專利名稱：電子開關(guān)設(shè)備，尤其是斷路器，及其相關(guān)操作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種根據(jù)權(quán)利要求1前序部分所述的電子開關(guān)設(shè)備，尤其是一種斷路器。此外，本發(fā)明還涉及所述開關(guān)設(shè)備的相關(guān)操作方法。
背景技術(shù)：
眾所周知，交流電的通斷通常用的是機(jī)電和電子開關(guān)設(shè)備。機(jī)電開關(guān)設(shè)備有正常工作條件下的通斷用開關(guān)設(shè)備(“接觸器”)和短路斷開用開關(guān)設(shè)備(“斷路器”)之分?？梢暰唧w的保護(hù)方案而定用斷路器或接觸器切斷過載。
實(shí)踐中用的電子開關(guān)設(shè)備建立在晶閘管技術(shù)基礎(chǔ)上，且只適用于正常工作條件下的通斷或過載斷路。與此同時(shí)，功率半導(dǎo)體逐漸受到關(guān)注其中，尤其是將兩個(gè)反向串聯(lián)的碳化硅面結(jié)型場效應(yīng)晶體管(碳化硅JFET，SiC-JFET)和硅門極絕緣型場效應(yīng)晶體管(硅MOSFET，SI-MOSFET)組合起來的所謂的“共射-共基”是已知的最新發(fā)展技術(shù)。
本發(fā)明的目的是一種電子斷路器，其不僅適用于正常工作條件下的過載斷路，也適用于短路斷開。其中，迄今所用的電子斷路器將具有新的擴(kuò)展功能。
電子斷路器必須具有下列功能/開關(guān)特性(接通，斷開)-瞬時(shí)接通-必要時(shí)的相控接通-瞬時(shí)工作斷開，例如針對電阻負(fù)載-電流過零時(shí)斷開正常工作條件下和過載情況下，特別是由于切斷大感抗，例如電動(dòng)機(jī)-共射-共基短路保護(hù)即時(shí)斷開-共射-共基過載保護(hù)與電子斷路器的過載保護(hù)相一致-可能情況下的支路過載保護(hù)與電動(dòng)機(jī)和導(dǎo)線的過載保護(hù)相一致-電子斷路器的過壓保護(hù)-電位隔離控制-電位隔離狀態(tài)信息-在開關(guān)電位上供電其中，真正具有斷路功能的元件是一由上文提及的碳化硅JFET和硅MOSFET組合構(gòu)成的反向串聯(lián)共射-共基電路，圖1對其進(jìn)行了詳細(xì)圖示，此外，下文中也將對其進(jìn)行詳細(xì)說明。
如圖1所示的現(xiàn)有技術(shù)中的電路只能實(shí)現(xiàn)以下功能-瞬時(shí)接通，和
-瞬時(shí)斷開。
上文所述的其他功能則無法用該電路實(shí)現(xiàn)。
結(jié)合一軟起動(dòng)器控制部件中或一過載保護(hù)單元中的其他相，可實(shí)現(xiàn)“相控接通”功能和“過載保護(hù)支路”功能，所述過載保護(hù)單元可保護(hù)用電設(shè)備(電動(dòng)機(jī)保護(hù))和例如為導(dǎo)線的工作構(gòu)件。這種單元已應(yīng)用在帶晶閘管的軟起動(dòng)器中，就其本身而言屬于當(dāng)前技術(shù)水平。
因此除“瞬時(shí)接通”和“瞬時(shí)斷開”外，單相中的附加電路必須實(shí)現(xiàn)下列功能-電流過零時(shí)斷開-共射-共基短路保護(hù)-共射-共基過載保護(hù)-過壓保護(hù)-電位隔離控制-電位隔離狀態(tài)信息-在開關(guān)電位上供電。
帶晶閘管的設(shè)備(如上文所述)適合用作電流閥。晶閘管開關(guān)設(shè)備由一控制電位上的控制部件和主電壓電位上的開關(guān)元件構(gòu)成。視具體設(shè)備而定可在控制部件中存儲(chǔ)以下功能/開關(guān)特性-瞬時(shí)接通-相控接通(所謂的“軟起動(dòng)”)-在下一次電流過零時(shí)通過晶閘管正常斷開-電源部分過載保護(hù)-支路過載保護(hù)-電位隔離控制-電位隔離狀態(tài)信息，這一功能目前只能在上級控制設(shè)備中實(shí)現(xiàn)。
正常工作條件下和過載情況下的電流過零時(shí)斷開通過晶閘管的組件特性而實(shí)現(xiàn)。如果設(shè)備不受一上級開關(guān)元件的保護(hù)，就會(huì)由于短路而毀壞。
