專利名稱：半導(dǎo)體開關(guān)的高頻控制的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體開關(guān)的控制，更具體地，涉及用于半導(dǎo)體開關(guān)的諧振驅(qū)動(dòng)電路的操作。特別地，本發(fā)明涉及一種用于驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體開關(guān)的諧振驅(qū)動(dòng)電路的操作方法，涉及一種控制電路，用于控制驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體開關(guān)的諧振柵驅(qū)動(dòng)電路，并且涉及一種用于半導(dǎo)體開關(guān)的電子驅(qū)動(dòng)電路。
背景技術(shù)：
在功率轉(zhuǎn)換器的領(lǐng)域中已知的是，耦合到功率MOSFET開關(guān)的類型的柵驅(qū)動(dòng)電路對(duì)功率轉(zhuǎn)換器的效率有非常重要的影響，特別是在高頻下。因此，開發(fā)了不同的驅(qū)動(dòng)器方案。柵驅(qū)動(dòng)功率損耗同開關(guān)頻率成比例，并且是MHz區(qū)域中的高效率功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中的主要限制。一種改善柵驅(qū)動(dòng)功率損耗的方法是使用諧振柵驅(qū)動(dòng)器，如D.Maksimovié的題為“A MOS gate drive with resonant transitions”(22ndAnnual IEEE Power Electronics Specialists’Conference(PESC)，June 23-27，1991，page 523-527)的文章中描述的。該文章描述了一種柵驅(qū)動(dòng)器，其在接通和切斷狀態(tài)下均在柵和源端之間提供具有低阻抗的準(zhǔn)方波柵-源電壓。功率MOS晶體管的等效柵電容在諧振電路中充電和放電，由此存儲(chǔ)在等效柵電容中的能量返回到驅(qū)動(dòng)器的功率電路中。
該諧振柵驅(qū)動(dòng)電路可以例如用于工作于高開關(guān)頻率下的具有MOSFET的功率電子裝置。這樣，它們可以例如用于開關(guān)電源(SMPS)中。而且，它們可以適用于具有關(guān)于尺寸、平坦度、EMI或動(dòng)力學(xué)的特殊要求的應(yīng)用，諸如用于數(shù)據(jù)處理器的電壓整流器模塊(VRM)、用于平面顯示器的SMPS和用于具有AM/FM調(diào)諧器的音頻裝置的SMPS。
在MHz區(qū)域中的或更高的高開關(guān)頻率下，MOSFET有效的和快速的驅(qū)動(dòng)變得更加重要。有效驅(qū)動(dòng)對(duì)于減少柵驅(qū)動(dòng)器損耗是必要的?？焖衮?qū)動(dòng)對(duì)于將功率晶體管的開關(guān)損耗保持在可接受的限度內(nèi)是必要的。
為了實(shí)現(xiàn)有效驅(qū)動(dòng)，諧振驅(qū)動(dòng)器的應(yīng)用變得越來越理想，其比例如，硬開關(guān)驅(qū)動(dòng)器更加有效。然而，已知的諧振驅(qū)動(dòng)器通常不能實(shí)現(xiàn)同硬開關(guān)驅(qū)動(dòng)器相同的開關(guān)速度，并且因此常常不適用于具有較高的開關(guān)頻率的應(yīng)用。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種用于驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體開關(guān)的諧振驅(qū)動(dòng)電路的快速和有效的操作。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，通過如權(quán)利要求1中敘述的一種用于驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體開關(guān)的諧振驅(qū)動(dòng)電路的操作方法，解決了上文的目的。該驅(qū)動(dòng)電路包括第一開關(guān)，其將電源連接到半導(dǎo)體開關(guān)的控制端；第二開關(guān)，其連接在地和半導(dǎo)體開關(guān)的控制端之間；和第三開關(guān)，其用于將半導(dǎo)體開關(guān)的控制端經(jīng)由電感連接到電位。根據(jù)本發(fā)明的該示例性實(shí)施例，通過在開始半導(dǎo)體開關(guān)的開關(guān)之前開關(guān)第三開關(guān)，對(duì)電感預(yù)充電。
