一種mosfet橋電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及通信技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種MOSFET橋電路。
【背景技術(shù)】
[0002]目前業(yè)界使用在PoE上的二極管整流橋電路，存在效率低、輸出功率越大發(fā)熱越高的缺點(diǎn)，無(wú)法在大功率的ro設(shè)備上使用。隨著通信產(chǎn)品的功能越來(lái)越多，產(chǎn)品的功耗也跟著越來(lái)越大，如PoE+、PoE++等產(chǎn)品的應(yīng)用。同時(shí)，隨著全球氣候變暖，全球降水量重新分配、冰川和凍土消融、海平面上升等，既危害自然生態(tài)系統(tǒng)的平衡，更威脅人類的生存。MOSFET橋的應(yīng)用可以大大提高效率、節(jié)約能源、降低溫室效應(yīng)、緩解全球變暖趨勢(shì)。目前PoE設(shè)備上使用的橋電路主要有兩種:二極管整流橋堆。和以Linear公司為代表的TOBC器件。二極管整流橋堆只能應(yīng)用在低功耗的產(chǎn)品上，隨著產(chǎn)品功耗的增加效率越低，發(fā)熱量越大，整流橋堆上的功耗為P (W) = 1.4 (V) ^1ut(A) ? TOBC器件價(jià)格昂貴，其電路內(nèi)部使用升壓方式處理，來(lái)驅(qū)動(dòng)8個(gè)N-channel M0SFET，原理復(fù)雜不易實(shí)現(xiàn)，難以大規(guī)模量產(chǎn)使用。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、容易實(shí)現(xiàn)，能夠降低功耗和減小發(fā)熱量的MOSFET橋電路。
[0004]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種MOSFET橋電路，包括:電位提取電路、MOS管驅(qū)動(dòng)電路、第一 PMOS管、第二 PMOS管、第一 NMOS管及第二 NMOS管。
[0005]所述電位提取電路設(shè)置有正極電源輸入端口、負(fù)極電源輸入端口、高電位提取輸出端口及低電位提取輸出端口。
[0006]所述MOS管驅(qū)動(dòng)電路上設(shè)置有高電位輸入端口、低電位輸入端口、第一 PMOS管柵極驅(qū)動(dòng)端口、第一 PMOS管源極驅(qū)動(dòng)端口、第二 PMOS管柵極驅(qū)動(dòng)端口、第二 PMOS管源極驅(qū)動(dòng)端口、第一 NMOS管柵極驅(qū)動(dòng)端口、第一 NMOS管源極驅(qū)動(dòng)端口、第二 NMOS管柵極驅(qū)動(dòng)端口及第二 NMOS管源極驅(qū)動(dòng)端口。
[0007]所述高電位提取輸出端口與所述高電位輸入端口連接；所述低電位提取輸出端口與所述低電位輸入端口連接。
[0008]所述第一 PMOS管柵極驅(qū)動(dòng)端口與所述第一 PMOS管的柵極連接；所述第一 PMOS管源極驅(qū)動(dòng)端口與所述第一 PMOS管的源極連接；所述第二 PMOS管柵極驅(qū)動(dòng)端口與所述第二PMOS管的柵極連接；所述第二 PMOS管源極驅(qū)動(dòng)端口與所述第二 PMOS的源極連接；所述第一 NMOS管柵極驅(qū)動(dòng)端口與所述第一 NMOS管的柵極連接；所述第一 NMOS管源極驅(qū)動(dòng)端口與所述第一 NMOS管的源極連接；所述第二 NMOS管柵極驅(qū)動(dòng)端口與所述第二 NMOS管的柵極連接；所述第二 NMOS管源極驅(qū)動(dòng)端口與所述第二 NMOS管的源極連接。
[0009]所述第一 PMOS管的漏極與所述第二 PMOS管的漏極連接形成PoE電源正極輸出端；所述第一 NMOS管的漏極與所述第二 NMOS管的漏極連接形成PoE電源負(fù)極輸出端。
[0010]進(jìn)一步地，還包括:PoE電源正極輸出端口及PoE電源負(fù)極輸出端口 ；
[0011]所述PoE電源正極輸出端口與所述PoE電源正極輸出端連接；所述POE電源負(fù)極輸出端口與所述PoE電源負(fù)極輸出端連接。
