本發(fā)明涉及一種將直流電壓轉(zhuǎn)換為不同值的直流電壓的開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)器、以及構(gòu)成開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)器的至少一部分的電路裝置。而且，本發(fā)明還涉及一種使用了這種開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)器的電子設(shè)備等。

背景技術(shù)：

在對(duì)直流電壓進(jìn)行降壓的開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)器中，實(shí)施對(duì)輸出電路的開(kāi)關(guān)元件進(jìn)行接通或斷開(kāi)控制從而向電感元件供給驅(qū)動(dòng)電流的動(dòng)作。例如，輸出電路由具有高壓側(cè)的開(kāi)關(guān)元件和低壓側(cè)的開(kāi)關(guān)元件的橋接電路構(gòu)成。

在高壓側(cè)的開(kāi)關(guān)元件以及低壓側(cè)的開(kāi)關(guān)元件被內(nèi)置于半導(dǎo)體集成電路裝置(ic)中的情況下，作為外置部件，電感元件的一端與ic的輸出端子連接，且在電感元件的另一端與低電位側(cè)的電源端子之間連接有電容器。而且，作為從開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)器接受電源供給的負(fù)載電路的、例如soc(systemonchip：片上系統(tǒng))等的ic經(jīng)由電感元件而與ic的輸出端子連接。

在這種同步整流型的降壓開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)器中，通過(guò)在高壓側(cè)的開(kāi)關(guān)元件為接通狀態(tài)時(shí)流動(dòng)的電流，從而使電感元件被蓄積有磁能。當(dāng)高壓側(cè)的開(kāi)關(guān)元件成為斷開(kāi)狀態(tài)時(shí)，低壓側(cè)的開(kāi)關(guān)元件成為接通狀態(tài)，由此通過(guò)被蓄積在電感元件中的磁能，從而有電流從低電位側(cè)的電源端子經(jīng)由低壓側(cè)的開(kāi)關(guān)元件以及電感元件而向負(fù)載電路流動(dòng)。

但是，在負(fù)載電流較小的狀態(tài)下，在低壓側(cè)的開(kāi)關(guān)元件成為接通狀態(tài)時(shí)，電流會(huì)從電容器經(jīng)由電感元件以及低壓側(cè)的開(kāi)關(guān)元件而向低電位側(cè)的電源端子逆流，從而有可能產(chǎn)生電力損耗。因此，為了防止逆流電流，而需要電流檢測(cè)電路。

作為相關(guān)技術(shù)，在專利文獻(xiàn)1中公開(kāi)了一種dc-dc轉(zhuǎn)換器的異常電流防止電路，該電路對(duì)來(lái)自蓄積有能量的電感元件的反向電流或電感元件的過(guò)電流等異常電流的有無(wú)進(jìn)行判斷，并在存在異常電流的情況下防止該異常電流。在專利文獻(xiàn)1的圖1中，檢測(cè)電阻12的電壓在通常時(shí)為負(fù)電壓，但是在異常時(shí)在產(chǎn)生了反向電流的情況下，會(huì)表現(xiàn)出正電壓。

電流比較器30對(duì)檢測(cè)電阻12的電壓進(jìn)行監(jiān)視，并在檢測(cè)電阻12的電壓為負(fù)電壓的期間向and電路20發(fā)送高電平的輸出信號(hào)，以使驅(qū)動(dòng)器10的輸出信號(hào)被傳輸至低壓側(cè)開(kāi)關(guān)元件14以及19。當(dāng)檢測(cè)電阻12的電壓成為正電壓時(shí)，電流比較器30的輸出電壓成為低電平，并強(qiáng)制性地將低壓側(cè)開(kāi)關(guān)元件14以及19設(shè)為斷開(kāi)。

在專利文獻(xiàn)1中，對(duì)與低壓側(cè)開(kāi)關(guān)元件19串聯(lián)連接的電流檢測(cè)用的檢測(cè)電阻12的兩端間的電位差進(jìn)行檢測(cè)。但是，由于在被連接于電流路徑上的檢測(cè)電阻12中會(huì)產(chǎn)生電力損耗，因此特別是在負(fù)載電流較小的狀態(tài)下，檢測(cè)電阻12成為了轉(zhuǎn)換效率下降的主要原因。此外，由低壓側(cè)開(kāi)關(guān)元件19和電流檢測(cè)用的檢測(cè)電阻12構(gòu)成的電流路徑，作為向電感元件15流動(dòng)的電流的路徑而以與低壓側(cè)開(kāi)關(guān)元件14并聯(lián)的方式被設(shè)置。由于從減小導(dǎo)通損耗的必要性出發(fā)，在低壓側(cè)開(kāi)關(guān)元件19以及電流檢測(cè)用的檢測(cè)電阻12中流動(dòng)的電流的電流值較小，并且在電流檢測(cè)用的檢測(cè)電阻12的兩端間所產(chǎn)生的電位差也較小，因此這成為了產(chǎn)生檢測(cè)誤差的主要原因。

專利文獻(xiàn)1：日本特開(kāi)2010-45947號(hào)公報(bào)(說(shuō)明書摘要、圖1)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

因此，鑒于上述問(wèn)題點(diǎn)，本發(fā)明的第一目的在于，提供一種能夠在不使用導(dǎo)致電力損耗的電流檢測(cè)電阻的條件下，高精度地對(duì)在低壓側(cè)的開(kāi)關(guān)元件中流動(dòng)的電流進(jìn)行檢測(cè)并抑制逆流電流的電路裝置。此外，本發(fā)明的第二目的在于，提供一種使用這種電路裝置的開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)器。另外，本發(fā)明的第三目的在于，提供一種使用這種開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)器的電子設(shè)備等。

為了解決上述課題的至少一部分，本發(fā)明的第一觀點(diǎn)所涉及的電路裝置具備：第一開(kāi)關(guān)電路，其一端被連接在輸出節(jié)點(diǎn)上，所述輸出節(jié)點(diǎn)上連接有一端與第一電源節(jié)點(diǎn)連接的第一開(kāi)關(guān)元件的另一端、和一端與第二電源節(jié)點(diǎn)連接的第二開(kāi)關(guān)元件的另一端，其中，所述第二電源節(jié)點(diǎn)與所述第一電源節(jié)點(diǎn)相比為低電位，并且所述第一開(kāi)關(guān)電路根據(jù)對(duì)第二開(kāi)關(guān)元件進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)而成為導(dǎo)通狀態(tài)或非導(dǎo)通狀態(tài)；第二開(kāi)關(guān)電路，其被連接在第一開(kāi)關(guān)電路的另一端和預(yù)定的電位的節(jié)點(diǎn)之間，且以與第一開(kāi)關(guān)電路互補(bǔ)的方式成為非導(dǎo)通狀態(tài)或?qū)顟B(tài)；阻抗元件，其在第一開(kāi)關(guān)電路的另一端和預(yù)定的電位的節(jié)點(diǎn)之間與第二開(kāi)關(guān)電路串聯(lián)連接；比較電路，其具有被施加了第一開(kāi)關(guān)電路的另一端的電位的輸入端子，并且輸出表示輸入端子的電位是否高于判斷電平的輸出信號(hào)；控制電路，其當(dāng)在第二開(kāi)關(guān)元件為導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)從比較電路輸出表示輸入端子的電位高于判斷電平的輸出信號(hào)時(shí)，以使第二開(kāi)關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)方式對(duì)驅(qū)動(dòng)信號(hào)的電平進(jìn)行控制。另外，在本申請(qǐng)中，使用“連接”這一術(shù)語(yǔ)意圖包括被電連接的情況。