有利地，由于電感的預(yù)充電，可以將較高的初始電流施加到半導(dǎo)體開關(guān)的控制端，這樣，有利地，可以提供半導(dǎo)體開關(guān)的快速的和有效的開關(guān)。該改進(jìn)的操作組合了有效的和快速的驅(qū)動(dòng)，其對(duì)于具有較高的開關(guān)頻率的應(yīng)用而言是必要的，例如MHz區(qū)域中的或更高的開關(guān)頻率。
根據(jù)如權(quán)利要求2中敘述的本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例，通過在開始開關(guān)半導(dǎo)體開關(guān)之前建立電感電流，執(zhí)行電感的預(yù)充電，根據(jù)如權(quán)利要求3中敘述的本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例，其是這樣完成的，即提供第一時(shí)間周期，在此期間接通第二和第三開關(guān)。根據(jù)本發(fā)明的該示例性實(shí)施例，提供了一種簡(jiǎn)單的和有效的方法，用于操作半導(dǎo)體開關(guān)的諧振驅(qū)動(dòng)電路。
權(quán)利要求4～7提供了本發(fā)明的另外的示例性實(shí)施例。
根據(jù)如權(quán)利要求8中敘述的本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例，提供了一種控制電路，用于控制驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體開關(guān)的諧振柵驅(qū)動(dòng)電路。該控制電路包括開關(guān)控制器，用于控制諧振柵驅(qū)動(dòng)電路的第一、第二和第三開關(guān)的開關(guān)，由此在開始半導(dǎo)體開關(guān)的開關(guān)之前對(duì)電感預(yù)充電。
權(quán)利要求9提供了根據(jù)本發(fā)明的控制電路的示例性實(shí)施例。
根據(jù)如權(quán)利要求10中敘述的本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例，提供了一種用于驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體開關(guān)的電子驅(qū)動(dòng)電路。
可被視為本發(fā)明的示例性實(shí)施例的要點(diǎn)的是，在開始半導(dǎo)體開關(guān)的開關(guān)之前，對(duì)諧振驅(qū)動(dòng)電路的電感預(yù)充電。這可以這樣執(zhí)行，即通過開關(guān)連接在地和半導(dǎo)體開關(guān)的控制端之間的開關(guān)，以及經(jīng)由電感將半導(dǎo)體開關(guān)的控制端連接到電容器的另一開關(guān)，由此提供了時(shí)間周期，在此期間這兩個(gè)開關(guān)都被接通。而且，通過提供第二時(shí)間周期，在此期間連接在電源和半導(dǎo)體開關(guān)的控制端之間的開關(guān)，以及經(jīng)由電感將半導(dǎo)體開關(guān)的控制端連接到地的開關(guān)被接通，可以提供非常有效的切斷。優(yōu)選地，如下面的本發(fā)明的示例性實(shí)施例的描述中將更加詳細(xì)描述的，可以增加執(zhí)行半導(dǎo)體開關(guān)的硬開關(guān)的諧振柵驅(qū)動(dòng)器的開關(guān)速度。而且，這些重疊的時(shí)間提供了電感中的額外的電流，由此每次轉(zhuǎn)變可以是純諧振的，其有利地可以避免高損耗和EMI不利地下拉到零。
有利地，這可以提供快速的和有效的，即功率有效的半導(dǎo)體開關(guān)(諸如例如，MOSFET)的操作，允許該電路應(yīng)用到用于數(shù)據(jù)處理器的VRM、用于平面顯示器的SMPS或者用于音頻裝置的SMPS。
