磁電機(jī)用單相整流、電壓調(diào)節(jié)功率模塊的制作方法
【專利摘要】磁電機(jī)用單相整流、電壓調(diào)節(jié)功率模塊。涉及一種車用整流、電壓調(diào)節(jié)功部件，尤其涉及一種磁電機(jī)用單相整流、電壓調(diào)節(jié)功率模塊。提供了一種成本低、功耗小、性能穩(wěn)定、加工效率高、工作量小、結(jié)構(gòu)緊湊，能夠適應(yīng)流水線加工且進(jìn)行模塊化制作的磁電機(jī)用單相整流、電壓調(diào)節(jié)功率模塊。所述基板上設(shè)有正極引出端子、負(fù)極引出端子、兩個(gè)交流引出端子和兩個(gè)門極引出端子、一個(gè)接地端子。所述正極引出端子、負(fù)極引出端子、交流引出端子在伸出封裝體之前的部分設(shè)有段差面。采用全封裝結(jié)構(gòu)，工作環(huán)境穩(wěn)定，對(duì)性能影響小，避免了現(xiàn)有技術(shù)中半封裝結(jié)構(gòu)存在的環(huán)境濕度大導(dǎo)致工作不穩(wěn)定的問題。
【專利說明】
磁電機(jī)用單相整流、電壓調(diào)節(jié)功率模塊
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及一種車用整流、電壓調(diào)節(jié)功部件，尤其涉及磁電機(jī)用單相整流、電壓調(diào)節(jié)功率模塊。
【背景技術(shù)】
[0002]整流、電壓調(diào)節(jié)器一般應(yīng)用于汽車電路中，汽車電路中一般利用磁電機(jī)為為附設(shè)電路提供電能，整流、電壓調(diào)節(jié)器置于磁電機(jī)與附設(shè)電路之間，將磁電機(jī)發(fā)出的電能轉(zhuǎn)化為穩(wěn)定的直流電源為附設(shè)電路供電。所以整流、電壓調(diào)節(jié)器的質(zhì)量直接關(guān)系到整個(gè)汽車電路的安全與穩(wěn)定。整流、電壓調(diào)節(jié)器內(nèi)部電路中的整流電路和可控硅芯片調(diào)節(jié)電路工作時(shí)均有較大的電流通過，其功耗較大。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中磁電機(jī)用整流電壓調(diào)節(jié)器的功率部分普遍使用整流二極管單元器件(gpCELL)和T0-220封裝可控硅芯片器件，通過回流焊接工藝安裝在鋁基敷銅板上?，F(xiàn)有工藝技術(shù)產(chǎn)品的整流電路部分，均采用單元整流二極管(即CELL)組成，該單元整流二極管是半封裝外形，用酸腐蝕工藝制成。使用中因環(huán)境濕度大，焊接溫度高等因素，經(jīng)常發(fā)生電氣性能衰降的不穩(wěn)定情況;磁電機(jī)用整流電壓調(diào)節(jié)器電路對(duì)可控硅芯片器件的部分參數(shù)有配對(duì)要求，由于使用了單體的T0-220封裝的可控硅芯片，因此需要對(duì)可控硅芯片器件進(jìn)行人工測(cè)量篩選配對(duì);增加配對(duì)測(cè)量的工序及工作量。
[0004]磁電機(jī)用整流電壓調(diào)節(jié)器中電路板采用鋁基敷銅底板與二極管、可控硅芯片進(jìn)行焊接，其元器件位置及功率總成的引出端子之間位置尺寸不一致，造成功率底板和控制PCB板對(duì)接端子不能準(zhǔn)確對(duì)位，給生產(chǎn)操作帶來難度，影響生產(chǎn)效率。半封裝外形的二極管和可控硅器件經(jīng)過與鋁基敷銅板的高溫焊接(可達(dá)250°C)，其電器性能會(huì)發(fā)生一定比例的變化，且在線器件難以通過測(cè)量進(jìn)行篩選，容易造成隱患產(chǎn)品流入市場(chǎng)。
[0005]現(xiàn)有技術(shù)在生產(chǎn)過程中，需要采用單元二極管(CELL)、可控硅器件、鋁基敷銅板、焊錫膏和銅質(zhì)引出端子，進(jìn)行裝配焊接，無法實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化生產(chǎn)，耗費(fèi)較多的人工，生產(chǎn)成本較高。形成的產(chǎn)品功耗大、性能不穩(wěn)定(環(huán)境濕度和溫度變化大)。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0006]本實(shí)用新型針對(duì)以上問題，提供了一種成本低、功耗小、性能穩(wěn)定、加工效率高、工作量小、結(jié)構(gòu)緊湊，能夠適應(yīng)流水線加工且進(jìn)行模塊化制作的磁電機(jī)用單相整流、電壓調(diào)節(jié)功率模塊。
[0007]本實(shí)用新型的技術(shù)方案是:磁電機(jī)用單相整流、電壓調(diào)節(jié)功率模塊，包括封裝體，以及伸出封裝體的若干接線用的引出端子，在封裝體內(nèi)設(shè)有基板，在所述基板上設(shè)置低功耗整流、電壓調(diào)節(jié)電路，所述整流、電壓調(diào)節(jié)電路固定于所述基板上；
[0008]所述基板上設(shè)有正極引出端子、負(fù)極引出端子、兩個(gè)交流引出端子、兩個(gè)門極引出端子和一個(gè)接地端子。
[0009]所述正極引出端子、負(fù)極引出端子、交流引出端子在伸出封裝體之前的部分設(shè)有段差面。
[0010]所述基板上設(shè)有若干通孔。
[0011 ] 所述基板分割為相互絕緣的區(qū)域一 A、區(qū)域二 A、區(qū)域三A、區(qū)域四A和區(qū)域五A，
[0012]所述區(qū)域一A上設(shè)二極管芯片一 A焊接位和二極管芯片二 A焊接位，且區(qū)域一 A包括伸出封裝體的正極引出端子A;
[0013]所述區(qū)域二A上設(shè)二極管芯片四A焊接位，且區(qū)域二 A包括伸出封裝體的交流引出端子一 A ；
[0014]所述區(qū)域三A上設(shè)二極管芯片三A焊接位和可控硅芯片一 A焊接位，且區(qū)域三A包括伸出封裝體的交流引出端子二 A;
[0015]所述區(qū)域四A上設(shè)有可控硅芯片二 A焊接位；
[0016]所述區(qū)域五A包括伸出封裝體的負(fù)極引出端子A和接地端子A;
[0017]所述區(qū)域四A和區(qū)域二A通過上層電路連接片相連；
[0018]所述低功耗整流、電壓調(diào)節(jié)電路包括二極管芯片一A、二極管芯片二 A、二極管芯片三A、二極管芯片四A、可控硅芯片一 A和可控硅芯片二 A;
[0019]所述二極管芯片一A的負(fù)極向下焊接于所述二極管芯片一 A焊接位上；