根據(jù)本發(fā)明的第一觀點(diǎn)，由于設(shè)置了輸出表示經(jīng)由第一開(kāi)關(guān)電路而被施加在輸入端子上的輸出節(jié)點(diǎn)的電位是否高于判斷電平的輸出信號(hào)的比較電路、和當(dāng)在第二開(kāi)關(guān)元件為導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)從比較電路輸出表示輸入端子的電位高于判斷電平的輸出信號(hào)時(shí)將第二開(kāi)關(guān)元件設(shè)為非導(dǎo)通狀態(tài)的控制電路，因此能夠在不使用導(dǎo)致電力損耗的電流檢測(cè)電阻的條件下，對(duì)在第二開(kāi)關(guān)元件中流動(dòng)的電流進(jìn)行檢測(cè)并抑制逆流電流。

此外，通過(guò)在第二開(kāi)關(guān)元件以及第一開(kāi)關(guān)電路為非導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，使第二開(kāi)關(guān)電路成為導(dǎo)通狀態(tài)而向比較電路的輸入端子施加預(yù)定的電位，從而能夠使比較電路的輸出信號(hào)的不必要的變動(dòng)停止。另外，由于通過(guò)使第一開(kāi)關(guān)電路和第二開(kāi)關(guān)電路中的至少一方成為非導(dǎo)通狀態(tài)，從而除了第二開(kāi)關(guān)元件導(dǎo)通時(shí)的電流路徑以外，在輸出節(jié)點(diǎn)與預(yù)定的電位的節(jié)點(diǎn)之間不再存在電流路徑，因此能夠提高電流檢測(cè)中的檢測(cè)精度。

在此，也可以采用如下方式，即，阻抗元件以及第二開(kāi)關(guān)電路被串聯(lián)連接在第一開(kāi)關(guān)電路的另一端和第一電源節(jié)點(diǎn)之間。在該情況下，通過(guò)在第一開(kāi)關(guān)電路為非導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，將比較電路的輸入端子上拉為高電位側(cè)的電源電位，從而能夠使比較電路的輸出信號(hào)的不必要的變動(dòng)停止。

或者，也可以采用如下方式，即，阻抗元件以及第二開(kāi)關(guān)電路被串聯(lián)連接在第一開(kāi)關(guān)電路的另一端與第二電源節(jié)點(diǎn)之間。在該情況下，通過(guò)在第一開(kāi)關(guān)電路為非導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，將比較電路的輸入端子下拉為低電位側(cè)的電源電位，從而能夠使比較電路的輸出信號(hào)的不必要的變動(dòng)停止。

此外，也可以采用如下方式，即，第二開(kāi)關(guān)電路包括被連接在與阻抗元件相比靠預(yù)定的電位的節(jié)點(diǎn)側(cè)的mos場(chǎng)效應(yīng)晶體管。在該情況下，由于mos場(chǎng)效應(yīng)晶體管的襯底電位與源極電位相同，因此能夠防止mos場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓的增加。

本發(fā)明的第二觀點(diǎn)所涉及的電路裝置具備：第一開(kāi)關(guān)電路，其一端被連接在輸出節(jié)點(diǎn)上，所述輸出節(jié)點(diǎn)上連接有一端與第一電源節(jié)點(diǎn)連接的第一開(kāi)關(guān)元件的另一端、和一端與第二電源節(jié)點(diǎn)連接的第二開(kāi)關(guān)元件的另一端，其中，所述第二電源節(jié)點(diǎn)與所述第一電源節(jié)點(diǎn)相比為低電位，并且所述第一開(kāi)關(guān)電路根據(jù)對(duì)第二開(kāi)關(guān)元件進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)而成為導(dǎo)通狀態(tài)或非導(dǎo)通狀態(tài)；第二開(kāi)關(guān)電路，其被連接在第一開(kāi)關(guān)電路的另一端和預(yù)定的電位的節(jié)點(diǎn)之間，且以與第一開(kāi)關(guān)電路互補(bǔ)的方式成為非導(dǎo)通狀態(tài)或?qū)顟B(tài)，并且所述第二開(kāi)關(guān)電路與第一開(kāi)關(guān)電路相比接通電阻較高；比較電路，其具有被施加了第一開(kāi)關(guān)電路的另一端的電位的輸入端子，并且輸出表示輸入端子的電位是否高于判斷電平的輸出信號(hào)；控制電路，其當(dāng)在第二開(kāi)關(guān)元件為導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)從比較電路輸出表示輸入端子的電位高于判斷電平的輸出信號(hào)時(shí)，以使第二開(kāi)關(guān)元件成為非導(dǎo)通狀態(tài)的方式對(duì)驅(qū)動(dòng)信號(hào)的電平進(jìn)行控制。即使根據(jù)本發(fā)明的第二觀點(diǎn)，也能夠獲得與本發(fā)明的第一觀點(diǎn)所涉及的電路裝置相同的效果。

在以上方式中，還可以采用如下方式，即，比較電路還具有與第二電源節(jié)點(diǎn)連接的第二輸入端子，且在輸入端子和第二輸入端子之間設(shè)定有偏移電壓，并且所述比較電路將第一開(kāi)關(guān)電路的另一端的電位、和與第二電源節(jié)點(diǎn)的電位相比低出偏移電壓的判斷電平進(jìn)行比較。在該情況下，能夠通過(guò)比較電路的偏移電壓來(lái)設(shè)定預(yù)定的判斷電平，并且能夠使逆流電流的檢測(cè)定時(shí)提前從而進(jìn)一步減少電力損耗。

