專利名稱：制造表面聲波器件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及表面聲波器件，更具體地，涉及一種具有減小的封裝尺寸的表面聲波器件，以及制造該器件的方法。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，表面聲波(在下文中稱為“SAW”)器件在移動(dòng)通信領(lǐng)域中得到了廣泛的應(yīng)用，并且特別是由于其出色的特性(例如高性能、小尺寸、以及大規(guī)模生產(chǎn)能力)，而經(jīng)常將其用于便攜式電話等。隨著半導(dǎo)體元件中被稱作CSP(芯片尺寸封裝)的小型封裝的推廣，根據(jù)SAW器件的分批式制造方法，考慮到便于減小器件尺寸和提高生產(chǎn)率，而引入了一種利用CSP技術(shù)的樹(shù)脂密封方法。
作為利用CSP技術(shù)的SAW器件，有在JP-A No.2002-184884、JP-ANo.2002-217219、JP-A No.2002-217220以及JP-A No.2002-314234中公開(kāi)的結(jié)構(gòu)(在下文中，這些結(jié)構(gòu)被稱作傳統(tǒng)技術(shù)1)。圖10表示在傳統(tǒng)技術(shù)1中公開(kāi)的CSP型SAW器件的結(jié)構(gòu)。圖10所示的SAW器件包括SAW芯片103，其具有用于使SAW產(chǎn)生振蕩的IDT和設(shè)置在位于圖10下方的壓電基板的主表面103a上的電極焊盤；以及安裝基板101，其具有設(shè)置在位于圖10上方的主表面101a上的連接焊盤102。設(shè)置在SAW芯片103的下表面上的電極焊盤和設(shè)置在安裝基板101上的連接焊盤102通過(guò)金屬凸點(diǎn)104導(dǎo)電地相互固定，并且位于圖10上方的SAW芯片103的主表面103b和SAW芯片103的側(cè)面覆蓋有樹(shù)脂片105，由此使得主表面103b與側(cè)面緊密接觸，從而在表面103a和表面101a之間形成氣密空間106。
下面將說(shuō)明制造該SAW器件的方法。在以倒裝芯片的方式(flip-chip)安裝了SAW芯片103和安裝基板101之后，將樹(shù)脂片105設(shè)置在SAW芯片103上，并將該樹(shù)脂片加熱到樹(shù)脂軟化溫度，使得樹(shù)脂片105變形，以與SAW芯片103和安裝基板101的輪廓一致地與SAW芯片103和安裝基板101的表面緊密接觸。在樹(shù)脂片105變形之后，進(jìn)一步進(jìn)行加熱以使樹(shù)脂片105能夠流動(dòng)，從而使得樹(shù)脂片附著在SAW芯片103和安裝基板101上，并通過(guò)固化樹(shù)脂片105來(lái)固定該樹(shù)脂片105的形狀。在固化樹(shù)脂片105時(shí)產(chǎn)生了收縮力，從而該收縮力可以將SAW芯片103壓向安裝基板101。這樣，使樹(shù)脂片105與SAW芯片103和安裝基板101更牢固地緊密接觸。在傳統(tǒng)技術(shù)中，由于可以容易地使樹(shù)脂片105的形狀變形以與SAW芯片的外表面一致，所以可以在不影響SAW芯片的操作的情況下對(duì)SAW芯片進(jìn)行密封。
然而，在傳統(tǒng)技術(shù)1中，因?yàn)镾AW芯片103的上表面的面積相對(duì)于安裝基板101較小，所以很難實(shí)現(xiàn)用于濾波器識(shí)別的標(biāo)記以及進(jìn)行用于器件拾取(pickup)的吸附(sucking)，并且由于使薄樹(shù)脂片105僅與SAW芯片103的外表面一致地與SAW芯片103緊密接觸，所以存在易碎、防潮性差等問(wèn)題。此外，由于通過(guò)對(duì)樹(shù)脂片105施加溫度梯度以在該樹(shù)脂片中產(chǎn)生收縮力，而使樹(shù)脂片105與SAW芯片103緊密接觸，所以SAW芯片103上的拐角A變得很薄，使得SAW芯片103可能暴露在外部，這可能會(huì)降低SAW芯片103的質(zhì)量。
此外，在JP-A No.2002-217218(在下文中稱為傳統(tǒng)技術(shù)2)中公開(kāi)了制造方法的另一示例。如圖11所示，在該方法中，通過(guò)提供形狀與SAW芯片103的輪廓一致的夾具(jig)200，并通過(guò)吸管201的孔201a吸入空氣，來(lái)使樹(shù)脂片105與內(nèi)壁200a牢固地緊密接觸，從而使得該樹(shù)脂片105變形。然后，將夾具200設(shè)置在SAW芯片103上，并且使樹(shù)脂片105附著在SAW芯片103和安裝基板101上，以使得在加熱樹(shù)脂片105的同時(shí)，使樹(shù)脂片105與SAW芯片103和安裝基板101的表面緊密接觸。在傳統(tǒng)技術(shù)2中，因?yàn)橥ㄟ^(guò)夾具200預(yù)先使樹(shù)脂片105的形狀發(fā)生變形，以與SAW芯片103和安裝基板101的表面形狀一致，所以可以確保覆蓋該SAW芯片和安裝基板。
在傳統(tǒng)技術(shù)2中，由于在該樹(shù)脂的形狀發(fā)生變形之后，使該樹(shù)脂與SAW芯片緊密接觸，所以減小了露出SAW芯片的上表面上的拐角的可能性。然而，與傳統(tǒng)技術(shù)1一樣，無(wú)法解決由于樹(shù)脂膜太薄而導(dǎo)致的易碎、防潮性差等問(wèn)題，以及在進(jìn)行標(biāo)記或器件拾取的工作中的困難的其他問(wèn)題。此外，由于使用夾具進(jìn)行樹(shù)脂密封，所以必須配備與SAW芯片的相應(yīng)尺寸相對(duì)應(yīng)的夾具，這降低了工作效率。
此外，作為另一種傳統(tǒng)技術(shù)，JP-A No.2002-334954(下文中稱為傳統(tǒng)技術(shù)3)中公開(kāi)了一種結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)與下述的結(jié)構(gòu)相對(duì)應(yīng)，其中在如圖10所示的SAW器件的結(jié)構(gòu)中的樹(shù)脂片105上進(jìn)一步形成有導(dǎo)電薄膜層。在傳統(tǒng)技術(shù)3中，由于在樹(shù)脂上形成有導(dǎo)電薄膜層，所以提高了防潮性，但是傳統(tǒng)技術(shù)1和2中的問(wèn)題，例如由于樹(shù)脂片薄而使其易碎，以及在進(jìn)行標(biāo)記和器件拾取的工作中的困難仍沒(méi)有得到解決。
