本實(shí)用新型涉及衛(wèi)星抗干擾天線供電系統(tǒng)，特別是涉及一種滿足機(jī)載衛(wèi)星抗干擾天線電源單元要求的電源模塊。

背景技術(shù)：

近幾年多種型號(hào)的機(jī)載衛(wèi)星抗干擾天線在設(shè)計(jì)原理上幾乎保持一致，主要包括外殼結(jié)構(gòu)、電源單元、數(shù)字抗干擾處理單元、射頻單元以及天線陣單元，主要是針對(duì)不同的機(jī)型采用了不同的外形結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)以及不同的軟件協(xié)議轉(zhuǎn)換和相關(guān)的抗干擾指標(biāo)。對(duì)于電源單元的技術(shù)指標(biāo)應(yīng)用了幾乎相同的規(guī)格要求，需要電源單元輸出直流5V電壓，穩(wěn)態(tài)最大負(fù)載功耗10瓦左右，滿足GJB181A-2003和GJB181-1986中28V機(jī)載直流供電系統(tǒng)供電特性要求，包括輸入欠壓浪涌、輸入過(guò)壓浪涌、電壓尖峰、電壓瞬斷以及寬范圍直流輸入電壓等指標(biāo)要求，并滿足GJB151A-97電磁兼容性相關(guān)指標(biāo)要求，體積上要求盡量小，轉(zhuǎn)換效率盡量高。在之前的產(chǎn)品設(shè)計(jì)中，針對(duì)不同的產(chǎn)品型號(hào)，需要設(shè)計(jì)人員進(jìn)行結(jié)構(gòu)位置劃分，協(xié)商處理各自單元的設(shè)計(jì)方式，對(duì)于電源單元來(lái)說(shuō)，需要跟數(shù)字單元和射頻單元進(jìn)行電源輸出接口的位置對(duì)應(yīng)，還需要跟外部供電電源的輸入接口進(jìn)行位置對(duì)應(yīng)，如果缺乏有效全面的溝通，很容易造成位置的差池，導(dǎo)致連線交叉錯(cuò)亂，影響整體的設(shè)計(jì)方案。而且設(shè)計(jì)師需要根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行重新布板，增加了研制時(shí)間和研發(fā)成本，在繁瑣的布板工作中容易產(chǎn)生設(shè)計(jì)紕漏，造成設(shè)計(jì)上的浪費(fèi)。另一方面，目前的電源單元采用裸板的方式進(jìn)行設(shè)計(jì)，由于電源單元的大功率和高頻率特性，會(huì)影響整機(jī)的電磁兼容性指標(biāo)，更會(huì)對(duì)抗干擾天線內(nèi)部的其他單元產(chǎn)生電磁干擾，造成整機(jī)的多項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)下降，如若處置不當(dāng)，會(huì)影響抗干擾天線的抗干擾能力和衛(wèi)星信號(hào)的接收強(qiáng)度，進(jìn)一步影響接收機(jī)的定位信息并降低定位精度。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

鑒于現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，本實(shí)用新型提供一種滿足機(jī)載衛(wèi)星抗干擾天線電源單元設(shè)計(jì)要求的標(biāo)準(zhǔn)電源模塊。該電源模塊輸出穩(wěn)定的直流5V電壓，最大功率可達(dá)15W，滿足GJB181A-2003和GJB181-1986中28V機(jī)載直流供電系統(tǒng)供電特性要求，可在輸入欠壓浪涌、輸入過(guò)壓浪涌、電壓尖峰、電壓瞬斷的機(jī)載供電特性試驗(yàn)中保持穩(wěn)定的5V輸出，輸入電壓范圍為18～34V，滿足寬范圍直流輸入電壓的指標(biāo)要求，內(nèi)置EMI濾波電路，可滿足GJB151-97電磁兼容性相關(guān)指標(biāo)要求，體積較小，長(zhǎng)寬高為70×25×10（mm），帶載轉(zhuǎn)換效率可達(dá)88%，不需要額外的散熱裝置。通過(guò)模塊四周的四個(gè)法蘭孔，與整機(jī)進(jìn)行固定。輸入及輸出接口采用標(biāo)準(zhǔn)的J30J接插件，具有物理防錯(cuò)插的兩種型號(hào)，防止輸入輸出接反。