此外，也可以采用如下方式，即，電路裝置還包括第一開(kāi)關(guān)元件和第二開(kāi)關(guān)元件，所述第一開(kāi)關(guān)元件被連接在第一電源節(jié)點(diǎn)與輸出節(jié)點(diǎn)之間，所述第二開(kāi)關(guān)元件被連接在第二電源節(jié)點(diǎn)與輸出節(jié)點(diǎn)之間。在第一以及第二開(kāi)關(guān)元件被內(nèi)置于ic等的電路裝置中的情況下，能夠使開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)器小型化。

本發(fā)明的第三觀點(diǎn)所涉及的開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)器具備：上述方式中的任意一項(xiàng)的電路裝置；電感元件，其一端與輸出節(jié)點(diǎn)連接，并從第一開(kāi)關(guān)元件被供給有驅(qū)動(dòng)電流；電容器，其被連接在電感元件的另一端和第二電源節(jié)點(diǎn)之間，并對(duì)從電感元件被供給的電荷進(jìn)行蓄積。根據(jù)本發(fā)明的第三觀點(diǎn)，能夠提供一種轉(zhuǎn)換效率較高的開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)器，所述開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)器使用了無(wú)導(dǎo)致電力損耗的電流檢測(cè)電阻且能夠高精度地對(duì)在第二開(kāi)關(guān)元件中流動(dòng)的電流進(jìn)行檢測(cè)并抑制逆流電流的電路裝置。

另外，本發(fā)明的第四觀點(diǎn)所涉及的電子設(shè)備具備本發(fā)明的第二觀點(diǎn)所涉及的開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)器。根據(jù)本發(fā)明的第四觀點(diǎn)，能夠提供一種使用轉(zhuǎn)換效率較高的開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)器從而消耗電力較少的電子設(shè)備。

附圖說(shuō)明

圖1為表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式所涉及的開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)器的電路圖。

圖2為表示圖1所示的比較器的結(jié)構(gòu)例的電路圖。

圖3為表示通常動(dòng)作模式下的各部的波形的波形圖。

圖4為表示待機(jī)模式下的各部的波形的波形圖。

圖5為表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式所涉及的開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)器的電路圖。

圖6為表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)例的框圖。

具體實(shí)施方式

以下，參照附圖來(lái)對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。另外，對(duì)于相同的結(jié)構(gòu)要素標(biāo)記相同的參照符號(hào)，并省略重復(fù)的說(shuō)明。

第一實(shí)施方式

圖1為表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式所涉及的開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)器的結(jié)構(gòu)例的電路圖。該開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)器包括本發(fā)明的第一實(shí)施方式所涉及的電路裝置100。如圖1所示，電路裝置100可以包括：基準(zhǔn)電壓生成電路10、開(kāi)關(guān)控制電路20、預(yù)驅(qū)動(dòng)器30、輸出電路40、和電流檢測(cè)電路50。

圖1所示的結(jié)構(gòu)要素中的至少一部分可以被內(nèi)置在半導(dǎo)體集成電路裝置(ic)中。ic例如由在硅基板上形成有電路的ic芯片構(gòu)成，或者通過(guò)將ic芯片收納在封裝件中而被構(gòu)成。在該情況下，電路裝置100的節(jié)點(diǎn)n1～n4與ic芯片的襯墊(端子)、或者被設(shè)置在封裝件上的引腳(端子)相對(duì)應(yīng)。

此外，開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)器還可以進(jìn)一步包括電感元件l1、電容器c1、和分壓電路110。這些結(jié)構(gòu)要素中的至少一部分也可以不內(nèi)置于ic中，而作為外置部件。另外，作為從開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)器接受電源供給的負(fù)載電路120例如soc(systemonchip)等的ic，經(jīng)由電感元件l1而與電路裝置100連接。

在電路裝置100中，第一電源電位(高電位側(cè)的電源電位)vdd被供給至電源節(jié)點(diǎn)n1，且與第一電源電位vdd相比為低電位的第二電源電位(低電位側(cè)的電源電位)vss被供給至電源節(jié)點(diǎn)n2。在下文中，作為一個(gè)示例，而對(duì)高電位側(cè)的電源電位vdd為5v，低電位側(cè)的電源電位vss為0v(基準(zhǔn)電位)的情況進(jìn)行說(shuō)明。

電路裝置100通過(guò)實(shí)施開(kāi)關(guān)動(dòng)作而生成輸出信號(hào)sw，并向與輸出節(jié)點(diǎn)n3連接的電感元件l1供給驅(qū)動(dòng)電流。由此，高電位側(cè)的電源電位vdd被降壓，并在連接節(jié)點(diǎn)n5上生成輸出電源電位vout。輸出電源電位vout被供給至連接在連接節(jié)點(diǎn)n5與電源節(jié)點(diǎn)n2之間的負(fù)載電路120。

分壓電路110包括被串聯(lián)連接在連接節(jié)點(diǎn)n5與電源節(jié)點(diǎn)n2之間的電阻元件r1以及r2，且所述分壓電路110對(duì)連接節(jié)點(diǎn)n5與電源節(jié)點(diǎn)n2之間的輸出電壓(vout-vss)進(jìn)行分壓，并生成反饋電壓vfb。反饋電壓vfb經(jīng)由反饋節(jié)點(diǎn)n4而被供給至電路裝置100。

基準(zhǔn)電壓生成電路10例如包括帶隙基準(zhǔn)電路等，并且生成基準(zhǔn)電壓vrf。開(kāi)關(guān)控制電路20通過(guò)根據(jù)基準(zhǔn)電壓vrf與反饋電壓vfb之差來(lái)實(shí)施pwm(pulsewidthmodulation：脈沖寬度調(diào)制)，從而生成脈沖寬度被調(diào)制的控制信號(hào)s1以及s2。控制信號(hào)s1以及s2被供給至預(yù)驅(qū)動(dòng)器30。

預(yù)驅(qū)動(dòng)器30例如包括緩沖電路等，并且根據(jù)控制信號(hào)s1以及s2而生成驅(qū)動(dòng)信號(hào)sh以及sl。輸出電路40包括作為高壓側(cè)的開(kāi)關(guān)元件的p溝道m(xù)os晶體管qp1、和作為低壓側(cè)的開(kāi)關(guān)元件的n溝道m(xù)os晶體管qn2。在晶體管qp1以及qn2被內(nèi)置在ic等的電路裝置100中的情況下，能夠使開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)器小型化，并且由于減少了部件數(shù)量，因此能夠削減電子設(shè)備的制造成本。

