專利名稱：調(diào)諧器用輸入電路及半導(dǎo)體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及調(diào)諧器用輸入電路及半導(dǎo)體裝置，特別涉及采用外差檢波方式的調(diào)諧器用輸入電路及半導(dǎo)體裝置。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，為了改善接收頻道的選擇特性，多數(shù)調(diào)諧器次用外差檢波方式，如圖1所示，高頻信號(hào)RF利用具有第1本機(jī)振蕩電路52及第1混頻器53的變換器54，變換為第1中頻信號(hào)IF1。第1中頻信號(hào)IF1通過(guò)帶阻濾波器56供給后級(jí)電路57。后級(jí)電路57具有檢波電路或第2混頻器64。檢波電路對(duì)第1中頻信號(hào)IF1進(jìn)行檢波。第2混品電路將第1中頻信號(hào)IF1變換為第2中頻信號(hào)。變換電路54在第1半導(dǎo)體芯片61上形成，后級(jí)電路57在第2半導(dǎo)體芯片62上形成。變換器54采用單端型作為高頻信號(hào)RF的輸入心事。所謂“單端型”的形式是，在用吉爾伯特單元構(gòu)成的第1混頻器53的一輸入端輸入高頻信號(hào)RF，將另一輸入端通過(guò)接地電容58在第1半導(dǎo)體芯片61的內(nèi)部接地。
為了降低諧調(diào)器的成本及減少安裝面積，如圖2所示，最好將變換器54及后級(jí)電路57在同一半導(dǎo)體芯片59上形成。但是，圖2所示的半導(dǎo)體芯片59上的變換器54與后級(jí)電路57之間的絕緣性，與圖1所示的第1半導(dǎo)體芯片61上的變換器61與第2半導(dǎo)體芯片62上的后級(jí)電路57之間的絕緣性相比要低。因而，存在變換器54與后級(jí)電路57之間信號(hào)泄漏的問(wèn)題。
例如，由后級(jí)電路57產(chǎn)生的檢波信號(hào)LS或第2中頻信號(hào)LS及其高次諧波信號(hào)LS，通過(guò)半導(dǎo)體基板并通過(guò)接地電容58向第1混頻器53的另一輸入端泄漏。泄漏的信號(hào)LS經(jīng)第1混貧氣53進(jìn)行頻率變換，落在中頻帶，在特定頻道引起拍頻干擾。
現(xiàn)在考慮后級(jí)電路57包含第2本機(jī)振蕩電路60的情況。通常，第2本機(jī)振蕩電路60生成的本機(jī)信號(hào)LS大于高頻信號(hào)RF。本機(jī)信號(hào)LS及其高次諧波信號(hào)LS被包含在由后級(jí)電路57產(chǎn)生的信號(hào)中，因而，本機(jī)信號(hào)LS及其高次諧波信號(hào)LS容易泄漏，容易產(chǎn)生拍頻干擾。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的調(diào)諧器用輸入電路，具有供給第1高頻信號(hào)的第1輸入端及供給第2高頻信號(hào)的第2輸入端，包括變換器，所述變換器包括生成將所述第1及第2高頻信號(hào)變換為第1中頻信號(hào)時(shí)使用的第1本機(jī)信號(hào)的第1本機(jī)振蕩電路，將所述第1本機(jī)信號(hào)和所述第1高頻信號(hào)及所述第2高頻信號(hào)進(jìn)行混頻生成所述第1中頻信號(hào)的第1混頻器，以及對(duì)所述第1中頻信號(hào)進(jìn)行處理的后級(jí)電路。
本發(fā)明的調(diào)諧器用輸入電路，具有供給高頻信號(hào)的第1輸入端及在半導(dǎo)體芯片外部進(jìn)行交流接地的第2輸入端，包括變換器，所述變換器包括生成將所述高頻信號(hào)變換為第1中頻信號(hào)時(shí)使用的第1本機(jī)信號(hào)的第1本機(jī)振蕩電路，將所述第1本機(jī)信號(hào)與所述高頻信號(hào)進(jìn)行混頻后生成所述第1中頻信號(hào)的第1混頻器，以及對(duì)所述第1中頻信號(hào)進(jìn)行處理的后級(jí)電路。