為了解決上述問(wèn)題而完成了本發(fā)明，其目的是提供一種制造SAW器件的方法，其中以倒裝芯片的方式將SAW芯片安裝在安裝基板上，并使用樹(shù)脂來(lái)密封SAW芯片和安裝基板的表面，其中SAW芯片得到了可靠的保護(hù)，并且提高了SAW器件的質(zhì)量。

發(fā)明內(nèi)容
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)權(quán)利要求1所述的本發(fā)明，提供了一種用于制造表面聲波(SAW)器件的方法，其中以倒裝芯片的方式將表面聲波芯片安裝在安裝基板上，并通過(guò)使用樹(shù)脂密封該SAW芯片的外表面，在該安裝基板的上表面和該SAW芯片的下表面之間形成氣密空間，該方法包括以下步驟使用導(dǎo)電凸點(diǎn)以倒裝芯片的方式安裝設(shè)置在SAW芯片的下表面上的電極焊盤和設(shè)置在安裝基板上的連接焊盤；在安裝在該安裝基板上的SAW芯片的上表面上設(shè)置樹(shù)脂片；層壓(laminating)步驟，用于將周圍環(huán)境設(shè)置為減壓或真空環(huán)境，并且通過(guò)在加熱該樹(shù)脂片的同時(shí)對(duì)該樹(shù)脂片進(jìn)行加壓，來(lái)使用樹(shù)脂覆蓋該SAW芯片的外表面，同時(shí)確保該氣密空間；壓制成形步驟，用于通過(guò)保持層壓步驟中的加壓和加熱狀態(tài)，對(duì)該樹(shù)脂進(jìn)行固化，同時(shí)保持該氣密空間；以及后固化步驟，用于以使得樹(shù)脂完全固化的溫度和時(shí)間來(lái)進(jìn)行加熱，其中在層壓步驟中該樹(shù)脂片的厚度tr滿足以下方程L/{(X+Gx)(Y+Gy)}≤tr，其中L＝(X+Gx)(Y+Gy)(H+T+A)-XYT-XYA-{XVyA+YVxA+(4VxVyA)/3}，
其中L表示密封一個(gè)SAW芯片的外表面所需的樹(shù)脂片的體積，X表示SAW芯片的一個(gè)邊長(zhǎng)，Y表示SAW芯片的另一邊長(zhǎng)，Gx表示在X方向上彼此相鄰的SAW芯片之間的間隔，Vx表示從在Y方向上延伸的切割邊緣到與其最接近的SAW芯片的側(cè)面的距離，Gy表示在Y方向上彼此相鄰的SAW芯片之間的間隔，Vy表示從在X方向上延伸的切割邊緣到與其最接近的SAW芯片的側(cè)面的距離，H表示在使用樹(shù)脂片覆蓋一個(gè)SAW芯片的外表面之后，設(shè)置在SAW芯片的上表面上的樹(shù)脂的厚度，T表示壓電基板的厚度，而A表示從安裝基板的上表面到壓電基板的底面的間隔。
根據(jù)權(quán)利要求2所述的本發(fā)明，提供了根據(jù)權(quán)利要求1的制造SAW器件的方法，其中該樹(shù)脂片具有下述的結(jié)構(gòu)，在該結(jié)構(gòu)中，將具有防粘特性(releasing property)的保護(hù)膜粘貼到粘性樹(shù)脂片構(gòu)件的上表面上，在該樹(shù)脂片構(gòu)件的下表面被設(shè)置在SAW芯片的上表面上的狀態(tài)下執(zhí)行各個(gè)步驟，并且在后固化步驟之前或者在后固化步驟之后剝離該保護(hù)膜。
根據(jù)權(quán)利要求3所述的本發(fā)明，提供了根據(jù)權(quán)利要求1或2的制造SAW器件的方法，其中該保護(hù)膜由聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)制成。
根據(jù)權(quán)利要求4所述述的本發(fā)明，提供了根據(jù)權(quán)利要求1到3中的任意一項(xiàng)的制造SAW器件的方法，其中該層壓步驟包括以下過(guò)程(1)在將樹(shù)脂片設(shè)置在安裝在安裝基板上的SAW芯片上之后，將其放置在密閉容器中；以及(2)在過(guò)程(1)之后，排出該密閉容器中的空氣，以使該密閉容器變?yōu)闇p壓或真空狀態(tài)，并且在使樹(shù)脂片軟化或熔化的同時(shí)對(duì)該樹(shù)脂片加壓。
根據(jù)權(quán)利要求5所述的本發(fā)明，提供了根據(jù)權(quán)利要求1到3中的任意一項(xiàng)的制造SAW器件的方法，其中該層壓步驟包括以下過(guò)程(1)在將安裝有SAW芯片的安裝基板設(shè)置在密閉容器中以后，將樹(shù)脂片粘貼到SAW芯片的上表面上；以及(2)在過(guò)程(1)之后，排出該密閉容器中的空氣，以使該密閉容器變?yōu)闇p壓或真空狀態(tài)，并且在使樹(shù)脂片軟化或熔化同時(shí)對(duì)樹(shù)脂片加壓。
根據(jù)權(quán)利要求6所述的本發(fā)明，提供了根據(jù)權(quán)利要求1到3中的任意一項(xiàng)的制造SAW器件的方法，其中該層壓步驟包括以下過(guò)程(1)在將安裝有SAW芯片的安裝基板設(shè)置在密閉容器中以后，排出該密閉容器中的空氣，以使該密閉容器變?yōu)闇p壓或真空狀態(tài)；以及(2)在過(guò)程(1)之后，將樹(shù)脂片設(shè)置在SAW芯片上，并且在使樹(shù)脂片軟化或熔化的同時(shí)對(duì)樹(shù)脂片加壓。
根據(jù)權(quán)利要求7所述的本發(fā)明，提供了根據(jù)權(quán)利要求1到6中的任意一項(xiàng)的制造SAW器件的方法，其中，在該層壓步驟中，在該密閉容器進(jìn)入減壓或真空狀態(tài)之前，將該密閉容器中的空氣替換為惰性氣體。
根據(jù)權(quán)利要求8所述的本發(fā)明，提供了根據(jù)權(quán)利要求1到7中的任意一項(xiàng)的制造SAW器件的方法，其中，在該層壓步驟中對(duì)樹(shù)脂片進(jìn)行加壓，直到使該樹(shù)脂片膠凝為止，也就是說(shuō)，在將該樹(shù)脂片保持在80至150℃的加熱溫度以及1至10分鐘的加熱時(shí)間段的條件下之后執(zhí)行加壓。
