式的電涌吸收元件SA1的方法。圖6是用于說明制造第1實施方式的電涌吸收元件的工序的流程圖。
在電涌吸收元件SA1的制造中，首先，制造含有成為電感器層15、17以及變阻器層25、27的原料的陶瓷材料的糊料(步驟S101)。具體的是，形成變阻器層25、27用的糊料，相對于主要成分ZnO，作為添加物，除了選自稀土類(例如Pr)以及Bi的至少一種元素、Co以外，可以根據(jù)需要添加Al、Cr、Ca、Si、K等使燒結(jié)后為所希望的含量，通過添加并混合這些粘合劑等而調(diào)制。此時的金屬元素，例如，可以作為氧化物添加。
電感器層15、17形成用的糊料，相對于主要成分ZnO，可以通過根據(jù)需要添加稀土類、Bi等金屬元素作為添加物，還可以在它們中添加粘合劑等并混合而調(diào)制。電感器層15、17形成用的糊料，不同于變阻器25、27形成用的糊料，不添加Co。上述金屬元素，可以以例如氧化物、草酸鹽、碳酸鹽等化合物的形態(tài)添加。它們的添加量，調(diào)整為使得在進行后述的燒結(jié)后的素體1中，金屬元素成為上述所希望的含量。
將這些糊料，通過流延成型法等涂布在塑料薄膜等上后使其干燥，形成由陶瓷材料構(gòu)成的坯片(步驟S102)。由此，分別逐漸得到所需要的塊數(shù)的電感器層15、17形成用的坯片(以下，稱為“電感器片”)以及變阻器層25、27形成用的坯片(以下，稱為“變阻器片”)。在上述坯片的形成中，塑料薄膜等可以在涂布·干燥后立刻從各片剝離，也可以就在后述的層疊前剝離。在該坯片的形成工序中，與這些片同時，用與上述同樣的方法形成含ZnO的保護層50形成用的坯片。
接著，在電感器片或變阻器片上，將用于形成第1和第2內(nèi)部導(dǎo)體11、13或第1和第2內(nèi)部電極21、23的導(dǎo)體糊料，對各片進行絲網(wǎng)印刷使成為所希望的圖案(步驟S103)。由此，得到設(shè)置了具有所希望的圖案的導(dǎo)體糊層的各片。作為導(dǎo)體糊，例如，可以舉出含有Pd、Ag-Pd合金作為主要成分的導(dǎo)體糊料。
接著，順次層疊設(shè)置有分別對應(yīng)于第1和第2內(nèi)部電極21、23的導(dǎo)體糊層的變阻器片(步驟S104)。然后，在其上順次層疊設(shè)有分別對應(yīng)于第1和第2內(nèi)部導(dǎo)體11、13的導(dǎo)體糊層的電感器片(步驟S105)。再通過在這些層疊結(jié)構(gòu)上，進一步重疊保護層50形成用的坯片，將它們壓焊，得到素體1的前驅(qū)體層壓體。
然后，將得到的層壓體，按所希望的尺寸切斷成切片單元后，將該切片在規(guī)定溫度下(例如，1000～1400℃)燒結(jié)，得到素體1(步驟S106)。接著，使Li從所得素體1的表面向其內(nèi)部擴散。這里，在所得素體1的表面附著Li化合物后，進行熱處理等。對Li化合物的附著，可以使用密封旋轉(zhuǎn)釜。作為Li化合物沒有特別的限定，但是Li可以通過熱處理而從素體1的表面擴散至第1和第2內(nèi)部導(dǎo)體11、13和第1和第2內(nèi)部電極21、23的附近的化合物，例如，可以舉出Li的氧化物，氫氧化物，氯化物，硝酸鹽，硼酸鹽，碳酸鹽以及草酸鹽等。另外，在電涌吸收元件SA1的制造中，該Li擴散工序并不是必須的。
在該Li擴散的素體1的側(cè)面上，通過在轉(zhuǎn)錄以銀為主要成分的糊料后再燒結(jié)后，再施行鍍層，分別形成第1端電極3、第2端電極5、第3端電極7以及外部導(dǎo)體9，得到電涌吸收元件SA1(步驟S107)。鍍層可以通過電鍍進行，例如，可以使用Cu和Ni和Sn，Ni和Sn，Ni和Au，Ni和Pd和Au，Ni和Pd和Ag，或Ni和Ag等。