本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，配置在半導(dǎo)體芯片上并具有供給第1高頻信號(hào)的第1輸入端及供給第2高頻信號(hào)的第2輸入端，包括半導(dǎo)體芯片，配置在所述半導(dǎo)體芯片上的變換器，所述變換器包括生成將所述第1及第2高頻信號(hào)變換為第1中頻信號(hào)時(shí)使用的第1本機(jī)信號(hào)的第1本機(jī)振蕩電路和將所述第1本機(jī)信號(hào)和所述第1高頻信號(hào)及所述第2高頻信號(hào)進(jìn)行混頻生成所述第1中頻信號(hào)的第1混頻器，以及配置在所述半導(dǎo)體芯片上的對(duì)所述第1中頻信號(hào)進(jìn)行處理的后級(jí)電路。
本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，配置在半導(dǎo)體芯片上并具有供給高頻信號(hào)的第1輸入端及在所述半導(dǎo)體芯片外部進(jìn)行交流接地的第2輸入端，包括半導(dǎo)體芯片，配置在所述半導(dǎo)體芯片上的變換器，所述變換器包括生成將所述高頻信號(hào)變換為第1中頻信號(hào)時(shí)使用的第1本機(jī)信號(hào)的第1本機(jī)振蕩電路和將所述第1本機(jī)信號(hào)與所述高頻信號(hào)進(jìn)行混頻后生成所述第1中頻信號(hào)的第1混頻器，以及配置在所述半導(dǎo)體芯片上的對(duì)所述第1中頻信號(hào)進(jìn)行處理的后級(jí)電路。
圖1所示為采用外差檢波方式的調(diào)諧器用輸入電路之一例的方框圖。
圖2所示為圖1所示的變換器與后級(jí)電路在同一個(gè)半導(dǎo)體芯片上形成的調(diào)諧器用輸入電路方框圖。
圖3所示為本發(fā)明實(shí)施例的調(diào)諧器用輸入電路方框圖。
圖4所示為本發(fā)明實(shí)施例的第1變形例的調(diào)諧器用輸入電路方框圖。
圖5所示為本發(fā)明實(shí)施例的第2變形例的調(diào)諧器用輸入電路方框圖。
具體實(shí)施例方式
下面，參照附圖對(duì)實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明。附圖中各相同或類似的部分賦以相同或類似的標(biāo)號(hào)，并省略或簡(jiǎn)化這些相同或類似的部分的說(shuō)明。
如圖3所示，本發(fā)明實(shí)施例的調(diào)諧器用輸入電路至少具有半導(dǎo)體芯片13，第1輸入端3a，第2輸入端3b，變換器21及后級(jí)電路10。第1高頻信號(hào)RF1供給第1輸入端3a，第2高頻信號(hào)FR2供給第2輸入端3b。變換器21將第1及第2高頻信號(hào)RF1及RF2變換為第1中頻信號(hào)IF1。后級(jí)電路10對(duì)第1中頻信號(hào)IF1進(jìn)行處理。具體來(lái)說(shuō)，后級(jí)電路10對(duì)第1中頻信號(hào)IF1進(jìn)行檢波，并輸出檢波信號(hào)DS。第1及第2輸入端3a及3b，變換器21及后級(jí)電路10配置在同一個(gè)半導(dǎo)體芯片13上。
變換器21具有第1本機(jī)振蕩電路4及第1混頻器1。第1本機(jī)振蕩電路4生成將第1及第2高頻信號(hào)RF1及RF2變換為第1中頻信號(hào)IF1時(shí)使用的第1本機(jī)信號(hào)LS1。由于第1本機(jī)信號(hào)LS1的頻率根據(jù)第1及第2高頻信號(hào)RF1及RF2的頻率和第1中頻信號(hào)IF1的頻率唯一決定，因此根據(jù)調(diào)諧器接收的頻帶決定。第1混貧氣1由吉爾伯特單元構(gòu)成，具有兩個(gè)輸入。第1混頻器1的兩個(gè)輸入分別與第1及第2輸入端3a及3b連接。第1混頻器1將第1本機(jī)信號(hào)LS1，第1高頻信號(hào)RF1及第2高頻信號(hào)RF2進(jìn)行混頻，生成第1中頻信號(hào)IF1。換句話說(shuō)，第1混頻器1利用第1本機(jī)信號(hào)LS1的頻率，將第1及第2高頻信號(hào)RF1及RF2變換為第1中頻信號(hào)IF1。
