專利名稱：由可變驅(qū)動電壓動作的振蕩器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種由可變驅(qū)動電壓動作的振蕩器，特別涉及一種為了調(diào)節(jié)由振蕩器輸出的振蕩信號的周期，可以使驅(qū)動振蕩器的電壓產(chǎn)生變化并具有可變驅(qū)動電壓輸出裝置的振蕩器。
背景技術(shù)：
振蕩器是輸出預(yù)定周期的脈沖信號的裝置，圖1是表示一般的環(huán)形振蕩器的電路圖。
圖1所示的環(huán)形振蕩器的電路包括六個反相器和一個與非門，這些邏輯元件連接成環(huán)狀。用虛線表示的方框內(nèi)表示電容器，且可以通過金屬選擇器連接或斷開。
在圖1所示的電路中，啟動信號是控制信號，在啟動信號維持在高電平期間，振蕩器輸出預(yù)定周期的振蕩信號。通常，由環(huán)形振蕩器輸出的振蕩信號的周期受到如圖1所示的電容器(虛線表示的方框部)的數(shù)量的影響。例如，在電容器的數(shù)量多的情況下，RC延遲時間增加且振蕩信號的周期變長，在電容器的數(shù)量少的情況下，RC延遲時間減小且振蕩信號的周期變短。另外，由于振蕩器的周期受到工藝、電壓和溫度變化的影響，設(shè)計者通常設(shè)計金屬選擇器設(shè)置可能的多余的電容器。通過使用FIB裝置(聚焦離子束裝置)，這種電容器可以與振蕩器連接或與振蕩器分開。因此，設(shè)計者通常使用FIB裝置，通過調(diào)節(jié)與振蕩器連接的電容器的數(shù)量，從而調(diào)節(jié)振蕩周期。
由此，在產(chǎn)品開發(fā)的階段，為了使由振蕩器輸出的振蕩周期最合適，通過利用FIB裝置，進(jìn)行連接選擇的電容器或斷開已經(jīng)連接的電容器的一系列操作。
然而，在進(jìn)行這種操作的情況下，在半導(dǎo)體芯片內(nèi)存在多個振蕩器的情況下，具有需要長時間檢測，以及需要多的費用的問題。
另外，為了延長振蕩周期而設(shè)置的選擇電容器還具有增加半導(dǎo)體芯片的整體面積的問題。為此，對于振蕩器的數(shù)量增加的現(xiàn)在的狀況，半導(dǎo)體芯片的尺寸變大成為解決上述問題的障礙。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為了解決上述問題而提出的，其目的在于提供一種可以輸出穩(wěn)定的振蕩周期的振蕩器。
本發(fā)明另外的目的是提供一種可以通過調(diào)節(jié)由驅(qū)動振蕩器的電源供給裝置輸出的電壓電平而調(diào)節(jié)驅(qū)動能力的振蕩器。
本發(fā)明的又一目的是提供一種可以通過調(diào)節(jié)施加給振蕩器的驅(qū)動電壓的電平而調(diào)節(jié)輸出的振蕩信號的周期的振蕩器。
本發(fā)明的振蕩器，可以通過使構(gòu)成振蕩器的多個邏輯元件的驅(qū)動電壓變化從而使振蕩器輸出的振蕩信號的周期變化。
本發(fā)明的振蕩器包括產(chǎn)生施加給構(gòu)成振蕩器的多個邏輯元件的驅(qū)動電壓的內(nèi)部電壓產(chǎn)生裝置。
根據(jù)本發(fā)明的由可變驅(qū)動電壓動作的振蕩器，是多個邏輯元件連接成環(huán)狀，且輸出預(yù)定周期的振蕩信號的振蕩器，其包括產(chǎn)生選擇性地施加給上述多個邏輯元件的第一以及第二驅(qū)動電壓的內(nèi)部電壓產(chǎn)生裝置，并通過如下方式將上述振蕩信號的周期保持一定在上述振蕩信號的周期為正常狀態(tài)的情況下，上述第一驅(qū)動電壓施加給上述多個邏輯元件，在上述振動信號的周期比正常狀態(tài)短或長的情況下，將上述第二驅(qū)動電壓施加給上述多個邏輯元件。