如上，本第1實施方式中，電感器部10具有相互極性反相耦合的第1內(nèi)部導(dǎo)體11和第2內(nèi)部導(dǎo)體13。因此，可以通過相對于電涌吸收部20的寄生電容成分73適當(dāng)設(shè)定電感器部10的電感系數(shù)，消除寄生電容成分73的影響。該結(jié)果，可以實現(xiàn)在整個寬頻帶的頻率特性的平坦的輸入阻抗。
在本第1實施方式中還具備具有電容成分61的電容器部。由此，可以相對于電涌吸收部20的寄生電容成分73靈活地設(shè)定電感器部10的電感系數(shù)和電容器部40的電容成分61的電容。
本第1實施方式的電涌吸收元件SA1，可以制成，保護半導(dǎo)體裝置等免受高壓靜電，同時，即使對高速信號也在阻抗匹配方面更加優(yōu)異的電涌吸收元件SA1。
在本第1實施方式中，電容器部40具有的電容成分61，通過第1內(nèi)部導(dǎo)體11和第2內(nèi)部導(dǎo)體13形成。由此，不需要另行設(shè)置用于構(gòu)成電容器部40的內(nèi)部電極等，簡化元件的構(gòu)成，同時，可以實現(xiàn)元件的小型化。
在本第1實施方式中，電感器部10通過層疊形成有第1內(nèi)部導(dǎo)體11的電感器層15和形成有第2內(nèi)部導(dǎo)體13電感器層17而構(gòu)成，第1內(nèi)部電極11和第2內(nèi)部電極13含有從電感器層15、17的層疊方向看相互重疊的區(qū)域11a、13a。由此，在第1內(nèi)部導(dǎo)體11與第2內(nèi)部導(dǎo)體13中的、從電感器層15、17的層疊方向看相互重疊的區(qū)域11a、13a之間電容耦合，由該區(qū)域11a、13a之間形成上述電容成分61。由此，不需要另行設(shè)置用于構(gòu)成電容器部的內(nèi)部電極等，簡化電涌吸收元件SA1的構(gòu)成，同時，可以實現(xiàn)電涌吸收元件SA1的小型化。
在本第1實施方式中，電涌吸收部20通過層疊形成有第1內(nèi)部電極21的變阻器層25和形成有第2內(nèi)部電極23的變阻器層27而構(gòu)成，第1內(nèi)部電極21和第2內(nèi)部電極23含有從變阻器層25、27的層疊方向看相互重疊的區(qū)域。由此，可由變阻器63構(gòu)成電涌吸收部20。
在本第1實施方式中，構(gòu)成電感器部10的電感器層15、17以及構(gòu)成電涌吸收部20的變阻器層25、27，均由以ZnO為主要成分的陶瓷材料形成。因此，在電感器部10和電涌吸收部20中，燒結(jié)時產(chǎn)生的體積變化的差極小。因此，即使同時燒結(jié)它們，兩者間也很難產(chǎn)生變形和應(yīng)力等。其結(jié)果，得到的電涌吸收元件SA1，與由不同材料形成電感器部10和電涌吸收部20的現(xiàn)有技術(shù)的電涌吸收元件SA1比較，兩者的剝離極難發(fā)生。
電感器層15、17由如上所述的以ZnO為主要成分，實質(zhì)上不含有Co作為添加物的陶瓷材料構(gòu)成。這種材料，作為電感器的構(gòu)成材料具有足夠程度高的電阻率。具體的是，作為電感材料容易成為具有超過合適的1MΩ的電阻率的電感材料。因此，電感器部10，盡管含有單獨電阻率方面特性不充分的ZnO作為主要成分，也可以發(fā)揮優(yōu)異的電感特性。
在本第1實施方式中，第1內(nèi)部導(dǎo)體11的另一端、第2內(nèi)部導(dǎo)體13的另一端、以及第1內(nèi)部電極21，通過外部導(dǎo)體9連接。由此，可以容易并切實地連接第1內(nèi)部導(dǎo)體11的另一端、第2內(nèi)部導(dǎo)體13的另一端、以及第1內(nèi)部電極21。
