1.一種BMS充放電控制保護(hù)電路，其特征在于，包括：控制中心(100)、充電MOS驅(qū)動(dòng)電路(200)、放電MOS驅(qū)動(dòng)電路(300)、充電MOS電路(400)和放電MOS電路(500)，所述控制中心(100)的第一控制輸出端與所述充電MOS驅(qū)動(dòng)電路(200)的第一控制輸入端連接，第二控制輸出端與所述充電MOS驅(qū)動(dòng)電路(200)的第二控制輸入端連接，第三控制輸出端與所述放電MOS驅(qū)動(dòng)電路(300)的第一控制輸入端連接，第四控制輸出端與所述放電MOS驅(qū)動(dòng)電路(300)的第二控制輸入端；
所述充電MOS驅(qū)動(dòng)電路(200)的輸出端與所述充電MOS電路(400)連接；
所述放電MOS驅(qū)動(dòng)電路(300)的輸出端與所述放電MOS電路(500)連接；
所述充電電MOS電路(400)與放電MOS電路(500)串聯(lián)在電池組的總負(fù)端及充電器的負(fù)極端之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的BMS充放電控制保護(hù)電路，其特征在于，所述控制中心(100)的第一檢測(cè)端與所述充電MOS驅(qū)動(dòng)電路(200)連接，第二檢測(cè)端與所述放電MOS驅(qū)動(dòng)電路(300)連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的BMS充放電控制保護(hù)電路，其特征在于，所述控制中心(100)包括：MCU控制單元(101)和AFE模擬前端單元(102)，所述MCU控制單元(101)與所述AFE模擬前端單元(102)信號(hào)連接；
所述MCU控制單元(101)的兩個(gè)輸出端分別作為所述控制中心(100)的第一控制輸出端和第四控制輸出端；
所述AFE模擬前端單元(102)的兩個(gè)輸出端分別作為所述控制中心(100)的第二控制輸出端和第三控制輸出端。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的BMS充放電控制保護(hù)電路，其特征在于，所述充電MOS驅(qū)動(dòng)電路(200)包括：充電開(kāi)關(guān)控制單元(201)、充電一級(jí)電流放大單元(202)和充電二級(jí)電流放大單元(203)，所述充電開(kāi)關(guān)控制單元(201)、所述充電一級(jí)電流放大單元(202)和所述充電二級(jí)電流放大單元(203)順序連接；
所述充電開(kāi)關(guān)控制單元(201)的輸入端分別與所述控制中心(100)的第一控制輸出端和第二控制輸出端連接，所述充電二級(jí)電流放大單元(203)的輸出端分別與所述控制中心(100)的第一檢測(cè)輸出端和充電MOS電路(400)連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的BMS充放電控制保護(hù)電路，其特征在于，所述充電開(kāi)關(guān)控制單元(201)包括：第一電阻R1、第二電阻R2、第三電阻R3和第一開(kāi)關(guān)管Q1，所述第一電阻R1的一端作為所述充電MOS驅(qū)動(dòng)電路(200)的第二控制輸入端與所述控制中心(100)的第二控制輸出端連接，另一端分別與所述第三電阻R3的一端和所述第一開(kāi)關(guān)管Q1的柵極連接；
所述第二電阻R2的一端作為所述充電MOS驅(qū)動(dòng)電路(200)的第一控制輸入端與所述控制中心(100)的第一控制輸出端連接，另一端與所述第一開(kāi)關(guān)管Q1的柵極連接；
所述第三電阻R3的另一端與參考地GND連接；
所述第一開(kāi)關(guān)管Q1的源極與參考地GND連接；
所述充電一級(jí)電流放大單元(202)包括：第四電阻R4、第五電阻R5和第二開(kāi)關(guān)管Q2，所述第五電阻的一端與所述第一開(kāi)關(guān)管Q1的漏極連接，另一端與所述第二開(kāi)關(guān)管Q2的基極連接；
所述第四電阻R4的一端與所述第二開(kāi)關(guān)管Q2的基極連接，另一端與所述第二開(kāi)關(guān)管Q2的發(fā)射極連接；
