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一種開關(guān)電容型高增益準(zhǔn)Z源DC?DC變換器的制作方法

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一種開關(guān)電容型高增益準(zhǔn)Z源DC?DC變換器的制作方法與工藝

本實(shí)用新型涉及電力電子電路技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種開關(guān)電容型高增益準(zhǔn)Z源DC-DC變換器電路。



背景技術(shù):

在燃料電池發(fā)電、光伏發(fā)電中,由于單個(gè)太陽(yáng)能電池或者單個(gè)燃料電池提供的直流電壓較低,無(wú)法滿足現(xiàn)有用電設(shè)備的用電需求,也不能滿足并網(wǎng)的需求,往往需要將多個(gè)電池串聯(lián)起來(lái)達(dá)到所需的電壓。這種方法一方面大大降低了整個(gè)系統(tǒng)的可靠性,另一方面還需解決串聯(lián)均壓?jiǎn)栴}。為此,需要能夠把低電壓轉(zhuǎn)換為高電壓的高增益DC-DC變換器。近幾年提出的Z源變換器是一種高增益DC-DC變換器,但該電路具有較高的阻抗網(wǎng)絡(luò)電容電壓應(yīng)力,且電路啟動(dòng)時(shí)存在很大啟動(dòng)沖擊電流問(wèn)題,限制了該電路在實(shí)際中的應(yīng)用。為了進(jìn)一步提高Z源變換器的輸出電壓,有必要通過(guò)拓?fù)涓倪M(jìn)拓展其輸出電壓增益。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

本實(shí)用新型的目的在于克服上述現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供了一種開關(guān)電容型高增益準(zhǔn)Z源DC-DC變換器電路,具體技術(shù)方案如下。

一種開關(guān)電容型高增益準(zhǔn)Z源DC-DC變換器電路,包括電壓源,由第一電容,第一二極管,第一電感,第二電感,第三電容構(gòu)成的二端準(zhǔn)Z源單元,由第二電容、第二二極管構(gòu)成的開關(guān)電容單元,一個(gè)MOS管,輸出二極管Do,輸出濾波電容和負(fù)載。所述準(zhǔn)Z源單元由第一電感、第一二極管、第一電容、第二電感和第三電容構(gòu)成;所述開關(guān)電容單元由第二電容和第二二極管構(gòu)成。

上述的一種開關(guān)電容型高增益準(zhǔn)Z源DC-DC變換器電路中,所述電壓源的正極分別與第一電容的負(fù)極和第一電感的一端連接;所述第一電容的正極分別與第一二極管的陰極、第二電感的一端和輸出二極管的陽(yáng)極連接;所述第一二極管的陽(yáng)極分別與第三電容的負(fù)極和第一電感的另一端連接;所述第三電容的正極分別與第二電感的另一端、MOS管的漏極、第二電容的正極連接;所述第二電容的負(fù)極分別與第二二極管的陽(yáng)極、輸出濾波電容的負(fù)極和負(fù)載的一端連接;所述輸出二極管的陰極分別與輸出濾波電容的正極和負(fù)載的另一端連接;所述電壓源的負(fù)極分別與MOS管的源極、第二二極管的陰極連接。

與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實(shí)用新型電路具有如下優(yōu)點(diǎn)和技術(shù)效果:本實(shí)用新型整個(gè)電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,只用了一個(gè)MOS管,控制方便,輸出電壓增益更高;本實(shí)用新型電路結(jié)合利用了準(zhǔn)Z源單元的單級(jí)升降壓特性和開關(guān)電容并行充電串聯(lián)放電的特性,從而升高了輸出電壓,實(shí)現(xiàn)了準(zhǔn)Z源DC-DC變換器輸出電壓增益的拓展。

附圖說(shuō)明

圖1是本實(shí)用新型具體實(shí)施方式中的一種開關(guān)電容型高增益準(zhǔn)Z源DC-DC變換器電路。

圖2a、圖2b分別是圖1所示一種開關(guān)電容型高增益準(zhǔn)Z源DC-DC變換器電路在其MOS管S導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)段的等效電路圖。

圖3a為本實(shí)用新型電路的增益曲線與Boost變換器、開關(guān)電容Boost變換器、傳統(tǒng)Z源DC-DC變換器和新型準(zhǔn)Z源DC-DC變換器的增益曲線比較圖。

圖3b為圖3a中本實(shí)用新型電路的增益曲線與Boost變換器、開關(guān)電容Boost變換器、傳統(tǒng)Z源DC-DC變換器和新型準(zhǔn)Z源DC-DC變換器的增益曲線在占空比D小于0.5內(nèi)的比較圖。

具體實(shí)施方式

以上內(nèi)容已經(jīng)對(duì)本實(shí)用新型的技術(shù)方案作了詳細(xì)說(shuō)明,以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施作進(jìn)一步描述。