本實(shí)用新型為實(shí)現(xiàn)上述目的，所采取的技術(shù)方案是：一種滿足機(jī)載衛(wèi)星抗干擾天線電源單元要求的電源模塊，其特征在于：包括金屬屏蔽外殼、輸入接插件、電路板和輸出接插件，電路板密封在金屬屏蔽外殼內(nèi)，輸入接插件和輸出接插件分別固定在電路板的兩端；所述的電路板上裝有自恢復(fù)式過(guò)流保護(hù)電路A、防反接保護(hù)電路B、直流濾波電路C、尖峰電壓吸收電路D、浪涌電壓吸收及過(guò)壓保護(hù)電路E、濾波蓄電電路F、欠壓保護(hù)設(shè)置電路G和直流電壓轉(zhuǎn)換電路H；其電路連接為：輸入接插件與防反接保護(hù)電路B連接、防反接保護(hù)電路B與自恢復(fù)式過(guò)流保護(hù)電路A連接、自恢復(fù)式過(guò)流保護(hù)電路A與直流濾波電路C連接、直流濾波電路C與尖峰電壓吸收電路D連接、尖峰電壓吸收電路D與浪涌電壓吸收及過(guò)壓保護(hù)電路E連接、浪涌電壓吸收及過(guò)壓保護(hù)電路E與濾波蓄電電路F連接、濾波蓄電電路F與欠壓保護(hù)設(shè)置電路G連接，欠壓保護(hù)設(shè)置電路G與直流電壓轉(zhuǎn)換電路H連接，直流電壓轉(zhuǎn)換電路H與輸出接插件連接。

本實(shí)用新型的特點(diǎn)是：采用密封式金屬屏蔽外殼以及金屬接插件將電路板包裹在其中，蓋板與盒體連接處，留有“深縫隙”結(jié)構(gòu)，保證其具有良好的電磁屏蔽性，并通過(guò)填隙導(dǎo)熱材料，使整個(gè)殼體形成大面積散熱，使產(chǎn)品具有良好的熱設(shè)計(jì)，無(wú)需增加外部散熱。在電氣性能上可滿足多種型號(hào)的機(jī)載衛(wèi)星抗干擾天線的電源單元的指標(biāo)要求，保護(hù)功能齊全。輸入輸出接口采用9針彎插式J30J金屬接插件，與金屬外殼良好接觸，形成完好的電磁屏蔽性，并具有輸入輸出防錯(cuò)插功能。該電源模塊結(jié)合了多種型號(hào)的機(jī)載衛(wèi)星抗干擾天線的電源單元的設(shè)計(jì)指標(biāo)于一體，可替代其電源單元，在產(chǎn)品的批量生產(chǎn)調(diào)試以及新品的研制中，都可以有效的降低調(diào)試人員以及設(shè)計(jì)人員的工作量，保證電源指標(biāo)的準(zhǔn)確性及一致性，可提高生產(chǎn)效率、縮短研發(fā)周期，并降低生產(chǎn)經(jīng)費(fèi)以及研制經(jīng)費(fèi)。本實(shí)用新型采用螺釘固定接插件的方式與外部輸入輸出進(jìn)行連接，并采用緊固件固定法蘭孔的方式安裝固定，無(wú)需電烙鐵進(jìn)行焊接，拆卸方便，具有較好的可更換性。本電源模塊可適用于多種型號(hào)的機(jī)載衛(wèi)星抗干擾天線的電源單元設(shè)計(jì)需求，安裝方便，使用簡(jiǎn)單，可作為通用性電源模塊，為各種型號(hào)的衛(wèi)星抗干擾天線進(jìn)行配套，由專(zhuān)職人員進(jìn)行生產(chǎn)調(diào)試，保證產(chǎn)品的功能良好和一致性，將抗干擾天線的電源單元統(tǒng)一應(yīng)用該電源模塊，可最大限度的降低生產(chǎn)和調(diào)試經(jīng)費(fèi)。

附圖說(shuō)明

圖1為本實(shí)用新型的外形圖；

圖2為圖1的爆炸圖；

圖3為本實(shí)用新型的電路連接框圖；

圖4為本實(shí)用新型的電路原理圖。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說(shuō)明：