[0020]所述二極管芯片二A的負(fù)極向下焊接于所述二極管芯片二 A焊接位上；
[0021]所述二極管芯片三A的負(fù)極向下焊接于所述二極管芯片三A焊接位上；
[0022]所述二極管芯片四A的負(fù)極向下焊接于所述二極管芯片四A焊接位上；
[0023]所述二極管芯片一A的正極通過上層電路連接片連通基板上的區(qū)域三A，同時(shí)連接所述交流引出端子二 A;
[0024]所述二極管芯片二A的正極通過上層電路連接片連通基板上的區(qū)域二A，同時(shí)連接所述交流引出端子一 A;
[0025]所述二極管芯片三A的正極與所述區(qū)域五A通過上層電路連接片相連，
[0026]所述二極管芯片四A的正極與所述區(qū)域五A通過上層電路連接片相連;使得二極管芯片三A的正極和二極管芯片四A的正極連通至負(fù)極引出端子；
[0027]所述可控硅芯片一A的陽極向下焊接于所述可控硅芯片一 A焊接位上;所述可控硅芯片一 A的門極通過鋁絲鍵合與所述門極引出端子一連接;所述可控硅芯片一 A的陰極通過鋁絲鍵合連通區(qū)域四A;
[0028]所述可控硅芯片二 A的陽極向下焊接于所述可控硅芯片二 A焊接位上;所述可控硅芯片二 A的門極通過鋁絲鍵合與所述門極引出端子二連接;可控硅芯片二 A的陰極通過鋁絲鍵合連通區(qū)域三A。
[0029 ] 所述基板分割為相互絕緣的區(qū)域一 B、區(qū)域二 B、區(qū)域三B、區(qū)域四B、區(qū)域五B和區(qū)域六，
[0030]所述區(qū)域一B上設(shè)有二極管芯片一 B焊接位和二極管芯片二 B焊接位，且所述區(qū)域一B上包括伸出封裝體的正極引出端子B，
[0031]所述區(qū)域二B上設(shè)有二極管芯片三B焊接位和二極管芯片四B焊接位，且所述區(qū)域二B上包括伸出封裝體的負(fù)極引出端子B和接地端子B，
[0032]所述區(qū)域三B上設(shè)有可控硅芯片二 B焊接位，
[0033]所述區(qū)域四B上設(shè)有可控硅芯片一 B焊接位，
[0034]所述區(qū)域五B上包括伸出封裝體的交流引出端子一B，
[0035]所述區(qū)域六上包括伸出封裝體的交流引出端子二B;
[0036]所述區(qū)域四B和所述區(qū)域五B通過上層電路連接片相連，
[0037]所述區(qū)域三B和所述區(qū)域六B通過上層電路連接片相連；
[0038]所述低功耗整流、電壓調(diào)節(jié)電路包括二極管芯片一B、二極管芯片二 B、二極管芯片三B、二極管芯片四B、可控硅芯片一 B和可控硅芯片二 B，
[0039]所述二極管芯片一B的負(fù)極向下焊接于所述二極管芯片一 B焊接位上；
[0040]所述二極管芯片二B的負(fù)極向下焊接于所述二極管芯片二 B焊接位上；
[0041]所述二極管芯片三B的負(fù)極向下焊接于所述二極管芯片三B焊接位上；
[0042]所述二極管芯片四B的負(fù)極向下焊接于所述二極管芯片四B焊接位上；
[0043]所述二極管芯片一 B的正極通過上層電路連接片連通基板上的區(qū)域五B再連通所述交流引出端子一 B，
[0044]所述二極管芯片二 B的正極通過上層電路連接片連通基板上的區(qū)域六再連通所述交流引出端子二 B，
[0045]所述二極管芯片三B的正極通過上層電路連接片連通基板上的區(qū)域五B再連通所述交流引出端子一 B，
[0046]所述二極管芯片四B的正極通過上層電路連接片連通基板上的區(qū)域六再連通所述交流引出端子二 B，
[0047]所述可控硅芯片一 B的陽極向下焊接于所述可控硅芯片一 B焊接位上;所述可控硅芯片一 B的門極通過鋁絲鍵合與所述門極引出端子一 B連接;所述可控硅芯片一 B的陰極通過鋁絲鍵合連通區(qū)域二 B;
[0048]所述可控硅芯片二 B的陽極向下焊接于所述可控硅芯片二 B焊接位上;所述可控硅芯片二 B的門極通過鋁絲鍵合與所述門極引出端子二 B連接;可控硅芯片二 B的陰極通過鋁絲鍵合連通區(qū)域二 B。
[0049]所述二極管芯片三和二極管芯片四為反極性二極管芯片。
[0050]所述基板分割為相互絕緣的區(qū)域一 C、區(qū)域二 C、區(qū)域三C、區(qū)域四C、區(qū)域五C，
[0051]所述區(qū)域一C上設(shè)有二極管芯片一 C焊接位，且所述區(qū)域一 B上包括伸出封裝體的交流引出端子一 C，
[0052]所述區(qū)域二C上設(shè)有二極管芯片二 C焊接位和可控硅芯片二 C焊接位，且所述區(qū)域二 C上包括伸出封裝體的交流引出端子二 C，
[0053]所述區(qū)域三C上設(shè)有可控硅芯片一 C焊接位，
[0054]所述區(qū)域四包括伸出封裝體的負(fù)極引出端子C和接地端子C，
[0055]所述區(qū)域五C上包括伸出封裝體的正極引出端子C，
[0056]所述區(qū)域四C和所述區(qū)域一C通過上層電路連接片相連，
[0057]所述低功耗整流、電壓調(diào)節(jié)電路包括二極管芯片一C、二極管芯片二 C、可控硅芯片一C和可控娃芯片二C，
[0058]所述二極管芯片一C的負(fù)極向下焊接于所述二極管芯片一 C焊接位上；
[0059]所述二極管芯片二C的負(fù)極向下焊接于所述二極管芯片二 C焊接位上；
[0060]所述二極管芯片一C的正極和二極管二 C的正極分別通過上層電路連接片連通基板上的區(qū)域四C再連通所述負(fù)極引出端子C，
[0061]所述可控硅芯片一C的陽極向下焊接于所述可控硅芯片一 C焊接位上;所述可控硅芯片一 C的門極通過鋁絲鍵合與所述門極引出端子一 C連接;所述可控硅芯片一 C的陰極通過鋁絲鍵合連通區(qū)域五C;
[0062]所述可控硅芯片二C的陽極向下焊接于所述可控硅芯片二 C焊接位上;所述可控硅芯片二 C的門極通過鋁絲鍵合與所述門極引出端子二 C連接;可控硅芯片二 C的陰極通過鋁絲鍵合連通區(qū)域五C。
[0063]還包括外設(shè)電路，所述外設(shè)電路包括磁電機(jī)、控制電路、蓄電池和負(fù)載，
[0064]所述磁電機(jī)的兩個(gè)輸出端分別連接交流引出端子一、交流引出端子二；
[0065]所述控制電路的兩個(gè)控制端分別連接門極引出端子一、門極引出端子二，所述控制電路的兩個(gè)輸入端分別連接正極引出端子、負(fù)極引出端子；
[0066]所述蓄電池的負(fù)極與所述負(fù)極引出端子相連，所述蓄電池的正極與所述正極引出端子相連；
[0067]所述蓄電池的負(fù)極與所述正極引出端子之間設(shè)有電容；
[0068]所述負(fù)載與所述蓄電池連接。
[0069]所述上層電路連接片為橋狀。