(第2實施方式)下面，根據(jù)圖7和圖8，說明第2實施方式的電涌吸收元件SA2的結(jié)構(gòu)。圖7是表示第2實施方式的電涌吸收元件的立體示意圖。圖8是用于說明第2實施方式的電涌吸收元件中所含的素體的結(jié)構(gòu)的分解立體圖。第2實施方式的電涌吸收元件SA2，在關(guān)于第1端電極3、第2端電極5、第3端電極7、第1內(nèi)部導(dǎo)體11、第2內(nèi)部導(dǎo)體13、第1內(nèi)部電極21、第2內(nèi)部電極23以及外部導(dǎo)體9的數(shù)量方面與第1實施方式的電涌吸收元件SA1不同。
如圖7所示，電涌吸收元件SA2具備素體1。素體1呈長方體形狀，例如，長設(shè)定為1.4mm左右，寬設(shè)定為1.0mm左右，高設(shè)定為0.5mm左右。電涌吸收元件SA2分別具備多個(本實施方式中為2個)第1端電極3、第2端電極5、第3端電極7以及外部導(dǎo)體9。第1端電極3、第2端電極5和第3端電極7，分別互相相向地配置在素體1的側(cè)面。外部導(dǎo)體9分別配置在素體1的長度方向的端部。
如圖8所示，電感器部10分別具有多個(本實施方式中為2個)極性相互反相耦合的第1內(nèi)部導(dǎo)體11和第2內(nèi)部導(dǎo)體13。第1內(nèi)部導(dǎo)體11之間，在電感器層15中，相互電絕緣地具有規(guī)定的間隔。第2內(nèi)部導(dǎo)體13之間，在電感器層17中，相互電絕緣地具有規(guī)定的間隔。
如圖8所示，電涌吸收部20分別具有多個(本實施方式中為2個)第1內(nèi)部電極21和第2內(nèi)部電極23。
在變阻器層25上，第1內(nèi)部電極21之間相互電絕緣地具有規(guī)定的間隔。各第1內(nèi)部電極21包括第1電極部分31和第2電極部分33。從變阻器25、27的層疊方向看，第1電極部分31與后述的第2內(nèi)部電極23的第1電極部分35相互重疊。第1電極部分31呈大致矩形狀。第2電極部分33，從第1電極部分31起以露出于素體1的側(cè)面(配置有外部導(dǎo)體9的側(cè)面)的方式引出，作為引出導(dǎo)體發(fā)揮功能。各第1電極部分31通過第2電極部分33與外部導(dǎo)體9電連接。第2電極部分33與第1電極部分31形成為一體。
各第2內(nèi)部電極23包括第1電極部分35和第2電極部分37。從變阻器25、27的層疊方向看，第1電極部分35形成為與第1內(nèi)部電極21的第1電極部分31相互重疊。第1電極部分35呈大致矩形狀。第2電極部分37，從各第1電極部分35起以露出于素體1的兩側(cè)面(配置第3端電極7的兩側(cè)面)的方式分別引出，作為引出導(dǎo)體發(fā)揮功能。各第1電極部分35通過第2電極部分37與第3端電極7電連接。第2電極部分37與第1電極部分35形成為一體。
如圖9所示，在變阻器層27上，第2內(nèi)部電極23之間也可以相互電絕緣地具有規(guī)定的間隔。此時，各第2電極部分37，如圖9所示，從各第1電極部分35起以露出于素體1的側(cè)面(配置第3端電極7的兩側(cè)面)的方式分別引出。
在電涌吸收部20中，由第1電極部分31、第1電極部分35、變阻器層25、27中的第1電極部分31和第1電極部分35中重疊的區(qū)域，構(gòu)成一個變阻器。
如上，在本第2實施方式中，與第1實施方式同樣，可以保護半導(dǎo)體裝置等免受高壓靜電，同時，對高速信號的阻抗匹配更加優(yōu)異。
在本第2實施方式中，分別具有多個第1端電極3、第2端電極5、第3端電極7、第1內(nèi)部導(dǎo)體11、第2內(nèi)部導(dǎo)體13、第1內(nèi)部電極21、以及第2內(nèi)部電極23。由此，可以實現(xiàn)成為陣列狀的電涌吸收元件SA2。
(第3實施方式)下面，根據(jù)圖10，說明第3實施方式的電涌吸收元件的結(jié)構(gòu)。圖10是用于說明第3實施方式的電涌吸收元件中所含的素體的結(jié)構(gòu)的分解立體圖。第3實施方式的電涌吸收元件，關(guān)于電容器部40的結(jié)構(gòu)方面與第1實施方式的電涌吸收元件SA1不同。