通過參考下面描述的實(shí)施例，本發(fā)明的這些和其他的方面將變得更加清楚。
下面將通過參考附圖描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例


圖1示出了諧振柵驅(qū)動(dòng)電路的簡(jiǎn)化的電路圖，包括用于控制諧振柵驅(qū)動(dòng)電路的控制電路的示例性實(shí)施例。
圖2示出了時(shí)序圖，其中圖2左側(cè)的時(shí)序圖示出了理想化的開關(guān)方案和用于驅(qū)動(dòng)零電壓開關(guān)(ZVS)-MOSFET的重要狀態(tài)變量以及50％的占空周期，并且圖2右側(cè)的時(shí)序圖示出了在使用50％的占空周期驅(qū)動(dòng)硬開關(guān)MOSFET時(shí)可能出現(xiàn)的問題。
圖3示出了時(shí)序圖，其示出了根據(jù)本發(fā)明操作圖1所示的控制電路的方法的示例性實(shí)施例。
具體實(shí)施例方式
圖1示出了用于驅(qū)動(dòng)MOSFET 10，諸如功率MOSFET的諧振柵驅(qū)動(dòng)器的簡(jiǎn)化的電路圖。盡管針對(duì)驅(qū)動(dòng)MOSFET 10解釋了本發(fā)明的該示例性實(shí)施例，但是應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明同樣適用于大多數(shù)類型的電壓控制的半導(dǎo)體開關(guān)，諸如例如I GBT。而且，本發(fā)明還可以應(yīng)用于電流控制的半導(dǎo)體，諸如雙極型晶體管、閘流晶體管(thyristor)和三端雙向可控硅開關(guān)(triac)。參考數(shù)字22標(biāo)出了根據(jù)本發(fā)明的方法用于控制諧振柵驅(qū)動(dòng)電路的操作的控制電路的示例性實(shí)施例。
圖1中的參考數(shù)字2標(biāo)出了電源，其產(chǎn)生電源電壓Vcc。在電源電壓Vcc和MOSFET 10的控制端26即MOSFET 10的柵極之間，提供了由參考數(shù)字4標(biāo)出的第一開關(guān)T1。在柵極26和地，即電源2的“-”側(cè)之間，提供了由參考數(shù)字8標(biāo)出的第二開關(guān)T2。而且，柵極26經(jīng)由電感12、由參考數(shù)字6標(biāo)出的第三開關(guān)T3和由參考數(shù)字18標(biāo)出的電容CDC連接到地，即電源2的“-”側(cè)。在MOSFET 10的柵極26和源極端28之間提供的電容Cgs，其也連接到地，可以表示MOSFET 10的柵-源電容。優(yōu)選地，T1、T2是晶體管，諸如雙極型晶體管或MOSFET。優(yōu)選地，T3是能夠在兩個(gè)方向中連接和阻斷的雙向開關(guān)。T3可以通過例如兩個(gè)MOSFET的反串聯(lián)連接實(shí)現(xiàn)。
跨越電容CDC產(chǎn)生的電壓被稱為VDC，跨越電容CGS產(chǎn)生的電壓被稱為VGS，并且流過由參考數(shù)字12標(biāo)出的電感L1的電流被稱為IL。
而且，提供了與開關(guān)T1并聯(lián)的第一二極管D1，其由參考數(shù)字14標(biāo)出。而且，存在同開關(guān)T2并聯(lián)的第二二極管D2，其由參考數(shù)字16標(biāo)出。當(dāng)T1和T2是MOSFET開關(guān)時(shí)，第一和第二二極管D1和D2可以是T1和T2的本征體二極管。
用于控制驅(qū)動(dòng)MOSFET 10的諧振柵驅(qū)動(dòng)電路操作的控制電路22包括開關(guān)控制器24。根據(jù)本發(fā)明的該示例性實(shí)施例的一個(gè)方面，該開關(guān)控制器控制第一、第二和第三開關(guān)T1、T2和T3的開關(guān)，由此在開始MOSFET 10的接通之前對(duì)電感L1預(yù)充電。為此，控制電路連接到第一、第二和第三開關(guān)T1、T2和T3。特別地，為了開始MOSFET 10的接通，開關(guān)控制器24適于通過開關(guān)第二和第三開關(guān)T2和T3來執(zhí)行電感L1的預(yù)充電，由此提供了第一時(shí)間周期，在此期間第二和第三開關(guān)T2和T3接通。而且，在開始MOSFET 10的切斷之前，開關(guān)控制器24適于控制第一和第二開關(guān)T1和T3的開關(guān)，由此提供了第二時(shí)間周期，在此期間第一和第三開關(guān)T1和T3接通。