本發(fā)明實(shí)施例的調(diào)諧器用輸入電路還具有中頻放大器(IF放大器)7，帶阻濾波器9及鎖相環(huán)電路(PLL電路Phase Locked Loop Circuit)5。IF放大器7及PLL電路5配置在半導(dǎo)體芯片13上。IF放大器7將第1混頻器1輸出的第1中頻信號(hào)IF1進(jìn)行放大。帶阻濾波器9具有一定(fixed)的通帶。利用IF放大器7放大的的二一兆時(shí)度年個(gè)磅毫年升毫年時(shí)秒度IF1通過(guò)帶阻濾波器9后，輸出給后級(jí)電路10。因而，第1中頻信號(hào)IF1中，僅有一定通帶的頻率分量輸出給后級(jí)電路10。PLL電路5與第1本機(jī)振蕩電路4連接，控制第1本機(jī)振蕩電路4生成的第1本機(jī)信號(hào)LS1的頻率。
PLL電路5至少具有相位比較器，低通濾波器及基準(zhǔn)振蕩器。相位比較器將第1本機(jī)信號(hào)LS1的頻率與來(lái)自基準(zhǔn)振蕩器的基準(zhǔn)振蕩頻率進(jìn)行相位比較，生成控制信號(hào)CS。PLL電路5通過(guò)對(duì)第1本機(jī)振蕩電路4提供控制信號(hào)CS，來(lái)控制第1本機(jī)信號(hào)LS1的頻率。PLL電路5由于具有晶體振蕩器作為基準(zhǔn)振蕩器，因此第1本機(jī)振蕩電路4能夠生成精度高，穩(wěn)定的第1本機(jī)信號(hào)LS1。
帶阻濾波器9配置在半導(dǎo)體芯片13的外部。帶阻濾波器9的一端通過(guò)半導(dǎo)體芯片13上的外部端子8，與IF放大器7連接。帶阻濾波器9的另一端通過(guò)半導(dǎo)體芯片13上的外部端子8b，與后級(jí)電路10連接。
后級(jí)電路10具有第2本機(jī)振蕩電路17，檢波電路16及前置放大器15。前置放大器15與外部端子8b連接，將第1中頻信號(hào)IF1進(jìn)行放大。第2本機(jī)振蕩電路17生成將第1中頻信號(hào)IF1進(jìn)行檢波時(shí)使用的第2本機(jī)信號(hào)LS2。第2本機(jī)信號(hào)LS2的頻率與第1中頻信號(hào)IF1為相同的頻率。檢波電路1 6與前置放大器15及第2本機(jī)振蕩電路17連接，將第2本機(jī)信號(hào)LS2與第1中頻信號(hào)IF1進(jìn)行混頻，將檢波信號(hào)DS輸出。換句話說(shuō)，檢波電路16利用第2本機(jī)信號(hào)LS2，對(duì)第1中頻信號(hào)IF1進(jìn)行檢波。檢波信號(hào)DS通過(guò)外部端子12，引出到半導(dǎo)體芯片13的外部。
如上所述，第1高頻信號(hào)RF1供給第1輸入端3a，第2高頻信號(hào)RF2供給第2輸入端3b。第1及第2輸入端3a及3b與第1混頻器1的輸入連接。第1混頻器1的輸入在半導(dǎo)體芯片13的內(nèi)部不進(jìn)行交流接地。因而，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，檢波信號(hào)DS，第2本機(jī)信號(hào)LS2及第2本機(jī)信號(hào)LS2的幾次諧波不向第1混頻器1泄漏。結(jié)果，能夠減輕拍頻干擾。
另外，在本發(fā)明的實(shí)施例中，帶阻濾波器9另外附加在半導(dǎo)體芯片13的外面。但是，也可從將帶阻濾波器9配置在半導(dǎo)體芯片13內(nèi)。
(第1變形例)如圖4所示，本發(fā)明實(shí)施例的第1變形例的調(diào)諧器用輸入電路具有半導(dǎo)體芯片13，配置在半導(dǎo)體芯片13上的第1輸入端3A及第2輸入端3b，與第1及第2輸入端3a及3b連接的變換器21，與變換器21連接的PLL電路5，與變換器21連接的IF放大器7，與IF放大器7連接的帶阻濾波器9，以及與帶阻濾波器9連接的后級(jí)電路10。變換器21，PLL電路5，IF放大器7及后級(jí)電路10配置在半導(dǎo)體芯片13上。帶阻濾波器9配置在半導(dǎo)體芯片13的外部。帶阻濾波器9的一端通過(guò)半導(dǎo)體芯片13上的外部端子8a與IF放大器7連接。帶阻濾波器9的另一端通過(guò)半導(dǎo)體芯片13上的外部端子8b與后級(jí)電路10連接，第2輸入端3b通過(guò)半導(dǎo)體芯片13外部的接地電容22接地。
