一種功率電路保護系統(tǒng)的制作方法
【技術領域】
[0001 ] 本申請涉及電路領域，特別涉及一種功率電路保護系統(tǒng)。
【背景技術】
[0002]隨著技術的發(fā)展，人們對功率電路中保護電路的要求越來越高。
[0003]現(xiàn)有技術中通常會在電子電路的電源端口連接開機防浪涌電路，以保護電子設備，現(xiàn)有的保護電路中的電阻值一般在500歐姆至1000歐姆之間，這樣，即使負載端所需要的電流僅僅為10mA，保護電路上也會有5V以上的壓降，而且保護電路上一直存在能量損耗。
[0004]因此，如何有效的降低保護電路上的壓降和能量損耗，使得保護電路上幾乎不存在壓降和能量損耗是本領域技術人員目前需要解決的技術問題。
【實用新型內容】
[0005]本申請所要解決的技術問題是提供一種功率電路保護系統(tǒng)，解決了現(xiàn)有技術中保護電路上也會有5V以上的壓降，而且保護電路上一直存在能量損耗的問題。
[0006]其具體方案如下:
[0007]—種功率電路保護系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括:
[0008]儲能元件、功率電路和保護電路；
[0009]所述儲能元件與所述保護電路的輸入端相連接，所述保護電路的輸出端與功率電路中的電容相連接，保護電路的控制端與功率電路中的控制端相連接；
[0010]其中，所述保護電路包括MOS管和電阻；所述MOS管和所述電阻并聯(lián)連接，所述MOS管的源極和漏極分別與所述電阻的兩端點相連接。
[0011]上述的保護系統(tǒng)，可選的，所述保護電路還包括:
[0012]穩(wěn)壓二極管，所述穩(wěn)壓二極管與所述MOS管并聯(lián)連接，所述穩(wěn)壓二極管的正極連接所述MOS管的源極，所述穩(wěn)壓二極管的負極連接所述MOS管的漏極。
[0013]上述的保護系統(tǒng)，可選的，所述保護電路的個數為一個或者多個。
[0014]上述的保護系統(tǒng)，可選的，當所述保護電路的個數為多個時，多個所述保護電路并聯(lián)連接，每個所述保護電路的輸入端均與所述儲能元件相連接，每個所述保護電路的輸出端分別與功率電路中與所述保護電路相匹配的電容相連接。
[0015]上述的保護系統(tǒng)，可選的，所述儲能元件包括:電池。
[0016]上述的保護系統(tǒng)，可選的，所述儲能元件包括:電池組。
[0017]上述的保護系統(tǒng)，可選的，所述儲能元件包括:超級電容。
[0018]本申請?zhí)峁┑囊环N功率電路保護系統(tǒng)中，包括:儲能元件、功率電路和保護電路；所述儲能元件與所述保護電路的輸入端相連接，所述保護電路的輸出端與功率電路中的電容相連接，保護電路的控制端與功率電路中的控制端相連接；其中，所述保護電路包括MOS管和電阻；所述MOS管和所述電阻并聯(lián)連接，所述MOS管的源極和漏極分別與所述電阻的兩端點相連接。當所述的保護電路應用到電子電路中時，由于MOS管和電阻并聯(lián)，使得接通時電阻所在的支路導通，而MOS管所在的支路處于截止狀態(tài)，當電子電路達到預設的條件時，控制所述MOS管導通，然而MOS管的電阻值非常小，使得電流不再經過電阻所在的支路，這樣，MOS管所在的支路的壓降和能量損耗非常小，幾乎相當于不存在壓降和能量損耗，解決了現(xiàn)有技術中保護電路消耗壓降的能量損耗的問題。
【附圖說明】
[0019]為了更清楚地說明本申請實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本申請的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0020]圖1是本申請的一種功率電路保護系統(tǒng)實施例的結構示意圖；
[0021]圖2是本申請的一種功率電路保護系統(tǒng)另一個實施例的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0022]下面將結合本申請實施例中的附圖，對本申請實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本申請一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒旧暾堉械膶嵤├?，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本申請保護的范圍。
[0023]參考圖1，示出了本申請一種功率電路保護系統(tǒng)實施例的結構示意圖，可以包括:
[0024]儲能元件、功率電路和保護電路。
[0025]所述儲能元件與所述保護電路的輸入端相連接，所述保護電路的輸出端與功率電路中的電容相連接，保護電路的控制端與功率電路中的控制端相連接，其中所述保護電路包括MOS管和電阻；所述MOS管和所述電阻并聯(lián)連接，所述MOS管的源極和漏極分別與所述電阻的兩端點相連接。
[0026]本申請中，當所述的保護電路應用到電子電路中時，由于MOS管和電阻并聯(lián)，使得接通時電阻所在的支路導通，而MOS管所在的支路處于截止狀態(tài)，當電子電路達到預設的條件時，控制所述MOS管導通，然而MOS管的電阻值非常小，使得電流不再經過電阻所在的支路，這樣，MOS管所在的支路的壓降和能量損耗非常小，幾乎相當于不存在壓降和能量損耗，解決了現(xiàn)有技術中保護電路消耗壓降的能量損耗的問題。
[0027]本申請中的保護電路，可選的，還包括:
[0028]穩(wěn)壓二極管，所述穩(wěn)壓二極管與所述MOS管并聯(lián)連接，所述穩(wěn)壓二極管的正極連接所述MOS管的源極，所述穩(wěn)壓二極管的負極連接所述MOS管的漏極。
[0029]本申請中保護電路中的電阻值通常可以采用10歐姆至1000歐姆。
[0030]圖中Ql和Rl為防浪涌保護電路，Cl為功率電路內部的大電容，CONl為MOS管的控制信號，POffl為功率線。在VINl上電瞬間，MOS管處于截止狀態(tài)，此時通過電阻Rl以小電流給電容Cl充電，POffl的電壓緩慢上升，此時功率電路中的檢測