如圖1、圖2、圖3、圖4所示，本設(shè)計(jì)包括金屬屏蔽外殼、電路板3、輸入接插件4和輸出接插件5，電路板3密封在金屬屏蔽外殼內(nèi)，輸入接插件4和輸出接插件5分別通過(guò)螺釘和螺母固定在電路板3的兩端；電路板3上裝有自恢復(fù)式過(guò)流保護(hù)電路A、防反接保護(hù)電路B、直流濾波電路C、尖峰電壓吸收電路D、浪涌電壓吸收及過(guò)壓保護(hù)電路E、濾波蓄電電路F、欠壓保護(hù)設(shè)置電路G和直流電壓轉(zhuǎn)換電路H；其電路連接為：輸入接插件4與防反接保護(hù)電路B連接、防反接保護(hù)電路B與自恢復(fù)式過(guò)流保護(hù)電路A連接、自恢復(fù)式過(guò)流保護(hù)電路A與直流濾波電路C連接、直流濾波電路C與尖峰電壓吸收電路D連接、尖峰電壓吸收電路D與浪涌電壓吸收及過(guò)壓保護(hù)電路E連接、浪涌電壓吸收及過(guò)壓保護(hù)電路E與濾波蓄電電路F連接、濾波蓄電電路F與欠壓保護(hù)設(shè)置電路G連接，欠壓保護(hù)設(shè)置電路G與直流電壓轉(zhuǎn)換電路H連接，直流電壓轉(zhuǎn)換電路H與輸出接插件5連接。

如圖2所示，本設(shè)計(jì)的金屬屏蔽外殼包括殼體1和蓋板2，電路板3的兩端分別留有用于裝配接插件的安裝孔，殼體1底部對(duì)稱設(shè)有一體式四個(gè)法蘭6，將兩端分別固定有輸入接插件4和輸出接插件5的電路板3固定在殼體1上，將蓋板2與殼體1裝配為一體。

如圖3和圖4所示，輸入接插件4采用J30J-9ZKWP7-J接插件X1，輸出接插件5采用J30J-9TJWP7-J接插件X2，浪涌電壓吸收及過(guò)壓保護(hù)電路E采用LTC4366-2芯片U1，直流電壓轉(zhuǎn)換電路H采用LMZ14203芯片U2，其中，接插件X1的1腳和2腳通過(guò)自恢復(fù)式保險(xiǎn)絲F1連接肖特基二極管D1的正極，肖特基二極管D1的負(fù)極連接電感L1和電容C1的一端，電容C1的另一端連接電感L2的一端，同時(shí)連接至接插件X1的3腳和4腳，然后一起接地；電感L1和電感L2的另一端連接電容C2，同時(shí)電感L1和電感L2的另一端又連接雙向瞬態(tài)抑制二極管D2，雙向瞬態(tài)抑制二極管D2的一端連接至MOS管M1的漏極，同時(shí)又通過(guò)電阻R1連接至芯片U1的VDD腳和SD腳，MOS管M1的柵極通過(guò)電阻R5連接至芯片U1的GATE腳；電容C3的一端連接至芯片U1的TIM腳，電容C3的另一端連接至芯片U1的Vss腳和BASE腳，并通過(guò)電阻R2接地，同時(shí)芯片U1的BASE腳通過(guò)電容C4連接電阻R3的一端及芯片U1的OUT腳，電阻R3的另一端連接至芯片U1的FB腳，并通過(guò)電阻R4接地；芯片U1的OUT腳又連接至MOS管M1的源極，并通過(guò)雙向瞬態(tài)抑制二極管D3、電容C5分別接地，同時(shí)又連接電阻R7、電阻R8和電容C6的一端及芯片U2的VIN腳，電阻R8的另一端連接至芯片U2的RON腳，電阻R7的另一端與電阻R6的一端連接至芯片U2的EN腳，同時(shí)又連接至接插件X1的5腳和6腳，電阻R6的另一端接地；電容C6的另一端和電容C7的一端連接至芯片U2的GND腳，電容C7的另一端連接至芯片U2的SS腳，電容C8和電阻R9的一端連接至芯片U2的FB腳，同時(shí)又與電阻R10的一端連接，電阻R9的另一端連接至芯片U2的VOUT腳，同時(shí)又與電容C8的另一端連接，然后又與電容C9和電容C10的一端連接，連接后又一起連接至接插件X2的1腳、2腳和3腳，電阻R10、電容C9和電容C10的另一端連接至接插件X2的4腳、5腳和6腳，接插件X2的7腳、8腳和9腳分別連接至接插件X2的7腳、8腳和9腳。