所述第二開(kāi)關(guān)管Q2的發(fā)射極與電源Vcc連接；
所述充電二級(jí)電流放大單元(203)包括：第六電阻R6、第七電阻R7、第三開(kāi)關(guān)管Q3和第四開(kāi)關(guān)管Q4，所述第七電阻R7的一端作為所述充電MOS驅(qū)動(dòng)電路(200)的輸出端分別與所述充電MOS電路和所述控制中心(100)的第一檢測(cè)端連接；
所述第四開(kāi)關(guān)管Q4的基極分別與所述第二開(kāi)關(guān)管Q2的集電極、所述第三開(kāi)關(guān)管Q3的基極和所述第六電阻R6的一端連接，集電極與所述電源Vcc連接，發(fā)射極與所述第七電阻R7的一端連接；
所述第七電阻R7的另一端與所述第三開(kāi)關(guān)管Q3的發(fā)射極連接；
所述第三開(kāi)關(guān)管Q3的集電極與所述電池組的總負(fù)端連接；
所述第六電阻R6的另一端與所述電池組的總負(fù)端連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的BMS充放電控制保護(hù)電路，其特征在于，所述放電MOS驅(qū)動(dòng)電路(300)包括：放電開(kāi)關(guān)控制單元(301)、放電一級(jí)電流放大單元(302)和放電二級(jí)電流放大單元(303)，所述放電開(kāi)關(guān)控制單元(301)、所述放電一級(jí)電流放大單元(302)和所述放電二級(jí)電流放大單元(303)順序連接；
所述放電開(kāi)關(guān)控制單元(301)的輸入端分別與所述控制中心(100)的第三控制輸出端和第四控制輸出端連接，所述放電二級(jí)電流放大單元(303)的輸出端分別與所述控制中心(100)的第一檢測(cè)輸出端和充電MOS電路(300)連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的BMS充放電控制保護(hù)電路，其特征在于，所述放電開(kāi)關(guān)控制單元(301)包括：第十電阻R10、第十一電阻R11、第十二電阻R12和第五開(kāi)關(guān)管Q5，所述第十電阻R10的一端作為所述放電MOS驅(qū)動(dòng)電路(300)的第四控制輸入端與所述控制中心(100)的第二控制輸出端連接，另一端分別與所述第十二電阻R12的一端和所述第五開(kāi)關(guān)管Q5連接；
所述第十一電阻R11的一端作為所述放電MOS驅(qū)動(dòng)電路(300)的第三控制輸入端與所述控制中心(100)的第三控制輸出端連接，另一端與所述第五開(kāi)關(guān)管Q5的源極連接；
所述第十二電阻R12的另一端分別與所述第五開(kāi)關(guān)管Q5和參考地GND連接；
所述放電一級(jí)電流放大單元(302)包括：第十三電阻R13、第十四電阻R14、第一二極管D1和第六開(kāi)關(guān)管Q6，所述第十三電阻R13的一端與所述第五開(kāi)關(guān)管Q5的漏極連接，另一端分別與所述第十四電阻R14和第六開(kāi)關(guān)管Q6的基極連接；
所述第六開(kāi)關(guān)管Q6的發(fā)射極分別與所述第十四電阻R14的一端和電源Vcc連接，集電極與所述第一二極管D1的陽(yáng)極連接；
所述放電二級(jí)電流放大單元(303)包括：第十五電阻R15、第十六電阻R16、第七開(kāi)關(guān)管Q7、第八開(kāi)關(guān)管Q8和第二二極管D2，所述第十五電阻R15的一端作為所述放電MOS驅(qū)動(dòng)電路(300)的輸出端分別與所述放電MOS電路、所述控制中心(100)的第二檢測(cè)端連接；
所述第二二極管的陽(yáng)極與電源Vcc連接，陰極與所述第七開(kāi)關(guān)管Q7集電極連接；
所述第七開(kāi)關(guān)管Q7的基極分別與所述第一二極管D1的陰極、所述第八開(kāi)關(guān)管Q8的基極和所述第十六電阻R16的一端連接，發(fā)射極與所述第十五電阻R15的一端連接；
所述第十六電阻R16的另一端與所述充電器負(fù)極連接；
所述第八開(kāi)關(guān)管Q8的發(fā)射極與所述第十五電阻R15的一端連接，集電極與所述充電器負(fù)極連接。