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一種封口機(jī)電路的制作方法

文檔序號(hào):11765104閱讀:2380來源:國知局

本實(shí)用新型涉及一種封口機(jī),具體的涉及一種封口機(jī)電路。



背景技術(shù):

現(xiàn)市場上現(xiàn)有封口機(jī)電路結(jié)構(gòu)方案通常都是交流電源220V經(jīng)過封口機(jī)的定時(shí)器后進(jìn)入工頻鐵芯變壓器連接發(fā)熱絲,在封口操作時(shí)經(jīng)過微動(dòng)壓力開關(guān)接通過工頻鐵芯變壓器,交流電源220V經(jīng)過工頻鐵芯變壓器輸出(20-30V50HZ低壓交流電,利用輸出的交流電加熱發(fā)熱絲,在操作時(shí)定時(shí)電路切斷工頻鐵芯變壓器220V供電電源,至此完成一個(gè)操作過程。但是,由于工頻鐵芯變壓器質(zhì)量大、體積大、效率低,這就造成了現(xiàn)有的封口機(jī)龐大笨重、電能轉(zhuǎn)換效率低。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種質(zhì)量輕、體積小和效率高的封口電路。

本實(shí)用新型解決上述技術(shù)問題的技術(shù)方案如下:一種封口機(jī)電路,包括電流鎮(zhèn)流器、高頻變壓器T和發(fā)熱絲RT,所述高頻變壓器T設(shè)有輔助繞組L1、初級(jí)繞組L2、輔助繞組L3和次級(jí)繞組L4,所述輔助繞組L1、初級(jí)繞組L2和輔助繞組L3分別連接在所述電流鎮(zhèn)流器的輸出端上,所述電流鎮(zhèn)流器的輸入端連接在市電上,所述發(fā)熱絲RT的兩端連接在所述次級(jí)繞組L4上。

本實(shí)用新型的有益效果是:本實(shí)用新型采用高頻變壓器,由于高頻變壓器相比于工頻鐵芯變壓器質(zhì)量輕、體積小、電能轉(zhuǎn)換效率高,這樣就使得本實(shí)用新型一種封口機(jī)電路質(zhì)量輕、體積小、電能轉(zhuǎn)換效率高。

在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上,本實(shí)用新型還可以做如下改進(jìn)。

進(jìn)一步,所述高頻變壓器T為EE40型號(hào)的高頻變壓器。

進(jìn)一步,所述電流鎮(zhèn)流器包括二極管D1-D4、電阻R1-R7、電容C1-C5、穩(wěn)壓管D5-D6、雙向觸發(fā)管D7和場效應(yīng)晶體管Q1-Q2,所述二極管D1的負(fù)極和二極管D3的正極連接在市電的一端上,所述二極管D2的負(fù)極和二極管D4的正極連接在市電的另一端上,所述二極管D1的正極與二極管D2的正極相連,所述二極管D3的負(fù)極與二極管D4的負(fù)極相連,所述電阻R1的一端連接在所述二極管D1的正極上,所述電阻R1的另一端與所述電阻R2的一端相連,所述電阻R2的另一端與所述二極管D4的負(fù)極相連,所述電容C1的一端連接在所述二極管D1的正極上,所述電容C1的另一端與所述電容C2的一端相連,所述電容C2的另一端與所述二極管D4的負(fù)極相連,所述電阻R1和電阻R2的公共端與所述電容C1和電容C2的公共端相連,所述電容C3的一端連接在所述二極管D1的正極上,所述電容C3的另一端與所述電阻R3的一端相連,所述電阻R3的另一端與所述二極管D4的負(fù)極相連,所述場效應(yīng)晶體管Q1的源極連接在所述二極管D1的正極上,所述場效應(yīng)晶體管Q1的漏極與所述場效應(yīng)晶體管Q2的源極相連,所述場效應(yīng)晶體管Q2的漏極連接在所述二極管D4的負(fù)極上,所述電阻R4的兩端分別連接在所述場效應(yīng)晶體管Q1的源極與漏極之間,所述電阻R5的兩端分別連接在所述場效應(yīng)晶體管Q2的源極與漏極之間,所述穩(wěn)壓管D5的正極連接在所述場效應(yīng)晶體管Q1的源極上,所述穩(wěn)壓管D5的負(fù)極連接在所述場效應(yīng)晶體管Q1的柵極上,所述穩(wěn)壓管D6的正極連接在所述場效應(yīng)晶體管Q2的源極上,所述穩(wěn)壓管D6的負(fù)極連接在所述場效應(yīng)晶體管Q2的柵極上,所述電容C4的一端連接在所述場效應(yīng)晶體管Q1的柵極上,所述電容C4的另一端連接在所述電阻R6的一端上,所述R6的另一端與所述輔助繞組L1的一端相連,所述輔助繞組L1的另一端連接在所述場效應(yīng)晶體管Q1的源極上,所述電容C5的一端連接在所述場效應(yīng)晶體管Q2的柵極上,所述電容C5的另一端連接在所述電阻R7的一端上,所述R7的另一端與所述輔助繞組L3的一端相連,所述輔助繞組L3的另一端連接在所述場效應(yīng)晶體管Q2的源極上,所述雙向觸發(fā)管D7的一端連接在所述電容C3與所述電阻R3之間的公共端上,所述雙向觸發(fā)管D7的另一端連接在所述場效應(yīng)晶體管Q1的柵極上,所述初級(jí)繞組L2的一端連接在所述場效應(yīng)晶體管Q2的源極上,所述初級(jí)繞組L2的另一端連接在所述電容C1與電容C2之間的公共端上。

