1.一種柵極保護(hù)電路，連接于柵極驅(qū)動(dòng)模塊和MOS管的柵極之間，所述柵極驅(qū)動(dòng)模塊向所述MOS管的柵極輸出柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)，其特征在于，所述柵極保護(hù)電路包括：
主傳輸線路，連接于柵極驅(qū)動(dòng)模塊和MOS管的柵極之間；
參考模塊，用于生成參考信號(hào)；
比較模塊，所述比較模塊的兩個(gè)輸入端分別連接至所述柵極驅(qū)動(dòng)模塊和所述參考模塊，用于對(duì)所述柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)與所述參考信號(hào)進(jìn)行比較；
穩(wěn)壓模塊，連接于所述主傳輸線路的輸出端與地線之間，所述穩(wěn)壓模塊的驅(qū)動(dòng)端連接于所述比較模塊的輸出端，
其中，在所述柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)大于或等于所述參考信號(hào)時(shí)，所述比較模塊向所述穩(wěn)壓模塊輸出導(dǎo)通信號(hào)，以控制所述穩(wěn)壓模塊導(dǎo)通，所述穩(wěn)壓模塊的向所述MOS管的柵極輸出一個(gè)鉗位電壓信號(hào)，所述鉗位電壓信號(hào)小于所述柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柵極保護(hù)電路，其特征在于，所述穩(wěn)壓模塊包括：
串聯(lián)連接的壓控開(kāi)關(guān)和穩(wěn)壓二極管組件，所述壓控開(kāi)關(guān)的驅(qū)動(dòng)端連接至所述比較模塊的輸出端，在所述壓控開(kāi)關(guān)的驅(qū)動(dòng)端接收到所述導(dǎo)通信號(hào)時(shí)，所述壓控開(kāi)關(guān)導(dǎo)通，所述穩(wěn)壓模塊向所述MOS管的柵極輸出所述鉗位電壓信號(hào)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的柵極保護(hù)電路，其特征在于，
所述壓控開(kāi)關(guān)為三極管時(shí)，所述驅(qū)動(dòng)端為所述三極管的基極。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的柵極保護(hù)電路，其特征在于，
所述壓控開(kāi)關(guān)為MOS管時(shí)，所述驅(qū)動(dòng)端為所述MOS管的柵極。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的柵極保護(hù)電路，其特征在于，所述比較模塊包括：
比較器，所述比較器的正輸入端連接至所述柵極驅(qū)動(dòng)模塊，以獲取所述柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)，所述比較器的負(fù)輸入端連接至所述參考模塊，以獲取所述參考信號(hào)；
所述三極管為NPN型三極管，所述比較器的輸出端連接至所述NPN型三極管的基極，
其中，在所述比較器判定所述柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)大于或等于所述參考模塊時(shí)，所述比較器的輸出端輸出高電平信號(hào)，即作為所述導(dǎo)通信號(hào)以控制所述NPN型三極管導(dǎo)通。
6.根據(jù)權(quán)利要求2或4所述的柵極保護(hù)電路，其特征在于，所述比較模塊包括：
比較器，所述比較器的正輸入端連接至所述柵極驅(qū)動(dòng)模塊，以獲取所述柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)，所述比較器的負(fù)輸入端連接至所述參考模塊，以獲取所述參考信號(hào)；
所述MOS管為P溝道MOS管，所述比較器的輸出端連接至所述P溝道MOS管的柵極，
其中，在所述比較器判定所述柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)大于或等于所述參考模塊時(shí)，所述比較器的輸出端輸出高電平信號(hào)，即作為所述導(dǎo)通信號(hào)以控制所述P溝道MOS管導(dǎo)通。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的柵極保護(hù)電路，其特征在于，
在所述比較模塊判定所述柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)小于所述參考信號(hào)時(shí)，所述比較模塊向所述穩(wěn)壓模塊輸出關(guān)斷信號(hào)，以控制所述穩(wěn)壓模塊關(guān)斷，所述柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)通過(guò)所述主傳輸線路傳輸至所述MOS管的柵極。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的柵極保護(hù)電路，其特征在于，所述柵極驅(qū)動(dòng)模塊還包括：
驅(qū)動(dòng)信號(hào)發(fā)生器，用于生成所述柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)；
內(nèi)置保護(hù)電阻，連接至所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)發(fā)生器和所述柵極驅(qū)動(dòng)模塊的輸出端。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的柵極保護(hù)電路，其特征在于，
所述主傳輸線路還設(shè)有外置保護(hù)電阻，所述外置保護(hù)電阻串聯(lián)于所述內(nèi)置保護(hù)電阻和所述MOS管的柵極之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的柵極保護(hù)電路，其特征在于，
所述MOS管為氮化鎵MOSFET器件或碳化硅MOSFET器件。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的柵極保護(hù)電路，其特征在于，所述參考模塊包括：
串聯(lián)連接的電阻元件和穩(wěn)壓二極管，串聯(lián)連接于直流源和地線之間，所述電阻元件和所述穩(wěn)壓二極管的公共端作為所述參考模塊的輸出端，連接至所述穩(wěn)壓模塊的驅(qū)動(dòng)端。
12.一種電力電子設(shè)備，其特征在于，包括：
如權(quán)利要求1至11中任一項(xiàng)所述的柵極保護(hù)電路。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的電力電子設(shè)備，其特征在于，
所述電力電子設(shè)備為空調(diào)器。