參考圖1,本實(shí)用新型所述的一種開關(guān)電容型高增益準(zhǔn)Z源DC-DC變換器電路,包括電壓源,由第一電容,第一二極管,第一電感,第二電感,第三電容構(gòu)成的二端準(zhǔn)Z源單元,由第二電容、第二二極管構(gòu)成的開關(guān)電容單元,一個(gè)MOS管,輸出二極管Do,輸出濾波電容和負(fù)載。所述準(zhǔn)Z源單元由第一電感、第一二極管、第一電容、第二電感和第三電容構(gòu)成;所述開關(guān)電容單元由第二電容和第二二極管構(gòu)成。當(dāng)MOS管S導(dǎo)通時(shí),所述第一二極管D1、第二二極管D2均關(guān)斷,電壓源Vi和第一電容C1對(duì)第二電感L2充電;電壓源Vi與第三電容C3和第一電感L1充電;同時(shí),電壓源Vi、第一電容C1和第二電容C2一起對(duì)輸出濾波電容Cf和負(fù)載RL供電。當(dāng)MOS管S關(guān)斷時(shí),所述第一二極管D1、第二二極管D2均導(dǎo)通,輸出二極管Do關(guān)斷。所述第一電感L1與第一電容C1并聯(lián),形成回路;所述第二電感L2與第三電容C3并聯(lián),形成回路;所述電壓源Vi、第一電感L1和第二電感L2給第二電容C2充電;同時(shí),輸出濾波電容Cf給負(fù)載RL供電。整個(gè)電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,具有較高的輸出電壓增益。

本實(shí)用新型電路的具體連接方式如下:所述電壓源的正極分別與第一電容的負(fù)極和第一電感的一端連接;所述第一電容的正極分別與第一二極管的陰極、第二電感的一端和輸出二極管的陽(yáng)極連接;所述第一二極管的陽(yáng)極分別與第三電容的負(fù)極和第一電感的另一端連接;所述第三電容的正極分別與第二電感的另一端、MOS管的漏極、第二電容的正極連接;所述第二電容的負(fù)極分別與第二二極管的陽(yáng)極、輸出濾波電容的負(fù)極和負(fù)載的一端連接;所述輸出二極管的陰極分別與輸出濾波電容的正極和負(fù)載的另一端連接;所述電壓源的負(fù)極分別與MOS管的源極、第二二極管的陰極連接。

圖2a、圖2b給出了本實(shí)用新型電路的工作過(guò)程圖。圖2a、圖2b分別對(duì)應(yīng)的是MOS管S導(dǎo)通和同時(shí)關(guān)斷時(shí)段的等效電路圖。圖中實(shí)線表示變換器中有電流流過(guò)的部分,虛線表示變換器中無(wú)電流流過(guò)的部分。

本實(shí)用新型的工作過(guò)程如下:

階段1,如圖2a:MOS管S導(dǎo)通,此時(shí)第一二極管D1、第二二極管D2、均關(guān)斷。電路形成了三個(gè)回路,分別是:電壓源Vi與第一電容C1和第二電容C2一起給輸出濾波電容Cf和負(fù)載RL充電,形成回路;電壓源Vi與第一電容C1對(duì)第二電感L2進(jìn)行充電,形成回路;電壓源Vi與第三電容C3對(duì)第一電感L1進(jìn)行充電,形成回路。

階段2,如圖2b:MOS管S關(guān)斷,此時(shí)第一二極管D1、第二二極管D2均導(dǎo)通,輸出二極管Do關(guān)斷。電路形成了四個(gè)回路,分別是:電壓源Vi、第一電感L1和第二電感L2給第二電容C2充電,形成回路;第一電感L1對(duì)第一電容C1充電,形成回路;第二電感L2對(duì)第三電容C3充電,形成回路;輸出濾波電容Cf給負(fù)載RL供電,形成回路。

綜上情況,設(shè)MOS管S的占空比均為D,開關(guān)周期為Ts。并設(shè)定VL1和VL2分別為電感L1和L2兩端的電壓,VC1、VC2和VC3分別為第一電容C1、第二電容C2和第三電容C3的電壓,VS為MOS管S漏極與源極之間的電壓。在一個(gè)開關(guān)周期Ts內(nèi),令輸出電壓為Vo。當(dāng)變換器進(jìn)入穩(wěn)態(tài)工作后,得出以下的電壓關(guān)系推導(dǎo)過(guò)程。

工作模態(tài)1:MOS管S導(dǎo)通,對(duì)應(yīng)的等效電路圖2a所示,因此有如下公式:

VL1=Vi+VC3 (1)

VL2=Vi+VC1 (2)

VO=Vi+VC1+VC2 (3)

VS=0 (4)