變換器21具有與第1及第2輸入端3a及3b連接的第1混頻器1，以及與第1混頻器1及PLL電路5連接的第1本機(jī)振蕩電路4。第1混頻器1由吉爾伯特單元構(gòu)成，具有2個(gè)輸入。第1混頻器1的2個(gè)輸入分別與第1及第2輸入端3a及3b連接。
后級(jí)電路10具有通過(guò)外部端子8b與帶阻濾波器9連接的前置放大器15，與前置放大器15連接的檢波電路16，以及與檢波電路16連接的第2本機(jī)振蕩電路17。
高頻信號(hào)RF供給第1輸入端3a。第1本機(jī)振蕩電路4生成將高頻信號(hào)RF變換為第1中頻信號(hào)IF1時(shí)使用的第1本機(jī)信號(hào)LS1，由于第1本機(jī)信號(hào)LS1的頻率根據(jù)高頻信號(hào)RF的頻率及第1中頻信號(hào)IF1的頻率唯一決定，因此根據(jù)調(diào)諧器接收的頻帶決定。第1混頻器1將第1本機(jī)信號(hào)LS1及高頻信號(hào)RF進(jìn)行混頻，生成第1中頻信號(hào)IF1。因而，變換器21能夠?qū)⒏哳l信號(hào)RF變換為第1中頻信號(hào)IF1。
PLL電路5至少具有相位比較器，低通濾波器及基準(zhǔn)振蕩器。相位比較器將第1本機(jī)信號(hào)LS1的頻率與來(lái)自基準(zhǔn)振蕩器的基準(zhǔn)振蕩頻率進(jìn)行相位比較，生成控制信號(hào)CS。PLL電路5通過(guò)對(duì)第1本機(jī)振蕩電路4提供控制信號(hào)CS，來(lái)控制第1本機(jī)信號(hào)LS1的頻率。
IF放大器7將第1混頻器1輸出的第1中頻信號(hào)IF1進(jìn)行放大。利用IF放大器7放大的第1中頻信號(hào)IF1通過(guò)帶阻濾波器9后，輸出給后級(jí)電路10。
前置放大器15將第1中頻信號(hào)IF1進(jìn)行放大。第2本機(jī)振蕩電路17生成將第1中頻信號(hào)IF1進(jìn)行檢波時(shí)使用的第2本機(jī)信號(hào)LS2。檢波電路16將第2本機(jī)信號(hào)LS2與第1中頻信號(hào)IF1進(jìn)行混頻，將檢波信號(hào)DS輸出。檢波信號(hào)DS通過(guò)外部端子12，引出到半導(dǎo)體芯片13的外部。因而，后級(jí)電路10能夠?qū)⒌?中頻信號(hào)IF1進(jìn)行檢波，將檢波信號(hào)DS輸出。
如上所述，高頻信號(hào)RF供給第1輸入端3a。第2輸入端3b通過(guò)半導(dǎo)體芯片13外部的接地電容22接地。因而，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的第1變形例，檢波信號(hào)DS，第2本機(jī)信號(hào)LS2及第2本機(jī)信號(hào)LS2的n次諧波不向第1混頻器1泄漏。結(jié)果，能夠減輕拍頻干擾。
(第2變形例)如圖5所示，本發(fā)明實(shí)施例的第2變形例的調(diào)諧器用輸入電路具有半導(dǎo)體芯片13，配置在半導(dǎo)體芯片13上的第1輸入端3a及第2輸入端3b，與第1及第2輸入端3a及3b連接的變換器21，與變換器21連接PLL電路5，與變換器21連接的IF放大器7，與IF放大器7連接的帶阻濾波器9，以及與帶阻濾波器9連接的后級(jí)電路24。變換器21，PLL電路5，IF放大器7及后級(jí)電路24配置在半導(dǎo)體芯片13上。帶阻濾波器9配置在半導(dǎo)體芯片133的外部。氮族濾波器的一端通過(guò)半導(dǎo)體芯片13上的外部端子8s與IF放大器7連接，帶阻濾波器9的另一端通過(guò)半導(dǎo)體芯片13上的外部端子8b與后級(jí)電路24連接。