其中，在上述振蕩信號的周期比正常狀態(tài)長的情況下，調(diào)整上述第二驅(qū)動電壓使之比上述第一驅(qū)動電壓高，在上述振蕩信號的周期比正常狀態(tài)短的情況下，調(diào)整上述第二驅(qū)動電壓使之比上述第一驅(qū)動電壓低。
另外，本發(fā)明的由可變驅(qū)動電壓動作的振蕩器是多個邏輯元件以環(huán)狀連接，且輸出預(yù)定周期的振蕩信號的振蕩器，其包括產(chǎn)生選擇性地施加給上述多個邏輯元件的第一以及第二驅(qū)動電壓的內(nèi)部電壓產(chǎn)生裝置，該內(nèi)部電壓產(chǎn)生裝置包括產(chǎn)生第一基準(zhǔn)電壓的基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生部；接收上述第一基準(zhǔn)電壓并輸出第二基準(zhǔn)電壓的電平偏移電路；接收上述第一基準(zhǔn)電壓并輸出第三基準(zhǔn)電壓的電平偏移電路；接收上述第二基準(zhǔn)電壓并輸出具有與上述第二基準(zhǔn)電壓相同電壓電平的上述第一驅(qū)動電壓的驅(qū)動部；以及接收上述第三基準(zhǔn)電壓并輸出具有與上述第三基準(zhǔn)電壓相同電壓電平的上述第二驅(qū)動電壓的驅(qū)動部。通過如下方式將上述振蕩信號的周期保持一定在上述振蕩信號的周期為正常狀態(tài)的情況下，將上述第一驅(qū)動電壓施加給上述多個邏輯元件，在上述振蕩信號的周期比正常狀態(tài)短或長的情況下，將上述第二驅(qū)動電壓施加給上述多個邏輯元件。
本發(fā)明的上述事項、其它的目的、特征以及優(yōu)點等，將通過下面說明的實施本發(fā)明的最佳實施例而變得更加明確。
在現(xiàn)有的振蕩器中，為了調(diào)節(jié)由振蕩器輸出的振蕩信號的周期，通過連接或斷開多個選擇電容，從而調(diào)節(jié)振蕩信號的周期，因此存在需要的檢測時間長，費用多的問題。
但是，本發(fā)明的振蕩器的情況下，由于通過使驅(qū)動振蕩器的電壓變化，從而調(diào)節(jié)振蕩信號的周期，因此具有可以大幅度減少檢測需要的時間和費用的優(yōu)點。


圖1是表示一般的環(huán)形振蕩器的電路圖。
圖2A是表示實施例的振蕩器使用的內(nèi)部電壓產(chǎn)生器的一個例子的電路圖。
圖2B是圖2A所示的電路中電壓變化的曲線圖。
圖3是表示在本發(fā)明的實施例中的振蕩器使用的內(nèi)部電壓產(chǎn)生器的另外的例子的電路圖。
圖4A是表示使為調(diào)節(jié)參照圖3說明的電平偏移電路的輸出電壓VREF_OSC的電阻比(rx/ry)變化的電路的例子的圖。
圖4B是表示使為調(diào)節(jié)參照圖3說明的電平偏移電路的輸出電壓VREF_OSC的電阻比(rx/ry)變化的電路的例子的圖。
圖4C是表示使為調(diào)節(jié)參照圖3說明的電平偏移電路的輸出電壓VREF_OSC的電阻比(rx/ry)變化的電路的例子的圖。
圖5是表示利用圖3所示的內(nèi)部電壓產(chǎn)生器輸出的電壓作為驅(qū)動電壓的振蕩器的電路圖，表示利用內(nèi)部電壓VOSC的狀態(tài)。
具體實施例方式
下面，參照附圖，具體地說明本發(fā)明的實施例的振蕩器。
圖2A是表示使用在本實施例的振蕩器中的內(nèi)部電壓產(chǎn)生器的一個例子的電路圖。圖2A所示的內(nèi)部電壓產(chǎn)生器包括產(chǎn)生基準(zhǔn)電壓(VREF_BASE)的基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生器200，變換基準(zhǔn)電壓VREF_BASE的電壓電平并輸出另一基準(zhǔn)電壓VREF_INT的電平偏移電路210，接收基準(zhǔn)電壓VREF_INT并輸出內(nèi)部電壓VINT的驅(qū)動部220，該內(nèi)部電壓施加給半導(dǎo)體裝置的內(nèi)部電路。