晶體管qp1被連接在電源節(jié)點(diǎn)n1與輸出節(jié)點(diǎn)n3之間，且在根據(jù)驅(qū)動(dòng)信號(hào)sh而成為導(dǎo)通狀態(tài)(接通狀態(tài))時(shí)，使輸出節(jié)點(diǎn)n3的電位接近于電源節(jié)點(diǎn)n1的電位。晶體管qp1具有被施加了驅(qū)動(dòng)信號(hào)sh的柵極、與電源節(jié)點(diǎn)n1連接的源極、和與輸出節(jié)點(diǎn)n3連接的漏極。晶體管qp1在驅(qū)動(dòng)信號(hào)sh的電位與電源電位vdd相比低出了閾值電壓以上時(shí)成為接通狀態(tài)，從而經(jīng)由輸出節(jié)點(diǎn)n3而向電感元件l1供給驅(qū)動(dòng)電流。

晶體管qn2被連接在電源節(jié)點(diǎn)n2與輸出節(jié)點(diǎn)n3之間，且在根據(jù)驅(qū)動(dòng)信號(hào)sl而成為接通狀態(tài)時(shí)，使輸出節(jié)點(diǎn)n3的電位接近于電源節(jié)點(diǎn)n2的電位。晶體管qn2具有被施加了驅(qū)動(dòng)信號(hào)sl的柵極、與輸出節(jié)點(diǎn)n3連接的漏極、和與電源節(jié)點(diǎn)n2連接的源極。晶體管qn2在驅(qū)動(dòng)信號(hào)sl的電位與基準(zhǔn)電位vss相比高出了閾值電壓以上時(shí)成為接通狀態(tài)，從而有電流經(jīng)由輸出節(jié)點(diǎn)n3而向電感元件l1流動(dòng)。

電感元件l1具有與輸出節(jié)點(diǎn)n3連接的一端和與連接節(jié)點(diǎn)n5連接的另一端，且從輸出電路40的晶體管qp1被供給有驅(qū)動(dòng)電流。電容器c1被連接在電感元件l1的另一端(連接節(jié)點(diǎn)n5)與電源節(jié)點(diǎn)n2之間，并且通過(guò)對(duì)從電感元件l1被供給的電荷進(jìn)行蓄積，從而生成被平滑的輸出電壓(vout-vss)。

以此方式，通過(guò)輸出電路40的晶體管qp1以及qn2實(shí)施開(kāi)關(guān)動(dòng)作從而生成輸出信號(hào)sw，并向與輸出節(jié)點(diǎn)n3連接的電感元件l1供給驅(qū)動(dòng)電流。由此，在作為電感元件l1與電容器c1的連接點(diǎn)的連接節(jié)點(diǎn)n5處，生成了對(duì)電源電位vdd進(jìn)行降壓而獲得的輸出電源電位vout。開(kāi)關(guān)控制電路20通過(guò)生成控制信號(hào)s1以及s2，從而對(duì)輸出電路40的晶體管qp1以及qn2的開(kāi)關(guān)動(dòng)作進(jìn)行控制。輸出電源電位vout主要通過(guò)控制信號(hào)s1的占空比而被控制。

例如，在控制信號(hào)s1為低電平時(shí)，驅(qū)動(dòng)信號(hào)sh成為低電平，從而晶體管qp1成為導(dǎo)通狀態(tài)(接通狀態(tài))。此外，在控制信號(hào)s2為低電平時(shí)，驅(qū)動(dòng)信號(hào)sl成為低電平，從而晶體管qn2成為非導(dǎo)通狀態(tài)(斷開(kāi)狀態(tài))。在該期間內(nèi)，輸出節(jié)點(diǎn)n3的電位接近于電源電位vdd，且驅(qū)動(dòng)電流從晶體管qp1向電感元件l1流動(dòng)，從而在電感元件l1中電能被轉(zhuǎn)換為磁能并被蓄積，并且在電容器c1中也被蓄積有電能。

另一方面，在控制信號(hào)s1為高電平時(shí)，驅(qū)動(dòng)信號(hào)sh成為高電平，從而晶體管qp1成為斷開(kāi)狀態(tài)。此外，在控制信號(hào)s2為高電平時(shí)，驅(qū)動(dòng)信號(hào)sl成為高電平，從而晶體管qn2成為接通狀態(tài)。在該期間內(nèi)，被蓄積在電感元件l1中的磁能作為電能而經(jīng)由晶體管qn2以及負(fù)載電路120等被放電。由此，輸出節(jié)點(diǎn)n3的電位成為，從基準(zhǔn)電位vss(0v)降低了與由晶體管qn2的接通電阻所造成的電壓下降量相對(duì)應(yīng)的量的電位。

但是，在負(fù)載電流較小的狀態(tài)下，在晶體管qn2成為接通狀態(tài)時(shí)，電流有可能會(huì)從電容器c1起經(jīng)由電感元件l1以及晶體管qn2而向電源節(jié)點(diǎn)n2逆流。具體而言，在隨著時(shí)間的流逝輸出節(jié)點(diǎn)n3的電位上升從而電流變?yōu)榇笾聻榱愕臅r(shí)間點(diǎn)上，如果晶體管qn2為接通狀態(tài)，則由于存在從電容器c1經(jīng)由電感元件l1以及晶體管qn2而向基準(zhǔn)電位vss流動(dòng)的電流路徑，因此電流將發(fā)生逆流。因此，在本實(shí)施方式中，為了抑制逆流電流而設(shè)置有電流檢測(cè)電路50。

電流檢測(cè)電路50包括：作為第一開(kāi)關(guān)電路的n溝道m(xù)os晶體管qn51、作為第二開(kāi)關(guān)電路的p溝道m(xù)os晶體管qp52、作為阻抗元件的電阻r52、和作為比較電路的比較器51。另外，這些電路元件為一個(gè)示例，作為開(kāi)關(guān)電路也能夠使用雙極性晶體管或傳輸門等，作為阻抗元件也能夠使用二極管或晶體管等，作為比較電路也能夠使用晶體管或反相器等。

晶體管qn51具有與輸出節(jié)點(diǎn)n3連接的一端(漏極與源極中的一方)、與比較器51的輸入端子t1連接的另一端(漏極與源極中的另一方)、和被施加有驅(qū)動(dòng)信號(hào)sl的柵極。晶體管qn51根據(jù)對(duì)作為低壓側(cè)的開(kāi)關(guān)元件的晶體管qn2進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)sl而成為接通狀態(tài)或斷開(kāi)狀態(tài)。

