信號(hào)Vai;
[0044]增益級(jí)A2，用于將反饋電流的差分電壓放大，獲得差分信號(hào)Va2;
[0045]比較器CMP，用于將差分信號(hào)Va1和差分信號(hào)Va2比較后產(chǎn)生PffM調(diào)制輸出。
[0046]增益級(jí)Al、增益級(jí)A2和比較器CMP的具體實(shí)現(xiàn)電路如圖6所示，增益級(jí)Al包括NMOS管Ma1、NMOS管Ma2、電阻R1、電阻R2和電流源Iai ；
[0047 ] NMOS管Mai的棚■極輸入控制電壓Vctrl，NMOS管Ma2的棚■極輸入共模電壓Vcom ；
[0048]NMOS管Ma1的源極和NMOS管Ma2的源極同時(shí)接電流源Im ；
[0049]NMOS管Mai的漏極與電阻Ri的一端連接，電阻Ri的另一端與電阻R2的一端連接，電阻R2的另一端與NMOS管Ma2的漏極連接；
[0050 ] NMOS管Ma2的漏極輸出和NMOS管Mai的漏極輸出輸入至比較器CMP進(jìn)行比較。
[0051 ] 圖6中，增益級(jí)A2包括NMOS晶體管MB1、NM0S晶體管Mb2和電流源IA2;
[0052] NMOS管Mb1的柵極輸入第一反饋電壓CS，匪OS管Mb2的柵極輸入第二反饋電壓Vout ;第一反饋電壓CS與第二反饋電壓Vqut的差值為反饋電流的差分電壓；
[0053 ] NMOS管Mb1的源極和NMOS管Mb2的源極同時(shí)接電流源Ia2 ；
[0054]NMOS管Mb2的漏極輸出和NMOS管Mbi的漏極輸出輸入至比較器CMP進(jìn)行比較。
[0055]圖6中，反應(yīng)電流模DCDC轉(zhuǎn)換器輸出電流的差分電壓CS-Vqut經(jīng)過增益級(jí)A2放大，反應(yīng)控制電壓的差分電壓Vctrl-Vccim經(jīng)過增益級(jí)Al放大，得到反應(yīng)四路信號(hào)的差分信號(hào)Vp2_Vn2，經(jīng)比較器CMP比較后產(chǎn)生PffM調(diào)制輸出。
[0056]本實(shí)施方式中共模電壓Vcom的產(chǎn)生電路如圖7所示，具體包括:匪OS管Ms1、匪OS管Ms2、電容Ccom和電流源I com;
[0057]匪OS管如的源極與WOS管Ms2的漏極連接，匪OS管Ms1的柵極和漏極同時(shí)接電流源Icom和電容Ccqm的一端，電容Ccqm的另一端與NMOS管Ms2的源極連接;NMOS管Ms2的柵極連接方波信號(hào)d;
[0058]NMOS管Msi的的漏極與所述電容Ccqm的一端之間的電壓為共模電壓Vcom。
[0059]本實(shí)施方式中，電流源連接NMOS管的柵極是為其提供偏置電流；
[0060]其中，方波信號(hào)d的波形圖如圖8所示，該方波信號(hào)與圖3中的方波信號(hào)d相同；
[0061 ] 共模電壓VcciM的波形如圖9，一方面它為控制電壓Vctrl提供一個(gè)參考電壓，另一方面，通過方波信號(hào)d和電容Ccom的配合實(shí)現(xiàn)斜坡補(bǔ)償，確保峰值或谷值電流模DCDC的穩(wěn)定工作。
[0062]本實(shí)施例中，各不同的實(shí)施例均可以分開或組合使用。
[0063]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍。這樣，倘若本實(shí)用新型的這些修改和變型屬于本實(shí)用新型權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本實(shí)用新型也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.差分PffM調(diào)制器，其特征在于，所述調(diào)制器包括: 差動(dòng)放大器，用于輸入?yún)⒖茧妷篤ref和反饋電壓V.，獲得單端控制電壓Vctrl ; 增益級(jí)Al，用于將單端控制電壓Vctrl和共模電壓Vccim的差分電壓Vctrl-Vccim放大，獲得差分信號(hào)Vai; 增益級(jí)A2，用于將反饋電流的差分電壓放大，獲得差分信號(hào)Va2 ; 比較器，用于將差分信號(hào)Vm和差分信號(hào)Va2比較后產(chǎn)生PffM調(diào)制輸出。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的差分HVM調(diào)制器，其特征在于，所述共模電壓Vcqm，還用于斜坡補(bǔ)償。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的差分PWM調(diào)制器，其特征在于，所述共模電壓Vcqm的產(chǎn)生電路包括NMOS管Ms1、NMOS管Ms2、電容Ccqm和電流源I com; 匪OS管％!