1.一種基于PFC交錯反激的智能型半橋正弦波電壓轉換電路，其特征在于，包括有用于對電網(wǎng)電壓進行整流和濾波的輸入整流濾波單元、用于對輸入整流濾波單元的輸出電壓進行升壓轉換的PFC升壓單元，以及：
一交錯反激隔離變換單元，包括有第一開關管、第二開關管、第一變壓器、第二變壓器、第一二極管、第二二極管、第三二極管和第四二極管，所述第一變壓器初級繞組的第一端連接于PFC升壓單元的輸出端，所述第一變壓器初級繞組的第二端連接于第一開關管的漏極，所述第一開關管的源極連接于前端地，所述第一開關管的漏極連接于第一二極管的陽極，所述第一二極管的陰極通過第一電阻連接于PFC升壓單元的輸出端，所述第一電阻并聯(lián)有第三電容，所述第二變壓器初級繞組的第一端連接于PFC升壓單元的輸出端，所述第二變壓器初級繞組的第二端連接于第二開關管的漏極，所述第二開關管的源極連接于前端地，所述第二開關管的漏極連接于第二二極管的陽極，所述第二二極管的陰極通過第二電阻連接于PFC升壓單元的輸出端，所述第二電阻并聯(lián)有第四電容，所述第一開關管的柵極和第二開關管的柵極分別用于接入兩路相位相反的PWM脈沖信號，所述第一變壓器次級繞組的第一端連接于第三二極管的陽極，所述第一變壓器次級繞組的第二端連接于后端地，所述第二變壓器次級繞組的第一端連接于后端地，所述第二變壓器次級繞組的第二端連接于第四二極管的陰極，所述第三二極管的陰極和第四二極管的陽極作為交錯反激隔離變換單元的輸出端；
一DC濾波單元，包括有第一電容和第二電容，所述第三二極管的陰極通過第一電容連接于后端地，所述第四二極管的陽極通過第二電容連接于后端地；
一逆變倒相單元，包括有第四開關管、第五開關管、第三電解電容、第四電解電容和濾波電感，所述第四開關管的漏極連接于交錯反激隔離變換單元的輸出端正極，所述第四開關管的源極連接于第五開關管的漏極，所述第五開關管的源極連接于交錯反激隔離變換單元的輸出端負極，所述第四開關管的柵極和第五開關管的柵極分別用于接入兩路相位相反的PWM脈沖信號，所述第四開關管的源極還連接于濾波電感的前端，所述第三電解電容的正極連接于第四開關管的漏極，所述第三電解電容的負極連接后端地，所述第三電解電容的負極還連接于第四電解電容的正極，所述第四電解電容的負極連接于第五開關管的源極，所述濾波電感的后端和第三電解電容的負極作為逆變倒相單元的輸出端。
2.如權利要求1所述的基于PFC交錯反激的智能型半橋正弦波電壓轉換電路，其特征在于，所述第四開關管的柵極和源極之間連接有第一電阻，所述第五開關管的柵極和源極之間連接有第二電阻。
3.如權利要求1所述的基于PFC交錯反激的智能型半橋正弦波電壓轉換電路，其特征在于，所述輸入整流濾波單元包括有插座、保險、防雷電阻、共模抑制電感、安規(guī)電容和整流橋，所述保險串接于插座的零線或火線上，所述共模抑制電感的前端并聯(lián)于插座，所述防雷電阻并聯(lián)于共模抑制電感的前端，所述安規(guī)電容和整流橋的輸入端均并聯(lián)于共模抑制電感的后端，所述整流橋的輸出端并聯(lián)有濾波電容。
4.如權利要求1所述的基于PFC交錯反激的智能型半橋正弦波電壓轉換電路，其特征在于，所述PFC升壓單元包括有升壓電感、第三開關管、第一整流二極管和第二電解電容，所述升壓電感的前端連接于輸入整流濾波單元的輸出端，所述升壓電感的后端連接于第三開關管的漏極，所述第三開關管的源極接前端地，所述第三開關管的柵極用于接入一路PWM控制信號，所述第三開關管的漏極連接第一整流二極管的陽極，所述第一整流二極管的陰極作為PFC升壓單元的輸出端，且該第一整流二極管的陰極連接第二電解電容的正極，第二電解電容的負極接前端地。
5.如權利要求4所述的基于PFC交錯反激的智能型半橋正弦波電壓轉換電路，其特征在于，還包括有一MCU控制單元，所述第一開關管的柵極、第二開關管的柵極和第三開關管的柵極分別連接于MCU控制單元，所述MCU控制單元用于分別輸出PWM信號至第一開關管、第二開關管和第三開關管，以控制第一開關管、第二開關管和第三開關管通斷狀態(tài)。
6.如權利要求5所述的基于PFC交錯反激的智能型半橋正弦波電壓轉換電路，其特征在于，所述MCU控制單元包括有單片機及其外圍電路。
7.如權利要求5所述的基于PFC交錯反激的智能型半橋正弦波電壓轉換電路，其特征在于，還包括有一交流采樣單元，所述交流采樣單元連接于輸入整流濾波單元的輸入端與MCU控制單元之間，所述交流采樣單元用于采集輸入整流濾波單元交流側的電壓并反饋至MCU控制單元。
8.如權利要求7所述的基于PFC交錯反激的智能型半橋正弦波電壓轉換電路，其特征在于，所述交流采樣單元包括有運放，所述運放的兩個輸入端分別通過限流電阻而連接于輸入整流濾波單元的輸入端，所述運放的輸出端連接于MCU控制單元。
9.如權利要求5所述的基于PFC交錯反激的智能型半橋正弦波電壓轉換電路，其特征在于，所述第三開關管的源極與前端地之間連接有第一采樣電阻，所述第三開關管的源極連接于MCU控制單元，藉由所述第一采樣電阻而令MCU控制單元采集第三開關管源極的電信號。
10.如權利要求5所述的基于PFC交錯反激的智能型半橋正弦波電壓轉換電路，其特征在于，還包括有一DC電壓采樣單元，所述DC電壓采樣單元包括有依次串聯(lián)的第二采樣電阻和第三采樣電阻，所述第二采樣電阻的前端連接于交錯反激隔離變換單元的輸出端，所述第三采樣電阻的后端連接于MCU控制單元，藉由所述第二采樣電阻和第三采樣電阻而令MCU控制單元采集交錯反激隔離變換單元輸出的電信號。