在基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生器200中，可以使用產(chǎn)生預(yù)定基準(zhǔn)電壓的一般電路(例如，帶隙基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生器、Widlar基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生器等)。關(guān)于該基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生器200，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，可以適當(dāng)選擇產(chǎn)生基準(zhǔn)電壓的公知的電路中的一個來使用。
電平偏移電路210是接收具有第一電壓電平的輸入信號并產(chǎn)生具有第二電壓電平的輸出信號的電路。其中，具有第一電壓電平的輸入信號由基準(zhǔn)電壓(VREF_BASE)表示，而具有第二電壓電平的輸出信號由基準(zhǔn)電壓VREF_INT表示。
圖2A表示的電平偏移電路210包括經(jīng)由源極接收電源電壓VDD的第一、第二和第三pMOS晶體管P21、P22、P23，經(jīng)由柵極接收第一基準(zhǔn)電壓VREF_BASE的第一nMOS晶體管N21，連接在第二pMOS晶體管P22的漏極與第一nMOS晶體管N21的源極之間的第二nMOS晶體管N22，經(jīng)由柵極接收偏壓電壓VBIAS的第三nMOS晶體管N23，連接在第三pMOS晶體管P23的漏極和第一節(jié)點ND21之間的第一電阻元件R1，以及連接在第一節(jié)點ND21和地之間的第二電阻元件R2。
電平偏移電路210的動作如下。首先，由于施加給差動放大器的一側(cè)的輸入端的基準(zhǔn)電壓VREF_BASE，晶體管P23導(dǎo)通。晶體管P23一導(dǎo)通，差動放大器另一側(cè)輸入端的電壓VR上升到與基準(zhǔn)電壓VREF_BASE相同的電平，其后，由于反饋動作，基準(zhǔn)電壓VREF_BASE和電壓VR維持在相同的電壓。此種情況，由于在電阻元件R2中流動的電流是VR/r2(r2是電阻元件R2的電阻值)，所以由電平偏移電路210輸出的電壓(輸出電壓)VREF_INT由下式表示。此外，r1是電阻元件R1的電阻值。
VREF_INT＝VR(1+r1/r2)因此，由電平偏移電路210輸出的電壓VREF_INT偏移到比基準(zhǔn)電壓VREF_BASE高的電壓。
驅(qū)動部220是接收由電平偏移電路210輸出的輸出電壓VREF_INT，并輸出在環(huán)形振蕩器等的半導(dǎo)體內(nèi)部裝置中使用的內(nèi)部電壓VINT的驅(qū)動電路。
驅(qū)動部220將來自電平偏移電路210的輸出電壓作為輸入電壓VREF_INT與來自驅(qū)動部220的輸出電壓VINT進(jìn)行比較，在輸出電壓VINT下降到輸入電壓VREF_INT以下時，晶體管P4導(dǎo)通。晶體管P4一導(dǎo)通，施加外部電源電壓VDD，輸出電壓VINT的電壓上升到與輸入電壓VREF_INT相同的電平。
圖2B是表示圖2A所示的電路中的各個電壓的變化的曲線圖。在圖2B中，表示外部電源電壓VDD、由基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生器200輸出的基準(zhǔn)電壓VREF_BASE以及由電平偏移電路210輸出的基準(zhǔn)電壓VREF_INT。施加外部電源電壓VDD之后，基準(zhǔn)電壓VREF_BASE以及基準(zhǔn)電壓VREF_INT經(jīng)過一定的時間，電壓維持在特定的電平。