根據(jù)權(quán)利要求9所述的本發(fā)明，提供了根據(jù)權(quán)利要求1到8中的任意一項(xiàng)的制造SAW器件的方法，其中該密閉容器具有通過(guò)分隔構(gòu)件分隔的至少兩個(gè)空間，將安裝有SAW芯片并且在該SAW芯片的上表面上設(shè)置有樹(shù)脂片的安裝基板設(shè)置在所述至少兩個(gè)空間中的第一空間內(nèi)，并將該第一空間中的環(huán)境保持為減壓或真空狀態(tài)，并且在該層壓步驟中，通過(guò)將所述至少兩個(gè)空間中的第二空間中的環(huán)境向大氣壓開(kāi)放，以將分隔構(gòu)件壓向該第一空間，來(lái)將樹(shù)脂片壓到SAW芯片上。
根據(jù)權(quán)利要求10所述的本發(fā)明，提供了根據(jù)權(quán)利要求1到8中的任意一項(xiàng)的制造SAW器件的方法，其中該密閉容器具有通過(guò)分隔構(gòu)件分隔的至少兩個(gè)空間，將安裝有SAW芯片并且在該SAW芯片的上表面上設(shè)置有樹(shù)脂片的安裝基板設(shè)置在所述至少兩個(gè)空間中的第一空間內(nèi)，并將第一空間中的環(huán)境保持為減壓或真空狀態(tài)，并且在該層壓步驟中通過(guò)對(duì)所述至少兩個(gè)空間中的第二空間中的環(huán)境施加大于大氣壓的壓力，以將分隔構(gòu)件壓向該第一空間，來(lái)將樹(shù)脂片壓到SAW芯片上。
根據(jù)權(quán)利要求11所述的本發(fā)明，提供了根據(jù)權(quán)利要求1到10中的任意一項(xiàng)的制造SAW器件的方法，其中在該層壓步驟中，該分隔構(gòu)件的表面由彈性構(gòu)件構(gòu)成。
根據(jù)權(quán)利要求12所述的本發(fā)明，提供了根據(jù)權(quán)利要求1到11中的任意一項(xiàng)的制造SAW器件的方法，其中該壓制成形步驟與該層壓步驟同時(shí)執(zhí)行。
根據(jù)權(quán)利要求13所述的本發(fā)明，提供了根據(jù)權(quán)利要求1到12中的任意一項(xiàng)的制造SAW器件的方法，其中該壓制成形步驟和該后固化步驟與該層壓步驟同時(shí)執(zhí)行。
根據(jù)權(quán)利要求14所述的本發(fā)明，提供了根據(jù)權(quán)利要求1到13中的任意一項(xiàng)的制造SAW器件的方法，其中，在該層壓步驟中，在樹(shù)脂片的上表面上設(shè)置環(huán)形框架，該環(huán)形框架具有等于或大于已安裝有SAW芯片的區(qū)域的開(kāi)口，并且在設(shè)置該環(huán)形框架之后，執(zhí)行該層壓步驟。
根據(jù)權(quán)利要求15所述的本發(fā)明，提供了根據(jù)權(quán)利要求1到14中的任意一項(xiàng)的制造SAW器件的方法，其中將具有與SAW芯片相同高度的壁構(gòu)件設(shè)置在圍繞該安裝基板上的已安裝有SAW芯片的區(qū)域的外周部分上。
根據(jù)權(quán)利要求16所述的本發(fā)明，提供了根據(jù)權(quán)利要求1到15中的任意一項(xiàng)的制造SAW器件的方法，其中，在該層壓步驟中，在樹(shù)脂片的上表面上設(shè)置面積等于或大于已安裝有SAW芯片的區(qū)域的平板之后，執(zhí)行該層壓步驟。
根據(jù)權(quán)利要求17所述的本發(fā)明，提供了根據(jù)權(quán)利要求1到16中的任意一項(xiàng)的制造SAW器件的方法，其中在安裝基板上設(shè)置框架構(gòu)件，以與SAW芯片的周邊部分交疊，并且該框架構(gòu)件的厚度在10μm或更大到30μm或更小的范圍內(nèi)。
根據(jù)權(quán)利要求18所述的本發(fā)明，提供了根據(jù)權(quán)利要求1到16中的任意一項(xiàng)的制造SAW器件的方法，其中在SAW芯片的除了該SAW芯片上的SAW振蕩部分之外的外周部分上設(shè)置擋塊(dam)，并且該擋塊的厚度在10μm或更大到30μm或更小的范圍內(nèi)。
根據(jù)權(quán)利要求19所述的本發(fā)明，提供了根據(jù)權(quán)利要求1到16中的任何一項(xiàng)的制造SAW器件的方法，其中在SAW芯片的除了該SAW芯片上的SAW振蕩部分之外的外周部分上設(shè)置擋塊，在安裝基板上的大致上與該擋塊相同的位置處設(shè)置框架構(gòu)件，并且該擋塊和該框架構(gòu)件的厚度總和為30μm或更小。
根據(jù)權(quán)利要求20所述的本發(fā)明，提供了根據(jù)權(quán)利要求17到19中的任意一項(xiàng)的制造SAW器件的方法，其中該框架構(gòu)件和擋塊中的至少一個(gè)由感光樹(shù)脂制成。
根據(jù)權(quán)利要求21所述的本發(fā)明，提供了根據(jù)權(quán)利要求1到16中的任意一項(xiàng)的制造SAW器件的方法，其中該安裝基板的除了該安裝基板上的連接焊盤部分以外的區(qū)域覆蓋有絕緣層，該絕緣層的厚度在10μm或更大至30μm或更小的范圍內(nèi)。
根據(jù)權(quán)利要求22所述的本發(fā)明，提供了根據(jù)權(quán)利要求1到16中的任意一項(xiàng)的制造SAW器件的方法，其中形成在該安裝基板上的連接焊盤的高度相對(duì)于該安裝基板的除了該連接焊盤以外的區(qū)域要低10至30μm。
根據(jù)權(quán)利要求23所述的本發(fā)明，提供了根據(jù)權(quán)利要求1到22中的任意一項(xiàng)的制造SAW器件的方法，其中該安裝基板具有下述的結(jié)構(gòu)，在該結(jié)構(gòu)中，連續(xù)地集成了多個(gè)單獨(dú)的安裝基板，并且該方法包括將該安裝基板切割成為多個(gè)單獨(dú)的安裝基板的步驟。