圖2的左側(cè)示出了對(duì)于理想的具有線性CGS并且沒有電流進(jìn)入反向轉(zhuǎn)移電容CDG的功率MOSFET，用于開關(guān)第一、第二和第三開關(guān)T1、T2和T3的可行的開關(guān)方案的時(shí)序圖。圖2的右側(cè)示出了時(shí)序圖，其示出了在沒有ZVS的情況下開關(guān)MOSFET 10時(shí)，即在具有50％的占空周期的硬開關(guān)條件下，圖1中可能出現(xiàn)的問題。
參考數(shù)字30標(biāo)出了示出第三開關(guān)T3的開關(guān)操作的時(shí)序圖。時(shí)序圖32示出了第一和第二開關(guān)T1和T2的開關(guān)操作。時(shí)序圖34示出了通過電感L1的電流IL，并且時(shí)序圖36示出了柵極26處的電壓。
如由時(shí)序圖30～36所獲得的，在同一點(diǎn)處進(jìn)行的第三開關(guān)T3的接通以及第二開關(guān)T2的切斷引起電流IL上升。同時(shí)，柵電壓VGS上升，并且最終達(dá)到VCC。這樣，MOSFET 10完全接通。此時(shí)，第三開關(guān)T3切斷，并且第一開關(guān)T1接通。
為了使MOSFET 10切斷，第一開關(guān)T1切斷并且同時(shí)第三開關(guān)T3接通，其引起電流IL沿相反方向流動(dòng)。因此，柵電壓VGS下降，最終使得MOSFET 10切斷。
圖2的右側(cè)的時(shí)序圖38～44示出了在將時(shí)序圖30～36中示出的開關(guān)方案應(yīng)用于圖1的諧振驅(qū)動(dòng)電路時(shí)，即MOSFET 10根據(jù)該方案進(jìn)行硬開關(guān)時(shí)，可能出現(xiàn)的問題。
時(shí)序圖38示出了第三開關(guān)T3的開關(guān)，時(shí)序圖40示出了開關(guān)T1和T2的開關(guān)。時(shí)序圖42示出了進(jìn)入柵極26的電流IG，并且時(shí)序圖44示出了柵電壓VGS。
如由時(shí)序圖40所獲得的，在tx處第三開關(guān)T3的切斷之前，并且在tx處第一開關(guān)T1實(shí)際的接通之前，T1呈現(xiàn)為是導(dǎo)通的(但并不是被接通的)，這是因?yàn)榇藭r(shí)電流可能流過與第一開關(guān)T1并聯(lián)的二極管D1。
在硬開關(guān)的MOSFET處，如時(shí)序圖38～44所示，時(shí)序圖44中示出的米勒平坦區(qū)通過使柵-源電容Cgs變?yōu)闃O為非線性的元件，損害了開關(guān)對(duì)稱性。
米勒平坦區(qū)是由必須流過柵極的關(guān)于柵-漏電容Cgd的重新加載的電流引起的。特別地，柵-漏電容Cgd和柵-源電容Cgs是電壓依賴的電容，并且因此電容值依賴于跨越諸如MOSFET的半導(dǎo)體器件的漏源、以及還跨越半導(dǎo)體器件的柵源的電壓而變化。Cgd的變化比Cgs更顯著，這僅僅因?yàn)榭缭狡涞碾妷罕瓤缭紺gs的電壓高很多。電容的這些變化對(duì)出現(xiàn)在器件柵極處的電壓，即柵電壓有影響。該影響被稱為米勒平坦區(qū)。根據(jù)Mohan等人的“Power Electronics，Converters，Applications and Design”(ISBN 0-471-58404-8)，該米勒平坦區(qū)在開關(guān)瞬間引起了關(guān)斷和導(dǎo)通的上升和下降時(shí)間，并且使得柵電壓變平坦，如時(shí)序圖44所示。
這導(dǎo)致了L1中的能量過剩，如時(shí)序圖42中在導(dǎo)通處指出的，以及在關(guān)斷過程中的能量缺乏。該線圈電流缺乏導(dǎo)致了高的損耗和緩慢的關(guān)斷。
由于具有過小能量的脈沖，如時(shí)序圖42所示，引起了浪費(fèi)的和困難的充電，其可能引起周圍的電子裝置中的EMI問題。而且，在圖2所示的驅(qū)動(dòng)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中可能出現(xiàn)的一個(gè)問題是，電感1使流入柵極的電荷減慢，并且因此柵電壓上升。