變換器21具有與第1及第2輸入端3a及3b連接的第1混頻器1，以及與第1混頻器1及PLL電路5連接的第1本機(jī)振蕩電路4。第1混頻器1由吉爾伯特單元構(gòu)成，具有2個(gè)輸入。第1混貧氣1的2個(gè)輸入分別與第1及第2輸入端3a及3b連接。
后級(jí)電路24具有通過(guò)外部端子8b與帶阻濾波器9連接的前置放大器15，與前置放大器15連接的第2混頻器23，以及與第2混貧氣23連接的第2本機(jī)振蕩電路27。
第1高頻信號(hào)RF1供給第1輸入端3a，第2高頻信號(hào)RF2供給第2輸入端3b。第1本機(jī)振蕩電路4生成將第1及第2高頻信號(hào)RF及RF2變換為第1中頻信號(hào)IF1時(shí)使用的第1本機(jī)信號(hào)LS1。第1本機(jī)信號(hào)LS1的頻率根據(jù)第1及第2高頻信號(hào)RF1及RF2的頻率和第1中頻信號(hào)IF1的頻率唯一決定。因此根據(jù)調(diào)諧器接收的頻帶決定。第1混頻器1將第1本機(jī)信號(hào)LS1，第1高頻信號(hào)RF1與第2高頻信號(hào)RF2進(jìn)行混頻，生成第1中頻信號(hào)IF1。因而，變換器21能夠?qū)⒌?及第2高頻信號(hào)RF1及RF2變換為第1中頻信號(hào)IF1。
PLL電路5至少具有相位比較器，低通濾波器及基準(zhǔn)振蕩器。相位比較器將第1本機(jī)信號(hào)LS1的頻率與來(lái)自基準(zhǔn)振蕩器的基準(zhǔn)振蕩頻率進(jìn)行相位比較，生成控制信號(hào)CS。PLL電路5通過(guò)對(duì)第1本機(jī)振蕩電路4提供控制信號(hào)CS，來(lái)控制第1本機(jī)信號(hào)LS1的頻率。
IF放大器7將第1混頻器1輸出的第1中頻信號(hào)IF1進(jìn)行放大。利用IF放大器7放大的第1中頻信號(hào)IF1通過(guò)帶阻濾波器9后，輸出給后級(jí)電路24。
前置放大器15將第1中頻信號(hào)IF1進(jìn)行放大。第2本機(jī)振蕩電路27生成將第1中頻信號(hào)IF1變換為第2中頻信號(hào)IF2時(shí)使用的第本機(jī)信號(hào)LS3。第2混頻器23將第2本機(jī)信號(hào)LS3與第1中頻信號(hào)IF1進(jìn)混頻，將第2中頻信號(hào)IF2輸出。第2中頻信號(hào)IF2通過(guò)外部端子12，引出到半導(dǎo)體芯片13的外部。因而，后級(jí)電路24能夠處理第1中頻信號(hào)IF1。具體來(lái)說(shuō)，后級(jí)電路24能夠?qū)⒌?中頻信號(hào)IF1變換為第2中頻信號(hào)IF2。
如上所述，第1高頻信號(hào)RF1供給第1輸入端3a，第2高頻信號(hào)RF2供給第2輸入端3b。因而，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的第2變形例，第2中頻信號(hào)IF2，第2本機(jī)信號(hào)LS2及第2本機(jī)信號(hào)LS2的n次諧波不向第1混頻器1泄漏。結(jié)果，能夠減輕拍頻干擾。
圖3～圖5所示的調(diào)諧器用輸入電路能夠作為具有半導(dǎo)體芯片13，配置在半導(dǎo)體芯片13上的第1及第2輸入端3a及3b，變換器21以及后級(jí)電路10及24的調(diào)諧器用輸入裝置或半導(dǎo)體裝置實(shí)現(xiàn)。
本領(lǐng)域的技術(shù)人員能掌握其它的優(yōu)點(diǎn)和修改。因此，本發(fā)明不限于本發(fā)明實(shí)施例的具體的描述，只要在本發(fā)明精神以及權(quán)利要求書的范圍內(nèi)，當(dāng)然可以進(jìn)行種種變化和修改。
權(quán)利要求
1.一種調(diào)諧器用輸入電路，具有供給第1高頻信號(hào)的第1輸入端及供給第2高頻信號(hào)的第2輸入端，其特征在于，包括變換器，所述變換器包括生成將所述第1及第2高頻信號(hào)變換為第1中頻信號(hào)時(shí)使用的第1本機(jī)信號(hào)的第1本機(jī)振蕩電路，將所述第1本機(jī)信號(hào)和所述第1高頻信號(hào)及所述第2高頻信號(hào)進(jìn)行混頻生成所述第1中頻信號(hào)的第1混頻器，以及對(duì)所述第1中頻信號(hào)進(jìn)行處理的后級(jí)電路。