電阻r52以及晶體管qp52被串聯(lián)連接在晶體管qn51的另一端與預(yù)定的電位的節(jié)點(diǎn)之間。晶體管qp52根據(jù)驅(qū)動(dòng)信號(hào)sl而以與晶體管qn51互補(bǔ)的方式成為斷開(kāi)狀態(tài)或接通狀態(tài)。即，在驅(qū)動(dòng)信號(hào)sl為高電平時(shí)，晶體管qn51成為接通狀態(tài)，并且晶體管qp52成為斷開(kāi)狀態(tài)。另一方面，在驅(qū)動(dòng)信號(hào)sl為低電平時(shí)，晶體管qn51成為斷開(kāi)狀態(tài)，并且晶體管qp52成為接通狀態(tài)。另外，在本申請(qǐng)中，使用“互補(bǔ)”這一術(shù)語(yǔ)意圖包括，晶體管qn51以及qp52雙方僅在晶體管qn51以及qp52于接通狀態(tài)和斷開(kāi)狀態(tài)之間進(jìn)行切換的瞬間成為斷開(kāi)狀態(tài)的情況。但是，并不存在晶體管qn51以及qp52雙方成為接通狀態(tài)的期間。

以此方式，通過(guò)在晶體管qn2以及qn51為斷開(kāi)狀態(tài)時(shí)，使晶體管qp52成為接通狀態(tài)而向比較器51的輸入端子t1施加預(yù)定的電位，從而能夠使比較器51的輸出信號(hào)det的不必要的變動(dòng)停止。而且，由于通過(guò)使晶體管qn51和晶體管qp52中的至少一方成為斷開(kāi)狀態(tài)，從而除了晶體管qn2接通時(shí)的電流路徑以外，在輸出節(jié)點(diǎn)n3和預(yù)定的電位的節(jié)點(diǎn)之間不再存在電流路徑，因此能夠提高電流檢測(cè)中的檢測(cè)精度。

在圖1所示的示例中，電阻r52以及晶體管qp52被串聯(lián)連接在晶體管qn51的另一端和電源節(jié)點(diǎn)n1之間。在該情況下，在晶體管qn51為斷開(kāi)狀態(tài)時(shí)，通過(guò)將比較器51的輸入端子t1上拉為電源電位vdd，從而能夠使比較器51的輸出信號(hào)det的不必要的變動(dòng)停止。

例如，將電阻r52的一端與晶體管qn51的另一端連接。晶體管qp52具有與電源節(jié)點(diǎn)n1連接的源極、與電阻r52的另一端連接的漏極、和被施加了驅(qū)動(dòng)信號(hào)sl的柵極。以此方式，由于在mos場(chǎng)效應(yīng)晶體管qp52被連接在與電阻r52相比靠電源節(jié)點(diǎn)n1側(cè)的情況下，通過(guò)使晶體管qp52的背柵與電源節(jié)點(diǎn)n1連接，從而使晶體管qp52的襯底電位與源極電位相同，因此能夠防止晶體管qp52的閾值電壓的增加。

比較器51具有被施加了晶體管qn51的另一端的電位(開(kāi)關(guān)輸出信號(hào)sout)的輸入端子t1，并且所述比較器51輸出表示輸入端子t1的電位是否高于判斷電平的輸出信號(hào)det。例如，比較器51在輸入端子t1的電位高于判斷電平時(shí)將輸出信號(hào)det激活為高電平，在輸入端子t1的電位低于判斷電平時(shí)使輸出信號(hào)det失活為低電平。

圖2為表示圖1所示的比較器的結(jié)構(gòu)例的電路圖。如圖2所示，比較器51包括p溝道m(xù)os晶體管qp53～qp56、n溝道m(xù)os晶體管qn54～qn56、反相器inv1，并且具有被施加了開(kāi)關(guān)輸出信號(hào)sout(圖1)的輸入端子t1、與電源節(jié)點(diǎn)n2(圖1)連接且被施加了基準(zhǔn)電位vss的輸入端子t2、和用于輸出輸出信號(hào)det的輸出端子t3。

晶體管qp53具有與電源電位vdd的配線連接的源極、和被施加有偏置電位vbi的柵極。晶體管qp54具有與晶體管qp53的漏極連接的源極、和與比較器51的輸入端子t1連接的柵極。晶體管qp55具有與晶體管qp53的漏極連接的源極、和與比較器51的輸入端子t2連接的柵極。

晶體管qn54具有與晶體管qp54的漏極連接的漏極以及柵極、和與電源電位vss的配線連接的源極。晶體管qn55具有與晶體管qp55的漏極連接的漏極、與晶體管qp54的漏極連接的柵極、和與電源電位vss的配線連接的源極。

晶體管qp56具有與電源電位vdd的配線連接的源極、和被施加有偏置電位vbi的柵極。晶體管qn56具有與晶體管qp56的漏極連接的漏極、與晶體管qp55的漏極以及晶體管qn55的漏極連接的柵極、和與電源電位vss的配線連接的源極。

反相器inv1具有與晶體管qp56的漏極以及晶體管qn56的漏極連接的輸入端子、和與比較器51的輸出端子t3連接的輸出端子。反相器inv1將被施加于輸入端子上的信號(hào)的電平反轉(zhuǎn)，并將被反轉(zhuǎn)的信號(hào)作為輸出信號(hào)det而從輸出端子輸出。

雖然比較器51也可以對(duì)輸入端子t1的電位和基準(zhǔn)電位vss進(jìn)行比較，但在考慮了控制系統(tǒng)中的延遲時(shí)間的情況下，優(yōu)選為對(duì)輸入端子t1的電位和稍低于基準(zhǔn)電位vss的電位(例如，-10mv)進(jìn)行比較。由此，能夠使逆流電流的檢測(cè)定時(shí)提前，從而進(jìn)一步降低電力損耗。

因此，可以通過(guò)在構(gòu)成差分對(duì)的晶體管qp54與晶體管qp55之間改變溝道寬度w與溝道長(zhǎng)度l之比w/l，從而在輸入端子t1與輸入端子t2之間設(shè)定偏移電壓。由此，能夠通過(guò)比較器51的偏移電壓來(lái)設(shè)定所需的判斷電平。例如，通過(guò)將晶體管qp55的溝道寬度w設(shè)為與晶體管qp54的溝道寬度w相比較寬，從而使比較器51對(duì)開(kāi)關(guān)輸出信號(hào)sout的電位、和與基準(zhǔn)電位vss相比低出偏移電壓的判斷電平進(jìn)行比較。

如果再次參照?qǐng)D1，則當(dāng)在晶體管qn2為接通狀態(tài)時(shí)從比較器51輸出了表示輸入端子t1的電位高于判斷電平的輸出信號(hào)det時(shí)，開(kāi)關(guān)控制電路20將以使晶體管qn2成為斷開(kāi)狀態(tài)的方式對(duì)驅(qū)動(dòng)信號(hào)sl的電平進(jìn)行控制。例如，當(dāng)在控制信號(hào)s2為高電平時(shí)比較器51的輸出信號(hào)det被激活為高電平時(shí)，開(kāi)關(guān)控制電路20將控制信號(hào)s2變更為低電平。由此，由于預(yù)驅(qū)動(dòng)器30將驅(qū)動(dòng)信號(hào)sl變更為低電平，因此晶體管qn2從接通狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閿嚅_(kāi)狀態(tài)。