圖1(a)和1(b)是表示根據(jù)本發(fā)明的SAW器件的倒裝芯片方式的安裝步驟的平面圖和剖面圖；圖2表示將根據(jù)本發(fā)明的SAW器件的樹(shù)脂片設(shè)置在SAW芯片上的步驟；圖3表示根據(jù)本發(fā)明的SAW器件的抽真空步驟；圖4表示根據(jù)本發(fā)明的SAW器件的層壓步驟和壓制成形步驟；圖5表示在后固化步驟之后根據(jù)本發(fā)明的SAW器件的狀態(tài)；圖6表示在切割步驟之后根據(jù)本發(fā)明的SAW器件的狀態(tài)；圖7(a)和7(b)表示根據(jù)本發(fā)明的SAW器件的不同制造過(guò)程；圖8(a)到8(c)是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的SAW器件在層壓步驟時(shí)安裝基板的基材的放大圖；圖9(a)到9(d)是根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的SAW器件在層壓步驟時(shí)安裝基板基材的放大圖；圖10表示傳統(tǒng)SAW器件的結(jié)構(gòu)；以及圖11表示第二傳統(tǒng)SAW器件的結(jié)構(gòu)。
具體實(shí)施例方式
下面將根據(jù)附圖所示的實(shí)施例詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明。
圖1(a)到圖6表示制造根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的SAW器件的方法。首先，圖1(a)和1(b)是表示在具有下述結(jié)構(gòu)的安裝基板基材40上以倒裝芯片的方式安裝SAW芯片15的步驟的平面圖和剖面圖，在該結(jié)構(gòu)中，安裝基板2彼此連接為片狀形狀。安裝基板2具有外部電極4，用于在絕緣基板3的底部進(jìn)行表面安裝；以及連接焊盤5，用于與位于其上部的SAW芯片15進(jìn)行電導(dǎo)通。安裝基板2中設(shè)置有內(nèi)部導(dǎo)體6，用于在外部電極4和連接焊盤5之間進(jìn)行電導(dǎo)通。此外，SAW芯片15設(shè)置在其壓電基板18的主表面上，該壓電基板18具有用于使SAW產(chǎn)生振蕩的IDT 17和與IDT 17電導(dǎo)通的連接焊盤16。通過(guò)使用導(dǎo)電凸點(diǎn)10連接安裝基板2上的連接焊盤5和SAW芯片15上的連接焊盤16，來(lái)執(zhí)行倒裝芯片方式的安裝。
接下來(lái)，在圖2中示出了在安裝在圖1所示的安裝基板基材40上的SAW芯片15的上表面上設(shè)置樹(shù)脂片30的步驟。樹(shù)脂片30具有保護(hù)膜32，該保護(hù)膜32具有防粘特性，該保護(hù)膜32可分離地粘貼在樹(shù)脂片構(gòu)件31的具有粘性的一個(gè)表面上。例如，可以將聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)等用作該保護(hù)膜。
當(dāng)將樹(shù)脂片構(gòu)件31的厚度表示為tr時(shí)，將tr設(shè)置為滿足以下條件。
L/{(X+Gx)(Y+Gy)}≤tr，其中L＝(X+Gx)(Y+Gy)(H+T+A)-XYT-XYA-{XVyA+YVxA+(4VxVyA)/3}在該方程中，L表示密封一個(gè)SAW芯片的外表面所需的樹(shù)脂片的體積，X表示SAW芯片的一個(gè)邊長(zhǎng)，Y表示SAW芯片另一邊長(zhǎng)，Gx表示在X方向上彼此相鄰的SAW芯片之間的間隔，Vx表示從在Y方向上延伸的切割邊緣到與其最接近的SAW芯片的側(cè)面的距離，Gy表示在Y方向上彼此相鄰的SAW芯片之間的間隔，Vy表示從在X方向上延伸的切割邊緣到與其最接近的SAW芯片的側(cè)面的距離，H表示在使用樹(shù)脂片覆蓋一個(gè)SAW芯片的外表面之后，設(shè)置在SAW芯片的上表面上的樹(shù)脂的厚度，T表示壓電基板的厚度，而A表示從安裝基板基材的上表面到壓電基板的底面的間隔。
通過(guò)如上所述設(shè)置樹(shù)脂片構(gòu)件31的厚度，可以消除下述的可能性在將樹(shù)脂層壓在SAW芯片上之后，由于樹(shù)脂的厚度不足而在氣密空間中產(chǎn)生的孔導(dǎo)致SAW器件的防塵性和防潮性下降。
接下來(lái)，在圖3中示出了將暫時(shí)粘附在各個(gè)SAW芯片15上的樹(shù)脂片30設(shè)置在密閉裝置50中并進(jìn)行抽真空的步驟。密閉裝置50內(nèi)部設(shè)置有腔室51，其具有底部熱源52和上部熱源53，以及底部排氣口54和上部排氣口55。該密閉裝置50具有下述的結(jié)構(gòu)，在該結(jié)構(gòu)中，在底部熱源52和上部熱源53之間設(shè)置有用于傳送SAW器件的傳送膜56，并且由彈性構(gòu)件制成的隔膜57跨越該傳送膜56和底部熱源52之間的間隙。在該步驟中，首先將其中已在SAW芯片15上設(shè)置了樹(shù)脂片30的安裝基板基材40設(shè)置在傳送膜56中，通過(guò)底部熱源52和上部熱源53對(duì)腔室51的內(nèi)部進(jìn)行加熱，通過(guò)經(jīng)由底部排氣口54和上部排氣口55排出腔室51中的空氣，使腔室51的內(nèi)部成為真空。然后，在腔室51成為真空狀態(tài)以后，保持該真空狀態(tài)。
接下來(lái)，圖4中示出了將樹(shù)脂片30層壓在SAW芯片15的外表面上的步驟。首先，在通過(guò)上部熱源53以80至150℃的溫度對(duì)樹(shù)脂片30加熱1至10分鐘，直到使樹(shù)脂片30膠凝為止，以使樹(shù)脂片30處于最佳軟化狀態(tài)之后，在進(jìn)行加熱的同時(shí)，通過(guò)底部排氣口54對(duì)大氣壓開(kāi)放。此時(shí)，上部排氣口55側(cè)保持為真空狀態(tài)。由于對(duì)大氣壓開(kāi)放而使得隔膜57膨脹，并且將經(jīng)軟化的樹(shù)脂片30壓向安裝基板基材40。因此，通過(guò)加壓使樹(shù)脂片30填充在SAW芯片15的外表面上以及安裝基板基材40的上表面上。雖然在該實(shí)施例中，通過(guò)對(duì)大氣壓開(kāi)放來(lái)對(duì)樹(shù)脂片30加壓，但是也可以通過(guò)對(duì)樹(shù)脂片30施加大于大氣壓的壓力來(lái)對(duì)樹(shù)脂片30加壓。此外，雖然在該層壓步驟中，通過(guò)使隔膜膨脹將樹(shù)脂片壓在SAW芯片上，但是也可以使用平板或其它加壓?jiǎn)卧獊?lái)代替隔膜。在這種情況下，通過(guò)將由于對(duì)大氣壓開(kāi)放而產(chǎn)生的壓力或大于大氣壓的壓力施加到平板等上，以將該平板壓到樹(shù)脂片上，來(lái)使樹(shù)脂片填充在SAW芯片的外表面上和安裝基板基材的上表面上。
