通過BFET供電并且沒有檢測到AC/DC適配器203時(shí)，如方框401所示，開始使轉(zhuǎn)換控制系統(tǒng)300用于電池操作。在這個(gè)最初的模式下，轉(zhuǎn)換控制器301將BGATE置位為高，使得BFET打開，并且否定ASGATE或要不然將ASGATE置位為低以完全關(guān)閉AFET和SFET。如下一個(gè)方框403所示，轉(zhuǎn)換控制器301連續(xù)或在其它情況下間歇地獲取ACD信號(hào)，以確定是否檢測到AC/DC適配器203。當(dāng)A⑶為錯(cuò)誤(或邏輯上為低)時(shí)，表示沒有檢測到AC/DC適配器203，操作方框403處的循環(huán)。
[0033]當(dāng)連接了 AC/DC適配器203時(shí)，DCIN引腳的電壓超過DC_TH并且比較器307對A⑶置位。當(dāng)在方框403中A⑶被轉(zhuǎn)換控制器301檢測到時(shí)，轉(zhuǎn)換控制器301的操作進(jìn)行到方框405以將開關(guān)轉(zhuǎn)換器激活為升壓轉(zhuǎn)換器，諸如通過將BCK/BST信號(hào)置位成調(diào)制器203表示操作的升壓模式。在升壓模式下，調(diào)制器303按照升壓模式操作Ql和Q2，用電池電壓VBAT作為輸入電壓，用VSYS作為輸出電壓。VSYS電壓由于由電池219供電所以在VBAT或低于VBAT處開始。隨著升壓操作進(jìn)行，電壓VSFS超過VBAT。操作進(jìn)行到方框407以監(jiān)測BOFF。由于BOFF為錯(cuò)誤(或置位為低)，操作方框407處的循環(huán)。
[0034]在一個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)升壓模式最初被激活時(shí)，BFET仍然導(dǎo)通，使得電池219通過BFET直接或通過Ql和Q2間接提供按照升壓模式操作的電源。升壓轉(zhuǎn)換的操作會(huì)按照選擇的速度斜線上升，便于用于激活升壓轉(zhuǎn)換的平滑的轉(zhuǎn)換。電阻器RB使電壓VSYS超過VBAT。電壓VOFFl足夠小，使得當(dāng)VSYS比VBAT高少量時(shí)，比較器309對BOFF置位。
[0035]當(dāng)如方框407所檢測的BOFF被置位為高時(shí)，操作進(jìn)行到方框409，在方框409中轉(zhuǎn)換控制器301諸如通過將BGATE拉低來關(guān)閉BFET。按照這種方式，電池219繼續(xù)通過Ql和Q2的升壓控制操作給VSYS供電。誤差放大器317使調(diào)制器驅(qū)動(dòng)電壓VSYS直到適配器電壓電平VADP。轉(zhuǎn)換控制器301的操作進(jìn)行到方框411以檢測ACT。由于ACT為錯(cuò)誤(或置位為低)，所以操作在方框411處循環(huán)。
[0036]當(dāng)電壓電平VSYS升高充分接近適配器電壓電平(諸如在V0FF2內(nèi))時(shí)，比較器313置位ACT。當(dāng)置位ACT時(shí)，操作進(jìn)行到方框413，在方框413中轉(zhuǎn)換控制器301將ASGATE置位為高以打開AFET和SFET。由于電壓電平VSYS已被驅(qū)動(dòng)到高達(dá)電壓電平VADP，所示AFET和SFET可以被安全地激活，而不會(huì)危害這些隔離裝置。按照這種方式，VADP電壓從AC/DC適配器203提供電源。操作進(jìn)一步進(jìn)行到方框415，在方框415中轉(zhuǎn)換控制器301可以終止升壓轉(zhuǎn)換器的操作，使得電池219不再給系統(tǒng)供電。
[0037]在基于電壓電平VBAT的一個(gè)實(shí)施例中，調(diào)制器303可以轉(zhuǎn)換為降壓操作模式以給電池219充電。在另一個(gè)實(shí)施例中，如果系統(tǒng)在高負(fù)荷下運(yùn)行并且如果電壓VBAT足夠高表示電池219具有足夠的可用電，只要必須(或者直到電池219被耗盡)與AC/DC適配器203一起處理更高的負(fù)荷，升壓操作就可以繼續(xù)。
[0038]圖5是根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的可以在控制器207內(nèi)實(shí)施的轉(zhuǎn)換控制系統(tǒng)500的簡化示意圖和框圖。轉(zhuǎn)換控制系統(tǒng)500與轉(zhuǎn)換控制系統(tǒng)300實(shí)質(zhì)相似，其中相似的元件具有相同的參考數(shù)字。在這種情況下，提供額外的放大器319，具有與CSIP和CSIN引腳連接的輸入和提供具有表示IADP流過感測電阻器RS的電壓電平的電流感測信號(hào)CS。將CS提供給誤差放大器317的一個(gè)輸入(反相)，誤差放大器317在其另一個(gè)輸入(非反相)處接收電流參考信號(hào)IREF并在其輸出處給調(diào)制器303提供VERR?？梢酝ㄟ^任意的電源形成IREF，并示出為進(jìn)一步提供給代替轉(zhuǎn)換控制器301的轉(zhuǎn)換控制器501。轉(zhuǎn)換控制器501除了如本文進(jìn)一步描述的控制ASGATE以外與轉(zhuǎn)換控制器301實(shí)質(zhì)相似。
