cMt電容的乘積，如下面所述:
[0047]Zeroload= 1/((2 π.r onsw.cext))。公式 2
[0048]在zer0wd零頻率506處，| Z L0AD |幅度變得水平，直到I Zumi |幅度達到頻率512，在頻率512處，由于在以-20dB每十倍頻程的速率滾降之前的電線電感(如附圖標記516所描繪的)，I Zu3ad I幅度達到峰值(如在附圖標記510處所描繪的)。
[0049]根據(jù)示例實施例，線性調節(jié)器200的頻率響應被構造使得組合的調節(jié)器200及負載(本文中被稱為“組合頻率響應”)的總體頻率響應表現(xiàn)出主極點狀(dominantpole-like)的頻率響應。以這種方式，根據(jù)示例實施例，組合頻率響應的幅度具有DC增益，該DC增益延伸到或接近單極點頻率，并且然后在此后以_20dB每十倍頻程的速率衰減。
[0050]根據(jù)示例實施例，使用線性調節(jié)器200的LPF 324建立用于組合頻率響應的主極點。更具體地，結合圖5A參照圖5B，根據(jù)示例實施例，線性調節(jié)器的頻率響應(不考慮負載)的幅度(被稱為“ I Gm I ”) 520具有延伸到極點頻率506 (被稱為“poleLPF” )的DC增益522，在該極點頻率506處，Gj幅度以-20dB的斜率526衰減。
[0051]根據(jù)示例實施例，poleLPF^^；頻率處于或接近zero Wd零頻率(例如，在zero load零頻率的一個十倍頻程內)。對于在圖4中描繪的低通濾波器324，poleOT極點頻率可被描述如下:
[0052]poleLPF^ I/ (2 η.rl.cl)， 公式 3
[0053]其中“rl”表示電阻器440的電阻；而“cl”表示電容器442的電容。參照圖5C，如果poleLPF極點頻率等于zero ^零頻率，則組合頻率響應的幅度540 (|Gm|.| Zload |)具有單個主極點頻率504和-20dB每十倍頻程的滾降544。由于電線電感，幅度540包括上升542。這樣的組合頻率響應的特定優(yōu)點在于雖然用于調節(jié)器200的DC增益(參見圖5B)可能因此相對小，但是為了快速響應于變化的負載，調節(jié)器具有增強的動態(tài)響應。
[0054]應當注意，根據(jù)示例實施例，261'01。!1(1零頻率和pole Μ極點頻率可以相互抵消，使得產(chǎn)生單個主極點的頻率響應。然而，抵消并不需要是理想的。例如，根據(jù)進一步的示例實施例，poleLPF^S頻率可以在某一范圍內低于或高于zero Wd零頻率(例如，pole ?ΡΡ.極點頻率可以是位于Zerolciad零頻率的四分之一至zero Wd零頻率的四倍的范圍內的頻率)，并且仍然產(chǎn)生用于線性調節(jié)器200的令人滿意的相位裕量和穩(wěn)定性。
[0055]圖6描繪用于電流源操作模式的線性調節(jié)器200的配置。參照圖6，根據(jù)示例實施例，在電流源模式期間，線性調節(jié)器200的電流源601 (以取代圖3的電流源326和鏡像設備340)限制在輸出端370處的電流。電流源601包括由PMOSFET 630和NMOSFET 634形成的互補金屬氧化物半導體(CMOS)反相器604。在這方面，反相器604從控制邏輯310接收信號，用于啟用電流源634的操作。當被啟用時，控制邏輯310使信號失效(例如，將信號驅動到低)，該信號被提供給反相器604，以使反相器604相應地使NMOSFET 626的柵極有效(例如，將其驅動高)，從而導通NMOSFET 626并使NMOSFET 626的漏極到源極路徑傳導。信號的失效還使另一個反相器631使PMOSFET 627的柵極有效以關閉PMOSFET 627。
[0056]NMOSFET 626、兩個電流源624和628形成電流源601的偏置電路。MOSFET 626的源極耦合到電流源624，電流源624耦合在MOSFET 626的源極和地之間。NMOSFET 626的漏極耦合到電流源628，而電流源628耦合在Vin輸入電壓和NMOSFET 626的漏極之間。電流源624和628傳導相同的電流，并被定向以通過NMOSFET 626的漏極到源極路徑提供預定的偏置電流。NMOSFET 626的漏極和源極向電流源601的其它電路提供偏置電壓。
[0057]更具體地，NMOSFET 626的漏極耦合到PMOSFET 610的柵極，并且NMOSFET 626的源極耦合到PMOSFET 614的漏極。PMOSFET 610的源極接收Vin輸入電壓，PMOSFET 610的柵極耦合到PMOSFET 322的柵極，并且PMOSFET 610的漏極耦合到PMOSFET 614的源極。PMOSFET 614的漏極耦合到電流源622，并且電流源622耦合在PMOSFET 614的漏極和地之間。PMOSFET 614的柵極耦合到PMOSFET 612的柵極，并且PMOSFET 612的柵極和漏極耦合在一起。此外，PMOSFET 612的漏極耦合到電流源618，并且PMOSFET 612的源極耦合到輸出端370。