因?yàn)樵搶訅翰襟E之后的樹(shù)脂是軟的，所以當(dāng)僅以樹(shù)脂固化溫度執(zhí)行加熱時(shí)，氣密空間S內(nèi)部的空氣膨脹而使該樹(shù)脂突出，并且該氣密空間擴(kuò)展到超過(guò)所需的程度，因此該樹(shù)脂必須壓制成形。在壓制成形步驟中，通過(guò)對(duì)在層壓步驟中層壓有樹(shù)脂的SAW芯片15以及安裝基板基材40保持加熱和加壓狀態(tài)，隔膜57沿著SAW芯片15的外表面和安裝基板基材40的上表面變形，并且與樹(shù)脂緊密接觸以對(duì)該樹(shù)脂加壓，從而可以使樹(shù)脂成形并固化，同時(shí)保持氣密空間S。
在壓制成形步驟結(jié)束之后，該制造方法前進(jìn)到后固化步驟。該后固化步驟是以使得樹(shù)脂完全固化的溫度和時(shí)間段進(jìn)行加熱的步驟。在壓制成形步驟之后，在保持圖4所示狀態(tài)的同時(shí)，以樹(shù)脂固化溫度進(jìn)行加熱。當(dāng)樹(shù)脂完全固化時(shí)，該腔室的內(nèi)部返回到大氣壓，并且從密閉裝置50中取出安裝基板基材40。因此，如圖5所示，樹(shù)脂完全封蓋了SAW芯片15的外表面和安裝基板基材40的上表面。通過(guò)剝離該保護(hù)膜32并使用切割刀片沿圖5所示的切割邊緣D切割安裝基板基材40，來(lái)完成如圖6所示的單獨(dú)的SAW器件1。在后固化步驟中，在完成樹(shù)脂的膠凝之后，可以從該腔室中取出安裝基板基材，并且可以將該安裝基板基材設(shè)置在恒溫室中，從而通過(guò)以使得樹(shù)脂完全固化的溫度和時(shí)間段進(jìn)行加熱來(lái)對(duì)樹(shù)脂進(jìn)行固化。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，在樹(shù)脂密封的SAW芯片的制造方法中，存在下述的優(yōu)點(diǎn)由于可以在同一設(shè)備中連續(xù)執(zhí)行層壓步驟到后固化步驟而不需要其它設(shè)備，所以可以提供具有優(yōu)異的批量生產(chǎn)能力的高質(zhì)量SAW器件，并且因?yàn)樵摌?shù)脂被制作得足夠厚，以不暴露出SAW芯片并且牢固地保護(hù)該SAW芯片，所以該SAW器件具有優(yōu)異的防潮性和氣密性。
在本發(fā)明的制造步驟中，說(shuō)明了下述的制造過(guò)程首先以倒裝芯片的方式將SAW芯片安裝在安裝基板基材上，以在將樹(shù)脂片設(shè)置在SAW芯片的上表面上的狀態(tài)下，將該安裝基板基材設(shè)置在腔室中，然后將該腔室的內(nèi)部設(shè)置為真空狀態(tài)，并且將該內(nèi)部對(duì)大氣壓開(kāi)放，以將樹(shù)脂壓到SAW芯片的外表面上，由此將樹(shù)脂層壓在SAW芯片上，但是可以采用其他過(guò)程。
下面將參照?qǐng)D7(a)和7(b)說(shuō)明其他制造過(guò)程。圖7(a)和7(b)是表示根據(jù)本發(fā)明的層壓步驟中的基板設(shè)置以對(duì)大氣壓開(kāi)放的示意圖。圖7(a)表示在將其上已經(jīng)安裝了SAW芯片15的安裝基板基材40設(shè)置在腔室51中之后的過(guò)程將樹(shù)脂片30附著在各個(gè)SAW芯片15的上表面上，對(duì)該腔室的內(nèi)部進(jìn)行加熱，以通過(guò)排氣口54和55排出氣體，并將該內(nèi)部設(shè)置為真空狀態(tài)，并且在使該樹(shù)脂片30軟化的同時(shí)，通過(guò)排氣口54將該腔室的內(nèi)部對(duì)大氣壓開(kāi)放，由此將樹(shù)脂片30壓到SAW芯片15上。
圖7(b)所示的制造過(guò)程使下述的過(guò)程將其上已經(jīng)安裝了SAW芯片15的安裝基板基材40設(shè)置在腔室51中；在通過(guò)排氣口54和55排出氣體以將腔室51的內(nèi)部設(shè)置為真空狀態(tài)之后，將樹(shù)脂片30附著在SAW芯片15的上表面上；以及在使樹(shù)脂片30軟化的同時(shí)，通過(guò)排氣口54將該腔室的內(nèi)部對(duì)大氣壓開(kāi)放，從而將樹(shù)脂片30壓到SAW芯片15上。
在實(shí)施例以及圖7(a)和7(b)中所示的制造方法中，在將腔室內(nèi)部設(shè)置為真空狀態(tài)之前，可以使用惰性氣體替換該腔室中的空氣。因?yàn)樵谕瓿蓸?shù)脂密封之后，該氣密空間充滿了惰性氣體，所以可以防止SAW器件隨時(shí)間而劣化，并且其電特性可以保持多年。
在本發(fā)明的層壓步驟中，由于在層壓處理時(shí)應(yīng)用了隔膜的壓力，使得作用在位于安裝基板基材的最外圍部分的SAW芯片上的壓力大于作用在位于安裝基板基材的中央部分的SAW芯片上的壓力，所以存在下述的可能性在圖5所示的部分B處，即在位于安裝基板基材的最外圍部分的SAW芯片的拐角處，樹(shù)脂的量減少，使得SAW芯片暴露到外部。
