1.一種并網(wǎng)開關(guān)電路，包括設(shè)置在單相并網(wǎng)逆變器的輸出側(cè)與電網(wǎng)之間的至少兩個繼電器，其特征在于，所述并網(wǎng)開關(guān)電路還包括：雙向可控導(dǎo)通的半導(dǎo)體器件；
其中，所述并網(wǎng)開關(guān)電路中的任意一個繼電器與所述雙向可控導(dǎo)通的半導(dǎo)體器件并聯(lián)后再與所述并網(wǎng)開關(guān)電路中的其他繼電器串聯(lián)，或者，由所述并網(wǎng)開關(guān)電路中的部分繼電器構(gòu)成的串聯(lián)結(jié)構(gòu)與所述雙向可控導(dǎo)通的半導(dǎo)體器件并聯(lián)后再與所述并網(wǎng)開關(guān)電路中的其他繼電器串聯(lián)；
所述雙向可控導(dǎo)通的半導(dǎo)體器件的導(dǎo)通角度不得超出預(yù)設(shè)值。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的并網(wǎng)開關(guān)電路，其特征在于：
每一個所述雙向可控導(dǎo)通的半導(dǎo)體器件為一個雙向可控硅；
或者，每一個所述雙向可控導(dǎo)通的半導(dǎo)體器件由兩個反向串聯(lián)的MOSFET構(gòu)成；
或者，每一個所述雙向可控導(dǎo)通的半導(dǎo)體器件由兩個反向串聯(lián)的帶反并聯(lián)二極管的IGBT構(gòu)成。
3.一種并網(wǎng)開關(guān)電路，包括設(shè)置在三相并網(wǎng)逆變器的A相輸電線路上的至少兩個繼電器，設(shè)置在所述三相并網(wǎng)逆變器的B相輸電線路上的至少兩個繼電器，以及設(shè)置在所述三相并網(wǎng)逆變器的C相輸電線路上的至少兩個繼電器，其特征在于，所述并網(wǎng)開關(guān)電路還包括：三個雙向可控導(dǎo)通的半導(dǎo)體器件，分別設(shè)置在所述三相并網(wǎng)逆變器的A、B、C相輸電線路中的不同相上；
其中，每一個所述雙向可控導(dǎo)通的半導(dǎo)體器件在對應(yīng)輸電線路上的設(shè)置方式，都包括：所述A、B、C相輸電線路上的任意一個繼電器與所述雙向可控導(dǎo)通的半導(dǎo)體器件并聯(lián)后再與本輸電線路上的其他繼電器串聯(lián)，或者，由所述A、B、C相輸電線路上的部分繼電器構(gòu)成的串聯(lián)結(jié)構(gòu)與所述雙向可控導(dǎo)通的半導(dǎo)體器件并聯(lián)后再與本輸電線路上的其他繼電器串聯(lián)；
而且，所述雙向可控導(dǎo)通的半導(dǎo)體器件的導(dǎo)通角度不得超出預(yù)設(shè)值。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的并網(wǎng)開關(guān)電路，其特征在于：
每一個所述雙向可控導(dǎo)通的半導(dǎo)體器件為一個雙向可控硅；
或者，每一個所述雙向可控導(dǎo)通的半導(dǎo)體器件由兩個反向串聯(lián)的MOSFET構(gòu)成；
或者，每一個所述雙向可控導(dǎo)通的半導(dǎo)體器件由兩個反向串聯(lián)的帶反并聯(lián)二極管的IGBT構(gòu)成。