2.如權(quán)利要求1所述的調(diào)諧器用輸入電路，其特征在于，所述后級(jí)電路包括生成將所述第1中頻信號(hào)進(jìn)行檢波時(shí)使用的第2本機(jī)信號(hào)的第2本機(jī)振蕩電路，以及將所述第2本機(jī)信號(hào)與所述第1中頻信號(hào)進(jìn)行混頻而將所述第1中頻信號(hào)進(jìn)行檢波的檢波電路。
3.如權(quán)利要求1所述的調(diào)諧器用輸入電路，其特征在于，所述后級(jí)電路包括生成將所述第1中頻信號(hào)變換為第2中頻信號(hào)時(shí)使用的第2本機(jī)信號(hào)的第2本機(jī)振蕩電路，以及將所述第2本機(jī)信號(hào)與所述第1中頻信號(hào)進(jìn)行混頻生成所述第2中頻信號(hào)的第2混頻器。
4.如權(quán)利要求1所述的調(diào)諧器用輸入電路，其特征在于，還包括控制所述第1本機(jī)信號(hào)的頻率的鎖相環(huán)電路。
5.如權(quán)利要求1所述的調(diào)諧器用輸入電路，其特征在于，還包括僅使一定頻帶通過(guò)的帶阻濾波器。
6.一種調(diào)諧器用輸入電路，具有供給高頻信號(hào)的第1輸入端及在半導(dǎo)體芯片外部進(jìn)行交流接地的第2輸入端，其特征在于，包括變換器，所述變換器包括生成將所述高頻信號(hào)變換為第1中頻信號(hào)時(shí)使用的第1本機(jī)信號(hào)的第1本機(jī)振蕩電路，將所述第1本機(jī)信號(hào)與所述高頻信號(hào)進(jìn)行混頻后生成所述第1中頻信號(hào)的第1混頻器，以及對(duì)所述第1中頻信號(hào)進(jìn)行處理的后級(jí)電路。
7.如權(quán)利要求6所述的調(diào)諧器用輸入電路，其特征在于，所述后級(jí)電路包括生成將所述第1中頻信號(hào)進(jìn)行檢波時(shí)使用的第2本機(jī)信號(hào)的第2本機(jī)振蕩電路，以及將所述第2本機(jī)信號(hào)與所述第1中頻信號(hào)進(jìn)行混頻而將所述第1中頻信號(hào)進(jìn)行檢波的檢波電路。
8.如權(quán)利要求6所述的調(diào)諧器用輸入電路，其特征在于，所述后級(jí)電路包括生成將所述第1中頻信號(hào)變換為第2中頻信號(hào)時(shí)使用的第2本機(jī)信號(hào)的第2本機(jī)振蕩電路，以及將所述第2本機(jī)信號(hào)與所述第1中頻信號(hào)進(jìn)行混頻生成所述第2中頻信號(hào)的第2混頻器。
9.如權(quán)利要求6所述的調(diào)諧器用輸入電路，其特征在于，還包括控制所述第1本機(jī)信號(hào)的頻率的鎖相環(huán)電路。
10.如權(quán)利要求6所述的調(diào)諧器用輸入電路，其特征在于，還包括僅使一定頻帶通過(guò)的帶阻濾波器。
11.一種半導(dǎo)體裝置，配置在半導(dǎo)體芯片上并具有供給第1高頻信號(hào)的第1輸入端及供給第2高頻信號(hào)的第2輸入端，其特征在于，包括半導(dǎo)體芯片，配置在所述半導(dǎo)體芯片上的變換器，所述變換器包括生成將所述第1及第2高頻信號(hào)變換為第1中頻信號(hào)時(shí)使用的第1本機(jī)信號(hào)的第1本機(jī)振蕩電路和將所述第1本機(jī)信號(hào)和所述第1高頻信號(hào)及所述第2高頻信號(hào)進(jìn)行混頻生成所述第1中頻信號(hào)的第1混頻器，以及配置在所述半導(dǎo)體芯片上的對(duì)所述第1中頻信號(hào)進(jìn)行處理的后級(jí)電路。
12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述后級(jí)電路包括生成將所述第1中頻信號(hào)進(jìn)行檢波時(shí)使用的第2本機(jī)信號(hào)的第2本機(jī)振蕩電路，以及將所述第2本機(jī)信號(hào)與所述第1中頻信號(hào)進(jìn)行混頻而將所述第1中頻信號(hào)進(jìn)行檢波的檢波電路。
