本實(shí)用新型涉及無線通訊技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種緩啟電路、RET模塊及基站天線。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有技術(shù)中，運(yùn)營商設(shè)備RRU模塊具有電流過大自保護(hù)措施，當(dāng)啟動電流超過閾值時，將會導(dǎo)致RRU模塊不能正常工作；RET模塊在連接充電器時容易產(chǎn)生打火現(xiàn)象；同時可能產(chǎn)生瞬間大電流損壞RET模塊中的敏感元器件。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型為解決上述技術(shù)問題提供一種緩啟電路、RET模塊及基站天線，其啟動電流小能夠滿足RRU模塊的正常工作要求，不會產(chǎn)生打火現(xiàn)象，并且能夠有效保護(hù)RET模塊中的敏感元器件。

為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供一種緩啟電路,包括：第一電容、第二電容、二極管、第一電阻、第二電阻、第三電阻及PMOS管；所述第一電容的正極與提供電源的輸入端電連接、負(fù)極與二極管的正極電連接，二極管的負(fù)極與輸入端電連接；所述第一電阻的第一端與輸入端電連接、第二端連接用于與負(fù)載電路電連接的輸出端，第一電阻的第二端還與第二電容的正極電連接，第二電容的負(fù)極接地；所述第二電阻的第一端與輸入端電連接、第二端與第三電阻的第一端電連接，第三電阻的第二端接地；所述PMOS管的柵極電連接于第二電阻與第三電阻之間、源極與輸入端電連接、漏極與輸出端電連接。

進(jìn)一步地，至少在所述第一電容開始充電至飽和的啟動時間段內(nèi)，自所述輸出端輸出的啟動電流小于400mA。

進(jìn)一步地，所述輸入端的輸出電壓介于1-40V。

進(jìn)一步地，所述第二電容作為負(fù)載電容，其電容量介于300-1200uF之間。

進(jìn)一步地，所述第二電容的電容量為300uF或1200uF。

為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型還提供一種RET模塊，包括如上述任一項(xiàng)實(shí)施方式所述的緩啟電路。

為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型還提供一種基站天線，包括如上述實(shí)施方式所述的RET模塊，還包括RRU模塊，所述RRU模塊的輸出端與所述RET模塊中的緩啟電路的輸入端之間電連接。

進(jìn)一步地，所述RRU模塊的輸出端與所述RET模塊中的緩啟電路的輸入端之間可插拔地電連接。

進(jìn)一步地，所述RET模塊的輸入端插接至AISG接口，所述RRU模塊與所述RET模塊之間通過AISG線纜電連接。

本實(shí)用新型的緩啟電路、RET模塊及基站天線，通過設(shè)置第一電容、第二電容、第一電阻及PMOS管，能夠有效控制啟動電流的大小，進(jìn)而滿足RRU模塊的正常工作要求，不會產(chǎn)生打火現(xiàn)象，并且能夠有效保護(hù)RET模塊中的敏感元器件。

附圖說明

圖1是本實(shí)用新型實(shí)施方式緩啟電路的電路結(jié)構(gòu)圖。

圖2是圖1所示緩啟電路中第二電容的電容量為300uF時的測試圖。

圖3是圖1所示緩啟電路中第二電容的電容量為1200uF時的測試圖。

圖4是本實(shí)用新型實(shí)施方式基站天線的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施方式對本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)說明。

請參閱圖1，本實(shí)用新型提供一種緩啟電路，該緩啟電路11包括：二極管D1、第一電容C1、第二電容C2、第一電阻R1、第二電阻R2、第三電阻R3以及PMOS管K。