動(dòng)作例

接下來(lái)，參照?qǐng)D1、圖3以及圖4來(lái)對(duì)圖1所示的開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)器的動(dòng)作例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。圖3為表示負(fù)載電流較大的通常動(dòng)作模式下的各部的波形的波形圖。在通常動(dòng)作模式下，負(fù)載電路120中流動(dòng)的電流為，例如100ma以上且2a～3a以下。

在第一期間tonh中，通過(guò)開(kāi)關(guān)控制電路20將控制信號(hào)s1以及s2設(shè)為低電平，從而使預(yù)驅(qū)動(dòng)器30將驅(qū)動(dòng)信號(hào)sh以及sl設(shè)為低電平。因此，由于晶體管qp1成為接通狀態(tài)，晶體管qn2成為斷開(kāi)狀態(tài)，因此輸出信號(hào)sw的電位上升至電源電位vdd附近。由此，在電感元件l1中有電流流動(dòng)，從而被蓄積有磁能。另一方面，輸出電源電位vout通過(guò)電容器c1而被平滑化并被保持在預(yù)定的范圍內(nèi)。

由于驅(qū)動(dòng)信號(hào)sl為低電平，因此晶體管qn51成為斷開(kāi)狀態(tài)，且晶體管qp52成為接通狀態(tài)，從而開(kāi)關(guān)輸出信號(hào)sout的電位上升至電源電位vdd附近。由此，比較器51的輸出信號(hào)det被激活為高電平。但是，在控制信號(hào)s2為低電平且晶體管qn2為斷開(kāi)狀態(tài)時(shí)，即使比較器51的輸出信號(hào)det被激活，開(kāi)關(guān)控制電路20也不會(huì)使控制信號(hào)s2發(fā)生變化。

在第二期間tonl中，通過(guò)開(kāi)關(guān)控制電路20將控制信號(hào)s1以及s2設(shè)為高電平，從而使預(yù)驅(qū)動(dòng)器30將驅(qū)動(dòng)信號(hào)sh以及sl設(shè)為高電平。因此，晶體管qp1成為斷開(kāi)狀態(tài)，晶體管qn2成為接通狀態(tài)。

此時(shí)，通過(guò)被蓄積在電感元件l1中的磁能，從而有電流從電源節(jié)點(diǎn)n2經(jīng)由晶體管qn2以及電感元件l1而向負(fù)載電路120流動(dòng)，進(jìn)而使輸出信號(hào)sw的電位超出基準(zhǔn)電位vss而降低至負(fù)側(cè)。雖然之后當(dāng)經(jīng)過(guò)一段時(shí)間時(shí)，輸出信號(hào)sw的電位會(huì)接近于基準(zhǔn)電位vss，但在第二期間tonl中被維持為負(fù)值。另一方面，輸出電源電位vout通過(guò)電容器c1而被平滑并被保持在預(yù)定的范圍內(nèi)。

由于驅(qū)動(dòng)信號(hào)sl為高電平，因此晶體管qn51成為接通狀態(tài)，且晶體管qp52成為斷開(kāi)狀態(tài)，從而作為開(kāi)關(guān)輸出信號(hào)sout的輸出信號(hào)sw被施加在比較器51的輸入端子t1上。由此，比較器51的輸出信號(hào)det被失活為低電平。因此，開(kāi)關(guān)控制電路20不會(huì)使控制信號(hào)s2發(fā)生變化。

圖4為表示負(fù)載電流較小的待機(jī)模式下的各部的波形的波形圖。在待機(jī)模式下，負(fù)載電路120中流動(dòng)的電流為，例如小于100ma。第一期間tonh中的動(dòng)作，與圖3所示的動(dòng)作相同。

在第二期間tonl中，通過(guò)開(kāi)關(guān)控制電路20將控制信號(hào)s1以及s2設(shè)為高電平，從而使預(yù)驅(qū)動(dòng)器30將驅(qū)動(dòng)信號(hào)sh以及sl設(shè)為高電平。由此，晶體管qp1成為斷開(kāi)狀態(tài)，晶體管qn2成為接通狀態(tài)，從而輸出信號(hào)sw的電位超出基準(zhǔn)電位vss而下降至負(fù)側(cè)。

但是，由于在負(fù)載電路120中流動(dòng)的電流較小，因此輸出信號(hào)sw的電位的下降量變小，并且隨著時(shí)間的流逝輸出信號(hào)sw的電位會(huì)上升至基準(zhǔn)電位vss附近。當(dāng)輸出信號(hào)sw的電位變得與基準(zhǔn)電位vss相比變高時(shí)，在晶體管qn2為接通的狀態(tài)下，電流會(huì)從電容器c1經(jīng)由電感元件l1以及晶體管qn2而向電源節(jié)點(diǎn)n2逆流，從而產(chǎn)生電力損耗。

由于驅(qū)動(dòng)信號(hào)sl為高電平，因此晶體管qn51成為接通狀態(tài)，且晶體管qp52成為斷開(kāi)狀態(tài)，從而作為開(kāi)關(guān)輸出信號(hào)sout的輸出信號(hào)sw被施加在比較器51的輸入端子t1上。當(dāng)輸入端子t1的電位與判斷電平相比變高時(shí)，比較器51將輸出信號(hào)det激活(如圖4所示的檢測(cè)定時(shí))。在圖4中，考慮到控制系統(tǒng)的延遲時(shí)間，從而使判斷電平成為稍低于基準(zhǔn)電位vss的電位(例如，-10mv)。

當(dāng)在控制信號(hào)s2為高電平且晶體管qn2為接通狀態(tài)時(shí)比較器51的輸出信號(hào)det被激活時(shí)，開(kāi)關(guān)控制電路20將使控制信號(hào)s2變化為低電平，以使晶體管qn2成為斷開(kāi)狀態(tài)。由此，預(yù)驅(qū)動(dòng)器30使驅(qū)動(dòng)信號(hào)sl變化為低電平，從而晶體管qn2從接通狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閿嚅_(kāi)狀態(tài)。

開(kāi)關(guān)控制電路20將控制信號(hào)s2維持為低電平，以使晶體管qn2維持?jǐn)嚅_(kāi)狀態(tài)，直至下一個(gè)第二期間tonl開(kāi)始為止。當(dāng)晶體管qn2成為斷開(kāi)狀態(tài)時(shí)，輸出節(jié)點(diǎn)n3將成為高阻抗?fàn)顟B(tài)(不定狀態(tài))并發(fā)生振鈴(ringing)等。