為了改善上述問(wèn)題，圖8示出了根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例。圖8(a)、8(b)和8(c)是在層壓步驟過(guò)程中的安裝基板基材的放大視圖。圖8(a)示出了通過(guò)下述操作而獲得的狀態(tài)在以倒裝芯片的方式將SAW芯片15安裝在安裝基板基材40上之后，將樹(shù)脂片30附著在各個(gè)SAW芯片15的上表面上，并且進(jìn)一步在樹(shù)脂片30上設(shè)置環(huán)形框架61，以執(zhí)行層壓步驟。環(huán)形框架61的厚度小于或近似等于SAW芯片15的厚度，并且被設(shè)置為圍繞著安裝在安裝基板基材40上的SAW芯片15。在設(shè)置環(huán)形框架61之后，將安裝基板基材40設(shè)置在腔室中并執(zhí)行層壓步驟。在該實(shí)施例中，因?yàn)樵跇?shù)脂片30上設(shè)置了環(huán)形框架61，所以具有下述的優(yōu)點(diǎn)可以使由于層壓步驟中的加壓而導(dǎo)致的隔膜57的變形在圖8(a)所示的部分C處為直角，因此可以確保樹(shù)脂的厚度，而與安裝基板基材上的安裝部分無(wú)關(guān)?？梢圆捎靡韵碌慕Y(jié)構(gòu)而不是圖8(a)所示的結(jié)構(gòu)如圖8(b)所示，在安裝基板基材40的外周部分設(shè)置厚度近似等于SAW芯片15的厚度的壁構(gòu)件62；或者如圖8(c)所示，在樹(shù)脂30上設(shè)置平板63，該平板63的面積等于或大于其上已安裝有SAW芯片15的區(qū)域的面積。在任何一種結(jié)構(gòu)中，都可以抑制位于安裝基板基材的最外圍部分的SAW芯片的樹(shù)脂量的減少，從而可以防止SAW芯片暴露到外部。
如上所述，根據(jù)本實(shí)施例，可以獲得以下優(yōu)點(diǎn)在層壓步驟過(guò)程中，可以通過(guò)具有足夠厚度的樹(shù)脂來(lái)保護(hù)SAW芯片，而與SAW芯片在安裝基板基材上的安裝部分無(wú)關(guān)。
根據(jù)本發(fā)明，存在下述的可能性在層壓步驟過(guò)程中，樹(shù)脂在加壓時(shí)會(huì)侵入氣密空間S。這是因?yàn)?，由于在真空狀態(tài)下執(zhí)行層壓步驟，所以樹(shù)脂侵入該氣密空間的程度變得比在大氣壓下層壓樹(shù)脂的情況更大。因此，為了解決該問(wèn)題，圖9(a)至9(d)示出了根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例。圖9(a)至9(d)示出了在層壓步驟過(guò)程中，安裝基板基材的放大視圖。圖9(a)示出了下述的結(jié)構(gòu)，在該結(jié)構(gòu)中，將框架構(gòu)件71設(shè)置在安裝基板基材40的各個(gè)單獨(dú)的SAW芯片周圍。該框架構(gòu)件71由氧化鋁等形成，以與SAW芯片15的外周部分交疊，并且其厚度小于SAW芯片15與安裝基板基材40之間的間隙。通過(guò)以這種方式設(shè)置框架構(gòu)件71，可以在層壓步驟過(guò)程中防止樹(shù)脂侵入該氣密空間。具體地，當(dāng)將框架構(gòu)件71的厚度設(shè)置在10μm或更大至30μm或更小的范圍內(nèi)時(shí)，可以更加可靠地防止樹(shù)脂侵入。
除了上述結(jié)構(gòu)之外，還可以采用如圖9(b)至9(d)所示的結(jié)構(gòu)來(lái)防止樹(shù)脂侵入氣密空間。圖9(b)示出了SAW芯片15的安裝表面上設(shè)置有擋塊72的結(jié)構(gòu)。擋塊72由感光樹(shù)脂等形成，以圍繞SAW芯片15的除了已形成有IDT 17的部分之外的外周部分，并且其厚度小于SAW芯片15與安裝基板基材40之間的間隙。具體地，將擋塊72的厚度設(shè)置在10μm或更大至30μm或更小之間的范圍內(nèi)。圖9(c)示出了下述的結(jié)構(gòu)，在該結(jié)構(gòu)中，通過(guò)由氧化鋁等制成的絕緣層73來(lái)覆蓋安裝基板基材40上的除了連接焊盤5之外的區(qū)域。該絕緣層73的厚度小于SAW芯片15與安裝基板基材40之間的間隙。具體地，將絕緣層73的厚度設(shè)置在10μm或更大至30μm或更小的范圍內(nèi)。此外，圖9(d)示出了下述的結(jié)構(gòu)，在該結(jié)構(gòu)中，設(shè)置了框架構(gòu)件74，以與安裝基板基材40上的各個(gè)單獨(dú)的SAW芯片15的外周部分交疊，并且形成擋塊75，以圍繞SAW芯片15的除了已形成有IDT 17的部分之外的外周部分。將該框架構(gòu)件和擋塊設(shè)置為大致互相交疊，并且將框架構(gòu)件74和擋塊75的厚度的總和設(shè)置為小于SAW芯片與安裝基板基材之間的間隙。具體地，將框架構(gòu)件72和擋塊的厚度的總和設(shè)置為30μm或更小。
上述說(shuō)明中，描述了擋塊由感光樹(shù)脂形成而框架構(gòu)件由絕緣體(由氧化鋁等制成)形成的示例。然而，本發(fā)明并不限于該示例，擋塊和框架構(gòu)件可以都由感光樹(shù)脂或金屬、或者無(wú)機(jī)材料的絕緣體形成。
在該實(shí)施例中，在安裝基板基材上提供框架構(gòu)件或者在SAW芯片上提供擋塊獲得了以下優(yōu)點(diǎn)可以在層壓步驟過(guò)程中防止樹(shù)脂進(jìn)入使SAW產(chǎn)生振蕩所需的氣密空間。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，在其中以倒裝芯片的方式將SAW芯片安裝在安裝基板上并且使用樹(shù)脂來(lái)密封該SAW器件的制造SAW芯片的方法中，由于可以連續(xù)地執(zhí)行樹(shù)脂密封步驟并且不需要準(zhǔn)備與相應(yīng)器件尺寸相對(duì)應(yīng)的夾具，所以大規(guī)模生產(chǎn)能力優(yōu)異。此外，因?yàn)镾AW器件的安裝基板的底面的面積與SAW芯片的上表面的面積彼此相等，所以可以容易地執(zhí)行用于濾波器識(shí)別的標(biāo)記或者器件拾取。因?yàn)橥ㄟ^(guò)使用具有足夠厚度的樹(shù)脂來(lái)密封SAW芯片而與SAW芯片安裝在安裝基板上的位置無(wú)關(guān)，來(lái)實(shí)現(xiàn)牢固的保護(hù)，所以可以防止SAW芯片的損壞和防止暴露SAW芯片的外表面，而且可以提供具有良好氣密性和防潮性的SAW器件。
權(quán)利要求