本設(shè)計(jì)物理安裝：本設(shè)計(jì)外部只有金屬屏蔽外殼和金屬接插件，電路板在腔體內(nèi)部通過(guò)螺釘固定在殼體上，螺釘安裝時(shí)涂適量螺紋緊固劑，蓋板與殼體連接處留有“深縫隙”結(jié)構(gòu)，保證電磁屏蔽性能；同時(shí)，PCB板上較大的元件和發(fā)熱器件可增加適量導(dǎo)熱硅橡膠，使整個(gè)電源模塊滿足相關(guān)振動(dòng)要求，形成良好的抗振設(shè)計(jì)，PCB板上的發(fā)熱器件與外殼通過(guò)導(dǎo)熱填隙材料相連，使整個(gè)殼體形成大面積散熱，達(dá)到良好的熱設(shè)計(jì)。輸入和輸出兩個(gè)接插件分別從殼體兩端的匹配開(kāi)槽處穿過(guò)，通過(guò)殼體的卡槽式設(shè)計(jì)并安裝導(dǎo)電橡膠條，可將整個(gè)電路板密封于金屬外殼和金屬接插件中，使整個(gè)電路板具有完整的電磁屏蔽性。外殼四周設(shè)置了四個(gè)法蘭盤(pán)，可通過(guò)其中的四個(gè)螺釘孔將電源模塊進(jìn)行安裝固定。使用中僅需要通過(guò)物理方式插拔接插件對(duì)應(yīng)的插頭即可，而且輸入和輸出接插件采用了兩種不同的型號(hào)，具有物理防錯(cuò)插功能，使用方便快捷。

本設(shè)計(jì)電路工作原理： 輸入前端設(shè)置自恢復(fù)式保險(xiǎn)絲F1和肖特基二極管D1，以實(shí)現(xiàn)輸入過(guò)流保護(hù)功能和GJB181B-2012中新增的長(zhǎng)時(shí)間輸入防反接保護(hù)功能，可以保證后續(xù)的蓄電電路可以有效的應(yīng)用于其后端的負(fù)載電路；并可以在其后端并聯(lián)于正負(fù)極之間的器件發(fā)生過(guò)流或者短路故障時(shí)，防止對(duì)供電系統(tǒng)造成不可恢復(fù)的損壞，又能在過(guò)流或者短路故障消失時(shí)，自動(dòng)恢復(fù)到正常工作狀態(tài)。

直流濾波電路采用兩個(gè)電感配置合適的濾波電容組成一級(jí)直流濾波電路，以滿足GJB151-97電磁兼容性中規(guī)定的CE102指標(biāo)要求，并配合完成其他傳導(dǎo)發(fā)射類(lèi)電磁兼容性試驗(yàn)要求，并能削弱GJB181-1986機(jī)載供電特性規(guī)定的600V電壓尖峰的峰值電壓和GJB181A-2003機(jī)載供電特性規(guī)定的400V電壓尖峰的峰值電壓，以便后續(xù)電路更好的抑制掉尖峰電壓和各種超限的電壓噪聲。

尖峰電壓吸收電路采用1500瓦的雙向瞬態(tài)抑制二極管，其關(guān)斷電壓85V，擊穿電壓95V，箝位電壓137V，電壓箝位啟動(dòng)時(shí)間1ps，可將經(jīng)過(guò)濾波器削弱的電壓尖峰箝位到137V，再通過(guò)后續(xù)的浪涌電壓吸收電路將尖峰電壓徹底吸收掉。

浪涌電壓吸收及過(guò)壓保護(hù)電路采用以凌特公司生產(chǎn)的型號(hào)為L(zhǎng)TC4366-2的控制芯片為主體，并輔以大功率MOS管、雙向TVS管和外圍阻容器件共同完成該保護(hù)功能。此芯片采用堅(jiān)固型浮動(dòng)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，具有較小的體積和良好的穩(wěn)定性，輸出箝位電壓和過(guò)壓保護(hù)定時(shí)器具有外部可調(diào)的特點(diǎn)，可根據(jù)設(shè)計(jì)需要調(diào)節(jié)箝位電壓點(diǎn)和過(guò)壓持續(xù)時(shí)間。