[0070]本實(shí)用新型中將不同類型的多個(gè)器件芯片集成為一個(gè)結(jié)構(gòu)緊湊、能適應(yīng)全天候使用環(huán)境的模塊化器件，具有整流、電壓調(diào)節(jié)功能，具有與外部電路相適配的標(biāo)準(zhǔn)化端口，不需要對(duì)器件進(jìn)行逐一配對(duì)，避免了現(xiàn)有技術(shù)中生產(chǎn)成本高，耗費(fèi)人力物力大的弊端。
[0071]本實(shí)用新型采用整體封裝的工藝，器件位置固定，易于加工，解決現(xiàn)有技術(shù)中并未采用整體封裝的形式，各個(gè)器件很難精確定位，加工難度大的問題。
[0072]本實(shí)用新型一次焊接加工成型，不需要進(jìn)行多次焊接，避免了高溫對(duì)器件電氣性能的影響，可靠性高，使用壽命長(zhǎng)，避免了現(xiàn)有技術(shù)中采用回流焊工藝進(jìn)行加工，需要進(jìn)行多次高溫焊接，對(duì)器件的電性能造成影響，產(chǎn)品可靠性低，壽命短的缺陷。
[0073]本實(shí)用新型中一次焊接成型，各器件連接電阻小，功耗低，避免現(xiàn)有技術(shù)中因多次焊接導(dǎo)致的內(nèi)部功耗大的缺陷。
[0074]本實(shí)用新型采用全封裝結(jié)構(gòu)，器件工作環(huán)境穩(wěn)定，對(duì)器件性能影響小，避免了現(xiàn)有技術(shù)中半封裝結(jié)構(gòu)存在的環(huán)境濕度大導(dǎo)致器件工作不穩(wěn)定的問題。
【附圖說明】
[0075]圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)不意圖，
[0076]圖2是圖1的側(cè)視圖，
[0077]圖3是本實(shí)用新型實(shí)施例一的基板結(jié)構(gòu)不意圖，
[0078]圖4是本實(shí)用新型實(shí)施例一的器件位置排布圖，
[0079]圖5是本實(shí)用新型實(shí)施例一的連接結(jié)構(gòu)示意圖，
[0080]圖6是圖5的側(cè)視圖，
[0081]圖7是本實(shí)用新型實(shí)施例一的電氣原理圖，
[0082]圖8是本實(shí)用新型實(shí)施例一的應(yīng)用電路圖，
[0083]圖9是本實(shí)用新型實(shí)施例一■的基板結(jié)構(gòu)不意圖，
[0084]圖10是本實(shí)用新型實(shí)施例二的器件位置排布圖，
[0085]圖11是本實(shí)用新型實(shí)施例二的連接結(jié)構(gòu)示意圖，
[0086]圖12是圖11的側(cè)視圖，
[0087]圖13是本實(shí)用新型實(shí)施例二的電氣原理圖，
[0088]圖14是本實(shí)用新型實(shí)施例二的應(yīng)用電路圖，
[0089]圖15是本實(shí)用新型實(shí)施例三的基板結(jié)構(gòu)示意圖，
[0090]圖16是本實(shí)用新型實(shí)施例三的器件位置排布圖，
[0091 ]圖17是本實(shí)用新型實(shí)施例三的連接結(jié)構(gòu)示意圖，
[0092]圖18是圖17的側(cè)視圖，
[0093]圖19是本實(shí)用新型實(shí)施例三的電氣原理圖，
[0094]圖20是本實(shí)用新型實(shí)施例三的應(yīng)用電路圖，
[0095]圖21是本實(shí)用新型中上層電路連接片結(jié)構(gòu)示意圖，
[0096]圖22是圖21的俯視圖；
[0097]圖中I是封裝體，
[0098]2是基板，
[0099 ] 21A是區(qū)域一A，22A是區(qū)域二A，23A是區(qū)域三A，24A是區(qū)域四A，25A是區(qū)域五A，211A是二極管芯片一A焊接位，212A是二極管芯片二A焊接位，221A是二極管芯片四A焊接位，231A是二級(jí)管芯片三A焊接位，232A是可控硅芯片一 A焊接位241A是可控硅芯片二 A焊接位，
[0100]21B是區(qū)域一 B，22B是區(qū)域二 B，23B是區(qū)域三B，24B是區(qū)域四B，25B是區(qū)域五B，26是區(qū)域六，21IB是二極管芯片一 B焊接位，212B是二極管芯片二 B焊接位，221B是二極管芯片三B焊接位，222B是二級(jí)管芯片四B焊接位，23IB是可控硅芯片二 B焊接位，241B是可控硅芯片一B焊接位，
[0101]21C是區(qū)域一 C，22C是區(qū)域二 C，23C是區(qū)域三C，24C是區(qū)域四C，25C是區(qū)域五C，211C是二級(jí)管芯片一C焊接位，221C是二級(jí)管芯片二C焊接位，222C是可控硅芯片二C焊接位，231C是可控硅芯片一 C焊接位，
[0102]31是正極引出端子，32是負(fù)極引出端子，33是交流引出端子，34是門極引出端子，35是接地端子，
[0103]31A是正極引出端子A，32A是負(fù)極引出端子A，331A是交流引出端子一A，332A是交流引出端子二A，341A是門極引出端子一A，342A是門極引出端子二A，35A是接地端子A
[0104]31B是正極引出端子B，32B是負(fù)極引出端子B，331B是交流引出端子一B，332B是交流引出端子二 B，341B是門極引出端子一 B，342B是門極引出端子二 B，35B是接地端子B，
[0105]31C是正極引出端子C，32C是負(fù)極引出端子C，331C是交流引出端子一C，332C是交流引出端子二 C，341C是門極引出端子一 C，342C是門極引出端子二 C，35C是接地端子C，
[0106]41A是二級(jí)管芯片一 A，42A是二級(jí)管芯片二 A，43A是二級(jí)管芯片三A，44A是二級(jí)管芯片四A，
[0107]41B是二級(jí)管芯片一 B，42B是二級(jí)管芯片二 B，43B是二級(jí)管芯片三B，44B是二級(jí)管芯片四B，
[0108]41C是二級(jí)管芯片一 C，42C是二級(jí)管芯片二 C，
[0109]51A是可控硅芯片一 A，52A是可控硅芯片二 A，
[0110]51B是可控硅芯片一 B，52B是可控硅芯片二 B，
[0111]51C是可控硅芯片一 C，52是可控硅芯片二 C，
[0112]6是斷差面，7是上層電路連接片。
【具體實(shí)施方式】
[0113]本實(shí)用新型如圖所示1-20所示，包括封裝體I，以及伸出封裝體的若干接線用的引出端子，在封裝體內(nèi)設(shè)有基板2，在所述基板2上設(shè)置低功耗整流、電壓調(diào)節(jié)電路，所述整流、電壓調(diào)節(jié)電路固定于所述基板2上。形成模塊化設(shè)計(jì)，為設(shè)在封裝體內(nèi)的整流、電壓調(diào)節(jié)電路提供一個(gè)溫度和濕度相對(duì)穩(wěn)定的工作環(huán)境，避免了現(xiàn)有技術(shù)在使用過程中中因環(huán)境濕度大，焊接溫度高等因素，克服了現(xiàn)有技術(shù)經(jīng)常發(fā)生的電性能衰降情況。延長(zhǎng)了整流、電壓調(diào)節(jié)電路的使用壽命，保證整流、電壓調(diào)節(jié)電路在使用過程中的穩(wěn)定性。