圖3示出了操作圖1所示的控制電路22，即根據(jù)本發(fā)明執(zhí)行第一、第二和第三開關(guān)T1、T2和T3的開關(guān)的方法的示例性實(shí)施例的時(shí)序圖50、52、54和56。
時(shí)序圖50示出了在第三開關(guān)T3處執(zhí)行的開關(guān)操作，并且因此示出了由開關(guān)控制器24控制的第三晶體管T3的開關(guān)操作。時(shí)序圖52示出了第一和第二開關(guān)T1和T2的開關(guān)操作，并且因此示出了由開關(guān)控制器24執(zhí)行的T1和T2的開關(guān)操作的控制。時(shí)序圖54示出了由于開關(guān)T1、T2和T3的開關(guān)操作引起的電流IL，并且時(shí)序圖54示出了或描繪了柵極26處產(chǎn)生的電壓VGS。
如由圖3可獲得的，根據(jù)本發(fā)明的該示例性實(shí)施例，在通過開關(guān)第二和第三開關(guān)T2和T3開始MOSFET 10的接通之前，執(zhí)行電感L1的預(yù)充電。特別地，在開始半導(dǎo)體開關(guān)的接通之前(時(shí)序圖54)，即在t2處的T2的切斷之前，通過建立電感電流IL，對(duì)電感L1預(yù)充電。換言之，提供了時(shí)間周期[t1；t2]，其中第二開關(guān)T2和第三開關(guān)T3接通。因此，在MOSFET 10的實(shí)際接通于t2處開始之前，在電感L1中建立電流IL。
而且，在通過第一開關(guān)T1的切斷開始t5處的MOSFET 10的實(shí)際的切斷之前，提供了另一時(shí)間周期[t4；t5]，在此期間第一和第三開關(guān)T1和T3接通。
換言之，根據(jù)本發(fā)明的該示例性實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)方案，分別在T2和T3和/或T1和T3之間提供了重疊時(shí)間。由此，在MOSFET 10的實(shí)際的開關(guān)動(dòng)作之前，建立了電感電流IL。
由此，有利地，高得多的初始電流對(duì)MOSFET 10的柵極充電，并且因此允許MOSFET 10的柵電容更快速的充電。而且，有利地，通過控制T2和T3和/或T1和T3之間的重疊時(shí)間的長(zhǎng)度，可由開關(guān)控制器24控制流入和流出CDC的電荷量。由此，有利地，可以控制或調(diào)節(jié)跨越CDC的電壓VDC。通過提供這些重疊時(shí)間而在L1中引起的額外的電流(時(shí)序圖54)，可以有利地使每次轉(zhuǎn)變，即MOSFET 10的每次開關(guān)可以是純諧振的，其避免了發(fā)生任何高損耗以及EMI不利地下拉到零。因此，避免了這樣的情況，即脈沖具有過小的能量以及浪費(fèi)的和困難的充電引起EMI問題，如時(shí)序圖42中所示。而且，根據(jù)本發(fā)明的該示例性實(shí)施例的一個(gè)方面，時(shí)序圖54中指出的電感L1中的額外能量在轉(zhuǎn)變之后恢復(fù)為VCC。而且，如由時(shí)序圖44和56的比較而獲得的，通過圖3所示的開關(guān)方案，可以有利地減少米勒平坦區(qū)的長(zhǎng)度。
根據(jù)本發(fā)明的該示例性實(shí)施例的另一方面，通過控制T2和T3和/或T1和T3之間的重疊時(shí)間，開關(guān)控制器24進(jìn)一步適于調(diào)節(jié)VDC使其僅稍高于閾值電壓VTH，對(duì)應(yīng)于米勒平坦區(qū)電平。由此，可以至少部分地改善接通和切斷的對(duì)稱性。
而且，根據(jù)本發(fā)明，有利地，可以將VDC控制為任何電平，這有助于避免(功率MOSFET的)柵極的浪費(fèi)的和困難的充電，并且同時(shí)有助于減少電感中額外存儲(chǔ)的電荷。在該方面，根據(jù)本發(fā)明，最優(yōu)的電壓是在Vth和0.5Vcc之間的范圍中。在已知的利用它們的電路和方法中，VDC依賴于功率MOSFET的占空周期，其可能是不利的。根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，有利地，可以使用如圖1所示的該諧振柵驅(qū)動(dòng)器，即使轉(zhuǎn)換器不具有恒定的50％的占空周期。換言之，根據(jù)本發(fā)明，轉(zhuǎn)換器可以在不同于50％的占空周期下操作。
權(quán)利要求