進(jìn)一步,所述雙向觸發(fā)管D7為DB3型號(hào)的雙向觸發(fā)管。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型一種封口機(jī)電路的電路結(jié)構(gòu)圖。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖對本實(shí)用新型的原理和特征進(jìn)行描述,所舉實(shí)例只用于解釋本實(shí)用新型,并非用于限定本實(shí)用新型的范圍。

如圖1所示,一種封口機(jī)電路,包括電流鎮(zhèn)流器、高頻變壓器T和發(fā)熱絲RT,所述高頻變壓器T設(shè)有輔助繞組L1、初級(jí)繞組L2、輔助繞組L3和次級(jí)繞組L4,所述輔助繞組L1、初級(jí)繞組L2和輔助繞組L3分別連接在所述電流鎮(zhèn)流器的輸出端上,所述電流鎮(zhèn)流器的輸入端連接在市電上,所述發(fā)熱絲RT的兩端連接在所述次級(jí)繞組L4上。

在本具體實(shí)施例中:所述高頻變壓器T為EE40型號(hào)的高頻變壓器。所述電流鎮(zhèn)流器包括二極管D1-D4、電阻R1-R7、電容C1-C5、穩(wěn)壓管D5-D6、雙向觸發(fā)管D7和場效應(yīng)晶體管Q1-Q2,所述二極管D1的負(fù)極和二極管D3的正極連接在市電的一端上,所述二極管D2的負(fù)極和二極管D4的正極連接在市電的另一端上,所述二極管D1的正極與二極管D2的正極相連,所述二極管D3的負(fù)極與二極管D4的負(fù)極相連,所述電阻R1的一端連接在所述二極管D1的正極上,所述電阻R1的另一端與所述電阻R2的一端相連,所述電阻R2的另一端與所述二極管D4的負(fù)極相連,所述電容C1的一端連接在所述二極管D1的正極上,所述電容C1的另一端與所述電容C2的一端相連,所述電容C2的另一端與所述二極管D4的負(fù)極相連,所述電阻R1和電阻R2的公共端與所述電容C1和電容C2的公共端相連,所述電容C3的一端連接在所述二極管D1的正極上,所述電容C3的另一端與所述電阻R3的一端相連,所述電阻R3的另一端與所述二極管D4的負(fù)極相連,所述場效應(yīng)晶體管Q1的源極連接在所述二極管D1的正極上,所述場效應(yīng)晶體管Q1的漏極與所述場效應(yīng)晶體管Q2的源極相連,所述場效應(yīng)晶體管Q2的漏極連接在所述二極管D4的負(fù)極上,所述電阻R4的兩端分別連接在所述場效應(yīng)晶體管Q1的源極與漏極之間,所述電阻R5的兩端分別連接在所述場效應(yīng)晶體管Q2的源極與漏極之間,所述穩(wěn)壓管D5的正極連接在所述場效應(yīng)晶體管Q1的源極上,所述穩(wěn)壓管D5的負(fù)極連接在所述場效應(yīng)晶體管Q1的柵極上,所述穩(wěn)壓管D6的正極連接在所述場效應(yīng)晶體管Q2的源極上,所述穩(wěn)壓管D6的負(fù)極連接在所述場效應(yīng)晶體管Q2的柵極上,所述電容C4的一端連接在所述場效應(yīng)晶體管Q1的柵極上,所述電容C4的另一端連接在所述電阻R6的一端上,所述R6的另一端與所述輔助繞組L1的一端相連,所述輔助繞組L1的另一端連接在所述場效應(yīng)晶體管Q1的源極上,所述電容C5的一端連接在所述場效應(yīng)晶體管Q2的柵極上,所述電容C5的另一端連接在所述電阻R7的一端上,所述R7的另一端與所述輔助繞組L3的一端相連,所述輔助繞組L3的另一端連接在所述場效應(yīng)晶體管Q2的源極上,所述雙向觸發(fā)管D7的一端連接在所述電容C3與所述電阻R3之間的公共端上,所述雙向觸發(fā)管D7的另一端連接在所述場效應(yīng)晶體管Q1的柵極上,所述初級(jí)繞組L2的一端連接在所述場效應(yīng)晶體管Q2的源極上,所述初級(jí)繞組L2的另一端連接在所述電容C1與電容C2之間的公共端上。所述雙向觸發(fā)管D7為DB3型號(hào)的雙向觸發(fā)管。