[0039]圖6是圖示根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的轉(zhuǎn)換控制系統(tǒng)500的運(yùn)行的流程圖。轉(zhuǎn)換控制系統(tǒng)500的運(yùn)行與轉(zhuǎn)換控制系統(tǒng)300實(shí)質(zhì)相似，其中相似的元件具有相同的參考數(shù)字。與方框401和403所示出的電池操作期間的A⑶探測同時(shí)開始操作。在這種情況下，當(dāng)通過方框403處的A⑶的置位探測到AC/DC適配器203時(shí)，操作不立即進(jìn)行到方框405，而是進(jìn)行到方框601，在方框601中轉(zhuǎn)換控制器501將ASGATE置位為預(yù)定的低電平以使相對小的電源電流從VADP流到VSYS。
[0040]按照這種方式，不是完全打開AFET和SFET，而是將ASGATE驅(qū)動(dòng)到相對低的電平或斜線上升到更低的電壓電平以部分打開AFET和SFETο在一個(gè)實(shí)施例中，低電流電平不足以完全供應(yīng)正常負(fù)荷水平，但是相反僅足夠高以補(bǔ)充電源電流開始通過VSYS驅(qū)動(dòng)負(fù)荷。AFET和SFET的低程度激活處于安全的程度以防止任何潛在的損害。在一個(gè)實(shí)施例中，考慮100毫安(mA)的初始電流電平。
[0041]操作然后進(jìn)行到方框405，其中按照與前面描述的類似的方式激活升壓轉(zhuǎn)換器。在這種情況下，按照與圖5中示出的不同的方式處理升壓控制。不是基于電源電平VSYS調(diào)制升壓轉(zhuǎn)換器，而是通過CSIP和CSIN由放大器317探測適配器電流IADP，并且由電流感測信號(hào)CS來反映。IREF具有反映低的初始適配器電流電平的電平。在一個(gè)實(shí)施例中，例如IREF具有在10mA的初始電流電平下調(diào)制IADP的值。按照這種方式，當(dāng)升壓轉(zhuǎn)換器被激活時(shí)，調(diào)制器303按照升壓模式控制Ql和Q2以將IADP調(diào)制為IREF所設(shè)定的電平。操作進(jìn)行到方框407以按照相似的方式檢測BOFF。
[0042]雖然調(diào)制升壓開關(guān)以將IADP維持在低的電流電平，但是升壓轉(zhuǎn)換器使電壓電平VSYS相對于VBAT增加。按照這種方式，當(dāng)VSYS比VBAT高VOFFl時(shí)，在方框407比較器309將BOFF置位為所探測的。操作然后進(jìn)行到方框409，其中BFET被關(guān)閉，然后進(jìn)行到方框411以檢測ACT。無論什么時(shí)候如前所述電壓電平VSYS升到VDC-V0FF2，比較器313置位ACT并且操作進(jìn)行到方框413，其中轉(zhuǎn)換控制器501對ASGATE進(jìn)行置位以完全打開AFET和SFET。然后在方框415可以關(guān)閉升壓轉(zhuǎn)換器，其中僅AC/DC適配器203提供電源并且完成轉(zhuǎn)換操作。
[0043]圖7是根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的可以在控制器207內(nèi)實(shí)施的轉(zhuǎn)換控制系統(tǒng)700的簡化示意圖和框圖。轉(zhuǎn)換控制系統(tǒng)700與轉(zhuǎn)換控制器系統(tǒng)300實(shí)質(zhì)相似，其中相似的元件具有相同的參考數(shù)字。在這種情況下，除了不使用或不提供到調(diào)制器303的輸入控制環(huán)以外，操作實(shí)質(zhì)相似。相反，轉(zhuǎn)換控制器301激活調(diào)制器303以操作開關(guān)轉(zhuǎn)換器，使開關(guān)轉(zhuǎn)換器成為具有開環(huán)控制并且具有恒定的占空比的升壓轉(zhuǎn)換器。占空比可以在控制器207內(nèi)固定，或者可通過存儲(chǔ)器或熔絲等設(shè)計(jì)。
[0044]圖8是圖示根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的轉(zhuǎn)換控制系統(tǒng)700的運(yùn)行的流程圖。轉(zhuǎn)換控制系統(tǒng)700的運(yùn)行與轉(zhuǎn)換控制系統(tǒng)300的運(yùn)行實(shí)質(zhì)相似。在這種情況下，方框405被方框805替換，其中當(dāng)相應(yīng)ACD被激活時(shí)升壓轉(zhuǎn)換器被轉(zhuǎn)換控制器301激活以按照恒定的占空比用開環(huán)控制運(yùn)行。否則，在電壓電平VSYS升到超過VBAT并最終基本接近VADP以完全打開AFET和SFET方面實(shí)質(zhì)相似。
[0045]本發(fā)明的益處、特征和優(yōu)點(diǎn)參照前面的說明和附圖可以更好地理解。給出說明以使本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠如同在特定的應(yīng)用及其必要條件的背景內(nèi)所提供的那樣制造和使用本發(fā)明。然而各種變形對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說是顯而易