現(xiàn)有技術(shù)中的有關(guān)電子斷路器的方案可參見DE 19612216 A1和US 5216352 A。其中使用了晶體管。
上述功能通過單個(gè)的功能單元實(shí)現(xiàn)。通常需要記錄電流瞬時(shí)值，該值可通過下列方法之一進(jìn)行記錄-電流測量通過轉(zhuǎn)換器、分流器和半導(dǎo)體中的電流反射鏡而實(shí)現(xiàn)。
-電流過零時(shí)斷開通過借助比較器和發(fā)送到共射-共基上的相應(yīng)信號來分析電流信號而實(shí)現(xiàn)。
-共射-共基短路保護(hù)進(jìn)行“UCE”監(jiān)控或電流瞬時(shí)值監(jiān)控。為此使用TOK(TolerantesOrtskurven-Kriterium，容許軌跡標(biāo)準(zhǔn))規(guī)定的已知方法，或通過測試脈沖來防止短路接通。
-共射-共基過載保護(hù)通過延時(shí)電流分析/短時(shí)過載特性曲線、各種加熱模型、用于長時(shí)過載保護(hù)的溫度傳感器而實(shí)現(xiàn)。
-過壓保護(hù)通過箝位、齊納二極管和壓敏變阻器而實(shí)現(xiàn)。
-電位隔離控制、電位隔離狀態(tài)信息通過光耦合器和必要時(shí)用作IC的變換器，以及通過L和N之間的R/C分壓器而實(shí)現(xiàn)。在供電基礎(chǔ)上借助脈沖寬度調(diào)制對信號傳輸進(jìn)行調(diào)諧；也可借助MR耦合器。
-在開關(guān)電位上供電可以使用來自L-N或L-L的阻抗/二極管由L-N或L-L進(jìn)行轉(zhuǎn)換，必要時(shí)采用人工星點(diǎn)通過L和N之間的R/C分壓器，通過短時(shí)斷開的半導(dǎo)體開關(guān)元件和電容器充電，使用電流/電壓轉(zhuǎn)換器信號、例如Burr Brown的DC/DC轉(zhuǎn)換器、例如為變壓器的AC/DC轉(zhuǎn)換器，壓電變換器產(chǎn)生的超聲，光學(xué)方面借助光導(dǎo)體/光電管，加熱元件/熱電偶組合。
此外，DE 10062026 A1中公開了一種電子開關(guān)設(shè)備，其包括一用于施加工作電壓的工作電路，所述工作電路中存在斷路構(gòu)件，所述斷路構(gòu)件會(huì)在危險(xiǎn)情況下充分利用工作電流或工作電壓中的能量來自動(dòng)使開關(guān)元件進(jìn)入斷開狀態(tài)。為此存在一SiC-JFET。而DE 19600807 A1中則存在一包括至少一個(gè)功率晶體管的智能型分離式半橋功率模塊，其中，所述功率晶體管由一過壓端和去飽和檢測回路保護(hù)。其中，每個(gè)功率晶體管均分配有一隔離變壓器，所述隔離變壓器的初級繞組和一與其分離的控制通信接口相連。其中，功率晶體管的柵極控制裝置連接在變壓器的次級繞組上。最后，DE 69124740 T2中公開了一種單片式電流控制中斷系統(tǒng)，這個(gè)系統(tǒng)借助一適用的微處理器控制裝置在能量可忽略不計(jì)的電流過零時(shí)在必要時(shí)進(jìn)行斷路。
上述電路只有在具有極其復(fù)雜的構(gòu)造的情況下才能實(shí)現(xiàn)斷路器的功能。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是提供一種開關(guān)設(shè)備，借助所述開關(guān)設(shè)備可特別實(shí)現(xiàn)斷路器的功能。
根據(jù)本發(fā)明，這個(gè)目的通過一種符合開篇所述類型的、且具有權(quán)利要求1所述的全部特征的開關(guān)設(shè)備而達(dá)成。權(quán)利要求10涉及的是相關(guān)操作方法。從屬權(quán)利要求涉及的是改進(jìn)方案。
本發(fā)明涉及的是一碳化硅面結(jié)型場效應(yīng)晶體管、一門極絕緣型場效應(yīng)晶體管以及一晶閘管的專門組合，所述門極絕緣型場效應(yīng)晶體管為一稱作智能功率門極絕緣型場效應(yīng)晶體管(Smart Power MOSFET，智能功率MOSFET，SPM)，所述晶閘管具有附屬控制部件，其中，所述晶閘管與所述SPM并聯(lián)，存在一獨(dú)立的邏輯電路，所述邏輯電路用于協(xié)調(diào)SPM和晶閘管電路。


