本實用新型涉及一種保護電路，尤其涉及一種三相BLDC電機驅(qū)動模塊保護電路。

背景技術(shù)：

參見附圖1，現(xiàn)有的三相BLDC電機驅(qū)動電路中驅(qū)動晶體管易受損傷，影響產(chǎn)品的穩(wěn)定性。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本實用新型的目的就是為了解決上述問題，提供一種有效避免驅(qū)動晶體管受損的三相BLDC電機驅(qū)動模塊保護電路。

為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用如下技術(shù)方案：三相BLDC電機驅(qū)動模塊保護電路，包括三極管10，三極管11，三極管12，三極管13，三極管14及三極管15，

電阻R1一端接于三極管10的基極，另一端接于三極管16的基極，電阻R2一端基于電阻R1另一端，電阻R2另一端接地，三極管16的發(fā)射極接地，集電極接于三極管13的基極；

電阻R3一端接于三極管11的基極，另一端接于三極管17的基極，電阻R4一端基于電阻R3另一端，電阻R4另一端接地，三極管17的發(fā)射極接地，集電極接于三極管14的基極；

電阻R5一端接于三極管12的基極，另一端接于三極管18的基極，電阻R6一端基于電阻R5另一端，電阻R6另一端接地，三極管18的發(fā)射極接地，集電極接于三極管15的基極。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型具有如下有益效果：本實用新型在電路中增加了晶體管16到晶體管18，和電阻R1到電阻R6設計。晶體管10(驅(qū)動晶體管)和晶體管13的輸入端(Vb1,Vb2)輸入Hi gh電壓的時候工作形態(tài)為晶體管16由于電阻R1和電阻R2的設置，狀態(tài)變更為ON，晶體管13的輸入電壓(Vb2)就會被強制留在LOW狀態(tài)。如果驅(qū)動晶體管10和晶體管13的輸入電壓(Vb1，Vb2)都是High信號的話，由于晶體管16輸入電壓(Vb2)會被控制在LOW狀態(tài)，從而起到保護晶體管10和晶體管13的效果。同樣道理，晶體管11和晶體管14，晶體管17，和電阻R3、電阻R4電路，晶體管12和晶體管15晶體管18，電阻R5、電阻R6電路也是同樣的原理。

附圖說明

圖1為背景技術(shù)中三相BLDC電機驅(qū)動電路。

圖2為實施例中三相BLDC電機驅(qū)動模塊保護電路電路圖。

具體實施方式

為了使本實用新型實現(xiàn)的技術(shù)手段、創(chuàng)作特征、達成目的與功效易于明白了解，下面結(jié)合具體圖示，進一步闡述本實用新型。

參見圖2，三相BLDC電機驅(qū)動模塊保護電路，包括三極管10，三極管11，三極管12，三極管13，三極管14及三極管15。

電阻R1一端接于三極管10的基極，另一端接于三極管16的基極，電阻R2一端基于電阻R1另一端，電阻R2另一端接地，三極管16的發(fā)射極接地，集電極接于三極管13的基極。

電阻R3一端接于三極管11的基極，另一端接于三極管17的基極，電阻R4一端基于電阻R3另一端，電阻R4另一端接地，三極管17的發(fā)射極接地，集電極接于三極管14的基極。

電阻R5一端接于三極管12的基極，另一端接于三極管18的基極，電阻R6一端基于電阻R5另一端，電阻R6另一端接地，三極管18的發(fā)射極接地，集電極接于三極管15的基極。

本實用新型在電路中增加了晶體管16到晶體管18，和電阻R1到電阻R6設計。晶體管10和晶體管13的輸入端(Vb1,Vb2)輸入High電壓的時候工作形態(tài)為晶體管16由于電阻R1和電阻R2的設置，狀態(tài)變更為ON，晶體管13的輸入電壓(Vb2)就會被強制留在LOW狀態(tài)。如果晶體管10和晶體管13的輸入電壓(Vb1，Vb2)都是Hi gh信號的話，由于晶體管16輸入電壓(Vb2)會被控制在LOW狀態(tài)，從而起到保護晶體管10和晶體管13的效果。同樣道理，晶體管11和晶體管14，晶體管17，和電阻R3、電阻R4電路，晶體管12和晶體管15晶體管18，電阻R5、電阻R6電路也是同樣的原理。

以上所述僅為本實用新型的優(yōu)選實施方式，本實用新型的保護范圍并不僅限于上述實施方式，凡是屬于本實用新型原理的技術(shù)方案均屬于本實用新型的保護范圍。對于本領域的技術(shù)人員而言，在不脫離本實用新型的原理的前提下進行的若干改進，這些改進也應視為本實用新型的保護范圍。