圖3是表示用于本發(fā)明實施例的振蕩器的內(nèi)部電壓產(chǎn)生器的另一例的電路圖。圖3表示的內(nèi)部電壓產(chǎn)生器包括產(chǎn)生基準(zhǔn)電壓VREF_BASE的基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生器300，變換基準(zhǔn)電壓VREF_BASE的電壓電平并輸出另外的基準(zhǔn)電壓VREF_INT的電平偏移電路310，接收基準(zhǔn)電壓VREF_INT并輸出內(nèi)部電壓VINT的驅(qū)動部320，變換基準(zhǔn)電壓VREF_BASE的電壓電平并輸出又一基準(zhǔn)電壓VREF_OSC的電平偏移電路330，以及接收基準(zhǔn)電壓VREF_OSC并輸出內(nèi)部電壓VOSC的驅(qū)動部340。由于反饋動作，驅(qū)動部320的輸出電壓(內(nèi)部電壓)VINT被控制成與基準(zhǔn)電壓VREF_INT相同的電壓，另一方面，來自驅(qū)動部340的輸出電壓(內(nèi)部電壓)VOSC被控制成與基準(zhǔn)電壓VREF_OSC相同的電壓。
圖3所示的內(nèi)部電壓產(chǎn)生器的構(gòu)造除了增加電平偏移電路330和驅(qū)動部340，基本上與參照圖2A說明的內(nèi)部電壓產(chǎn)生器的結(jié)構(gòu)相同。
電平偏移電路330包括經(jīng)由源極被施加電源電壓VDD的第一、第二和第三pMOS晶體管P31、P32、P33，經(jīng)由柵極被施加第一基準(zhǔn)電壓VREF_BASE的第一nMOS晶體管N31，連接在第二pMOS晶體管P32的漏極和第一nMOS晶體管N31的源極之間的第二nMOS晶體管N32，經(jīng)由柵極被施加偏壓電壓VBIAS的第三nMOS晶體管N33，連接在第三pMOS晶體管P33的漏極和第一節(jié)點ND31之間的第一電阻元件Rx，以及連接在第一節(jié)點ND31和地之間的第二電阻元件Ry。
其中，第一和第二pMOS晶體管P31、P32的柵極相互連接，第二pMOS晶體管P32的柵極和漏極相互連接，第一pMOS晶體管P31的漏極和第一nMOS晶體管N31的漏極相互連接，第二pMOS晶體管P32的漏極和第二nMOS晶體管N32的漏極相互連接，第一nMOS晶體管N31的源極和第二nMOS晶體管N32的源極相互連接，在第一nMOS晶體管N31的源極與地之間連接第三nMOS晶體管N33，第一nMOS晶體管N31的漏極與第三pMOS晶體管P33的柵極相互連接，第二nMOS晶體管N32的柵極與第一節(jié)點ND31連接。因此，第二基準(zhǔn)電壓VREF_OSC由第三pMOS晶體管P33的漏極輸出。
如圖3所示，由電平偏移電路310輸出的基準(zhǔn)電壓VREF_INT和由電平偏移電路330輸出的基準(zhǔn)電壓VREF_OSC不同。另外，電平偏移電路330的基本動作與參照圖2A說明的電平偏移電路210的情況相同。即，由于反饋動作，差動放大器的電壓VR2維持在與基準(zhǔn)電壓VREF_BASE相同的電平。因此，由電平偏移電路330輸出的基準(zhǔn)電壓VREF_OSC如下表示。此外，rx、ry分別是電阻元件Rx、Ry的電阻值。
VREF_OSC＝VR2(1+rx/ry)由上述的表達(dá)式，知道通過使電阻值rx、ry變化，可以調(diào)節(jié)電平偏移電路330的輸出電壓VREF_OSC。
如上所述，由內(nèi)部電壓產(chǎn)生器輸出的內(nèi)部電壓VINT、VOSC被選擇性地施加給半導(dǎo)體裝置的內(nèi)部電路。