第3實施方式的電涌吸收元件，與圖1所示的電涌吸收元件SA1同樣，具備素體1、第1端電極3、第2端電極5、第3端電極7以及外部導(dǎo)體9。素體1，如圖10所示，具有電感器部10、電涌吸收部20以及電容器部40。素體1呈現(xiàn)從圖中下方起依次層疊有電涌吸收部20、電感器部10、電容器部40以及保護層50的結(jié)構(gòu)。
電容器部40具有第3內(nèi)部電極41和第4內(nèi)部電極43。電容器部40通過層疊形成有第3內(nèi)部電極41的絕緣體層45和形成有第4內(nèi)部電極43的絕緣體層47而構(gòu)成。
第3內(nèi)部電極41包括第1電極部分41a和第2電極部分41b。第1電極部分41a，從絕緣體層45、47的層疊方向看，與后述的第4內(nèi)部電極43的第1電極部分43a相互重疊。第1電極部分41a呈大致矩形狀。第2電極部分41b從第1電極部分41a起以露出于素體1的一個端面(配置第1端電極3的端面)的方式引出，作為引出導(dǎo)體發(fā)揮功能。第1電極部分41a通過第2電極部分41b與第1端電極3電連接。第2電極部分41b與第1電極部分41a形成為一體。
第4內(nèi)部電極43包括第1電極部分43a和第2電極部分43b。第1電極部分43a，從絕緣體層45、47的層疊方向看，與第3內(nèi)部電極41的第1電極部分41a相互重疊。第1電極部分43a呈大致矩形狀。第2電極部分43b從第1電極部分43a起以露出于素體1的另一個端面(配置第2端電極5的端面)的方式引出，作為引出導(dǎo)體發(fā)揮功能。第1電極部分43a通過第2電極部分43b與第2端電極5電連接。第2電極部分43b與第1電極部分43a形成為一體。
第3內(nèi)部電極41的第1電極部分41a與第4內(nèi)部電極43的第1電極部分43a電容耦合，由第3內(nèi)部電極41與第4內(nèi)部電極43形成電容成分61。由此，電容器部40具有連接在第1端電極3和第2端電極5之間的電容成分61。
各絕緣體層45、47分別為由陶瓷材料形成的層。絕緣體層45、47的構(gòu)成材料沒有特別限定，可以應(yīng)用各種陶瓷材料等，但從降低與上述層疊結(jié)構(gòu)的剝離的觀點出發(fā)，優(yōu)選含ZnO作為主要成分的材料。
如上，在本第3實施方式中，與第1實施方式同樣，可以保護半導(dǎo)體裝置等免受高壓靜電，同時，對高速信號的阻抗匹配更加優(yōu)異。
(第4實施方式)下面，根據(jù)圖11，說明第4實施方式的電涌吸收元件的結(jié)構(gòu)。圖11是用于說明第4實施方式的電涌吸收元件中所含的素體的結(jié)構(gòu)的分解立體圖。第4實施方式的電涌吸收元件，關(guān)于電感器部10以及電涌吸收部20的結(jié)構(gòu)方面與第2實施方式的電涌吸收元件SA2不同。
第4實施方式的電涌吸收元件與圖7所示的電涌吸收元件SA2同樣，分別具備多個(本實施方式中為2個)素體1、第1端電極3、第2端電極5、第3端電極7以及外部導(dǎo)體9。
電感器部10分別具備多個(本實施方式中為2層)形成有第1內(nèi)部導(dǎo)體11的電感器層15和形成有第2內(nèi)部導(dǎo)體13的電感器層17。電感器部10通過逐層對應(yīng)地層疊電感器層15和電感器層17而構(gòu)成。