下面借助附圖所示的實(shí)施例以及聯(lián)系

和權(quán)利要求對本發(fā)明的其他細(xì)節(jié)部分和優(yōu)點(diǎn)進(jìn)行說明，其中圖1為一現(xiàn)有技術(shù)中的反向串聯(lián)共射-共基電路的原理圖；圖2為一開關(guān)電路布置的半個(gè)部分，所述開關(guān)電路布置將一SiC-JFET專門與一SPM及其附屬邏輯電路組合在一起；圖3為SiC-JFET的特性曲線與SPM的特性輸出曲線圖；圖4為圖2所示的邏輯電路中的程序運(yùn)行過程；圖5為帶有晶閘管和相應(yīng)過渡的碳化硅共射-共基的開關(guān)工作狀態(tài)；圖6至圖9為SPM和晶閘管在不同開關(guān)工作狀態(tài)下的電流特性曲線；以及圖10為故障識(shí)別示意圖。
具體實(shí)施例方式
圖1顯示的是一現(xiàn)有技術(shù)中的反向串聯(lián)共射-共基電路。其由兩個(gè)分別與一硅MOSFET2和2′相連的SiC-JFET1和1′構(gòu)成。其中，元件1、2和1′、2′構(gòu)成一反向串聯(lián)的串聯(lián)布置。存在一阻塞二極管3和3′。二極管4和4′反向接收電流。
圖2為一具有過載保護(hù)功能的基于晶閘管的軟起動(dòng)器控制部件，其組合有一所謂的SPM(SmartPowerMOSFET，智能功率MOSFET)。其中，圖2只顯示了一半電路。整個(gè)電路必須采取如圖1所示的反向串聯(lián)連接方式，從而特別構(gòu)成一交流電壓開關(guān)。
具體而言，圖2中的參考符號1仍表示圖1中的SiC-JFET。SPM整體而言用20表示。此外還存在一具有一附屬控制部件30的晶閘管9。通過一邏輯模塊10可確保SPM 20與晶閘管9共同起作用。借此可通過邏輯模塊10由軟件將SPM 20的功能與晶閘管9聯(lián)系起來。
在圖2中，電流以如圖1所示的阻斷方向流過二極管4。一壓敏變阻器8用于過壓保護(hù)。
圖2中還存在二極管24和24′、電阻器25和25′、一電容器26與一用作限壓器的齊納二極管27。這種線路布置是現(xiàn)有技術(shù)的一部分。
SPM是配有一附加的邏輯電路、且多數(shù)情況下配有一溫度和電流傳感器的MOSFET。通常也會(huì)發(fā)送狀態(tài)信息來報(bào)告故障情況，例如短路或過載。對電流信號進(jìn)行分析后即時(shí)斷開短路，或?qū)㈦娏飨拗圃谝辉试S值上。通過SiC-JFET和SPM的精細(xì)調(diào)諧，SiC-JFET也能受到SPM的過載和短路保護(hù)。
SPM作為瞬時(shí)接通和瞬時(shí)斷開式開關(guān)時(shí)的作用是短路保護(hù)和限流，并可借助集成式溫度監(jiān)控功能起到共射-共基過載保護(hù)的作用。
通過圖2所示的開關(guān)電路布置可在盡可能不做改動(dòng)的情況下使用一在其他情況下未經(jīng)改動(dòng)的、基于晶閘管的電動(dòng)機(jī)控制設(shè)備的控制部件30，所述基于晶閘管的電動(dòng)機(jī)控制設(shè)備例如為一所謂的軟起動(dòng)器。
圖3為與電壓相關(guān)的電流示意圖。電壓UDS為橫坐標(biāo)，電流IDS為縱坐標(biāo)。33表示一SiC-JFET的一特性曲線，34表示一SPM的輸出特性曲線。參考符號35表示保護(hù)閾值。
如圖3所示，SPM的飽和電流IDS小于SiC-JFET的飽和電流IDS。在此情況下，當(dāng)達(dá)到SPM 20的飽和電流時(shí)，SPM的電壓UDS會(huì)迅速上升，SPM的短路保護(hù)或限流功能會(huì)開始發(fā)生作用，從而使SiC-JFET無法進(jìn)入一不允許的工作狀態(tài)(飽和)。同樣，當(dāng)SiC-JFET的發(fā)熱程度由于例如散熱器尺寸較大而低于SPM的發(fā)熱程度，或者當(dāng)SiC-JFET的熱穩(wěn)定性高于SPM的熱穩(wěn)定性時(shí)，SPM的溫度監(jiān)控功能可以保護(hù)SiC-JFET。
