本實(shí)用新型涉及配電箱領(lǐng)域，特別涉及一種雙電源配電箱。

背景技術(shù)：

配電箱是按電氣接線要求將開(kāi)關(guān)設(shè)備、測(cè)量?jī)x表、保護(hù)電器和輔助設(shè)備組裝在封閉或半封閉金屬柜中或屏幅上，構(gòu)成低壓配電箱。正常運(yùn)行時(shí)可借助手動(dòng)或自動(dòng)開(kāi)關(guān)接通或分?jǐn)嚯娐?。故障或不正常運(yùn)行時(shí)借助保護(hù)電器切斷電路或報(bào)警。借測(cè)量?jī)x表可顯示運(yùn)行中的各種參數(shù)，還可對(duì)某些電氣參數(shù)進(jìn)行調(diào)整，對(duì)偏離正常工作狀態(tài)進(jìn)行提示或發(fā)出信號(hào)。傳統(tǒng)的配電箱由于其電路缺少相應(yīng)的電路保護(hù)功能，造成電路的安全性和可靠性較低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題在于，針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的上述缺陷，提供一種電路的安全性和可靠性較高的雙電源配電箱。

本實(shí)用新型解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是：構(gòu)造一種雙電源配電箱，包括配電箱和上位機(jī)，所述配電箱內(nèi)設(shè)置有MCU、隔離開(kāi)關(guān)、熔斷組合電器、交流接觸器、斷路器、熱保護(hù)器、雙電源自動(dòng)轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)、驅(qū)動(dòng)電路和無(wú)線數(shù)據(jù)傳輸模塊，所述隔離開(kāi)關(guān)、熔斷組合電器、交流接觸器、斷路器、熱保護(hù)器、雙電源自動(dòng)轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)和驅(qū)動(dòng)電路均與所述MCU連接，所述MCU還通過(guò)所述無(wú)線數(shù)據(jù)傳輸模塊與所述上位機(jī)連接；

所述驅(qū)動(dòng)電路包括第一三極管、第一MOS管、第二MOS管、第一電容、第二電容、第三電容、第四電容、第五電容、第一電阻、第二電阻、第三電阻、第四電阻、第五電阻、第六電阻、第一電源、第二電源、第三電源、第四電源和第五電源，所述第一電阻的一端和第二電阻的一端均連接電壓控制端，所述第二電阻的另一端連接所述第一電源，所述第一電阻的另一端與所述第一三極管的基極連接，所述第一三極管的發(fā)射極通過(guò)所述第五電阻接地，所述第一三極管的集電極通過(guò)所述第五電容分別與所述第三電阻的一端和第四電阻的一端連接，所述第三電阻的另一端分別與所述第一電容的一端、第六電阻的一端和第二電源連接，所述第四電阻的另一端分別與所述第一電容的另一端和第一MOS管的柵極連接，所述第一MOS管的源極與所述第六電阻的另一端連接，所述第一MOS管的漏極分別與所述第二電容的一端和第三電源連接，所述第二電容的另一端與所述第一MOS管的柵極連接；

所述第二MOS管的柵極分別與所述第四電阻的一端和第三電容的一端連接，所述第二MOS管的源極分別與所述第三電容的另一端和第四電源連接，所述第二MOS管的漏極分別與所述第五電源和第四電容的一端連接，所述第四電容的另一端與所述第二MOS管的柵極連接。

在本實(shí)用新型所述的雙電源配電箱中，所述驅(qū)動(dòng)電路還包括第七電阻，所述第七電阻的一端與所述第四電阻的另一端連接，所述第七電阻的另一端與所述第一MOS管的柵極連接。

在本實(shí)用新型所述的雙電源配電箱中，所述驅(qū)動(dòng)電路還包括第八電阻，所述第八電阻的一端與所述第一MOS管的漏極連接，所述第八電阻的另一端與所述第二電容的一端連接。

在本實(shí)用新型所述的雙電源配電箱中，所述驅(qū)動(dòng)電路還包括第九電阻，所述第九電阻的一端與所述第四電源連接，所述第九電阻的另一端與所述第二MOS管的源極連接。

在本實(shí)用新型所述的雙電源配電箱中，所述驅(qū)動(dòng)電路還包括第十電阻，所述第十電阻的一端與所述第三電容的一端連接，所述第十電阻的另一端與所述第二MOS管的柵極連接。

在本實(shí)用新型所述的雙電源配電箱中，所述第一三極管為NPN型三極管，所述第一MOS管和第二MOS管均為P溝道MOS管。

在本實(shí)用新型所述的雙電源配電箱中，所述無(wú)線數(shù)據(jù)傳輸模塊為藍(lán)牙模塊、WIFI模塊、GPRS模塊、CDMA模塊或Zigbee模塊。

實(shí)施本實(shí)用新型的雙電源配電箱，具有以下有益效果：由于設(shè)有配電箱和上位機(jī)，配電箱內(nèi)設(shè)置有MCU、隔離開(kāi)關(guān)、熔斷組合電器、交流接觸器、斷路器、熱保護(hù)器、雙電源自動(dòng)轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)、驅(qū)動(dòng)電路和無(wú)線數(shù)據(jù)傳輸模塊，驅(qū)動(dòng)電路包括第一三極管、第一MOS管、第二MOS管、第一電容、第二電容、第三電容、第四電容、第五電容、第一電阻、第二電阻、第三電阻、第四電阻、第五電阻、第六電阻、第一電源、第二電源、第三電源、第四電源和第五電源，第五電容用于防止第一三極管Q1與第一MOS管或第二MOS管之間的干擾，第五電阻和第六電阻用進(jìn)行過(guò)流保護(hù)，因此電路的安全性和可靠性較高。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本實(shí)用新型雙電源配電箱一個(gè)實(shí)施例中的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為所述實(shí)施例中驅(qū)動(dòng)電路的電路原理圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。