圖4A～4C表示用于調(diào)節(jié)由參照圖3說明的電平偏移電路330輸出的基準(zhǔn)電壓VREF_OSC而使電阻比(rx/ry)變化的電路的例子的圖。即，如圖4A、4B所示，知道通過利用金屬開關(guān)(即，利用金屬短路狀態(tài)或金屬開路狀態(tài))可以調(diào)節(jié)電阻比(rx/ry)。另外，如圖4C所示，知道通過使晶體管導(dǎo)通或截止，可以調(diào)節(jié)電阻比(rx/ry)。由此，通過調(diào)節(jié)電阻比(rx/ry)，可以調(diào)節(jié)由電平偏移電路330輸出的基準(zhǔn)電壓VREF_OSC的電壓。
圖5是表示利用由圖3所示的內(nèi)部電壓產(chǎn)生器輸出的電壓(內(nèi)部電壓)作為驅(qū)動電壓的振蕩器的電路圖，示出了利用內(nèi)部電壓VOSC的狀態(tài)。圖5所示的振蕩器包括6個反相器和一個與非門，這些邏輯元件為環(huán)形，即串聯(lián)連接成鏈狀，且構(gòu)成反相器鏈。另外，這些邏輯元件的驅(qū)動電壓是來自內(nèi)部電壓產(chǎn)生器的輸出電壓(內(nèi)部電壓)VOSC。與現(xiàn)有的情況不同，不設(shè)置由FIB裝置連接的選擇電容，只連接基本電容。即，圖5所示的電容是連接成可以產(chǎn)生設(shè)計者最初的目標(biāo)振蕩周期的基本電容。
另外，圖5所示的振蕩器的動作如下，首先，通過使用來自內(nèi)部電壓產(chǎn)生器作為振蕩器的驅(qū)動電壓的輸出電壓(內(nèi)部電壓)VINT，檢測由振蕩器輸出的信號的振蕩周期。如前所述，由于反饋動作，來自內(nèi)部電壓產(chǎn)生器的輸出電壓VINT變?yōu)榕c基準(zhǔn)電壓VREF_INT相同的電平。另外，由于反饋動作，來自內(nèi)部電壓產(chǎn)生器的輸出電壓VOSC變?yōu)榕c基準(zhǔn)電壓VREF_OSC相同的電平。
檢測結(jié)果中的振蕩周期與目標(biāo)振蕩周期一致的情況下，使用來自內(nèi)部電壓產(chǎn)生器的第一內(nèi)部電壓VINT作為振蕩器的驅(qū)動電壓。
檢測的結(jié)果中的振蕩周期比目標(biāo)振蕩周期短的情況下，使用來自內(nèi)部電壓產(chǎn)生器的第二內(nèi)部電壓VOSC作為振蕩器的的驅(qū)動電壓。此種情況下，通過調(diào)節(jié)電阻比(rx/ry)，使第二內(nèi)部電壓VOSC的電平比第一內(nèi)部電壓VINT低。
檢測結(jié)果中的振蕩周期比目標(biāo)振蕩周期長的情況下，使用來自內(nèi)部電壓產(chǎn)生器的第二內(nèi)部電壓VOSC作為振蕩器的驅(qū)動電壓。此種情況下，通過調(diào)節(jié)電阻比(rx/ry)，使第二內(nèi)部電壓VOSC電平比第一內(nèi)部電壓VINT高。
在上述實施例的情況下，雖然公開了利用兩個電平偏移電路310、330的例子，但是即使利用一個電平偏移電路330，也可以得到幾乎相同的效果。
通過對以上說明的理解，本發(fā)明的目的是提供一種可以通過調(diào)節(jié)驅(qū)動電壓，調(diào)節(jié)其振蕩信號的周期的振蕩器。為此，本發(fā)明的振蕩器，包括可以產(chǎn)生可變內(nèi)部電壓的內(nèi)部電壓產(chǎn)生器。本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以容易理解根據(jù)本發(fā)明的振蕩器使用的內(nèi)部電壓產(chǎn)生器除了將驅(qū)動電壓提供給振蕩器以外，還可以產(chǎn)生并供給半導(dǎo)體裝置需要的任意的電壓。