1.用于驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體開關(guān)的諧振驅(qū)動(dòng)電路的操作方法，其中驅(qū)動(dòng)電路包括第一開關(guān)，用于將電源連接到半導(dǎo)體開關(guān)的控制端；第二開關(guān)，其連接在地和半導(dǎo)體開關(guān)的控制端之間；和第三開關(guān)，用于將半導(dǎo)體開關(guān)的控制端經(jīng)由電感連接到電位，該方法包括步驟通過在開始半導(dǎo)體開關(guān)的開關(guān)之前開關(guān)第三開關(guān)，對(duì)電感預(yù)充電。
2.權(quán)利要求1的方法，其中通過在開始開關(guān)半導(dǎo)體的開關(guān)之前建立電感電流，對(duì)電感預(yù)充電。
3.權(quán)利要求2的方法，其中通過提供第一時(shí)間周期，在此期間接通第二和第三開關(guān)，從而建立電感電流。
4.權(quán)利要求2的方法，其中通過提供第二時(shí)間周期，在此期間接通第一和第三開關(guān)，從而建立電感電流。
5.權(quán)利要求4的方法，其中通過切斷第二開關(guān)和接通第三開關(guān)，執(zhí)行半導(dǎo)體開關(guān)的接通；并且其中通過切斷第一開關(guān)和接通第三開關(guān)，執(zhí)行半導(dǎo)體開關(guān)的切斷。
6.權(quán)利要求1的方法，其中通過第一、第二和第三開關(guān)的開關(guān)，控制電感和電容之間的連接處的電壓，由此其達(dá)到高于米勒平坦區(qū)電壓的最優(yōu)電壓。
7.權(quán)利要求1的方法，其中半導(dǎo)體開關(guān)是MOSFET或IGBT。
8.一種控制電路，用于控制驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體開關(guān)的諧振柵驅(qū)動(dòng)電路，其中驅(qū)動(dòng)電路包括第一開關(guān)，用于將電源連接到半導(dǎo)體開關(guān)的控制端；第二開關(guān)，其連接在地和半導(dǎo)體開關(guān)的控制端之間；和第三開關(guān)，用于將半導(dǎo)體開關(guān)的控制端經(jīng)由電感連接到電位，該控制電路包括開關(guān)控制器，用于控制第一、第二和第三開關(guān)的第一開關(guān)，由此在開始半導(dǎo)體開關(guān)的開關(guān)之前對(duì)電感預(yù)充電。
9.權(quán)利要求8的控制電路，其中，為了開始半導(dǎo)體開關(guān)的第二開關(guān)，通過提供第一時(shí)間周期，在此期間接通第二和第三開關(guān)，從而執(zhí)行電感的預(yù)充電；并且其中，為了開始半導(dǎo)體開關(guān)的第三開關(guān)，提供了第二時(shí)間周期，在此期間接通第一和第三開關(guān)。
10.用于驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體開關(guān)的電子驅(qū)動(dòng)電路，包括第一開關(guān)，用于將電源連接到半導(dǎo)體開關(guān)的控制端；第二開關(guān)，其連接在地和半導(dǎo)體開關(guān)的控制端之間；和第三開關(guān)，用于將半導(dǎo)體開關(guān)的控制端經(jīng)由電感連接到電位；其中電感通過在開始半導(dǎo)體開關(guān)的開關(guān)之前開關(guān)第三開關(guān)是可預(yù)充電的。
全文摘要
諧振柵驅(qū)動(dòng)電路提供了例如MOSFET的有效開關(guān)。然而，諧振柵驅(qū)動(dòng)電路的操作常常不允許其中需要高的開關(guān)頻率的應(yīng)用。根據(jù)本發(fā)明，執(zhí)行諧振柵驅(qū)動(dòng)電路的電感的預(yù)充電。這允許高度有效的和快速的MOSFET的操作。
文檔編號(hào)H03K17/00GK1849748SQ200480025681
公開日2006年10月18日 申請(qǐng)日期2004年8月25日 優(yōu)先權(quán)日2003年9月8日
發(fā)明者T·G·托勒, T·迪爾鮑姆, G·紹爾萊恩德, T·洛佩斯 申請(qǐng)人:皇家飛利浦電子股份有限公司