1.一種短時(shí)大電流備用電源管理裝置，其特征在于，包括：超級(jí)電容充電管理電路；
所述超級(jí)電容充電管理電路具體包括：超級(jí)電容C4和超級(jí)電容C8、三極管Q1和三極管Q2、電阻R7和電阻R24；
所述三極管Q1的發(fā)射極和所述三極管Q2的基級(jí)連接；
所述三極管Q2的基級(jí)和所述電阻R7的一端連接，所述電阻R7的另一端和所述超級(jí)電容C4的正極連接；
所述電容C4的負(fù)極和所述電容C8的正極連接；
所述電容C8的負(fù)極接地；
所述三極管Q1的集電極和所述電阻R24的一端連接，所述電阻R24的另一端和所述三極管Q1的基級(jí)連接；
所述三極管Q1的基級(jí)和所述三極管Q2的集電極連接；
所述三極管Q2的發(fā)射極和所述電容C4的正極連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的短時(shí)大電流備用電源管理裝置，其特征在于，所述超級(jí)電容充電管理電路還包括：可控精密穩(wěn)壓源U4、電阻R8、電阻R13、電阻R22；
所述可控精密穩(wěn)壓源U4的陰極和所述三極管Q1的基級(jí)連接；
所述可控精密穩(wěn)壓源U4的參考極所述電阻R13的一端連接，所述R13的另一端和所述電阻R8的一端連接，所述電阻R8的另一端和所述三極管Q2的發(fā)射極連接；
所述電阻R22的一端和所述可控精密穩(wěn)壓源U4的參考極連接，所述電阻R22的另一端接地。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的短時(shí)大電流備用電源管理裝置，其特征在于，所述超級(jí)電容充電管理電路還包括：芯片U3和芯片U5、電阻R9、電阻R10、電阻R15、電阻R19、電阻R20和電阻R23、三極管Q3和三極管Q4；
所述芯片U3的引腳3和所述三極管Q2的發(fā)射極連接；
所述芯片U3的引腳2和所述電阻R15的一端連接，所述電阻R15的另一端和所述三極管Q3的基級(jí)連接；
所述三極管Q3的集電極和所述電阻R10的一端連接，所述電阻R10的另一端和電阻R9的一端連接，且和所述超級(jí)電容C4的正極連接；
所述電阻R9的一端和所述電阻R10的一端連接，且和所述三極管Q2的發(fā)射極連接，所述電阻R9的另一端和所述芯片的引腳2連接；
所述芯片U3的引腳1和所述芯片U5的引腳3連接；
所述芯片U5的引腳2和所述電阻R23的一端連接，所述電阻R23的另一端和所述三極管Q4的基級(jí)連接；
所述三極管Q4的集電極和所述電阻R20的一端連接，所述電阻R20的另一端和所述超級(jí)電容C8的正極連接；
所述電阻R19的一端和所述電阻R20的一端連接，且和芯片U3的引腳1連接，所述電阻R19的另一端和所述芯片U5的引腳2連接；
所述芯片U5的引腳1、所述三極管Q4的發(fā)射極接地；
其中，所述芯片U3和所述芯片U5均為CAT809RTBI-T芯片。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的短時(shí)大電流備用電源管理裝置，其特征在于，所述超級(jí)電容充電管理電路還包括：二極管D2；
所述二極管D2的正極與第一外部電源連接，所述二極管D2的負(fù)極與所述三極管Q1的集電極連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的短時(shí)大電流備用電源管理裝置，其特征在于，還包括：掉電檢測(cè)電路；
所述掉電檢測(cè)電路包括：電容C1、電阻R1、電阻R2、電阻R4、電阻R5和電阻R6、穩(wěn)壓管D1、比較器U1；
所述電容C1的一端與第一外部電源連接，另一端接地；
所述電阻R2的一端與所述第一外部電源連接，另一端與所述電阻R4的一端連接，并與所述電阻R6的一端連接，所述電阻R6的另一端接地；
所述電阻R4的另一端與所述比較器的同相輸入端連接；
所述電阻R1的一端外接第二外部電源，另一端與所述穩(wěn)壓管D1的負(fù)極連接，且與所述電阻R5的一端連接，所述電阻R5的另一端與所述比較器U1的反相輸入端連接；
所述穩(wěn)壓管D1的正極接地；
所述比較器U1的外接電源端與所述第二外部電源連接，接地端接地。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的短時(shí)大電流備用電源管理裝置，其特征在于，還包括：放電電路；
所述放電電路包括：芯片U2、電阻R11、電阻R14、電阻R16、電阻R17和電阻R21、電容C5和C9、電感L1、二極管D3；
所述電阻R14的一端與所述芯片U2的引腳7連接，所述電阻R14的另一端與所述芯片U2的引腳6連接；
所述電阻R16的一端與所述芯片U2的引腳3連接，所述電阻R16的另一端與所述芯片U2的引腳6連接；
所述電容C9的一端與所述芯片U2的引腳8連接，所述電容C9的另一端接地；
所述電感L1的一端與所述芯片U2的引腳6連接，所述電感L1的另一端與所述芯片U2的引腳5連接；
所述二極管D3的正極與所述芯片U2的引腳5連接，所述二極管D3的負(fù)極與電阻R11的一端連接，所述電阻R11的另一端與所述芯片U2的引腳2連接；
所述電容C5的一端與所述芯片U2的引腳1連接，所述電容C5的另一端與所述電阻R21的一端連接，所述電阻R21的另一端接地；
所述電阻R17的一端與所述芯片U2的引腳2連接，所述電阻R17的另一端接地；
其中，所述芯片U2為MP1542DK-LF-Z芯片。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的短時(shí)大電流備用電源管理裝置，其特征在于，所述放電電路還包括：電阻R18；
所述電阻R18的一端與所述芯片U2的引腳2連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的短時(shí)大電流備用電源管理裝置，其特征在于，所述放電電路還包括：電容C6和電容C7；
所述電容C6一端和所述二極管D3的負(fù)極連接，且與第二外部電源連接，所述電容另一端接地；
所述電容C7一端和所述二極管D3的負(fù)極連接，且與第二外部電源連接，所述電容另一端接地。
9.根據(jù)權(quán)利要求6至8任意一項(xiàng)所述的短時(shí)大電流備用電源管理裝置，其特征在于，所述電阻R18的一端與所述芯片U2的引腳2連接，所述電阻R18的另一端與所述比較器U1的輸出端連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求6至8任意一項(xiàng)所述的短時(shí)大電流備用電源管理裝置，其特征在于，所述芯片U2的引腳6與所述超級(jí)電容C4、超級(jí)電容C8的正極連接。