由于驅(qū)動(dòng)信號(hào)sl為低電平，因此晶體管qn51成為斷開(kāi)狀態(tài)，且晶體管qp52成為接通狀態(tài)，從而開(kāi)關(guān)輸出信號(hào)sout上升至電源電位vdd附近。由此，由于比較器51的輸出信號(hào)det被維持在晶體管qn2從接通狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閿嚅_(kāi)狀態(tài)前的高電平，因此能夠使比較器51的輸出信號(hào)det的不必要的變動(dòng)停止。

當(dāng)下一個(gè)第一期間tonh開(kāi)始時(shí)，開(kāi)關(guān)控制電路20使控制信號(hào)s1從高電平變化為低電平并且將控制信號(hào)s2維持在低電平，當(dāng)下一個(gè)第二期間tonl開(kāi)始時(shí)，開(kāi)關(guān)控制電路20使控制信號(hào)s1以及s2從低電平變化為高電平。以此方式，輸出電路40的晶體管qp1以及qn2連續(xù)進(jìn)行開(kāi)關(guān)動(dòng)作。

根據(jù)本實(shí)施方式，由于設(shè)置了在經(jīng)由晶體管qn51而被施加的輸出節(jié)點(diǎn)n3的電位高于判斷電平時(shí)將輸出信號(hào)det激活的比較器51、和當(dāng)在低壓側(cè)的晶體管qn2為接通狀態(tài)時(shí)比較器51的輸出信號(hào)det被激活時(shí)將晶體管qn2設(shè)為斷開(kāi)狀態(tài)的開(kāi)關(guān)控制電路20，因此能夠在不使用導(dǎo)致電力損耗的電流檢測(cè)電阻的條件下，對(duì)在低壓側(cè)的晶體管qn2中流動(dòng)的電流進(jìn)行檢測(cè)并抑制逆流電流。

此外，通過(guò)在晶體管qn2以及晶體管qn51為斷開(kāi)狀態(tài)時(shí)，使晶體管qp52成為接通狀態(tài)而向比較器51的輸入端子t1施加預(yù)定的電位，從而能夠使比較器51的輸出信號(hào)det的不必要的變動(dòng)停止。另外，由于通過(guò)使晶體管qn51與晶體管qp52中的至少一方成為斷開(kāi)狀態(tài)，從而使輸出節(jié)點(diǎn)n3與預(yù)定的電位的節(jié)點(diǎn)之間沒(méi)有電流流動(dòng)，因此能夠提高電流檢測(cè)中的檢測(cè)精度。

另外，根據(jù)本實(shí)施方式，能夠提供一種轉(zhuǎn)換效率較高的開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)器，所述開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)器使用了無(wú)導(dǎo)致電力損耗的電流檢測(cè)電阻且能夠高精度地對(duì)在低壓側(cè)的晶體管qn2中流動(dòng)的電流進(jìn)行檢測(cè)并抑制逆流電流的電路裝置100。

第二實(shí)施方式

圖5為表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式所涉及的開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)器的結(jié)構(gòu)例的電路圖。該開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)器包括本發(fā)明的第二實(shí)施方式所涉及的電路裝置100a。在電路裝置100a中，代替圖1所示的第一實(shí)施方式所涉及的電路裝置100中的電流檢測(cè)電路50而包括電流檢測(cè)電路50a。關(guān)于其他方面，第二實(shí)施方式可以與第一實(shí)施方式相同。

電流檢測(cè)電路50a包括作為第一開(kāi)關(guān)電路的n溝道m(xù)os晶體管qn51、作為第二開(kāi)關(guān)電路的n溝道m(xù)os晶體管qn52、作為阻抗元件的電阻r52、和作為比較電路的比較器51，所述電流檢測(cè)電路50a還包括反相器52。

晶體管qn51具有與輸出節(jié)點(diǎn)n3連接的一端(漏極與源極中的一方)、與比較器51的輸入端子t1連接的另一端(漏極與源極中的另一方)、和被施加了驅(qū)動(dòng)信號(hào)sl的柵極。晶體管qn51根據(jù)對(duì)作為低壓側(cè)的開(kāi)關(guān)元件的晶體管qn2進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)sl而成為接通狀態(tài)或斷開(kāi)狀態(tài)。

反相器52將驅(qū)動(dòng)信號(hào)sl反轉(zhuǎn)并輸出。電阻r52以及晶體管qn52被串聯(lián)連接在晶體管qn51的另一端和預(yù)定的電位的節(jié)點(diǎn)之間。晶體管qn52根據(jù)被反轉(zhuǎn)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)sl而以與晶體管qn51互補(bǔ)的方式成為斷開(kāi)狀態(tài)或接通狀態(tài)。即，在驅(qū)動(dòng)信號(hào)sl為高電平時(shí)，晶體管qn51成為接通狀態(tài)，且晶體管qn52成為斷開(kāi)狀態(tài)。另一方面，在驅(qū)動(dòng)信號(hào)sl為低電平時(shí)，晶體管qn51成為斷開(kāi)狀態(tài)，且晶體管qn52成為接通狀態(tài)。

以此方式，通過(guò)在晶體管qn2以及qn51為斷開(kāi)狀態(tài)時(shí)，使晶體管qn52成為接通狀態(tài)而向比較器51的輸入端子t1施加預(yù)定的電位，從而能夠使比較器51的輸出信號(hào)det的不必要的變動(dòng)停止。另外，由于通過(guò)使晶體管qn51與晶體管qn52中的至少一方成為斷開(kāi)狀態(tài)，從而使輸出節(jié)點(diǎn)n3與預(yù)定的電位的節(jié)點(diǎn)之間沒(méi)有電流流動(dòng)，因此能夠提高電流檢測(cè)中的檢測(cè)精度。

在圖5所示的示例中，電阻r52以及晶體管qn52被串聯(lián)連接在晶體管qn51的另一端與電源節(jié)點(diǎn)n2(基準(zhǔn)電位vss)之間。在該情況下，在晶體管qn51為斷開(kāi)狀態(tài)時(shí)，通過(guò)將比較器51的輸入端子t1下拉為基準(zhǔn)電位vss，從而能夠使比較器51的輸出信號(hào)det的不必要的變動(dòng)停止。

例如，將電阻r52的一端與晶體管qn51的另一端連接。晶體管qn52具有與電阻r52的另一端連接的漏極、與電源節(jié)點(diǎn)n2(基準(zhǔn)電位vss)連接的源極、和被施加了被反轉(zhuǎn)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)sl的柵極。以此方式，由于在mos場(chǎng)效應(yīng)晶體管qn52被連接在與電阻r52相比靠電源節(jié)點(diǎn)n2側(cè)的情況下，通過(guò)使晶體管qn52的背柵與電源節(jié)點(diǎn)n2連接，從而使晶體管qn52的襯底電位與源極電位相同，因此能夠防止晶體管qn52的閾值電壓的增加。