電感器部10具備沒有形成內(nèi)部導(dǎo)體的多個(本實施方式中為2層)絕緣層(虛(dummy)層)19。絕緣體層19位于由電感器層15和電感器層17構(gòu)成的第1電感器層對與由電感器層15和電感器層17構(gòu)成的第2電感器層對之間。絕緣體層19為用于抑制形成在構(gòu)成第1電感器層對的電感器層17上的第2內(nèi)部導(dǎo)體13與形成在構(gòu)成第2電感器層對的電感器層15上的第1內(nèi)部導(dǎo)體11的極性反相耦合的層。絕緣體層19的構(gòu)成材料沒有特別限定，可應(yīng)用各種陶瓷材料等，但從降低與上述層疊結(jié)構(gòu)的剝離的觀點出發(fā)，優(yōu)選與電感器層15、17同樣含有ZnO作為主要成分的材料。
電感器部10位于多個(本實施方式中為2層)絕緣體層50(虛層)和沒有形成內(nèi)部導(dǎo)體的多個(本實施方式中為2層)絕緣體層(虛層)51之間。沒有形成內(nèi)部導(dǎo)體的絕緣體層(虛層)也可以位于構(gòu)成第1電感器層對的電感器層15和電感器層17之間。沒有形成內(nèi)部導(dǎo)體的絕緣體層(虛層)也可以位于構(gòu)成第2電感器層對的電感器層15和電感器層17之間。
第4實施方式的電涌吸收元件，與第2實施方式的電涌吸收元件SA2相比較，素體1的長度和寬度相同，即電感器層15、17的面積相同時，可以較大設(shè)定根據(jù)第1內(nèi)部導(dǎo)體11以及第2內(nèi)部導(dǎo)體13的線圈面積。其結(jié)果是，第4實施方式的電涌吸收元件，與第2實施方式的電涌吸收元件SA2相比較，可以增大電感系數(shù)(電感值)。
電涌吸收部20分別具有多個(在本實施方式中為2個)第1內(nèi)部電極21和第2內(nèi)部電極23。沒有形成內(nèi)部導(dǎo)體的多個絕緣體層(虛層)51、28位于電感器部10和電涌吸收部20之間。電涌吸收部20位于沒有形成內(nèi)部導(dǎo)體的多個絕緣體層(虛層)28和沒有形成內(nèi)部導(dǎo)體的多個絕緣體層(虛層)29之間。絕緣體層28、29的構(gòu)成材料沒有特別限定，可應(yīng)用各種陶瓷材料等，從降低與上述層疊結(jié)構(gòu)的剝離的觀點出發(fā)，優(yōu)選與變阻器25、27同樣含有ZnO作為主要成分的材料。沒有形成內(nèi)部導(dǎo)體的絕緣體層(虛層)也可以位于變阻器層25和變阻器層27之間。
在變阻器層25上，第1內(nèi)部電極21之間相互電絕緣地具有規(guī)定的間隔。在變阻器層27上，第2內(nèi)部電極23之間相互電絕緣地具有規(guī)定的間隔。各第1內(nèi)部電極21包括第1電極部分31和第2電極部分33。各第2內(nèi)部電極23包括第1電極部分35和第2電極部分37。從變阻器層25、27的層疊方向看，第1電極部分31與第1電極部分35相互重疊。第1電極部分31與第1電極部分35分別呈大致梯形狀。
第4實施方式的電涌吸收元件，與第2實施方式的電涌吸收元件SA2相比較，第1電極部分31與第1電極部分35相互重疊的部分的面積設(shè)定得較大。由此，可實現(xiàn)低等價串聯(lián)電阻(ESR)化和低等價串聯(lián)電感(ESL)化。第1內(nèi)部電極21之間的上述規(guī)定的間隔，考慮第1內(nèi)部電極21之間的串?dāng)_，設(shè)定為可以抑制該串?dāng)_的發(fā)生的值。第2內(nèi)部電極23之間的上述規(guī)定的間隔，也考慮第2內(nèi)部電極23之間的串?dāng)_，設(shè)定為可以抑制該串?dāng)_的發(fā)生的值。
如上，在本第4實施方式中，與第1實施方式同樣，可以保護半導(dǎo)體裝置等免受高壓靜電，同時，對高速信號的阻抗匹配更加優(yōu)異。
在本第4實施方式中，分別具有多個第1端電極3、第2端電極5、第3端電極7、第1內(nèi)部導(dǎo)體11、第2內(nèi)部導(dǎo)體13、第1內(nèi)部電極21、以及第2內(nèi)部電極23。由此，可以實現(xiàn)形成陣列狀的電涌吸收元件。