通過將晶閘管9與SPM 20并聯(lián)，可以實(shí)現(xiàn)在電流過零時(shí)的斷開，其中，邏輯電路10用于協(xié)調(diào)SPM 20和晶閘管9。邏輯電路或邏輯模塊中實(shí)施的執(zhí)行方案如圖4的流程所示，下文將借助流程圖對其進(jìn)行說明。所述流程圖的結(jié)構(gòu)非常清楚明了。
下面借助圖4對程序體系結(jié)構(gòu)100的開關(guān)工作狀態(tài)進(jìn)行說明在位置101上發(fā)出一啟動(dòng)指令。在一邏輯連接位置102之后是一切換指令103和位置104上的一判定。SPM 20在位置105上被接通，在位置106上檢測短路。若檢測出短路，則判定路徑沿標(biāo)有“是”的線路進(jìn)行，并在位置121上斷開SPM 20。隨后是一邏輯連接點(diǎn)107和緊接著的一切換指令108與一判定階段109。若檢測出短路，SPM則仍相應(yīng)地在位置121上被斷開。
如果沒有檢測出短路，則在判定菱形111中返回至107。
在位置112上接通一晶閘管，接通時(shí)間為Δt1。在位置113上，邏輯電路10識(shí)別短路。如果存在短路，則晶閘管電路如位置114所示被斷開，SPM 20如位置115所示在一時(shí)間間隔Δt4之后也被斷開。
如果不存在短路，則SPM 20如位置116所示在一時(shí)間間隔Δt2之后被斷開。在如位置117所示的判定菱形中，邏輯電路10識(shí)別出短路并如位置118所示通過路徑c將SPM 20接通。如果不存在短路，晶閘管控制電路30就會(huì)如位置120所示在過零后斷開。
如位置119所示，SPM 20在ΔT3之后斷開。程序運(yùn)行過程在點(diǎn)122處結(jié)束。
圖5借助狀態(tài)圖對主要的功能關(guān)系進(jìn)行了說明帶有SPM 20和晶閘管9的碳化硅共射-共基的開關(guān)工作狀態(tài)用圓圈表示，相應(yīng)的過渡用箭頭表示，狀態(tài)圖借此可清楚說明共同作用。位置51表示斷開的開關(guān)，也就是說，SPM20和晶閘管9在此處是不導(dǎo)電的。圓圈52表示閉合的開關(guān)。在此情況下，SPM 20閉合，而晶閘管9斷開。圓圈53表示閉合的開關(guān)，即，SPM 20閉合，而晶閘管9斷開。位置54表示開關(guān)在正常工作條件下的斷開，在此情況下，SPM 20斷開，晶閘管控制電路30開始工作。
四個(gè)位置51至54之間的過渡表示的是不同狀態(tài)之間的接通指令和短路識(shí)別等動(dòng)作例如從位置51指向位置52的箭頭表示接通指令。從位置52指向位置51的箭頭表示短路識(shí)別。從位置53指向位置51的箭頭表示電流如何從晶閘管9換向至SPM 20。從位置52指向位置54的箭頭表示斷開指令，其中，晶閘管9被觸發(fā)，SPM 20被斷開。從位置54指向位置53的箭頭表示短路識(shí)別，其中，SPM 20被接通。最后，從位置54指向位置51的箭頭表示晶閘管9在電流過零時(shí)斷開。
圖6至圖9顯示的是通過SPM 20實(shí)現(xiàn)接通，正常狀態(tài)下SPM 20中有電流流動(dòng)。通過SPM 20實(shí)現(xiàn)短路斷開。在此情況下，晶閘管不受控制。
圖6顯示的是圖4中的一條路徑所示的短路斷開措施。具體而言，i(t)-局部曲線圖a)至c)中的各i(t)分別表示控制61與總電流63(局部曲線圖a)、SPM控制64與SPM電流65(局部曲線圖b)和晶閘管控制與晶閘管電流(局部曲線圖c——空白)。箭頭62表示識(shí)別短路的時(shí)間點(diǎn)。通過SPM實(shí)現(xiàn)短路斷開。晶閘管不受控制。
圖7顯示的是正常工作條件下的過載斷路，其中，顯示有電流73、75和77的局部曲線圖a)至c)與圖6結(jié)構(gòu)相同。箭頭72表示斷開指令，時(shí)間箭頭79表示整流換向的時(shí)間點(diǎn)。
通過SPM實(shí)現(xiàn)接通。正常狀態(tài)下SPM中有電流流動(dòng)。在電流進(jìn)入允許的過流范圍時(shí)以及在此之前，通過晶閘管實(shí)現(xiàn)過零時(shí)的斷開。其中，先對晶閘管進(jìn)行控制，緊接著斷開SPM。在此情況下，電流會(huì)在過零時(shí)自動(dòng)消失。