[0114]所述基板2上設(shè)有正極引出端子31、負(fù)極引出端子32、兩個(gè)交流引出端子33、兩個(gè)門極引出端子34和一個(gè)接地端子35，方便與外設(shè)電路連接。其中兩個(gè)門極引出端子34和一個(gè)接地端子35為控制板提供電源基準(zhǔn)(電源地線)。
[0115]如圖2所示，所述正極引出端子31、負(fù)極引出端子32、兩個(gè)交流引出端子33和兩個(gè)門極引出端子34在伸出封裝體之前的部分設(shè)有段差面6，減少基板應(yīng)力，增加基板使用壽命O
[0116]所述基板2上設(shè)有若干通孔?；逯虚g設(shè)置的通孔，給封裝后的器件提供了散熱渠道，便于在工作狀態(tài)下散熱，防止器件過熱影響性能。在基板上還有其余通孔，方便封裝時(shí)對(duì)器件及基板進(jìn)行定位，同時(shí)，封裝后能夠固定器件位置，防止封裝體內(nèi)部的電路因碰撞出現(xiàn)斷點(diǎn)或者短路的狀況。
[0117]如圖21-22所示，上層電路連接片7采用導(dǎo)電性能好的金屬制作，兩端均成方形兩端低而中間高，成橋狀。搭接在需要連通的區(qū)域和器件之間，中間高的設(shè)計(jì)能夠避免電路連接片在搭接過程中跨越不需要連接的器件，防止連接出現(xiàn)不必要的短路事故。
[0118]實(shí)施例一
[0119]如圖3-5所示，所述基板分割為相互絕緣的區(qū)域一 21A、區(qū)域二 22A、區(qū)域三23A、區(qū)域四24A和區(qū)域五A。各區(qū)域間相互絕緣，保證了器件之間的絕緣性能，防止出現(xiàn)不必要的短路。
[0120]所述區(qū)域一A上設(shè)二極管芯片一 A焊接位211A和二極管芯片二 A焊接位212A，所述區(qū)域二 A上設(shè)二極管芯片四A焊接位221A，所述區(qū)域三A上設(shè)二極管芯片三A焊接位231A和可控硅芯片一 A焊接位232A，所述區(qū)域四A上設(shè)有可控硅芯片二 A焊接位241A;每個(gè)區(qū)域內(nèi)的焊接位位置固定，方便進(jìn)行流水線加工和精確定位，解放了勞動(dòng)力資源，降低生產(chǎn)成本。
[0121]區(qū)域一A包括伸出封裝體的正極引出端子A;區(qū)域二A包括伸出封裝體的交流引出端子一A;區(qū)域三A包括伸出封裝體的交流引出端子二A;所述區(qū)域五A包括伸出封裝體的負(fù)極引出端子和接地端子A;所述區(qū)域四A和區(qū)域二A通過上層電路連接片相連；引出端子用于與外設(shè)電路進(jìn)行連接，發(fā)揮電路功能。且引出端子與基板一體制造，減少不必要的焊點(diǎn)，降低整個(gè)電路的電阻，從而降低功耗。上層電路連接片將有連通需要的區(qū)域進(jìn)行連通，保證各器件的連通性。
[0122]所述低功耗整流、電壓調(diào)節(jié)電路包括二極管芯片一A、二極管芯片二 A、二極管芯片三A、二極管芯片四A、可控硅芯片一 A和可控硅芯片二 A。
[0123]所述二極管芯片一A的負(fù)極向下焊接于所述二極管芯片一 A焊接位上；
[0124]所述二極管芯片二A的負(fù)極向下焊接于所述二極管芯片二 A焊接位上；
[0125]所述二極管芯片三A的負(fù)極向下焊接于所述二極管芯片三A焊接位上；
[0126]所述二極管芯片四A的負(fù)極向下焊接于所述二極管芯片四A焊接位上；
[0127]所述二極管芯片一 A的正極通過上層電路連接片連通基板上的區(qū)域三A再連通所述交流引出端子二 A;
[0128]所述二極管芯片二 A的正極通過上層電路連接片連通基板上的區(qū)域二 A再連通所述交流引出端子一 A;
[0129]所述二極管芯片三A的正極與所述區(qū)域五A通過上層電路連接片相連，
[0130]所述二極管芯片四A的正極與所述區(qū)域五A通過上層電路連接片相連;使得二極管芯片三A的正極和二極管芯片四A的正極連通至負(fù)極引出端子；
[0131]所述可控硅芯片一A的陽極向下焊接于所述可控硅芯片一 A焊接位上;所述可控硅芯片一 A的門極通過鋁絲鍵合與所述門極引出端子一連接;所述可控硅芯片一 A的陰極通過鋁絲鍵合連通區(qū)域四A;
[0132]所述可控硅芯片二A的陽極向下焊接于所述可控硅芯片二 A焊接位上;所述可控硅芯片二 A的門極通過鋁絲鍵合與所述門極引出端子二連接;可控硅芯片二 A的陽極通過鋁絲鍵合連通區(qū)域三A。
[0133]在相應(yīng)焊接位內(nèi)鋪滿焊膏，將所有器件一次性焊接完畢，避免了現(xiàn)有技術(shù)中進(jìn)行多次焊接影響器件性能和電路穩(wěn)定性的缺陷，提升了電路穩(wěn)定性，延長(zhǎng)了器件更換時(shí)間，延長(zhǎng)了電路使用壽命。
[0134]如圖7所示，是實(shí)施例一相對(duì)應(yīng)的電氣原理圖，由圖7可以直觀的了解焊接在基板上的各個(gè)器件的連接方式，二極管芯片一A和二極管芯片三A正向串聯(lián)，二極管芯片二A和二極管芯片四A正向串聯(lián)，二極管芯片一 A的負(fù)極和二極管芯片二 A的負(fù)極相連，二極管芯片三A的正極與二極管芯片四A的正極連接，四個(gè)二極管芯片構(gòu)成一個(gè)單相整流橋，將交流電轉(zhuǎn)化為相應(yīng)等級(jí)的直流電，可控硅芯片一 A和可控硅芯片二 A反向并聯(lián)后串接于二極管芯片一的正極管芯片二的正極之間，在單相整流橋整流的同時(shí)進(jìn)行調(diào)壓，將電壓調(diào)整至需要等級(jí)，共同構(gòu)成了整流、電壓調(diào)節(jié)電路，實(shí)現(xiàn)整流、電壓調(diào)節(jié)的功能。
[0135]如圖8所示，是本實(shí)用新型實(shí)際應(yīng)用時(shí)的電路連接圖，磁電機(jī)發(fā)出正弦波交流電，經(jīng)四個(gè)二極管芯片進(jìn)行整流，在整流時(shí)，兩個(gè)可控硅芯片的門極受控制電路的控制，交替通斷，即可同時(shí)實(shí)現(xiàn)整流、電壓調(diào)節(jié)功能。