13.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述后級(jí)電路包括生成將所述第1中頻信號(hào)變換為第2中頻信號(hào)時(shí)使用的第2本機(jī)信號(hào)的第2本機(jī)振蕩電路，以及將所述第2本機(jī)信號(hào)與所述第1中頻信號(hào)進(jìn)行混頻生成所述第2中頻信號(hào)的第2混頻器。
14.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還包括配置在所述半導(dǎo)體芯片上的控制所述第1本機(jī)信號(hào)的頻率的鎖相環(huán)電路。
15.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還包括僅使一定頻帶通過(guò)的帶阻濾波器。
16.一種半導(dǎo)體裝置，配置在半導(dǎo)體芯片上并具有供給高頻信號(hào)的第1輸入端及在所述半導(dǎo)體芯片外部進(jìn)行交流接地的第2輸入端，其特征在于，包括半導(dǎo)體芯片，配置在所述半導(dǎo)體芯片上的變換器，所述變換器包括生成將所述高頻信號(hào)變換為第1中頻信號(hào)時(shí)使用的第1本機(jī)信號(hào)的第1本機(jī)振蕩電路和將所述第1本機(jī)信號(hào)與所述高頻信號(hào)進(jìn)行混頻后生成所述第1中頻信號(hào)的第1混頻器，以及配置在所述半導(dǎo)體芯片上的對(duì)所述第1中頻信號(hào)進(jìn)行處理的后級(jí)電路。
17.如權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述后級(jí)電路包括生成將所述第1中頻信號(hào)進(jìn)行檢波時(shí)使用的第2本機(jī)信號(hào)的第2本機(jī)振蕩電路，以及將所述第2本機(jī)信號(hào)與所述第1中頻信號(hào)進(jìn)行混頻而將所述第1中頻信號(hào)進(jìn)行檢波的檢波電路。
18，如權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述后級(jí)電路包括生成將所述第1中頻信號(hào)變換為第2中頻信號(hào)時(shí)使用的第2本機(jī)信號(hào)的第2本機(jī)振蕩電路，以及將所述第2本機(jī)信號(hào)與所述第1中頻信號(hào)進(jìn)行混頻生成所述第2中頻信號(hào)的第2混頻器。
19.如權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還包括配置在所述半導(dǎo)體芯片上的控制所述第1本機(jī)信號(hào)的頻率的鎖相環(huán)電路。
20.如權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還包括僅使一定頻帶通過(guò)的帶阻濾波器。
全文摘要
本發(fā)明揭示一種調(diào)諧器用輸入電路，具有供給第1高頻信號(hào)的第1輸入端及供給第2高頻信號(hào)的第2輸入端，包括變換器，所述變換器包括生成將所述第1及第2高頻信號(hào)變換為第1中頻信號(hào)時(shí)使用的第1本機(jī)信號(hào)的第1本機(jī)振蕩電路，將所述第1本機(jī)信號(hào)和所述第1高頻信號(hào)及所述第2高頻信號(hào)進(jìn)行混頻生成所述第1中頻信號(hào)的第1混頻器，以及對(duì)所述第1中頻信號(hào)進(jìn)行處理的后級(jí)電路。
文檔編號(hào)H03D7/00GK1412942SQ02147538
公開(kāi)日2003年4月23日 申請(qǐng)日期2002年10月11日 優(yōu)先權(quán)日2001年10月12日
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