MOS管S的導(dǎo)通時(shí)間為DTs

工作模態(tài)2:MOS管S關(guān)斷,對(duì)應(yīng)的等效電路如圖2b所示,因此有如下公式:

VL1=-VC1 (5)

VL2=-VC3 (6)

Vi=VC2-VC3-VC1 (7)

VS=VC2 (8)

MOS管S的關(guān)斷時(shí)間為(1-D)Ts。

根據(jù)以上分析,對(duì)第一電感L1和第二電感L2分別運(yùn)用電感伏秒數(shù)守恒原理,聯(lián)立式(1)、式(2)、式(5)、式(6)可得:

D(Vi+VC3)-(1-D)VC1=0 (9)

D(Vi+VC1)-(1-D)VC3=0 (10)

由式(7)、式(9)和式(11)可以得到第一電容C1的電壓VC1、第二電容C2的電壓VC2和第三電容C3的電壓VC3與電壓源Vi之間的關(guān)系式為:

<mrow> <msub> <mi>V</mi> <mrow> <mi>C</mi> <mn>1</mn> </mrow> </msub> <mo>=</mo> <msub> <mi>V</mi> <mrow> <mi>C</mi> <mn>3</mn> </mrow> </msub> <mo>=</mo> <mfrac> <mi>D</mi> <mrow> <mn>1</mn> <mo>-</mo> <mn>2</mn> <mi>D</mi> </mrow> </mfrac> <msub> <mi>V</mi> <mi>i</mi> </msub> <mo>-</mo> <mo>-</mo> <mo>-</mo> <mrow> <mo>(</mo> <mn>11</mn> <mo>)</mo> </mrow> </mrow>

<mrow> <msub> <mi>V</mi> <mrow> <mi>C</mi> <mn>2</mn> </mrow> </msub> <mo>=</mo> <mfrac> <mn>1</mn> <mrow> <mn>1</mn> <mo>-</mo> <mn>2</mn> <mi>D</mi> </mrow> </mfrac> <msub> <mi>V</mi> <mi>i</mi> </msub> <mo>-</mo> <mo>-</mo> <mo>-</mo> <mrow> <mo>(</mo> <mn>12</mn> <mo>)</mo> </mrow> </mrow>

則由式(3)、式(11)和式(12),可得本實(shí)用新型電路的增益因子表達(dá)式為:

<mrow> <mi>G</mi> <mo>=</mo> <mfrac> <msub> <mi>V</mi> <mi>o</mi> </msub> <msub> <mi>V</mi> <mi>i</mi> </msub> </mfrac> <mo>=</mo> <mfrac> <mrow> <mn>2</mn> <mo>-</mo> <mi>D</mi> </mrow> <mrow> <mn>1</mn> <mo>-</mo> <mn>2</mn> <mi>D</mi> </mrow> </mfrac> <mo>-</mo> <mo>-</mo> <mo>-</mo> <mrow> <mo>(</mo> <mn>13</mn> <mo>)</mo> </mrow> </mrow>

如圖3a所示為本實(shí)用新型電路的增益曲線與Boost變換器、開關(guān)電容Boost變換器、傳統(tǒng)Z源DC-DC變換器和新型準(zhǔn)Z源DC-DC變換器的增益曲線比較圖;圖3b為圖3a中本實(shí)用新型電路增益曲線與基本升壓電路的增益曲線在占空比D小于0.5內(nèi)的比較圖,圖中包括本實(shí)用新型電路的增益曲線,新型準(zhǔn)Z源DC-DC變換器的增益曲線,傳統(tǒng)Z源DC-DC變換器的增益曲線,開關(guān)電容Boost變換器的增益曲線,和Boost變換器的增益曲線。由圖可知,本實(shí)用新型電路在占空比D不超過(guò)0.5的情況下,增益G就可以達(dá)到很大,且本實(shí)用新型電路的占空比D不會(huì)超過(guò)0.5。因此,相比之下,本實(shí)用新型電路的增益是非常高的。

綜上所述,本實(shí)用新型電路整體結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,只是用了一個(gè)MOS管,控制方便,結(jié)合了準(zhǔn)Z源單元單級(jí)升降壓特性和開關(guān)電容并行充電串聯(lián)放電的特性,實(shí)現(xiàn)了輸出電壓增益的進(jìn)一步提升,且不存在啟動(dòng)沖擊電流和MOS管開通瞬間的沖擊電流。

上述實(shí)施例為本實(shí)用新型較佳的實(shí)施方式,但本實(shí)用新型的實(shí)施方式并不受所述實(shí)施例的限制,其他的任何未背離本實(shí)用新型的精神實(shí)質(zhì)與原理下所作的改變、修飾、替代、組合、簡(jiǎn)化,均應(yīng)為等效的置換方式,都包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。

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