針對(duì)GJB181-1986和GJB181A-2003供電特性的相關(guān)要求，需要電源模塊吸收80V和50V的電壓浪涌。在本電路設(shè)計(jì)中，將箝位電壓設(shè)定為36V，過(guò)壓持續(xù)時(shí)間設(shè)置為100ms。芯片U1的反饋輸入點(diǎn)FB對(duì)OUT引腳的電壓為1.23V。

設(shè)定電阻R3為標(biāo)稱阻值12.4K，在其兩端分配1.23V的壓降，其對(duì)地電流約為0.1mA，則電阻R4兩端分配的電壓：

U=36V-1.23V=34.77V，

R4=U/I=34.77V/0.1mA≈348K。

本應(yīng)用通過(guò)設(shè)定電容C3的容值來(lái)設(shè)定過(guò)壓持續(xù)時(shí)間，在GJB181-1986供電特性中，過(guò)壓浪涌持續(xù)時(shí)間為50ms，考慮到實(shí)際應(yīng)用和功率MOS管的承受過(guò)壓能力，因此將過(guò)壓持續(xù)時(shí)間限定為100ms，當(dāng)過(guò)壓持續(xù)時(shí)間超過(guò)設(shè)定值時(shí)，即可通過(guò)芯片U1內(nèi)部的模擬控制電路致使MOS管M1的柵極關(guān)斷電壓輸出，從而實(shí)現(xiàn)過(guò)壓保護(hù)功能。電容C3的充電電流I按照芯片U1給定值9uA計(jì)算，充電電壓上限U為2.5V，當(dāng)電容C3充電完畢后，即可實(shí)現(xiàn)上述功能。C3=I×T/U≈360nF，因此設(shè)定電容C3容值為標(biāo)準(zhǔn)的330nF，可以滿足設(shè)計(jì)要求。

通過(guò)以上對(duì)電阻R3、電阻R4和電容C3的設(shè)定，可將過(guò)壓浪涌箝位在36V，以達(dá)到吸收過(guò)壓浪涌的作用，當(dāng)過(guò)壓持續(xù)時(shí)間超過(guò)100ms時(shí)，可關(guān)斷電壓輸出，保證后續(xù)電路安全穩(wěn)定工作。

芯片LTC4366-2內(nèi)置了9秒的冷卻定時(shí)器，當(dāng)過(guò)壓持續(xù)時(shí)間超過(guò)了100ms，關(guān)斷了電壓輸出9秒后，芯片U1將執(zhí)行自動(dòng)重試操作，當(dāng)故障消失后，可自動(dòng)恢復(fù)正常的電壓輸出，如過(guò)壓故障依然存在，則繼續(xù)保持輸出關(guān)斷，應(yīng)用該功能得以實(shí)現(xiàn)自恢復(fù)式過(guò)壓保護(hù)功能。

在過(guò)壓浪涌期間，超出箝位電壓的壓差都承受在N溝道MOS管M1兩端，600V電壓尖峰由于持續(xù)時(shí)間較短，功率較小，所以在浪涌吸收電路前端設(shè)置了瞬態(tài)抑制二極管，將其峰值電壓箝位在137V，80V浪涌電壓持續(xù)時(shí)間較長(zhǎng)，功率較大，需要完全通過(guò)MOS管源極和漏極兩端承受，在產(chǎn)品應(yīng)用中，考慮到產(chǎn)品的高可靠性，因此選擇耐壓為200V，最大電流為24A的功率MOS管，以保證足夠的安全性和耐用性，并選擇最小體積的產(chǎn)品來(lái)保證實(shí)際的PCB布局空間。

芯片LTC4366-2的反應(yīng)時(shí)間有1us的時(shí)間延遲，為了做到無(wú)縫連接吸收尖峰電壓，在浪涌吸收電路末端設(shè)置了一個(gè)箝位電壓40V的雙向瞬態(tài)抑制二極管，雙向瞬態(tài)抑制二極管的啟動(dòng)時(shí)間量級(jí)為10^-12S，常規(guī)的儀表根本捕捉不到這么短時(shí)間的電壓尖峰，因此通過(guò)該設(shè)置，基本可以達(dá)到尖峰電壓信號(hào)的無(wú)縫連接吸收，最大程度上保護(hù)后續(xù)的電壓轉(zhuǎn)換電路不受電壓尖峰的影響。