下面，根據(jù)圖12，說明第4實施方式的電涌吸收元件的變形例的結(jié)構(gòu)。圖12是用于說明第4實施方式的電涌吸收元件的變形例中所含的素體的結(jié)構(gòu)的分解立體圖。
第4實施方式的變形例的電涌吸收元件，如圖12所示，兩個第2內(nèi)部電極23用連接導(dǎo)體39電連接。連接導(dǎo)體39與兩個第2內(nèi)部電極23形成為一體。由此，在連接有各第2內(nèi)部電極23的端電極(未圖示)上形成電鍍層(例如，Ni鍍層以及Sn鍍層)時，兩個第2內(nèi)部電極23為同電位。其結(jié)果是，在各端電極上形成的電鍍層的厚度為大致均勻。端電極與第1端電極3、第2端電極5、第3端電極7以及外部導(dǎo)體9同樣，可以以Ag為主要成分。
以上，對本發(fā)明的最佳實施方式進行了說明，但本發(fā)明并不一定限定于上述實施方式，在不脫離其宗旨的范圍內(nèi)可以有各種變化。
本發(fā)明的電涌吸收元件，若能構(gòu)成上述等價電路和與之有同等的功能的電路，就可以任意變化其層疊結(jié)構(gòu)和電極等的形成位置。即，雖然在上述實施方式中例示了在層疊方向并設(shè)一個電涌吸收部20和一個電感器部10的結(jié)構(gòu)，但也可以形成例如在一對電涌吸收部20之間夾著電感器部10的結(jié)構(gòu)。另外，也可以任意變更端電極3～7以及外部導(dǎo)體9的位置關(guān)系。在具有這些結(jié)構(gòu)的情況下，也可以得到上述效果優(yōu)異的電涌吸收元件SA1。
雖然在本實施方式中，使用變阻器63作為電涌吸收部20，但并不限于此。作為電涌吸收部20，也可以使用電容器，PN結(jié)(例如，齊納二極管，或，硅電涌箝位器(silicone surge clamper)等)、間隙放電元件(參照圖13)等。
電感器部10、電涌吸收部20、電容器部40以及保護層50的各層疊數(shù)，并不限定于上述實施方式。即，例如，也可以通過反復(fù)層疊形成有內(nèi)部導(dǎo)體的電感器層15、17，而進一步增加在線圈圖案中的繞數(shù)。另外，也可以進一步反復(fù)層疊形成有內(nèi)部電極的變阻器層25、27。這些層疊數(shù)，可以適當(dāng)調(diào)整為符合所希望的電涌吸收元件的特性。
另外，若在電涌吸收元件的電感器部10中層疊內(nèi)部導(dǎo)體，在構(gòu)成電感器層15、17的材料具有高介電常數(shù)時，在層疊方向上相鄰的內(nèi)部導(dǎo)體耦合，在該內(nèi)部導(dǎo)體間產(chǎn)生寄生電容。所以，在電感器部10中層疊有內(nèi)部導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)中，特別是，有難以應(yīng)用于高頻率用途的傾向。從這樣的觀點出發(fā)，電感器層15、17優(yōu)選其介電常數(shù)低，具體優(yōu)選比介電常數(shù)在50以下。
根據(jù)以上說明的本發(fā)明，顯而易見地本發(fā)明可作多種方式的變化。不能認(rèn)為這些變化超出了本發(fā)明的宗旨和范圍，并且所有這些對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員顯而易見的修改都被認(rèn)為包括在以下權(quán)利要求的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種電涌吸收元件，其特征在于，具備第1端電極，第2端電極，第3端電極，電感器部，該電感器部具有相互極性反相耦合的第1內(nèi)部導(dǎo)體和第2內(nèi)部導(dǎo)體，所述第1內(nèi)部導(dǎo)體的一端與所述第1端電極連接，所述第2內(nèi)部導(dǎo)體的一端與所述第2端電極連接，所述第1內(nèi)部導(dǎo)體的另一端與所述第2內(nèi)部導(dǎo)體的另一端連接，電涌吸收部，該電涌吸收部具有連接在所述第1內(nèi)部導(dǎo)體和所述第2內(nèi)部導(dǎo)體的連接點上的第1內(nèi)部電極、以及連接在所述第3端電極上的第2內(nèi)部電極，以及電容器部，該電容器部具有連接在所述第1端電極和所述第2端電極之間的電容成分。