如果在電流過零之前的斷開過程中出現(xiàn)短路，SPM不會(huì)向模塊10發(fā)送短路信號。邏輯電路通過UDS檢測而接收到短路斷開指令。邏輯電路隨后將SPM短時(shí)接通。當(dāng)電流換向至SPM時(shí)，SPM斷開，如果SPM采用較小的ON電阻器，則所述整流換向過程很快便會(huì)完成。整個(gè)過程只在短短幾μs內(nèi)即可完成。由于SiC-JFET非常堅(jiān)固，因此在這段時(shí)間內(nèi)不會(huì)受到損壞。形成一如圖8所示的過程，圖8的局部曲線圖中包括電流83、85和87、表示斷開指令的時(shí)間箭頭81和表示識(shí)別出短路的信號82。
短路斷開時(shí)會(huì)發(fā)生相應(yīng)的情況，其中，晶閘管9受控制，SPM 20導(dǎo)電。
圖9顯示的是晶閘管9接通時(shí)的短路斷開，其中，顯示有電流的各局部曲線圖a)至c)仍與圖6至圖8相對應(yīng)。91表示控制，時(shí)間箭頭92表示斷開指令，93表示總電流。94表示SPM控制，95表示SPM電流，96表示晶閘管控制，97表示經(jīng)晶閘管控制96之后的晶閘管電流97。時(shí)間箭頭98表示識(shí)別出短路。
整體而言，通過一光耦合器11、11′和通過壓敏變阻器8而實(shí)現(xiàn)的過壓保護(hù)形成對各單元的電位隔離控制。光耦合器11、11′和壓敏變阻器8在前文所述的圖2中分別表示為單個(gè)單元。此外還可設(shè)置一具有熱過載保護(hù)作用的溫度測量單元。
圖10顯示的是如何在復(fù)雜的故障情況時(shí)，也能通過光耦合器11、11′傳輸狀態(tài)信息。沒有故障時(shí)，發(fā)出的信號58為HIGH(“l(fā)ife zero”)，出現(xiàn)故障時(shí)，發(fā)出的信號表示為下降邊。隨后的位模式59表示故障類型。
在圖2中，在開關(guān)電位上借助一已知的供電設(shè)備(圖2所示的二極管24、24′，電阻器25、25′，電容器26，齊納二極管27)用電源電壓供電。其中，即使電子斷路器應(yīng)持續(xù)導(dǎo)電，但仍須存在一使開關(guān)不導(dǎo)電的最小點(diǎn)火角，來確保電容器的充電。
根據(jù)可選的接線方案，也可采用不使用壓敏變阻器、而是借助整個(gè)SPM20來進(jìn)行“箝位”的電路，這種方案得以實(shí)現(xiàn)的特別條件是柵極端子可以接觸。
借助一如圖2所示的布置和邏輯電路10的軟件式實(shí)現(xiàn)方案，整體而言可獲得以下優(yōu)點(diǎn)短路時(shí)瞬時(shí)斷開由于SPM的存在，便無需布置分立電路。通過調(diào)整SPM的短路保護(hù)功能，便無需設(shè)置單獨(dú)的保護(hù)功能。
在工作電流和過載電流過零時(shí)斷開。通過使用一晶閘管9，便無需使用帶有分離式電流測量單元的復(fù)雜的比較電路。通過共射-共基實(shí)現(xiàn)過載保護(hù)。通過調(diào)整SPM的過載保護(hù)功能，便無需為SiC-JFET設(shè)置單獨(dú)的保護(hù)功能。
圖2所示的控制電路30可在或多或少有所改動(dòng)的情況下用作一已知軟起動(dòng)器的一控制部件。形成一電位隔離控制與一電位隔離狀態(tài)信息。在開關(guān)電位上供電。
權(quán)利要求
1.一種電子開關(guān)設(shè)備，尤其是一種電子斷路器，其能實(shí)現(xiàn)以下開關(guān)功能瞬時(shí)接通，必要時(shí)也可相控接通，電流過零時(shí)瞬時(shí)正常斷開，也就是既在正常工作條件下也在過載情況下，作為短路保護(hù)的即時(shí)斷開，包括過載保護(hù)、必要時(shí)的支路過載保護(hù)和過壓保護(hù)，帶有隔離控制、隔離狀態(tài)信息和在開關(guān)電位上供電，其特征在于，一SiC-JFET(1，1′)與一MOSEFT(2，2′；20)以及至少一個(gè)晶閘管(9)的組合，所述MOSFET為一所謂SMP(智能功率MOSFET)，其中，所述晶閘管(9)與所述SPM(20)并聯(lián)連接，為所述SiC-JFET(1，1′)、SPM(20)以及帶有并聯(lián)連接晶閘管(9)的組合分配一邏輯電路(10)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子開關(guān)設(shè)備，其特征在于，為所述至少一個(gè)晶閘管分配一以電位方式去耦的控制單元(30)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子開關(guān)設(shè)備，其特征在于，結(jié)合所述晶閘管控制電路(30)中的其他相來實(shí)現(xiàn)“相控接通”和“過載保護(hù)/支路”功能。