濾波蓄電電容主要是應(yīng)對(duì)某些產(chǎn)品要求中提出的200us電壓瞬斷的要求，根據(jù)公式C=I×T/ΔU，產(chǎn)品的工作電流I=1A，瞬斷持續(xù)時(shí)間T=200us，電壓轉(zhuǎn)換電路的最低工作電壓為7V，

電壓變化量ΔU=28-7=21V，算得C=I×T/ΔU≈9.5uF。

因此選用50V耐壓，22uF容值的電容作為此應(yīng)用中的蓄電電容使用。

欠壓保護(hù)設(shè)置電路是通過(guò)芯片U2的使能端EN引腳提供的參考電壓和電阻R6、R7對(duì)輸入電壓的分壓比較完成的。芯片U2的使能端提供了精確的1.18V帶隙上升閾值電壓。

根據(jù)計(jì)算公式R7/R6=(VinL/1.18)-1，

設(shè)定欠壓保護(hù)臨界點(diǎn)VinL=7V，R6=13.8K，

算得R7=68.1K。

通過(guò)此設(shè)定，當(dāng)輸入電壓低于7V時(shí)，可以截止電壓輸出，防止輸入電流過(guò)大造成設(shè)備前端損壞，并可以滿足GJB181-1986規(guī)定的8V/50ms欠壓浪涌的需求以及配合完成200us電壓瞬斷的指標(biāo)要求，保證產(chǎn)品在此非正常供電期間可以正常穩(wěn)定工作。

直流電壓轉(zhuǎn)換電路圍繞TI公司生產(chǎn)的型號(hào)為L(zhǎng)MZ14203的芯片完成電路設(shè)計(jì)，該電路轉(zhuǎn)換效率高達(dá)90%，最大輸出功耗可達(dá)18W，輸入電壓范圍6至42V，輸出電壓范圍0.8至6V，內(nèi)置開(kāi)關(guān)管，集成屏蔽式電感，具有很低的電磁干擾輻射，電壓輸出紋波低至10mV，相對(duì)于其他的電壓轉(zhuǎn)換電路具有很強(qiáng)的優(yōu)勢(shì)，因此將該電路應(yīng)用到本設(shè)計(jì)中。其中電容C6為電路前端的濾波電路，為后續(xù)電路工作提供穩(wěn)定的輸入電壓；芯片U2（型號(hào)為L(zhǎng)MZ14203）為電源轉(zhuǎn)換的主體芯片，為其他電路部分提供輸入欠壓保護(hù)基準(zhǔn)信號(hào)、輸出電壓基準(zhǔn)信號(hào)和軟啟動(dòng)時(shí)間控制信號(hào)，并具有輸出短路保護(hù)功能，為該電路的核心集成電路，是電壓轉(zhuǎn)換電路的核心部分；經(jīng)過(guò)前端保護(hù)電路處理后的電源輸入接入U(xiǎn)2的VIN引腳，開(kāi)始進(jìn)行電壓轉(zhuǎn)換；電阻R8為導(dǎo)通時(shí)間設(shè)置電阻，電阻R8和芯片U2的RON引腳構(gòu)成導(dǎo)通時(shí)間設(shè)置電路，通過(guò)改變R8的阻值可以調(diào)節(jié)導(dǎo)通時(shí)間的長(zhǎng)短；電容C7與芯片U2的SS引腳構(gòu)成軟啟動(dòng)時(shí)間設(shè)置電路，通過(guò)芯片U2的SS引腳向電容C7充電來(lái)實(shí)現(xiàn)軟啟動(dòng)功能；電阻R9、電阻R10與芯片U1的FB引腳構(gòu)成輸出電壓設(shè)置電路，通過(guò)調(diào)節(jié)電阻R9和電阻R10的比值大小來(lái)設(shè)定輸出電壓值，F(xiàn)B引腳提供了0.8V的基準(zhǔn)電壓，通過(guò)計(jì)算式：VOUT=0.8×(1+R9/R10)，設(shè)定R10=6.8KΩ，輸出電壓VOU=5V，得出R9=35.7 KΩ，以滿足5V直流電壓輸出；電容C10作為電路輸出端的濾波電路，與芯片U2的VOUT引腳連接，為后續(xù)負(fù)載電路提供穩(wěn)定的5V直流工作電壓。