[0136]本實(shí)用新型將整流電路和調(diào)壓電路合并成一個(gè)電路，簡(jiǎn)化了電路結(jié)構(gòu)，并進(jìn)行了模塊化封裝，封裝后的整流、電壓調(diào)節(jié)電路工作環(huán)境(溫度、濕度)穩(wěn)定，受外部環(huán)境影響小，性能穩(wěn)定，在模塊化制作過程中進(jìn)行一次性焊接，減少焊點(diǎn)，降低整個(gè)整流、電壓調(diào)節(jié)電路的功耗，進(jìn)行模塊化制作后，安裝以及更換方便，提升了用戶體驗(yàn)。
[0137]實(shí)施例二
[0138]如圖9-11所示，所述基板分割為相互絕緣的區(qū)域一 B、區(qū)域二 B、區(qū)域三B、區(qū)域四B、區(qū)域五B和區(qū)域六，各區(qū)域相互絕緣，保證各個(gè)器件以及各個(gè)區(qū)域之間的絕緣良好，避免不必要的短路事故的發(fā)生。
[0139]如圖10所示，所述區(qū)域一B上設(shè)有二極管芯片一 B焊接位211B和二極管芯片二 B焊接位212B，且所述區(qū)域一B上包括伸出封裝體的正極引出端子B，
[0140]所述區(qū)域二 B上設(shè)有二極管芯片三B焊接位221B和二極管芯片四B焊接位222B，且所述區(qū)域二B上包括伸出封裝體的負(fù)極引出端子B和接地端子B，
[0141]所述區(qū)域三B上設(shè)有可控硅芯片二 B焊接位231B，
[0142]所述區(qū)域四B上設(shè)有可控硅芯片一 B焊接位241B，
[0143]所述區(qū)域五B上包括伸出封裝體的交流引出端子一B，
[0144]所述區(qū)域六上包括伸出封裝體的交流引出端子二B;
[0145]所述區(qū)域四B和所述區(qū)域五B通過上層電路連接片7相連，
[0146]所述區(qū)域三B和所述區(qū)域六B通過上層電路連接片7相連；
[0147]各器件的焊接位固定，方便進(jìn)行精準(zhǔn)定位，方便進(jìn)行流水線加工和精確定位，解放了勞動(dòng)力資源，降低生產(chǎn)成本。利用上層電路連接片在需要進(jìn)行連接的器件之間搭建通路，避免不必要的材料浪費(fèi)，同時(shí)減小整個(gè)基板的體積。基板與引出端子一體制作減少了焊點(diǎn)，降低了整個(gè)電路的功耗。
[0148]如圖11所示，所述低功耗整流、電壓調(diào)節(jié)電路包括二極管芯片一B、二極管芯片二
B、二極管芯片三B、二極管芯片四B、可控硅芯片一 B和可控硅芯片二 B，
[0149]所述二極管芯片一B的負(fù)極向下焊接于所述二極管芯片一 B焊接位上；
[0150]所述二極管芯片二B的負(fù)極向下焊接于所述二極管芯片二 B焊接位上；
[0151]所述二極管芯片三B的負(fù)極向下焊接于所述二極管芯片三B焊接位上；
[0152]所述二極管芯片四B的負(fù)極向下焊接于所述二極管芯片四B焊接位上；
[0153]所述二極管芯片一 B的正極通過上層電路連接片連通基板上的區(qū)域五B再連通所述交流引出端子一 B，
[0154]所述二極管芯片二 B的正極通過上層電路連接片連通基板上的區(qū)域六再連通所述交流引出端子二 B，
[0155]所述二極管芯片三B的正極通過上層電路連接片連通基板上的區(qū)域五B再連通所述交流引出端子一 B，
[0156]所述二極管芯片四B的正極通過上層電路連接片連通基板上的區(qū)域六再連通所述交流引出端子二 B，
[0157]所述可控硅芯片一B的陽極向下焊接于所述可控硅芯片一 B焊接位上;所述可控硅芯片一 B的門極通過鋁絲鍵合與所述門極引出端子一 B連接;所述可控硅芯片一 B的陰極通過鋁絲鍵合連通區(qū)域二 B;
[0158]所述可控硅芯片二B的陽極向下焊接于所述可控硅芯片二 B焊接位上;所述可控硅芯片二 B的門極通過鋁絲鍵合與所述門極引出端子二 B連接;可控硅芯片二 B的陰極通過連接片連通區(qū)域二 B。
[0159]各個(gè)需要連接的器件通過上層電路連接片連接，避免了不需要連接的器件之間出現(xiàn)誤連接的幾率。
[0160]在相應(yīng)焊接位內(nèi)鋪滿焊膏，將所有器件一次性焊接完畢，避免了現(xiàn)有技術(shù)中進(jìn)行多次焊接影響器件性能和電路穩(wěn)定性的缺陷，提升了電路穩(wěn)定性，延長(zhǎng)了器件更換時(shí)間，延長(zhǎng)了電路使用壽命。
[0161]所述二極管芯片三和二極管芯片四為反極性二極管芯片。二極管芯片三和二極管芯片四為反極性二極管芯片，反極性二極管芯片即在正常的芯片放置位置的前提下，二極管芯片的正極發(fā)揮負(fù)極的功能而負(fù)極發(fā)揮正極的功能。利用反極性二極管芯片，能夠便捷的在不需要增加其他器件數(shù)量的前提下實(shí)現(xiàn)電路功能，降低生產(chǎn)成本，減少單個(gè)成品的生廣時(shí)間，提尚生廣效率。
[0162]如圖13所示，是實(shí)施例二相應(yīng)的電氣原理圖，二極管芯片一B和二極管芯片三B正向串聯(lián)，二極管芯片二 B和二極管芯片四B正向串聯(lián)，二極管芯片一 B的負(fù)極和二極管芯片二B的負(fù)極相連，二極管芯片三B的正極與二極管芯片四B的正極連接，可控硅芯片一 B和二極管芯片三B反向并聯(lián)，可控硅芯片二 B和二極管芯片四B反向并聯(lián)，四個(gè)二極管芯片構(gòu)成一個(gè)單相整流橋，將交流電轉(zhuǎn)化為相應(yīng)等級(jí)的直流電，可控硅芯片一和可控硅芯片二反向并聯(lián)后串接于二極管芯片一的正極管芯片二的正極之間，在單相整流橋整流的同時(shí)進(jìn)行調(diào)壓，將電壓調(diào)整至需要等級(jí)，共同構(gòu)成了整流、電壓調(diào)節(jié)電路，實(shí)現(xiàn)整流、電壓調(diào)節(jié)的功能。
[0163]如圖14所示，是實(shí)施例二在實(shí)際應(yīng)用時(shí)的電路接線圖，磁電機(jī)的兩個(gè)輸出和整流、電壓調(diào)節(jié)電路的兩個(gè)交流引出端子連接，控制電路分別正極引出端子、負(fù)極引出端子、可控硅芯片的門極、蓄電池，蓄電池給控制電路供電，在單相整流橋與其中一個(gè)可控硅芯片(如可控硅芯片一)構(gòu)成完整的整流電路，在進(jìn)行整流的過程中，可控硅芯片一的門極形成一個(gè)脈沖信號(hào)，控制電路將可控硅芯片一給的脈沖信號(hào)傳遞給可控硅芯片二的門極，控制可控硅芯片二導(dǎo)通和關(guān)斷動(dòng)作，當(dāng)電壓波形為上半周時(shí)，可控硅芯片二關(guān)斷，由于在蓄電池的正負(fù)極不能形成完整額回路，蓄電池放電，電壓等級(jí)逐漸降低，整流、電壓調(diào)節(jié)電路的整體輸出功率降低；當(dāng)電壓波形為下半周時(shí)，可控硅芯片二導(dǎo)通，在蓄電池的正負(fù)極形成完整額回路，為蓄電池充電，蓄電池電壓等級(jí)升高，整流、電壓調(diào)節(jié)電路整體的帶載能力增強(qiáng)，即隨著可控硅芯片一和可控硅芯片二的交替導(dǎo)通，蓄電池重復(fù)進(jìn)行充放電動(dòng)作，在負(fù)載一定的前提下能夠?qū)崿F(xiàn)調(diào)壓。