具體而言，第一電容C1的正極與可插拔連接至電源輸出端(后文選用RRU模塊2作為該電源輸出端)的輸入端IN電連接，第一電容C1的負(fù)極與二極管D1的正極電連接，二極管D1的負(fù)極電連接至輸入端IN；第一電阻R1的第一端與輸入端IN電連接，第一電阻R1的第二端與第二電容C2的正極電連接，第一電阻R1的第二端還進(jìn)一步與輸出端OUT，該輸出端OUT作為整個緩啟電路11的輸出端OUT可以與后文中的RET模塊1的主電路12電連接，該第二電容C2的負(fù)極接地；進(jìn)一步地，第二電阻R2的第一端與輸入端IN電連接，第二電阻R2的第二端與第三電阻R3的第一端電連接，第三電阻R3的第二端接地；其中，該P(yáng)MOS管K的源極S與輸入端IN電連接，PMOS管K的漏極D與輸出端OUT電連接，PMOS管K的柵極G電連接于第二電阻R2與第三電阻R3之間，PMOS管K作為電壓開關(guān)元件使用。

該緩啟電路11的工作原理簡要描述如下：

電源從輸入端IN輸入，利用電容充放電原理，上電時對第一電容C1充電，此時，PMOS管K的柵極G為高電平，PMOS管K不導(dǎo)通，通過電阻R1對后面電路進(jìn)行供電，并對后面的負(fù)載電容即第二電容C2進(jìn)行充電。第一電容C1充滿電后PMOS管K的柵極G電壓值為第二電阻R2與第三電阻R3這兩個電阻的分壓值，PMOS管K的Vgs電壓滿足導(dǎo)通條件，MOS管正常工作。

通過第一電容C1、第二電容C2、第一電阻R1及PMOS管K的設(shè)置，啟動階段時，第一電容C1和第二電容C2的充電、PMOS管K不導(dǎo)通，電流介由第一電阻R1從輸出端OUT輸出為負(fù)載電路(包括后文的主電路12)供電，能夠有效控制地啟動電流的大小。

上述實(shí)施方式中，第二電容C2的電容量范圍為300-1200uF，如300uF或1200uF。

圖2所示為負(fù)載電容即第二電容C2的電容量為300uF時的測試圖，如圖2，電流在啟動階段小于400mA。

圖3所示為負(fù)載電容即第二電容C2的電容量為1200uF時的測試圖，如圖3，電流在啟動階段小于400mA。

兩者均滿足RRU模塊2的正常工作要求，即啟動電流小于閾值即400mA的要求。

另外，該緩啟電路11的輸入電壓范圍為1-40V，輸入電壓適應(yīng)范圍較寬。

本實(shí)用新型還提供一種RET模塊，該RET模塊1包括如上述實(shí)施方式所述的緩啟電路11和與該緩啟電路11的輸出端OUT電連接的主電路12。

如圖4所示，本實(shí)用新型還提供一種基站天線，該基站天線包括如上所述的RET模塊1和RRU模塊2，該RRU模塊2的輸出端OUT與RET模塊1中的緩啟電路11的輸入端IN電連接。

其中，該RRU模塊2的輸出端OUT與RET模塊1中的緩啟電路11的輸入端IN可插拔地電連接。優(yōu)選地，緩啟電路11的輸入端IN插接至AISG接口110，該緩啟電路11與RRU模塊2之間采用AISG線纜3電連接，其連接簡單、快速、可靠。

本實(shí)用新型的緩啟電路、RET模塊及基站天線，通過設(shè)置第一電容C1、第二電容C2、第一電阻R1及PMOS管K，能夠有效控制啟動電流的大小，進(jìn)而滿足RRU模塊2的正常工作要求，不會產(chǎn)生打火現(xiàn)象，并且能夠有效保護(hù)RET模塊1中的敏感元器件。

另外，能夠有效解決掛載電容量小的問題；滿足-45℃以上低溫條件下的工作；小封裝大電流元器件，應(yīng)用較靈活方便；其外圍電路少，成本低，適合批量生產(chǎn)。

以上僅為本實(shí)用新型的實(shí)施方式，并非因此限制本實(shí)用新型的專利范圍，凡是利用本實(shí)用新型說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本實(shí)用新型的專利保護(hù)范圍內(nèi)。