2.如權(quán)利要求1所述的電涌吸收元件，其特征在于，所述電容器部具有的電容成分，由所述第1內(nèi)部導(dǎo)體和所述第2內(nèi)部導(dǎo)體形成。
3.如權(quán)利要求1所述的電涌吸收元件，其特征在于，所述電容器部具有連接在所述第1端電極上的第3內(nèi)部電極和連接在所述第2端電極上的第4內(nèi)部電極，所述電容器部具有的電容成分，由所述第3內(nèi)部電極和所述第4內(nèi)部電極形成。
4.如權(quán)利要求1所述的電涌吸收元件，其特征在于，所述電感器部通過層疊形成有所述第1內(nèi)部導(dǎo)體的電感器層和形成有所述第2內(nèi)部導(dǎo)體的電感器層而構(gòu)成，所述電涌吸收部通過層疊形成有所述第1內(nèi)部電極的變阻器層和形成有所述第2內(nèi)部電極的變阻器層而構(gòu)成，所述第1內(nèi)部導(dǎo)體和所述第2內(nèi)部導(dǎo)體含有從所述電感器層的層積方向看相互重合的區(qū)域，所述第1內(nèi)部電極和所述第2內(nèi)部電極含有從所述變阻器層的層積方向看相互重合的區(qū)域。
5.如權(quán)利要求4所述的電涌吸收元件，其特征在于，所述各變阻器層，以ZnO為主要成分，作為添加物含有選自稀土類和Bi的至少一種元素、Co，所述各電感器層，以ZnO為主要成分，實質(zhì)上不含Co。
6.如權(quán)利要求1所述的電涌吸收元件，其特征在于，所述電感器部還具備包括所述電涌吸收部和所述電容器部的素體，所述第1端電極、所述第2端電極以及所述第3端電極配置在所述素體的外表面，所述第1內(nèi)部導(dǎo)體的另一端、所述第2內(nèi)部導(dǎo)體的另一端以及所述第1內(nèi)部電極，通過配置在所述素體的外表面的外部導(dǎo)體連接。
7.如權(quán)利要求1所述的電涌吸收元件，其特征在于，所述第1端電極為輸入端電極，所述第2端電極為輸出端電極，所述第1內(nèi)部導(dǎo)體和所述第2內(nèi)部導(dǎo)體正耦合。
8.如權(quán)利要求1所述的電涌吸收元件，其特征在于，分別具有多個所述第1端電極、所述第2端電極、所述第3端電極、所述第1內(nèi)部導(dǎo)體、所述第2內(nèi)部導(dǎo)體、所述第1內(nèi)部電極、以及所述第2內(nèi)部電極。
全文摘要
本發(fā)明提供一種電涌吸收元件，它具備第1端電極、第2端電極、第3端電極、電感器部、電涌吸收部和電容器部。電容器部具有相互極性反相耦合的第1內(nèi)部導(dǎo)體和第2內(nèi)部導(dǎo)體。第1內(nèi)部導(dǎo)體的一端與第1端電極連接。第2內(nèi)部導(dǎo)體的一端與第2端電極連接。第1內(nèi)部導(dǎo)體的另一端與第2內(nèi)部導(dǎo)體的另一端連接。電涌吸收部具有連接在第1內(nèi)部導(dǎo)體和第2內(nèi)部導(dǎo)體的連接點上的第1內(nèi)部電極，和連接在第3端電極上的第2內(nèi)部電極。電容器部具有連接在第1端電極和第2端電極之間的電容成分。
文檔編號H03H7/01GK1893267SQ20061009576
公開日2007年1月10日 申請日期2006年7月4日 優(yōu)先權(quán)日2005年7月4日
發(fā)明者松岡大, 寺田祐二, 森合克成 申請人:Tdk株式會社