本實用新型屬于電子電路技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種同步整流電路。
背景技術(shù)：
同步整流技術(shù)（Synchronous Rectification，SR）采用低電壓功率MOS管作為整流器件。利用其較低的正向壓降和很小的通態(tài)電阻，可以很好的降低整流器模塊的整體功耗。采用同步整流技術(shù)的主要難度在于其整流管的柵極控制。
整流管的驅(qū)動主要采用PWM方式，其實現(xiàn)較為復(fù)雜，需要建立空間矢量數(shù)學(xué)模型，進(jìn)行復(fù)雜的變換求解。電路組成上需要大量的邏輯處理，增加技術(shù)難度和成本。采用外部供電驅(qū)動的方式應(yīng)用上較為復(fù)雜，而單獨的電荷泵自驅(qū)動方式充電速度較慢，不利于同步整流技術(shù)的推廣與應(yīng)用。
技術(shù)實現(xiàn)要素：
本實用新型的目的，就是針對上述問題，提出一種新型的同步整流電路，以克服現(xiàn)有技術(shù)的不足。
本實用新型的技術(shù)方案：一種同步整流電路，它包括低壓電荷泵模塊、Boost模塊、外連接電容C和整流管M1；
其中，低壓電荷泵模塊由振蕩器模塊、電荷泵單元構(gòu)成；Boost模塊由邏輯控制1模塊、電壓檢測1模塊、PWM產(chǎn)生模塊、基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生模塊、開關(guān)管PM1、續(xù)流管NM2、隔離管NM1、電感L和取樣電阻R1與 R2構(gòu)成；
其中，隔離管NM1的漏極連接整流管M1的漏極，其源極分別連接續(xù)流管NM2的源極、電阻R2下端和電容C的下極板，其柵極分別連接整流管M1的源極和電感L的一端；開關(guān)管PM1的源極分別連接振蕩器、外連接電容C和電壓檢測模塊2的輸入端，其漏極連接電感L的另一端；電容C的上極板分別連接電壓檢測模塊1的輸入端和電荷泵模塊的輸出端，電阻R1與R2串聯(lián)分壓后產(chǎn)生的電壓Vf與基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生模塊產(chǎn)生電壓Vref作為PWM模塊的輸入端；該邏輯控制1模塊的第一輸入端為電壓檢測1模塊的輸出端，該邏輯控制1模塊的第二輸入端為PWM模塊輸出端，該邏輯控制1模塊的第三輸入端為邏輯控制2的輸出端；該邏輯控制1模塊的第一輸出端分別連接在續(xù)流管NM2的柵極，第二輸出端連接在開關(guān)管的柵極，該邏輯控制1模塊第三輸出端連接到振蕩器；電壓檢測2模塊輸入端連連接電容C上極板，輸入端連連接邏輯控制2輸入端；邏輯控制2輸出端分別連接邏輯控制1和整流管M1的柵極。
前述的同步整流電路中，所述邏輯控制1模塊控制Boost模塊的開關(guān)管PM1和續(xù)流管NM2的開或關(guān)，所述邏輯控制2模塊控制整流管M1的開或關(guān)。
前述的同步整流電路中，開關(guān)管PM1為P型mos管或PNP雙極型晶體管；續(xù)流管NM2為N型mos管或NPN雙極型晶體管。
前述的同步整流電路中，所述整流管M1為VDMOS或LDMOS。
本實用新型的有益效果為：本實用新型的低壓電荷泵+boost相結(jié)合的自驅(qū)動方式，不需要外部額外供電，同時加快給電容充電的速度，降低整流電路的占空比，降低平均導(dǎo)通壓降，大大降低了應(yīng)用復(fù)雜度，提高了應(yīng)用范圍。
附圖說明
圖1所示是本實用新型的架構(gòu)示意圖。
具體實施方式
下面結(jié)合附圖對本實用新型進(jìn)行詳細(xì)的描述：
如圖1所示，一種同步整流電路，它包括低壓電荷泵模塊、Boost模塊、外連接電容C和整流管M1；其中該低壓電荷泵模塊由振蕩器模塊、電荷泵單元構(gòu)成；Boost模塊由邏輯控制1模塊、電壓檢測1模塊、PWM產(chǎn)生模塊、基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生模塊、開關(guān)管PM1、續(xù)流管NM2、隔離管NM1、電感L和取樣電阻R1與 R2構(gòu)成；