本實(shí)用新型一種封口機(jī)電路的工作原理為:二極管D1-D4構(gòu)成橋式整流電路,220V的交流市電經(jīng)過二極管D1-D4的整流后變成約300V的直流電;電容C1和電容C2串聯(lián)濾波,并在電容C1和電容C2中間點(diǎn)產(chǎn)生半壓中心點(diǎn);電阻R3、電容C3和雙向觸發(fā)管D7組成觸發(fā)器電路,300V的直流電壓通過電阻R3對電容C3充電;當(dāng)電容C3的電壓達(dá)到雙向觸發(fā)管D7的導(dǎo)通電壓30V時(shí),雙向觸發(fā)管D7導(dǎo)通,雙向觸發(fā)管D7導(dǎo)通則觸發(fā)場效應(yīng)晶體管Q1導(dǎo)通;此時(shí),場效應(yīng)晶體管Q1先導(dǎo)通,電容C1依次通過高頻變壓器T的初級(jí)繞組L2和場效應(yīng)晶體管Q1放電,同時(shí)還對電容C2充電;電容C1放電停止后場效應(yīng)晶體管Q1截止關(guān)閉,同時(shí)高頻變壓器T的輔助繞組L3感應(yīng)出驅(qū)動(dòng)場效應(yīng)晶體管Q2(高位MOSFET)的電壓,使場效應(yīng)晶體管Q2導(dǎo)通;場效應(yīng)晶體管Q2導(dǎo)通后,電容C2依次通過場效應(yīng)晶體管Q2和高頻變壓器T的初級(jí)繞組L2放電,同時(shí)場效應(yīng)晶體管Q2對電容C1充電,電容C2放電結(jié)束后場效應(yīng)晶體管Q2關(guān)閉,高頻變壓器T的輔助繞組L1感應(yīng)出驅(qū)動(dòng)場效應(yīng)晶體管Q1的電壓,使場效應(yīng)晶體管Q1再次導(dǎo)通,重復(fù)以上步驟,這樣就可以在高頻變壓器T的初級(jí)繞組L2上形成震蕩磁場,并在高頻變壓器T的次級(jí)繞組L4上感應(yīng)出低壓大電流電源給發(fā)熱絲RT供電,發(fā)熱絲發(fā)熱,實(shí)現(xiàn)封口機(jī)的封口功能。

本實(shí)用新型采用高頻變壓器,本實(shí)用新型采用高頻變壓器,由于高頻變壓器相比于工頻鐵芯變壓器質(zhì)量輕、體積小、電能轉(zhuǎn)換效率高,這樣就使得本實(shí)用新型一種封口機(jī)電路質(zhì)量輕、體積小、電能轉(zhuǎn)換效率高。

以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例,并不用以限制本實(shí)用新型,凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi),所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。

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