第三實(shí)施方式

接下來(lái)，對(duì)本發(fā)明的第三實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。在第三實(shí)施方式中，省略了在圖1所示的第一實(shí)施方式所涉及的開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)器、或者圖5所示的第二實(shí)施方式所涉及的開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)器中的、作為阻抗元件的電阻r52。取而代之，作為第二開(kāi)關(guān)電路的晶體管qp52或qn52而使用接通電阻較高的晶體管。

優(yōu)選為，晶體管qp52或qn52的接通電阻高于其他晶體管，特別是高于第一開(kāi)關(guān)電路的晶體管qn51的接通電阻，更優(yōu)選為，與晶體管qn51的接通電阻相比至少高出一位。關(guān)于其他方面，第三實(shí)施方式可以與第一或第二實(shí)施方式相同。即使根據(jù)第三實(shí)施方式，也能夠獲得與第一或第二實(shí)施方式相同的效果。

電子設(shè)備

接下來(lái)，對(duì)使用了本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)器的電子設(shè)備進(jìn)行說(shuō)明。在下文中，作為一個(gè)示例，而對(duì)電子設(shè)備為打印機(jī)的情況進(jìn)行說(shuō)明。

圖6為表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)例的框圖。如圖6所示，該電子設(shè)備包含：本發(fā)明的任意一個(gè)實(shí)施方式所涉及的開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)器200、印刷介質(zhì)輸送部211、頭驅(qū)動(dòng)電路212、打印頭213、控制部220、操作部230、rom(只讀存儲(chǔ)器)240、ram(隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)250、通信部260、和顯示部270。另外，可以省略或變更圖6所示的結(jié)構(gòu)要素的一部分，或者也可以在圖6所示的結(jié)構(gòu)要素中附加其他結(jié)構(gòu)要素。

在印刷介質(zhì)輸送部211中，例如通過(guò)使步進(jìn)電機(jī)經(jīng)由帶而對(duì)壓紙輥進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，從而對(duì)作為印刷介質(zhì)的紙張進(jìn)行輸送。通過(guò)頭驅(qū)動(dòng)電路212對(duì)打印頭213進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，從而使打印頭213在由印刷介質(zhì)輸送部211進(jìn)行輸送的紙張上實(shí)施印刷。

控制部220例如包括cpu(中央運(yùn)算裝置)等，且根據(jù)被存儲(chǔ)于rom240等中的程序而實(shí)施各種控制處理。例如，控制部220根據(jù)從操作部230被供給的操作信號(hào)而對(duì)印刷介質(zhì)輸送部211以及頭驅(qū)動(dòng)電路212進(jìn)行控制，或者為了在其與外部之間實(shí)施數(shù)據(jù)通信而對(duì)通信部260進(jìn)行控制，或者生成用于在顯示部270上顯示各種信息的顯示信號(hào)。

操作部230為例如包括操作鍵或按鈕開(kāi)關(guān)等的輸入裝置，且向控制部220輸出與由用戶所實(shí)施的操作相對(duì)應(yīng)的操作信號(hào)。rom240對(duì)控制部220用于實(shí)施各種控制處理的程序或數(shù)據(jù)等進(jìn)行存儲(chǔ)。此外，ram250作為控制部220的工作區(qū)域而被使用，并暫時(shí)性地對(duì)從rom240讀取的程序或數(shù)據(jù)、或者使用操作部230而被輸入的數(shù)據(jù)等進(jìn)行存儲(chǔ)。

通信部260例如由模擬電路與數(shù)字電路構(gòu)成，且實(shí)施控制部220與外部裝置之間的數(shù)據(jù)通信。因此，圖6所示的打印機(jī)能夠基于從外部的主機(jī)等被供給的印刷數(shù)據(jù)而實(shí)施印刷動(dòng)作。顯示部270例如包括lcd(液晶顯示裝置)等，且基于從控制部220被供給的顯示信號(hào)而顯示各種信息。

開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)器200通過(guò)實(shí)施開(kāi)關(guān)動(dòng)作，從而對(duì)從電源電路等被供給的電源電位vdd(5v)降壓，并生成輸出電源電位vout?？刂撇?20等從開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)器200被供給輸出電源電位vout從而進(jìn)行動(dòng)作。

作為電子設(shè)備，除了打印機(jī)以外，還包括如下裝置，例如：便攜式電話機(jī)等移動(dòng)終端、智能卡、計(jì)算器、電子詞典、電子游戲設(shè)備、數(shù)碼照相機(jī)、數(shù)字?jǐn)z影機(jī)、電視機(jī)、可視電話、防盜用視頻監(jiān)視器、頭戴式顯示器、個(gè)人計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、汽車導(dǎo)航裝置、機(jī)器人、測(cè)量設(shè)備、以及醫(yī)療設(shè)備(例如，電子體溫計(jì)、血壓計(jì)、血糖儀、心電圖計(jì)測(cè)裝置、超聲波診斷裝置、以及電子內(nèi)窺鏡)等。

根據(jù)本實(shí)施方式，能夠提供一種使用轉(zhuǎn)換效率較高的開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)器200，從而消耗電力較少的電子設(shè)備。另外，本發(fā)明并不限定于以上說(shuō)明的實(shí)施方式，對(duì)于該技術(shù)領(lǐng)域中具有通常的知識(shí)的技術(shù)人員而言，能夠在本發(fā)明的技術(shù)思想范圍內(nèi)進(jìn)行多種改變。

符號(hào)說(shuō)明

10…基準(zhǔn)電壓生成電路；20…開(kāi)關(guān)控制電路；30…預(yù)驅(qū)動(dòng)器；40…輸出電路；50、50a…電流檢測(cè)電路；51…比較器；52…反相器；100、100a…電路裝置；110…分壓電路；120…負(fù)載電路；200…開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)器；211…印刷介質(zhì)輸送部；212…頭驅(qū)動(dòng)電路；213…打印頭；220…控制部；230…操作部；240…rom；250…ram；260…通信部；270…顯示部；n1、n2…電源節(jié)點(diǎn)；n3…輸出節(jié)點(diǎn)；n4…反饋節(jié)點(diǎn)；n5…連接節(jié)點(diǎn)；t1、t2…輸入端子；t3…輸出端子；qp1、qp52～qp56…p溝道m(xù)os晶體管；qn2、qn51～qn56…n溝道m(xù)os晶體管；inv1…反相器；l1…電感元件；c1…電容器；r1、r2、r52…電阻元件。