[0012]本發(fā)明提供的MOSFET橋電路，當(dāng)正極電源輸入端口與PoE供電電源的正極連接，負(fù)極電源輸入端口與PoE供電電源的負(fù)極連接時(shí)，第一 PMOS管和第一 NMOS管打開(kāi)，PoE電源正極輸出端輸出整流后的PoE電源正極，PoE電源負(fù)極輸出端輸出整流后的PoE電源負(fù)極。當(dāng)正極電源輸入端口連接PoE供電電源負(fù)極，負(fù)極電源輸入端口連接PoE供電電源正極時(shí)，第二 PMOS管和第二 NMOS管打開(kāi)，PoE電源正極輸出端輸出整流后的PoE電源負(fù)極，PoE電源負(fù)極輸出端輸出整流后的PoE電源正極。本發(fā)明提供的MOSFET橋電路具備以下有益效果:
[0013]1、采用四個(gè)MOS管形成MOSFET橋，由于MOS管導(dǎo)通壓降小，避免了采用二極管整流橋時(shí)產(chǎn)生的功率耗散失，減小了發(fā)熱量及噪聲。
[0014]2、采用四個(gè)MOS管形成MOSFET橋，其本身耗散功率低，因此實(shí)現(xiàn)了能量的高效轉(zhuǎn)化，并且工作電流小于1mA。
[0015]3、本發(fā)明提供幾個(gè)簡(jiǎn)單的輸入輸出端口(分別為正極電源輸入端口、負(fù)極電源輸入端口、PoE電源正極輸出端口及PoE電源負(fù)極輸出端口)，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，可以大規(guī)模量產(chǎn)使用。
[0016]4、完全兼容IEEE802.3af/at/PoE+/PoE++等H)設(shè)備，通過(guò)MOS管等的器件選型，本發(fā)明甚至能兼容更高功率的設(shè)備。
[0017]5、能夠同時(shí)兼容RJ45兩對(duì)和四對(duì)線的應(yīng)用，即當(dāng)采用RJ45兩對(duì)線(線I和線2，線3和線6)進(jìn)行供電時(shí)，使用一組本發(fā)明電路即可輸出整流后的正負(fù)電源；當(dāng)采用RJ45四對(duì)線(線I和線2，線3和線6，線4和線5，線7和線8)進(jìn)行供電時(shí)，使用兩組本發(fā)明電路即可輸出整流后的正負(fù)電源。
[0018]6、根據(jù)器件的耐壓值，本發(fā)明可以支持最大10V的設(shè)備，選擇耐壓值較高的器件，本發(fā)明甚至能支持更高需求的電壓?？梢灾С?500V的Surge電壓?？梢栽?25°C，甚至更高的溫度下工作。本發(fā)明僅采用2個(gè)PMOS和2個(gè)NM0S，成本低，采用分壓降壓方式驅(qū)動(dòng)MOS管更可靠。
【附圖說(shuō)明】
[0019]圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的MOSFET橋電路結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0020]如圖1所示，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種MOSFET橋電路，包括:電位提取電路3、M0S管驅(qū)動(dòng)電路4、第一 PMOS管5、第二 PMOS管6、第一 NMOS管7及第二 NMOS管8。
[0021]如圖1所示，電位提取電路3設(shè)置有正極電源輸入端口 1、負(fù)極電源輸入端口 2、高電位提取輸出端口 11及低電位提取輸出端口 12。
[0022]如圖1所示，MOS管驅(qū)動(dòng)電路4上設(shè)置有高電位輸入端口 13、低電位輸入端口 14、第一 PMOS管柵極驅(qū)動(dòng)端口 15、第一 PMOS管源極驅(qū)動(dòng)端口 16、第二 PMOS管柵極驅(qū)動(dòng)端口17、第二 PMOS管源極驅(qū)動(dòng)端口 18、第一 NMOS管柵極驅(qū)動(dòng)端口 19、第一 NMOS管源極驅(qū)動(dòng)端口 20、第二 NMOS管柵極驅(qū)動(dòng)端口 21及第二 NMOS管源極驅(qū)動(dòng)端口 22。
[0023]如圖1所示，高電位提取輸出