[0164]本實(shí)用新型將整流電路和調(diào)壓電路合并成一個(gè)電路，簡(jiǎn)化了電路結(jié)構(gòu)，并進(jìn)行了模塊化封裝，封裝后的整流、電壓調(diào)節(jié)電路工作環(huán)境(溫度、濕度)穩(wěn)定，受外部環(huán)境影響小，性能穩(wěn)定，且原件固定于封裝體內(nèi)，碰撞對(duì)整流、電壓調(diào)節(jié)電路影響小，提升了穩(wěn)定性，降低生產(chǎn)過程中的廢品率。在模塊化制作過程中進(jìn)行一次性焊接，減少焊點(diǎn)，降低整個(gè)整流、電壓調(diào)節(jié)電路的功耗，進(jìn)行模塊化制作后，安裝以及更換方便，提升了用戶體驗(yàn)。
[0165]實(shí)施例三
[0166]如圖15-18所示，所述基板分割為相互絕緣的區(qū)域一 C、區(qū)域二 C、區(qū)域三C、區(qū)域四
C、區(qū)域五C，各區(qū)域之間相互絕緣，保證各區(qū)域之間的絕緣性能，防止出現(xiàn)不必要的短路事故。
[0167]如圖16所示，所述區(qū)域一C上設(shè)有二極管芯片一 C焊接位，且所述區(qū)域一 B上包括伸出封裝體的交流引出端子一C，
[0168]所述區(qū)域二C上設(shè)有二極管芯片二 C焊接位和可控硅芯片二 C焊接位，且所述區(qū)域二C上包括伸出封裝體的交流引出端子二 C，
[0169]所述區(qū)域三C上設(shè)有可控硅芯片一 C焊接位，
[0170]所述區(qū)域四包括伸出封裝體的負(fù)極引出端子C和接地端子C，
[0171]所述區(qū)域五C上包括伸出封裝體的正極引出端子C，
[0172]所述區(qū)域四C和所述區(qū)域一C通過上層電路連接片相連，
[0173]各器件的焊接位的位置固定，方便進(jìn)行精準(zhǔn)定位和流水線生產(chǎn)，減少人工配對(duì)的工作量，解放了勞動(dòng)力。在需要連通的區(qū)域之間設(shè)有上層電路連接片，既能滿足電路連接需求，又能滿足各區(qū)域之間的絕緣性能。各引出端子與基板一體制作，減少不必要的焊點(diǎn)，減少了整流、電壓調(diào)節(jié)電路的功耗，滿足低功耗的需求。
[0174]如圖17所示所述低功耗整流、電壓調(diào)節(jié)電路包括二極管芯片一C、二極管芯片二 C、可控硅芯片一 C和可控硅芯片二 C，
[0175]所述二極管芯片一C的負(fù)極向下焊接于所述二極管芯片一 C焊接位上；
[0176]所述二極管芯片二C的負(fù)極向下焊接于所述二極管芯片二 C焊接位上；
[0177]所述二極管芯片一C的正極和二極管二 C的正極分別通過上層電路連接片連通基板上的區(qū)域四C再連通所述負(fù)極引出端子C，
[0178]所述可控硅芯片一C的陽極向下焊接于所述可控硅芯片一 C焊接位上;所述可控硅芯片一 C的門極通過鋁絲鍵合與所述門極引出端子一 C連接;所述可控硅芯片一 C的陰極通過鋁絲鍵合連通區(qū)域五C;
[0179]所述可控硅芯片二C的陽極向下焊接于所述可控硅芯片二 C焊接位上;所述可控硅芯片二 C的門極通過鋁絲鍵合與所述門極引出端子二 C連接;可控硅芯片二 C的陰極通過鋁絲鍵合連通區(qū)域五C。
[0180]如圖19所示，是實(shí)施例三相應(yīng)的電氣原理圖，可控硅芯片一 C和二極管芯片一 C正向串聯(lián)，可控硅芯片二 C和二極管芯片二 C正向串聯(lián)，可控硅芯片一 C的負(fù)極和可控硅芯片二C的負(fù)極相連，二極管芯片一 C的正極和二極管芯片二 C的正極相連。兩個(gè)可控硅芯片和兩個(gè)二極管芯片構(gòu)成一個(gè)單相整流橋，將交流電轉(zhuǎn)化為相應(yīng)等級(jí)的直流電，且進(jìn)通過兩個(gè)可控硅芯片進(jìn)行調(diào)壓，將電壓調(diào)整至需要等級(jí)，共同構(gòu)成了整流、電壓調(diào)節(jié)電路，實(shí)現(xiàn)整流、電壓調(diào)節(jié)的功能。
[0181 ]如圖20所示，還包括外設(shè)電路，所述外設(shè)電路包括磁電機(jī)、控制電路、蓄電池和負(fù)載，
[0182]所述磁電機(jī)的兩個(gè)輸出端分別連接交流引出端子一C、交流引出端子二 C;
[0183]所述控制電路的兩個(gè)控制端分別連接門極引出端子一C、門極引出端子二C，所述控制電路的兩個(gè)輸入端分別連接正極引出端子C、負(fù)極引出端子C;
[0184]所述蓄電池的負(fù)極與所述負(fù)極引出端子C相連，所述蓄電池的正極與所述正極引出端子C相連；
[0185]所述蓄電池的負(fù)極與所述正極引出端子C之間設(shè)有電容；
[0186]所述負(fù)載與所述蓄電池連接。
[0187]蓄電池給控制電路供電，在整流、電壓調(diào)節(jié)過程中，當(dāng)電壓波形處于正半周時(shí)，可控硅芯片一C接受控制電路發(fā)出的觸發(fā)信號(hào)和二極管二C承受正向電壓導(dǎo)通，當(dāng)電壓波形處于負(fù)半周時(shí)，可控硅芯片二C接受控制電路發(fā)出的觸發(fā)信號(hào)和二極管一C承受正向電壓導(dǎo)通，由于觸發(fā)信號(hào)有滯后性，且交替導(dǎo)通，實(shí)現(xiàn)了整流、電壓調(diào)節(jié)功能。為了強(qiáng)化整流效果，在蓄電池的負(fù)極與所述正極引出端子C之間設(shè)有電容，電容能夠?qū)崿F(xiàn)簡(jiǎn)單的濾波功能，使得輸出波形更加穩(wěn)定。
[0188]本實(shí)用新型將整流電路和調(diào)壓電路合并成一個(gè)電路，簡(jiǎn)化了電路結(jié)構(gòu)，并進(jìn)行了模塊化封裝，封裝后的整流、電壓調(diào)節(jié)電路工作環(huán)境(溫度、濕度)穩(wěn)定，受外部環(huán)境影響小，性能穩(wěn)定，且原件固定于封裝體內(nèi)，碰撞對(duì)整流、電壓調(diào)節(jié)電路影響小，提升了穩(wěn)定性，降低生產(chǎn)過程中的廢品率。在模塊化制作過程中進(jìn)行一次性焊接，減少焊點(diǎn)，降低整個(gè)整流、電壓調(diào)節(jié)電路的功耗，進(jìn)行模塊化制作后，安裝以及更換方便，提升了用戶體驗(yàn)。相較于實(shí)施例一和實(shí)施例二，實(shí)施例三需要用到的器件更少，電路連接更簡(jiǎn)單，成本低，簡(jiǎn)單易操作。
