本發(fā)明涉及半導體裝置。

背景技術：

1、當前，作為電動機驅(qū)動用的逆變器裝置等的功率元件，通常使用由廉價的si(硅)構成的igbt(insulated?gate?bipolar?transistor)及mosfet(metal?oxidesemiconductor?field?effect?transistor)。另一方面，近年來，使用由作為wbg(wideband?gap)半導體的sic(碳化硅)或gan(氮化鎵)構成的高效的功率元件的情況正在增加。

2、但是，由于wbg半導體價格高，因此，無法普及至重視成本的民用設備等。因此，面向家用空調(diào)的壓縮機的驅(qū)動電動機等低電流下的使用時間長的用途，提出了在產(chǎn)品中使用將小尺寸的sic-mosfet與si-igbt并聯(lián)連接而構成的并聯(lián)電路。根據(jù)這樣的產(chǎn)品，期待由sic-mosfet的小尺寸實現(xiàn)的成本削減和由sic-mosfet的低電流時的良好的dc特性實現(xiàn)的效率的改善(即，損耗的降低化)。

3、另外，通常，如果從運轉開始經(jīng)過一定的時間，室溫變得穩(wěn)定，則空調(diào)能夠在低電流下進行動作。另一方面，在如空調(diào)的運轉開始時等這樣需要迅速的室溫變化的情況下，壓縮機的驅(qū)動電動機的電流增加，與此相伴，流過sic元件的電流也增加。因此，如果使sic元件的dc特性過于優(yōu)良，則在電動機的電流增加的情況下，流過sic元件的電流過大地增加而產(chǎn)生高熱。這樣的高熱有可能使由于尺寸小而散熱性變差的sic-mosfet等sic元件產(chǎn)生故障。

4、因此，專利文獻1提出了在對并聯(lián)電路的溫度及電流進行檢測，它們大于或等于閾值的情況下，使sic元件斷開或使sic元件的柵極電壓下降的技術。

5、專利文獻1：日本專利第6544316號公報

6、但是，如果在高密度地安裝有功率元件等的小尺寸的面向家電的半導體裝置設置溫度檢測電路及電流檢測電路，則存在半導體裝置的尺寸及成本變大的問題。

技術實現(xiàn)思路

1、因此，本發(fā)明就是鑒于上述這樣的問題而提出的，其目的在于，提供即使不設置溫度檢測電路及電流檢測電路也能夠抑制由sic元件等第2半導體開關元件產(chǎn)生的熱的技術。

2、本發(fā)明涉及的半導體裝置具有：并聯(lián)電路，其構成為，并聯(lián)連接有第1半導體開關元件和與所述第1半導體開關元件相比帶隙大的第2半導體開關元件；以及柵極驅(qū)動電路，其能夠基于輸入信號的接通及斷開中的任一狀態(tài)，對所述第1半導體開關元件及所述第2半導體開關元件的持續(xù)接通的時間進行變更，所述柵極驅(qū)動電路在所述輸入信號的所述狀態(tài)的持續(xù)時間即狀態(tài)持續(xù)時間大于或等于閾值的情況下，一邊維持所述第1半導體開關元件的接通，一邊使所述第2半導體開關元件斷開，或者一邊維持所述第1半導體開關元件的接通，一邊使所述第2半導體開關元件的通電能力下降。

3、發(fā)明的效果

4、根據(jù)本發(fā)明，柵極驅(qū)動電路在輸入信號的狀態(tài)持續(xù)的時間即狀態(tài)持續(xù)時間大于或等于閾值的情況下，一邊維持第1半導體開關元件的接通，一邊使第2半導體開關元件斷開，或者一邊維持第1半導體開關元件的接通，一邊使第2半導體開關元件的通電能力下降。根據(jù)這樣的結構，能夠抑制由第2半導體開關元件產(chǎn)生的熱。

技術特征：

1.一種半導體裝置，其具有：

2.根據(jù)權利要求1所述的半導體裝置，其中，

3.根據(jù)權利要求1或2所述的半導體裝置，其中，

4.根據(jù)權利要求1或2所述的半導體裝置，其中，

5.根據(jù)權利要求1至4中任一項所述的半導體裝置，其中，

技術總結
目的在于提供能夠抑制由第2半導體開關元件產(chǎn)生的熱的技術。半導體裝置具有并聯(lián)電路和柵極驅(qū)動電路，該并聯(lián)電路構成為，并聯(lián)連接有第1半導體開關元件和第2半導體開關元件。柵極驅(qū)動電路在輸入信號的狀態(tài)持續(xù)的時間即狀態(tài)持續(xù)時間大于或等于閾值的情況下，一邊維持第1半導體開關元件的接通，一邊使第2半導體開關元件斷開，或者一邊維持第1半導體開關元件的接通，一邊使第2半導體開關元件的通電能力下降。

技術研發(fā)人員：長原輝明,山口公輔
受保護的技術使用者：三菱電機株式會社
技術研發(fā)日：
技術公布日：2024/12/26