其中，隔離管NM1的漏極連接整流管M1的漏極，其源極分別連接續(xù)流管NM2的源極、電阻R2下端和電容C的下極板，其柵極分別連接整流管M1的源極和電感L的一端；開關(guān)管PM1的源極分別連接振蕩器、外連接電容C和電壓檢測模塊2的輸入端，其漏極連接電感L的另一端；電容C的上極板分別連接電壓檢測模塊1的輸入端和電荷泵模塊的輸出端，電阻R1與R2串聯(lián)分壓后產(chǎn)生的電壓Vf與基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生模塊產(chǎn)生電壓Vref作為PWM模塊的輸入端；該邏輯控制1模塊的第一輸入端為電壓檢測1模塊的輸出端，該邏輯控制1模塊的第二輸入端為PWM模塊輸出端，該邏輯控制1模塊的第三輸入端為邏輯控制2的輸出端；該邏輯控制1模塊的第一輸出端分別連接在續(xù)流管NM2的柵極，第二輸出端連接在開關(guān)管的柵極，該邏輯控制1模塊第三輸出端連接到振蕩器；電壓檢測2模塊輸入端連連接電容C上極板，輸入端連連接邏輯控制2輸入端；邏輯控制2輸出端分別連接邏輯控制1和整流管M1的柵極。
而該邏輯控制1模塊控制Boost模塊的開關(guān)管PM1和續(xù)流管NM2的開或關(guān)，所述邏輯控制2模塊控制整流管M1的開或關(guān)，開關(guān)管PM1為P型mos管或PNP雙極型晶體管；續(xù)流管NM2為N型mos管或NPN雙極型晶體管，該整流管M1為VDMOS或LDMOS。
工作過程如下：
（1）當(dāng)整流管反向體二極管導(dǎo)通，低壓電荷泵模塊開始工作，電容C上電壓為0，電荷泵在振蕩器的驅(qū)動下使電容C上的電壓逐漸上升，進(jìn)行低壓啟動，設(shè)此階段的工作時間為T1。
（2）當(dāng)電容C上的電位到達(dá)到Boost模塊的工作條件時，電壓檢測1模塊輸出控制信號，關(guān)閉低壓電荷泵模塊，同時啟動Boost模塊，繼續(xù)給電容C升壓，電壓檢測2模塊檢測電容C上的電壓值，當(dāng)電容上電壓值達(dá)到預(yù)設(shè)的上限值VH時，邏輯控制2模塊打開整流管，同時關(guān)閉Boost模塊，停止對電容充電。設(shè)此階段工作時間為T2
（3）該階段，Boost模塊和低壓電荷泵模塊停止工作，電容C的能量維持整流管導(dǎo)通，同時電壓檢測2模塊檢測電容上的電壓，當(dāng)電容上的電壓下降到預(yù)設(shè)的下限值VL時，邏輯控制模塊關(guān)斷整流管，此時低壓電荷泵模塊啟動，對電容繼續(xù)充電升壓。設(shè)此階段的工作時間為T3。
（4）重復(fù)上述過程，依次循環(huán)，在整流管S與D之間形成占空比為m的方波。
設(shè)電流流過整流管的體二極管時，其S與D之間的電壓為VF，則平均電壓
綜上所述，本方案的同步整流電路采用低壓電荷泵+boost相結(jié)合的自驅(qū)動方式，不需要外部額外供電，同時加快給電容充電的速度，降低整流電路的占空比，降低平均導(dǎo)通壓降，大大降低了應(yīng)用復(fù)雜度，提高了應(yīng)用范圍。
上述方案的描述是為便于該技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員能理解和使用的發(fā)明。熟悉本領(lǐng)域技術(shù)的人員顯然可以容易地對實施方案做出各種修改。因此，本發(fā)明不限于上述實方案，本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)本發(fā)明的方法，不脫離本發(fā)明范疇所做出的改進(jìn)和修改都應(yīng)該在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。