[0189]磁電機(jī)用單相整流、電壓調(diào)節(jié)功率模塊的加工方法，包括如下步驟:
[0190]I)基板制作；
[0191]1.1)基板按照需通過沖切形成下層電路；
[0192]1.2)按照電氣原理圖在下層電路周期設(shè)計(jì)各板塊的工藝連接條；
[0193]2)整流電壓調(diào)節(jié)器的制作；
[0194]2.1)在基板需要固定器件的部位印刷焊膏；
[0195]2.2)將各個(gè)器件分別放置在對(duì)應(yīng)的焊膏上;該步驟可以用自動(dòng)拾片機(jī)完成，節(jié)約了勞力，降低成本且可實(shí)現(xiàn)流水線生產(chǎn)，提高生產(chǎn)效率。
[0196]2.3)在二極管芯片的正極上涂焊膏；
[0197]2.4)將上層電路的連接片放置在對(duì)應(yīng)位置；
[0198]2.5)在惰性氣體和的保護(hù)下，通過加熱，將各器件焊接固定在銅底板上，形成上層電路;采用惰性氣體保護(hù)焊接，防止器件以及各個(gè)引出端子在高溫下與氧氣接觸氧化，保證各個(gè)器件之間的電氣性能。
[0199]2.6)將可控硅芯片的極性與封裝體上對(duì)應(yīng)的各個(gè)引出端子進(jìn)行連接;利用連接片將基板上的器件與各個(gè)相對(duì)應(yīng)的引出端子連接，主要是可控硅芯片的門極和陰極。
[0200]3)進(jìn)行整流電壓調(diào)節(jié)器的模塊化制作;將整個(gè)整流、電壓調(diào)節(jié)電路進(jìn)行封裝，使整流、電壓調(diào)節(jié)電路在工作時(shí)具有相對(duì)穩(wěn)定的溫度以及濕度，提高整流、電壓調(diào)節(jié)電路的穩(wěn)定性。
[0201]3.1)將步驟2)中完成的整流電壓調(diào)節(jié)器放入塑封模具中；
[0202]3.2)用改型環(huán)氧樹脂對(duì)整流電壓調(diào)節(jié)器進(jìn)行注塑封裝；
[0203]3.3)對(duì)多余部分進(jìn)行切除，使各端子實(shí)現(xiàn)電路分離，并進(jìn)行端子成形，模塊化制作完成;
[0204]4)對(duì)步驟3)中封裝的整流電壓調(diào)節(jié)器進(jìn)行性能測(cè)試，篩選出不合格品，提高產(chǎn)品質(zhì)量。完畢。
[0205]本實(shí)用新型本實(shí)用新型中將不同類型的多個(gè)器件集成為一功率模塊，具有特定的電氣功能，具有與外部電路相適配的標(biāo)準(zhǔn)化端口，不需要對(duì)器件進(jìn)行逐一配對(duì)，可實(shí)現(xiàn)流水線生產(chǎn)，生產(chǎn)成本低。
[0206]本實(shí)用新型采用整體封裝的工藝，器件位置固定，易于加工。本實(shí)用新型一次焊接加工成型，不需要進(jìn)行多次焊接，避免了高溫對(duì)器件電氣性能的影響，可靠性高，使用壽命長(zhǎng)，避免了現(xiàn)有技術(shù)中采用回流焊工藝進(jìn)行加工，需要進(jìn)行多次高溫焊接，對(duì)器件的電性能造成影響，產(chǎn)品可靠性低，壽命短的缺陷。
[0207]本實(shí)用新型中一次焊接成型，焊點(diǎn)少，各器件連接電阻小，功耗低，避免現(xiàn)有技術(shù)中因多次焊接導(dǎo)致的內(nèi)部功耗大的缺陷。
[0208]本實(shí)用新型采用全封裝結(jié)構(gòu)，器件工作環(huán)境穩(wěn)定，對(duì)器件性能影響小，避免了現(xiàn)有技術(shù)中半封裝結(jié)構(gòu)存在的環(huán)境濕度大導(dǎo)致器件工作不穩(wěn)定的問題。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.磁電機(jī)用單相整流、電壓調(diào)節(jié)功率模塊，包括封裝體，以及伸出封裝體的若干接線用的引出端子，其特征在于，在封裝體內(nèi)設(shè)有基板，在所述基板上設(shè)置低功耗整流、電壓調(diào)節(jié)電路，所述整流、電壓調(diào)節(jié)電路固定于所述基板上； 所述基板上設(shè)有正極引出端子、負(fù)極引出端子、兩個(gè)交流引出端子、兩個(gè)門極引出端子和一個(gè)接地端子。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁電機(jī)用單相整流、電壓調(diào)節(jié)功率模塊，其特征在于，所述正極引出端子、負(fù)極引出端子、交流引出端子在伸出封裝體之前的部分設(shè)有段差面。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁電機(jī)用單相整流、電壓調(diào)節(jié)功率模塊，其特征在于，所述基板上設(shè)有若干通孔。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁電機(jī)用單相整流、電壓調(diào)節(jié)功率模塊，其特征在于， 所述基板分割為相互絕緣的區(qū)域一 A、區(qū)域二 A、區(qū)域三A、區(qū)域四A和區(qū)域五A， 所述區(qū)域一 A上設(shè)二極管芯片一 A焊接位和二極管芯片二 A焊接位，且區(qū)域一 A包括伸出封裝體的正極引出端子A; 所述區(qū)域二A上設(shè)二極管芯片四A焊接位，且區(qū)域二A包括伸出封裝體的交流引出端子一A; 所述區(qū)域三A上設(shè)二極管芯片三A焊接位和可控硅芯片一 A焊接位，且區(qū)域三A包括伸出封裝體的交流引出端子二 A; 所述區(qū)域四A上設(shè)有可控硅芯片二 A焊接位； 所述區(qū)域五A包括伸出封裝體的負(fù)極引出端子A和接地端子A; 所述區(qū)域四A和區(qū)域二 A通過上層電路連接片相連； 所述低功耗整流、電壓調(diào)節(jié)電路包括二極管芯片一 A、二極管芯片二 A、二極管芯片三A、二極管芯片四A、可控硅芯片一 A和可控硅芯片二 A; 所述二極管芯片一 A的負(fù)極向下焊接于所述二極管芯片一 A焊接位上； 所述二極管芯片二 A的負(fù)極向下焊接于所述二極管芯片二 A焊接位上； 所述二極管芯片三A的負(fù)極向下焊接于所述二極管芯片三A焊接位上； 所述二極管芯片四A的負(fù)極向下焊接于所述二極管芯片四A焊接位上； 所述二極管芯片一A的正極通過上層電路連接片連通基板上的區(qū)域三A，同時(shí)連接所述交流引出端子二 A; 所述二極管芯片二A的正極通過上層電路連接片連通基板上的區(qū)域二A，同時(shí)連接所述交流引出端子一 A; 所述二極管芯片三A的正極與所述區(qū)域五A通過上層電路連接片相連， 所述二極管芯片四A的正極與所述區(qū)域五A通過上層電路連接片相連;使得二極管芯片三A的正極和二極管芯片四A的正極連通至負(fù)極引出端子； 所述可控硅芯片一A的陽極向下焊接于所述可控硅芯片一A焊接位上;所述可控硅芯片一A的門極通過鋁絲鍵合與所述門極引出端子一連接;所述可控硅芯片一A的陰極通過鋁絲鍵合連通區(qū)域四A; 所述可控硅芯片二A的陽極向下焊接于所述可控硅芯片二A焊接位上;所述可控硅芯片二A的門極通過鋁絲鍵合與所述門極引出端子二連接;可控硅芯片二A的陰極通過鋁絲鍵合連通區(qū)域三A。