以上雖然是針對本發(fā)明的振蕩器的實施例的詳細(xì)說明，但是本發(fā)明并不局限于這些實施例，對于具有本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的通用知識的人來說，在不脫離本發(fā)明的技術(shù)思想和精神的情況下，可以對本發(fā)明進(jìn)行改進(jìn)或變化，這些也屬于本發(fā)明的技術(shù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種由可變驅(qū)動電壓動作的振蕩器，該振蕩器的多個邏輯元件連接成環(huán)狀并輸出預(yù)定周期的振蕩信號，其特征在于包括產(chǎn)生選擇性地施加給上述多個邏輯元件的第一以及第二驅(qū)動電壓的內(nèi)部電壓產(chǎn)生裝置，該振蕩器通過如下方式將上述振蕩信號的周期保持一定在上述振蕩信號的周期為正常狀態(tài)的情況下，上述第一驅(qū)動電壓施加給上述多個邏輯元件；在上述振蕩信號的周期比正常狀態(tài)短或長的情況下，將上述第二驅(qū)動電壓施加給上述多個邏輯元件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的由可變驅(qū)動電壓動作的振蕩器，其特征在于在上述振蕩信號的周期比正常狀態(tài)長的情況下，調(diào)節(jié)上述第二驅(qū)動電壓使其比上述第一驅(qū)動電壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的由可變驅(qū)動電壓動作的振蕩器，其特征在于在上述振蕩信號的周期比正常狀態(tài)短的情況下，調(diào)節(jié)上述第二驅(qū)動電壓使其比上述第一驅(qū)動電壓低。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的由可變驅(qū)動電壓動作的振蕩器，其特征在于上述多個邏輯元件為反相器，且串聯(lián)連接成鏈狀。
5.一種由可變驅(qū)動電壓動作的振蕩器，該振蕩器的多個邏輯元件連接成環(huán)狀并輸出預(yù)定周期的振蕩信號，包括產(chǎn)生選擇性地施加給上述多個邏輯元件的第一以及第二驅(qū)動電壓的內(nèi)部電壓產(chǎn)生裝置，其特征在于該內(nèi)部電壓產(chǎn)生裝置包括產(chǎn)生第一基準(zhǔn)電壓的基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生部；接收上述第一基準(zhǔn)電壓并輸出第二基準(zhǔn)電壓的第一電平偏移電路；接收上述第一基準(zhǔn)電壓并輸出第三基準(zhǔn)電壓的第二電平偏移電路；接收上述第二基準(zhǔn)電壓并輸出具有與上述第二基準(zhǔn)電壓相同電壓電平的上述第一驅(qū)動電壓的第一驅(qū)動部；以及接收上述第三基準(zhǔn)電壓并輸出具有與上述第三基準(zhǔn)電壓相同電壓電平的上述第二驅(qū)動電壓的第二驅(qū)動部；通過如下方式將上述振蕩信號的周期保持一定在上述振蕩信號的周期為正常狀態(tài)的情況下，將上述第一驅(qū)動電壓施加給多個邏輯元件；在上述振蕩信號的周期比正常狀態(tài)短或長的情況下，將上述第二驅(qū)動電壓施加給上述多個邏輯元件。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的由可變驅(qū)動電壓動作的振蕩器，其特征在于通過調(diào)節(jié)上述第三基準(zhǔn)電壓從而調(diào)節(jié)上述第二驅(qū)動電壓。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的由可變驅(qū)動電壓動作的振蕩器，其特征在于在上述振蕩信號的周期比正常狀態(tài)短的情況下，調(diào)節(jié)上述第三基準(zhǔn)電壓的電平以便使其比上述第二基準(zhǔn)電壓低；在上述振蕩信號的周期比正常狀態(tài)延遲的情況下，調(diào)節(jié)上述第三基準(zhǔn)電壓的電平以便使其比第二基準(zhǔn)電壓高。