1.一種用于制造表面聲波(SAW)器件的方法，其中以倒裝芯片的方式將表面聲波芯片安裝在安裝基板上，并且通過(guò)使用樹(shù)脂密封該SAW芯片的外表面，來(lái)在該安裝基板的上表面和該SAW芯片的下表面之間形成氣密空間，該方法包括以下步驟使用導(dǎo)電凸點(diǎn)以倒裝芯片的方式安裝設(shè)置在所述SAW芯片的下表面上的電極焊盤和設(shè)置在所述安裝基板上的連接焊盤；在安裝在所述安裝基板上的所述SAW芯片的上表面上設(shè)置樹(shù)脂片；層壓步驟，用于將周圍環(huán)境設(shè)置為減壓或真空環(huán)境，并且通過(guò)在加熱所述樹(shù)脂片的同時(shí)對(duì)所述樹(shù)脂片加壓，來(lái)使用樹(shù)脂覆蓋所述SAW芯片的外表面，同時(shí)確保所述氣密空間；壓制成形步驟，用于通過(guò)保持所述層壓步驟中的加壓和加熱狀態(tài)來(lái)對(duì)所述樹(shù)脂進(jìn)行固化，同時(shí)保持所述氣密空間；以及后固化步驟，用于以使得所述樹(shù)脂完全固化的溫度和時(shí)間來(lái)進(jìn)行加熱，其中在所述層壓步驟中，所述樹(shù)脂片的厚度tr滿足以下方程L/{(X+Gx)(Y+Gy)}≤tr，其中L＝(X+Gx)(Y+Gy)(H+T+A)-XYT-XYA-{XVyA+YVxA+(4V×VyA)/3}，其中，L表示密封一個(gè)SAW芯片的外表面所需的樹(shù)脂片的體積，X表示SAW芯片一個(gè)邊長(zhǎng)，Y表示SAW芯片另一邊長(zhǎng)，Gx表示在X方向上彼此相鄰的SAW芯片之間的間隔，Vx表示從在Y方向上延伸的切割邊緣到與其最接近的SAW芯片的側(cè)面的距離，Gy表示在Y方向上彼此相鄰的SAW芯片之間的間隔，Vy表示從在X方向上延伸的切割邊緣到與其最接近的SAW芯片的側(cè)面的距離，H表示在使用樹(shù)脂片覆蓋一個(gè)SAW芯片的外表面之后設(shè)置在SAW芯片的上表面上的樹(shù)脂的厚度，T表示壓電基板的厚度，而A表示從安裝基板的上表面到所述壓電基板的底面的間隔。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造SAW器件的方法，其中所述樹(shù)脂片具有下述的結(jié)構(gòu)，在該結(jié)構(gòu)中，將具有防粘特性的保護(hù)膜粘貼在粘性樹(shù)脂片構(gòu)件的上表面上，在該樹(shù)脂片構(gòu)件的下表面被設(shè)置在所述SAW芯片的上表面上的狀態(tài)下執(zhí)行所述各個(gè)步驟，并且在所述后固化步驟之前或者在所述后固化步驟之后剝離所述保護(hù)膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制造SAW器件的方法，其中所述保護(hù)膜由聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)制成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任意一項(xiàng)所述的制造SAW器件的方法，其中所述層壓步驟包括以下過(guò)程(1)在將所述樹(shù)脂片設(shè)置在安裝在所述安裝基板上的SAW芯片上之后，將其設(shè)置在密閉容器中；以及(2)在所述過(guò)程(1)之后，排出所述密閉容器中的空氣，以使所述密閉容器變?yōu)闇p壓或真空狀態(tài)，并且在使所述樹(shù)脂片軟化或熔化的同時(shí)，對(duì)所述樹(shù)脂片加壓。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任意一項(xiàng)所述的制造SAW器件的方法，其中所述層壓步驟包括以下過(guò)程(1)在將安裝有所述SAW芯片的安裝基板設(shè)置在密閉容器內(nèi)之后，將所述樹(shù)脂片粘貼到所述SAW芯片的上表面上；以及(2)在所述過(guò)程(1)之后，排出所述密閉容器中的空氣，以使所述密閉容器變?yōu)闇p壓或真空狀態(tài)，并且在使所述樹(shù)脂片軟化或熔化的同時(shí)，對(duì)所述樹(shù)脂片加壓。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任意一項(xiàng)所述的制造SAW器件的方法，其中所述層壓步驟包括以下過(guò)程(1)在將安裝有所述SAW芯片的安裝基板設(shè)置在密閉容器中之后，排出所述密閉容器中的空氣，以使所述密閉容器變?yōu)闇p壓或真空狀態(tài)；以及(2)在所述過(guò)程(1)之后，將所述樹(shù)脂片設(shè)置在所述SAW芯片上，并且在使所述樹(shù)脂片軟化或熔化的同時(shí)，對(duì)所述樹(shù)脂片加壓。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中的任意一項(xiàng)所述的制造SAW器件的方法，其中，在所述層壓步驟中，在使所述密閉容器處于減壓或真空狀態(tài)之前，將所述密閉容器中的空氣替換為惰性氣體。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中的任意一項(xiàng)所述的制造SAW器件的方法，其中，在所述層壓步驟中執(zhí)行所述樹(shù)脂片的加壓直到使所述樹(shù)脂片膠凝為止，也就是說(shuō)，在將所述樹(shù)脂片保持在80至150℃的加熱溫度以及1至10分鐘的加熱時(shí)間段的條件下以后，進(jìn)行加壓。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中的任意一項(xiàng)所述的制造SAW器件的方法，其中所述密閉容器具有通過(guò)分隔構(gòu)件分隔的至少兩個(gè)空間，將安裝有所述SAW芯片并且在該SAW芯片的上表面上設(shè)置有所述樹(shù)脂片的安裝基板設(shè)置在所述至少兩個(gè)空間中的第一空間內(nèi)，并且將該第一空間中的環(huán)境保持為減壓或真空狀態(tài)，并且在所述層壓步驟中，通過(guò)將所述至少兩個(gè)空間中的第二空間中的環(huán)境對(duì)大氣壓開(kāi)放，以將該分隔構(gòu)件壓向該第一空間，來(lái)將所述樹(shù)脂片壓到所述SAW芯片上。