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁電機(jī)用單相整流、電壓調(diào)節(jié)功率模塊，其特征在于， 所述基板分割為相互絕緣的區(qū)域一 B、區(qū)域二 B、區(qū)域三B、區(qū)域四B、區(qū)域五B和區(qū)域六， 所述區(qū)域一 B上設(shè)有二極管芯片一 B焊接位和二極管芯片二 B焊接位，且所述區(qū)域一 B上包括伸出封裝體的正極引出端子B， 所述區(qū)域二 B上設(shè)有二極管芯片三B焊接位和二極管芯片四B焊接位，且所述區(qū)域二 B上包括伸出封裝體的負(fù)極引出端子B和接地端子B， 所述區(qū)域三B上設(shè)有可控硅芯片二 B焊接位， 所述區(qū)域四B上設(shè)有可控硅芯片一 B焊接位， 所述區(qū)域五B上包括伸出封裝體的交流引出端子一 B， 所述區(qū)域六上包括伸出封裝體的交流引出端子二 B; 所述區(qū)域四B和所述區(qū)域五B通過上層電路連接片相連， 所述區(qū)域三B和所述區(qū)域六B通過上層電路連接片相連； 所述低功耗整流、電壓調(diào)節(jié)電路包括二極管芯片一 B、二極管芯片二 B、二極管芯片三B、二極管芯片四B、可控硅芯片一 B和可控硅芯片二 B， 所述二極管芯片一 B的負(fù)極向下焊接于所述二極管芯片一 B焊接位上； 所述二極管芯片二 B的負(fù)極向下焊接于所述二極管芯片二 B焊接位上； 所述二極管芯片三B的負(fù)極向下焊接于所述二極管芯片三B焊接位上； 所述二極管芯片四B的負(fù)極向下焊接于所述二極管芯片四B焊接位上； 所述二極管芯片一 B的正極通過上層電路連接片連通基板上的區(qū)域五B再連通所述交流引出端子一 B， 所述二極管芯片二 B的正極通過上層電路連接片連通基板上的區(qū)域六再連通所述交流引出端子二 B， 所述二極管芯片三B的正極通過上層電路連接片連通基板上的區(qū)域五B再連通所述交流引出端子一 B， 所述二極管芯片四B的正極通過上層電路連接片連通基板上的區(qū)域六再連通所述交流引出端子二 B， 所述可控硅芯片一B的陽極向下焊接于所述可控硅芯片一B焊接位上;所述可控硅芯片一B的門極通過鋁絲鍵合與所述門極引出端子一B連接;所述可控硅芯片一B的陰極通過鋁絲鍵合連通區(qū)域二 B; 所述可控硅芯片二B的陽極向下焊接于所述可控硅芯片二B焊接位上;所述可控硅芯片二B的門極通過鋁絲鍵合與所述門極引出端子二B連接;可控硅芯片二 B的陰極通過鋁絲鍵合連通區(qū)域二 B。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的磁電機(jī)用單相整流、電壓調(diào)節(jié)功率模塊，其特征在于，所述二極管芯片三和二極管芯片四為反極性二極管芯片。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁電機(jī)用單相整流、電壓調(diào)節(jié)功率模塊，其特征在于， 所述基板分割為相互絕緣的區(qū)域一 C、區(qū)域二 C、區(qū)域三C、區(qū)域四C、區(qū)域五C， 所述區(qū)域一 C上設(shè)有二極管芯片一 C焊接位，且所述區(qū)域一 B上包括伸出封裝體的交流引出端子一 C， 所述區(qū)域二 C上設(shè)有二極管芯片二 C焊接位和可控硅芯片二 C焊接位，且所述區(qū)域二 C上包括伸出封裝體的交流引出端子二 C， 所述區(qū)域三C上設(shè)有可控硅芯片一 C焊接位， 所述區(qū)域四包括伸出封裝體的負(fù)極引出端子C和接地端子C， 所述區(qū)域五C上包括伸出封裝體的正極引出端子C， 所述區(qū)域四C和所述區(qū)域一 C通過上層電路連接片相連， 所述低功耗整流、電壓調(diào)節(jié)電路包括二極管芯片一 C、二極管芯片二 C、可控硅芯片一 C和可控硅芯片二 C， 所述二極管芯片一 C的負(fù)極向下焊接于所述二極管芯片一 C焊接位上； 所述二極管芯片二 C的負(fù)極向下焊接于所述二極管芯片二 C焊接位上； 所述二極管芯片一 C的正極和二極管二 C的正極分別通過上層電路連接片連通基板上的區(qū)域四C再連通所述負(fù)極引出端子C， 所述可控硅芯片一C的陽極向下焊接于所述可控硅芯片一C焊接位上;所述可控硅芯片一C的門極通過鋁絲鍵合與所述門極引出端子一C連接;所述可控硅芯片一C的陰極通過鋁絲鍵合連通區(qū)域五C; 所述可控硅芯片二C的陽極向下焊接于所述可控硅芯片二C焊接位上;所述可控硅芯片二C的門極通過鋁絲鍵合與所述門極引出端子二C連接;可控硅芯片二C的陰極通過鋁絲鍵合連通區(qū)域五C。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的磁電機(jī)用單相整流、電壓調(diào)節(jié)功率模塊，其特征在于，還包括外設(shè)電路，所述外設(shè)電路包括磁電機(jī)、控制電路、蓄電池和負(fù)載， 所述磁電機(jī)的兩個(gè)輸出端分別連接交流引出端子一、交流引出端子二； 所述控制電路的兩個(gè)控制端分別連接門極引出端子一、門極引出端子二，所述控制電路的兩個(gè)輸入端分別連接正極引出端子、負(fù)極引出端子； 所述蓄電池的負(fù)極與所述負(fù)極引出端子相連，所述蓄電池的正極與所述正極引出端子相連； 所述蓄電池的負(fù)極與所述正極引出端子之間設(shè)有電容； 所述負(fù)載與所述蓄電池連接。9.根據(jù)權(quán)利要求4-8任意一項(xiàng)所述的磁電機(jī)用單相整流、電壓調(diào)節(jié)功率模塊，其特征在于，所述上層電路連接片為橋狀。
【文檔編號(hào)】H02M7/17GK205544967SQ201620352800
【公開日】2016年8月31日
【申請(qǐng)日】2016年4月25日
【發(fā)明人】蔣李望, 郭劍, 高定健
【申請(qǐng)人】蔣李望, 郭劍