8.一種由可變驅(qū)動電壓動作的振蕩器，該振蕩器的多個邏輯元件連接成環(huán)狀，并輸出預(yù)定周期的振蕩信號，其特征在于可以通過使構(gòu)成上述振蕩器的多個邏輯元件的驅(qū)動電壓變化而使由上述振蕩器輸出的上述振蕩信號的周期變化。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的由可變驅(qū)動電壓動作的振蕩器，其特征在于還包括產(chǎn)生施加給上述多個邏輯元件的上述驅(qū)動電壓的內(nèi)部電壓產(chǎn)生裝置。(權(quán)利要求8不包含內(nèi)部電壓產(chǎn)生裝置？)
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的由可變驅(qū)動電壓動作的振蕩器，其特征在于上述內(nèi)部電壓產(chǎn)生裝置包括產(chǎn)生第一基準(zhǔn)電壓的基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生部；接收上述第一基準(zhǔn)電壓并輸出第二基準(zhǔn)電壓的電平偏移電路，以及接收上述第二基準(zhǔn)電壓并輸出具有與上述第二基準(zhǔn)電壓相同的電平的第一驅(qū)動電壓的驅(qū)動部，使用上述第一驅(qū)動電壓作為上述多個邏輯元件的驅(qū)動電壓。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的由可變驅(qū)動電壓動作的振蕩器，其特征在于上述電平偏移電路包括經(jīng)由源極被施加電源電壓的第一、第二以及第三pMOS晶體管；經(jīng)由柵極接收上述第一基準(zhǔn)電壓的第一nMOS晶體管；連接在上述第二pMOS晶體管的漏極和上述第一nMOS晶體管的源極之間的第二nMOS晶體管；經(jīng)由柵極接收偏壓電壓的第三nMOS晶體管；連接在上述第三pMOS晶體管的漏極和第一節(jié)點之間的第一電阻元件；以及連接在上述第一節(jié)點與地之間的第二電阻元件；上述第一以及第二pMOS晶體管的柵極相互連接，上述第二pMOS晶體管的柵極與漏極相互連接；上述第一pMOS晶體管的漏極和上述第一nMOS晶體管的漏極相互連接；上述第二pMOS晶體管的漏極和上述第二nMOS晶體管的漏極相互連接；上述第一nMOS晶體管的源極和上述第二nMOS晶體管的源極相互連接；上述第一nMOS晶體管的源極和地之間連接有上述第三nMOS晶體管；上述第一nMOS晶體管的漏極和上述第三pMOS晶體管的柵極相互連接；上述第二nMOS晶體管的柵極與上述第一節(jié)點連接；上述第二基準(zhǔn)電壓由上述第三pMOS晶體管的漏極輸出。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的由可變驅(qū)動電壓動作的振蕩器，其特征在于通過調(diào)節(jié)上述第一以及第二電阻元件的電阻值，可以使上述第二基準(zhǔn)電壓變化。
全文摘要
提供一種可以輸出穩(wěn)定的振蕩周期的信號的振蕩器。該振蕩器的多個邏輯元件連接成環(huán)狀且由輸出預(yù)定周期的振蕩信號的可變驅(qū)動電壓動作，其包括產(chǎn)生選擇性地施加給上述多個邏輯元件的第一以及第二驅(qū)動電壓的內(nèi)部電壓產(chǎn)生器，通過如下方式將上述振蕩信號的周期保持一定在上述振蕩信號的周期為正常狀態(tài)的情況下，上述第一驅(qū)動電壓施加給上述多個邏輯元件，在上述振蕩信號的周期比正常狀態(tài)短或長的情況下，上述第二驅(qū)動電壓Vosc施加給上述多個邏輯元件。
文檔編號H03L7/00GK1642005SQ20041010329
公開日2005年7月20日 申請日期2004年12月8日 優(yōu)先權(quán)日2003年12月8日
發(fā)明者金庚煥 申請人:海力士半導(dǎo)體有限公司