在本實(shí)用新型雙電源配電箱實(shí)施例中，其雙電源配電箱的結(jié)構(gòu)示意圖如圖1所示。圖1中，該雙電源配電箱包括配電箱1和上位機(jī)2，配電箱內(nèi)設(shè)置有MCU11、隔離開(kāi)關(guān)12、熔斷組合電器13、交流接觸器14、斷路器15、熱保護(hù)器16、雙電源自動(dòng)轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)17、驅(qū)動(dòng)電路18和無(wú)線數(shù)據(jù)傳輸模塊19，其中，隔離開(kāi)關(guān)12、熔斷組合電器13、交流接觸器14、斷路器15、熱保護(hù)器16、雙電源自動(dòng)轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)17和驅(qū)動(dòng)電路18均與MCU11連接，MCU11還通過(guò)無(wú)線數(shù)據(jù)傳輸模塊19與上位機(jī)2連接。無(wú)線數(shù)據(jù)傳輸模塊19可以是藍(lán)牙模塊、WIFI模塊、GPRS模塊、CDMA模塊或Zigbee模塊等。

圖2為本實(shí)施例中驅(qū)動(dòng)電路的電路原理圖，圖2中，驅(qū)動(dòng)電路18包括第一三極管Q1、第一MOS管T1、第二MOS管T2、第一電容C1、第二電容C2、第三電容C3、第四電容C4、第五電容C5、第一電阻R1、第二電阻R2、第三電阻R3、第四電阻R4、第五電阻R5、第六電阻R6、第一電源VCC、第二電源VCC-A、第三電源VCC-B、第四電源VCC-C和第五電源VCC-D，其中，第一電阻R1的一端和第二電阻R2的一端均連接電壓控制端POW_ON/OFF，第二電阻R2的另一端連接第一電源VCC，第一電阻R1的另一端與第一三極管Q1的基極連接，第一三極管Q1的發(fā)射極通過(guò)第五電阻R5接地，第一三極管Q1的集電極通過(guò)第五電容C5分別與第三電阻R3的一端和第四電阻R4的一端連接，第三電阻R3的另一端分別與第一電容C1的一端、第六電阻R6的一端和第二電源VCC-A連接，第四電阻R4的另一端分別與第一電容C1的另一端和第一MOS管T1的柵極連接，第一MOS管T1的源極與第六電阻R6的另一端連接，第一MOS管T1的漏極分別與第二電容C2的一端和第三電源VCC-B連接，第二電容C2的另一端與第一MOS管T1的柵極連接。

第二MOS管T2的柵極分別與第四電阻R4的一端和第三電容C3的一端連接，第二MOS管T2的源極分別與第三電容C3的另一端和第四電源VCC-C連接，第二MOS管T2的漏極分別與第五電源VCC-D和第四電容C4的一端連接，第四電容C4的另一端與第二MOS管T2的柵極連接。

上述第五電容C5為耦合電容，用于防止第一三極管Q1與第一MOS管T1或第二MOS管T2之間的干擾，第五電阻R5和第六電阻R6均為限流電阻，第五電阻R5用于對(duì)第一三極管Q1的發(fā)射極所在的支路進(jìn)行過(guò)流保護(hù)，第六電阻R6用于對(duì)第一MOS管T1的源極所在的支路進(jìn)行過(guò)流保護(hù)，因此電路的安全性和可靠性較高。

值得一提的是，本實(shí)施例中，第一三極管Q1為NPN型三極管，第一MOS管T1和第二MOS管T2均為P溝道MOS管。當(dāng)然，在本實(shí)施例的另外一些情況下，第一三極管Q1可以為PNP型三極管，第一MOS管T1和第二MOS管T2也可以均為N溝道MOS管，但這時(shí)電路的結(jié)構(gòu)也要相應(yīng)發(fā)生變化。

本實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)電路18還包括第七電阻R7，第七電阻R7的一端與第四電阻R4的另一端連接，第七電阻R7的另一端與第一MOS管T1的柵極連接。第七電阻R7為限流電阻，用于對(duì)第一電容C1和第一MOS管T1的柵極之間的支路進(jìn)行過(guò)流保護(hù)，以進(jìn)一步增強(qiáng)電路的安全性和可靠性。

本實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)電路18還包括第八電阻R8，第八電阻R8的一端與第一MOS管T1的漏極連接，第八電阻R8的另一端與第二電容C2的一端連接。第八電阻R8為限流電阻，用于對(duì)第二電容C2與第一MOS管T1的漏極之間的支路進(jìn)行過(guò)流保護(hù)，以更進(jìn)一步增強(qiáng)電路的安全性和可靠性。

本實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)電路18還包括第九電阻R9，第九電阻R9的一端與第四電源VCC-C連接，第九電阻R9的另一端與第二MOS管T2的源極連接。第九電阻R9為限流電阻，用于對(duì)第三電容C3與第二MOS管T2的源極之間的支路進(jìn)行過(guò)流保護(hù)。

本實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)電路18還包括第十電阻R10，第十電阻R10的一端與第三電容C3的一端連接，第十電阻R10的另一端與第二MOS管T2的柵極連接。第十電阻R10為限流電阻，用于對(duì)第三電容C3與第二MOS管T2的柵極之間的支路進(jìn)行過(guò)流保護(hù)。

總之，本實(shí)施例中，由于驅(qū)動(dòng)電路18中設(shè)有耦合電容和限流電阻，可以防止干擾信號(hào)，且能進(jìn)行過(guò)流保護(hù)，因此電路的安全性和可靠性較高。

以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。