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子開關(guān)設(shè)備，其特征在于，所述晶閘管控制電路(30)實(shí)現(xiàn)一過載保護(hù)單元。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子開關(guān)設(shè)備，其特征在于，所述SPM(20)為瞬時(shí)接通、瞬時(shí)斷開提供短路保護(hù)、限流和過載保護(hù)功能。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電子開關(guān)設(shè)備，其中，所述SiC-JFET(1，1′)與所述MOSFET(2，2′；20)的組合中存在一控制電路(30)和附屬的邏輯電路(10)，所述MOSFET為SMP(智能功率MOSFET)，其特征在于，存在至少一個(gè)與所述SPM(20)并聯(lián)的、用于電流過零時(shí)斷開的晶閘管(9)，所述邏輯電路(10)用于協(xié)調(diào)所述SPM(20)和所述的至少一個(gè)晶閘管(9)。
7.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的電子開關(guān)設(shè)備，其特征在于，存在用于電位隔離的構(gòu)件(11，11′)，所述構(gòu)件尤其為光耦合器。
8.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的電子開關(guān)設(shè)備，其特征在于，存在用于過壓保護(hù)的構(gòu)件，所述構(gòu)件尤其為壓敏變阻器(8)。
9.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的電子開關(guān)設(shè)備，其特征在于，存在用于溫度測量和熱過載保護(hù)的構(gòu)件。
10.一種根據(jù)權(quán)利要求1或權(quán)利要求2至9中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的電子開關(guān)設(shè)備的操作方法，其特征在于，按一邏輯順序詢問狀態(tài)，并根據(jù)結(jié)果對所述SPM和/或所述晶閘管控制電路進(jìn)行控制。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的操作方法，其特征在于，首先接入所述SPM，隨后接入所述晶閘管控制電路。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的操作方法，其特征在于，所述邏輯順序以軟件方式進(jìn)行。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的操作方法，其特征在于，使用一具有過程控制功能的邏輯電路。
全文摘要
已知一種由兩個(gè)碳化硅JFET(1，1′)和兩個(gè)硅MOSFET(2，2′)構(gòu)成的反向串聯(lián)共射－共基電路。本發(fā)明涉及一種由所述JFET(1，1′)與一被稱為智能功率MOSFET的SPM(20)和一與所述SPM(20)并聯(lián)且?guī)в懈綄倏刂齐娐?30)的晶閘管(9)構(gòu)成的組合，其中，由一邏輯電路(10)協(xié)調(diào)功能順序。
文檔編號H03K17/567GK101019318SQ200580030974
公開日2007年8月15日 申請日期2005年9月19日 優(yōu)先權(quán)日2004年9月27日
發(fā)明者萊因哈德·梅爾, 于爾根·魯普, 邁克爾·施羅克 申請人:西門子公司