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至8中的任意一項(xiàng)所述的制造SAW器件的方法，其中所述密閉容器具有通過(guò)分隔構(gòu)件分隔的至少兩個(gè)空間，將安裝有所述SAW芯片并且在該SAW芯片的上表面上設(shè)置有所述樹(shù)脂片的安裝基板設(shè)置在所述至少兩個(gè)空間中的第一空間中，并且將該第一空間中的環(huán)境保持為減壓或真空狀態(tài)，并且在所述層壓步驟中，通過(guò)對(duì)所述至少兩個(gè)空間中的第二空間中的環(huán)境施加大于大氣壓的壓力，以將該分隔構(gòu)件壓向該第一空間，來(lái)將所述樹(shù)脂片壓到所述SAW芯片上。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中的任意一項(xiàng)所述的制造SAW器件的方法，其中在所述層壓步驟中，所述分隔構(gòu)件的表面由彈性構(gòu)件構(gòu)成。
12.根據(jù)權(quán)利要求1至11中的任意一項(xiàng)所述的制造SAW器件的方法，其中所述壓制成形步驟與所述層壓步驟同時(shí)執(zhí)行。
13.根據(jù)權(quán)利要求1至12中的任意一項(xiàng)所述的制造SAW器件的方法，其中所述壓制成形步驟和所述后固化步驟與所述層壓步驟同時(shí)執(zhí)行。
14.根據(jù)權(quán)利要求1至13中的任意一項(xiàng)所述的制造SAW器件的方法，其中，在所述層壓步驟中，在所述樹(shù)脂片的上表面上設(shè)置環(huán)形框架，該環(huán)形框架具有等于或大于已安裝了所述SAW芯片的區(qū)域的開(kāi)口，并且在設(shè)置該環(huán)形框架之后，執(zhí)行所述層壓步驟。
15.根據(jù)權(quán)利要求1至14中的任意一項(xiàng)所述的制造SAW器件的方法，其中將具有與所述SAW芯片相同高度的壁構(gòu)件設(shè)置在圍繞所述安裝基板上的已安裝了所述SAW芯片的區(qū)域的外周部分上。
16.根據(jù)權(quán)利要求1至15中的任意一項(xiàng)所述的制造SAW器件的方法，其中，在所述層壓步驟中，在所述樹(shù)脂片的上表面上設(shè)置面積等于或大于已經(jīng)安裝了所述SAW芯片的區(qū)域的平板之后，執(zhí)行所述層壓步驟。
17.根據(jù)權(quán)利要求1至16中的任意一項(xiàng)所述的制造SAW器件的方法，其中在所述安裝基板上設(shè)置框架構(gòu)件，以與所述SAW芯片的外周部分交疊，并且該框架構(gòu)件的厚度在10μm或更大到30μm或更小的范圍內(nèi)。
18.根據(jù)權(quán)利要求1至16中的任意一項(xiàng)所述的制造SAW器件的方法，其中在所述SAW芯片的除了所述SAW芯片上的SAW振蕩部分之外的外周部分上設(shè)置擋塊，并且該擋塊的厚度在10μm或更大到30μm或更小的范圍內(nèi)。
19.根據(jù)權(quán)利要求1至16中的任意一項(xiàng)所述的制造SAW器件的方法，其中在所述SAW芯片的除了所述SAW芯片上的SAW振蕩部分之外的外周部分上設(shè)置擋塊，在所述安裝基板上基本與該擋塊相同的位置處設(shè)置框架構(gòu)件，并且該擋塊和該框架構(gòu)件的厚度總和為30μm或更小。
20.根據(jù)權(quán)利要求17至19中的任意一項(xiàng)所述的制造SAW器件的方法，其中所述框架構(gòu)件和擋塊中的至少一個(gè)由感光樹(shù)脂制成。
21.根據(jù)權(quán)利要求1至16中的任意一項(xiàng)所述的制造SAW器件的方法，其中所述安裝基板的除了所述安裝基板上的連接焊盤部分之外的區(qū)域覆蓋有絕緣層，并且該絕緣層的厚度在10μm或更大至30μm或更小的范圍內(nèi)。
22.根據(jù)權(quán)利要求1至16中的任意一項(xiàng)所述的制造SAW器件的方法，其中形成在所述安裝基板上的連接焊盤的高度相對(duì)于所述安裝基板的除了所述連接焊盤之外的區(qū)域低10至30μm。
23.根據(jù)權(quán)利要求1至22中的任意一項(xiàng)所述的制造SAW器件的方法，其中所述安裝基板具有下述的結(jié)構(gòu)，在該結(jié)構(gòu)中，連續(xù)地集成了多個(gè)單獨(dú)的安裝基板，并且所述方法包括將所述安裝基板切割為多個(gè)單獨(dú)的安裝基板的步驟。
全文摘要
為了以提高的生產(chǎn)能力來(lái)提供高質(zhì)量的SAW器件，其中安裝在安裝基板上的SAW芯片的外表面覆蓋有熱軟化樹(shù)脂片，并且將樹(shù)脂填充在該SAW芯片上，以在該SAW器件中的TDT下面形成氣密空間。一種制造該SAW器件的方法包括以下步驟以倒裝芯片的方式將SAW芯片安裝到安裝基板上；在SAW芯片的上表面上設(shè)置樹(shù)脂片；層壓步驟，用于將周圍環(huán)境設(shè)置為減壓或真空環(huán)境，并且通過(guò)在加熱樹(shù)脂片的同時(shí)，對(duì)樹(shù)脂片加壓，以使用樹(shù)脂覆蓋該SAW芯片的外表面，同時(shí)保證該氣密空間；壓制成形步驟，用于在通過(guò)保持該層壓步驟中的加壓和加熱狀態(tài)，來(lái)固化該樹(shù)脂，同時(shí)保持該氣密空間；以及后固化步驟，用于以使得該樹(shù)脂完全固化的溫度和時(shí)間進(jìn)行加熱，其中在該層壓步驟之前，樹(shù)脂片的厚度tr滿足方程L/{(X+Gx)(Y+Gy)}≤tr。
文檔編號(hào)H03H9/25GK1799194SQ200480015450
公開(kāi)日2006年7月5日 申請(qǐng)日期2004年6月1日 優(yōu)先權(quán)日2003年6月3日
發(fā)明者安齋達(dá)也, 小川祐史, 小野澤康秀 申請(qǐng)人:東洋通信機(jī)株式會(huì)社