的源極與NMOS管Ms2的漏極連接，匪OS管％!的柵極和漏極同時(shí)接電流源I com和電容Ccqm的一端，電容Ccqm的另一端與NMOS管Ms2的源極連接;NMOS管Ms2的柵極連接方波信號(hào)d; NMO S管Ms I的的漏極與所述電容Cccim的一端之間的電壓為共模電壓Vcom。4.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的差分PWM調(diào)制器，其特征在于，所述增益級(jí)Al包括NMOS管Ma1、NMOS管Ma2、電阻R1、電阻R2和電流源Iai ； NMOS管Mai的柵極輸入控制電壓Vctrl，NMOS管Ma2的柵極輸入共模電壓Vcom ； NMOS管Mai的源極和NMOS管Ma2的源極同時(shí)接電流源Iai ； NMOS管Mm的漏極與電阻仏的一端連接，電阻Ri的另一端與電阻R2的一端連接，電阻R2的另一端與NMOS管Ma2的漏極連接； NMOS管Ma2的漏極輸出和NMOS管Ma1的漏極輸出輸入至比較器進(jìn)行比較。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的差分PWM調(diào)制器，其特征在于，所述增益級(jí)A2包括NMOS晶體管Mb1、NMOS晶體管Mb2和電流源IA2 ； NMOS管Mbi的柵極輸入第一反饋電壓CS，NMOS管Mb2的柵極輸入第二反饋電壓Vciut;所述第一反饋電壓CS與所述第二反饋電壓Vqut的差值為反饋電流的差分電壓； NMOS管Mb1的源極和NMOS管Mb2的源極同時(shí)接電流源Ia2 ； NMOS管Mb2的漏極輸出和NMOS管Mb1的漏極輸出輸入至比較器進(jìn)行比較。6.基于權(quán)利要求1或5所述的差分PWM調(diào)制器的電流模DCDC轉(zhuǎn)換器，其特征在于，所述電流模DCDC轉(zhuǎn)換器的檢測(cè)電阻Rs設(shè)置在輸出路徑中，利用電阻Rs上的差分電壓實(shí)現(xiàn)峰值或谷值電流模PWM調(diào)制，所述電阻Rs上的差分電壓即為所述反饋電流的差分電壓。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基于差分P麗調(diào)制器的電流模DCDC轉(zhuǎn)換器，其特征在于，所述電流模D⑶C轉(zhuǎn)換器包括差分PffM調(diào)制器、logic控制器、兩個(gè)緩沖器、非門、NMOS管麗、PMOS管MP、電感L、電解電容Cqut和電阻Rs; 差分P麗調(diào)制器的輸出輸入至logic控制器，所述logic控制器輸出方波信號(hào)d，所述方波信號(hào)d通過第一緩沖器并經(jīng)過非門輸入至PMOS管MP的柵極，所述方波信號(hào)d通過第二緩沖器輸入至NMOS管麗的柵極，所述PMOS管MP的漏極與匪OS管麗的漏極同時(shí)與電感L的一端連接，所述電感L的另一端與電阻Rs的一端連接，所述電阻Rs的另一端與電解電容Cqut的正極連接，所述電解電容Cqut的負(fù)極與NMOS管MN的源極同時(shí)接電源地;所述PMOS管MP的源極接電源的正極Vin。
【專利摘要】差分PWM調(diào)制器及基于該調(diào)制器的電流模DCDC轉(zhuǎn)換器，為了解決傳統(tǒng)單端調(diào)制器不適用于利用片外電阻檢測(cè)輸出電流的電流模DCDC轉(zhuǎn)換器的問題。本實(shí)用新型的差分PWM調(diào)制器包括：?jiǎn)味丝刂齐妷号c共模電壓的差模電壓經(jīng)過增益級(jí)A1放大，反饋電流的差分電壓經(jīng)過增益級(jí)A2放大，經(jīng)增益級(jí)A1和增益級(jí)A2放大后的輸入比較器進(jìn)行比較，產(chǎn)生PWM調(diào)制輸出，第一反饋電壓CS與第二反饋電壓VOUT的差值為反饋電流的差分電壓。本實(shí)用新型基于該調(diào)制器的電流模DCDC轉(zhuǎn)換器的檢測(cè)電阻RS設(shè)置在輸出路徑中，利用電阻RS上的差分電壓實(shí)現(xiàn)峰值或谷值電流模PWM調(diào)制。本實(shí)用新型的差分PWM調(diào)制器適用于電池充電器等需要片外電阻檢測(cè)輸出電流的應(yīng)用。
【IPC分類】H02M3/156
【公開號(hào)】CN205356145
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201620035334
【發(fā)明人】樂忠明
【申請(qǐng)人】上海鑠梵電子科技有限公司
【公開日】2016年6月29日
【申請(qǐng)日】2016年1月15日