[0058]根據(jù)示例實施例，通過PMOSFET 322的漏極到源極路徑的電流是電流源622的電流和縮放因子的乘積?？s放因子是PMOSFET 322的長寬比與PMOSFET 610的長寬比的比率。
[0059]結合圖6參照圖7，根據(jù)示例實施例，在電壓調節(jié)操作模式中，線性調節(jié)器200供應Ium電流并傳導地電流(在圖7中被稱為“I ■”)，表示整體的靜止偏置電流。Imi電流可以顯著地小于Ium。例如，根據(jù)示例實施例，對于50毫安(mA)的Iu3ad電流，I (；ND電流大約為150 μ A0
[0060]根據(jù)示例實施例，線性調節(jié)器200可以提供一個或多個以下的優(yōu)點。在用于輕負載的電壓調節(jié)模式期間，線性調節(jié)器200可以具有相對低的偏置電流(例如，小于20 μ A的電流)。線性調節(jié)器200可以提供嚴格的負載和線路(load and line)調節(jié)。線性調節(jié)器200可以針對寬范圍的負載電流(例如，范圍從I μ A至10mA的電流)提供大的相位裕量(例如，超過40度的相位裕量)。線性調節(jié)器200可以占據(jù)相對小的管芯面積。根據(jù)進一步的實施例，其它和不同的優(yōu)點是可能的。
[0061]參照圖8，根據(jù)進一步的示例實施例，MCU 24可以使用線性調節(jié)器900，以針對較低的負載電流(例如，小于5mA的電流)提供經(jīng)調節(jié)的電壓。對于圖8的示例實施例，線性調節(jié)器900向負載980提供V.輸出電壓(在輸出端977處)，并且去耦電容器990可以耦合在輸出端977和封裝端子982處的地之間。對于此實施例，例如，MCU 24可包括開關(未示出)以將封裝端子982耦合到輸出端977，類似于圖6的開關378。
[0062]類似于線性調節(jié)器200，為了將Vin輸入電壓轉換成經(jīng)調節(jié)的V-輸出電壓，線性調節(jié)器900包括調節(jié)導通器件即PMOSFET 904中的電流的跨導放大器920。然而，根據(jù)示例實施例，放大器920具有不同于線性調節(jié)器200的拓撲結構(topology)，并且可以消耗比線性調節(jié)器200的放大器350少的靜止偏置電流。
[0063]放大器920包括第一放大器級964和第二放大器級965。第一放大器級964是差分電壓放大級，該差分電壓放大級響應于在輸出端997和Vref參考電壓之間形成的差分電壓而向第二放大器級965提供電壓。更具體地，第一放大器級964包括由NMOSFET 922和924形成差分晶體管對。以這種方式，NMOSFET 922的柵極接收Vref參考電壓，并且NMOSFET 924的柵極耦合到輸出端977。NMOSFET 922和924的源極耦合在一起，并且NMOSFET 922的漏極為放大器提供輸出電壓。NMOSFET 922的漏極耦合到PMOSFET 930的漏極，并且NMOSFET924的漏極耦合到PMOSFET 932的柵極和漏極。NMOSFET 930和932形成電流鏡。NMOSFET930和932的柵極耦合在一起。此外，PMOSFET 930和932的源極接收Vin輸入電壓。
[0064]NMOSFET 922和924接收兩個偏置電流:由電流源940提供并通過NMOSFET 926的漏極到源極電流路徑路由到NMOSFET 922和924的第一固定偏置電流；以及受來自第二級的反饋的影響并通過NMOSFET 928的漏極到源極電流路徑路由到NMOSFET 922和924的第二偏置電流。
[0065]NMOSFET 926與NMOSFET 942形成電流鏡。在這方面，NMOSFET 926和942的柵極耦合在一起，并且NMOSFET 942的源極和漏極耦合在一起。NMOSFET 926和942的源極耦合到地。NMOSFET 942的漏極到源極電流路徑被耦合以從電流源940接收電流，電流源940耦合在NMOSFET 942的漏極和偏置電壓(在圖8中被稱為“V/’)之間。
[0066]NMOSFET 928的源極耦合到地，并且NMOSFET 928與NMOSFET 960形成電流鏡。在這方面，NMOSFET 928和960的柵極耦合在一起，并且NMOSFET 960的柵極和漏極耦合在一起。NMOSFET 928和960的源極耦合到地。
[0067]還如圖8中所描繪的，電容器929耦合在NMOSFET 928、960的柵極和地之間。根據(jù)示例實施例，電容器929改進線性調節(jié)器900的偏置電流反饋穩(wěn)定性。根據(jù)進一步的示例實施例，電容器929可以被省略。
[0068]NMOSFET 960的漏極和柵極耦合到PMOSFET 952的漏極，并且PMOSFET 952的源極耦合到PMOSFET 948的漏極。電阻器944可以耦合在Vin參考電壓和PMOSFET 948的源極之間。為了將NMOSFET 948的源極到漏極路徑中的電流鏡像到NMOSFET 950的源極到漏極路徑中，NMOSFET 94