本發(fā)明涉及電池管理系統(tǒng)領(lǐng)域，特別是涉及一種BMS充放電控制保護(hù)電路。

背景技術(shù)：

儲(chǔ)能型電池管理系統(tǒng)中，需要MOS管來(lái)控制和保護(hù)電池的充放電過(guò)程，MOS管可以放在電池的正端控制，也可以放在負(fù)端控制，但是在正端控制時(shí)，在關(guān)斷MOS一瞬間可能會(huì)產(chǎn)生振蕩，一瞬間的大電流導(dǎo)致MOS擊穿，如果選擇負(fù)端控制，就不會(huì)出現(xiàn)這個(gè)問(wèn)題。MOS管選擇在負(fù)端控制需要專門(mén)的驅(qū)動(dòng)電路，因?yàn)镸OS管需要過(guò)大電流，如果開(kāi)啟或者關(guān)斷的時(shí)間太長(zhǎng)，MOS管的損耗功率太大，不但減小MOS管的損耗壽命，而且容易發(fā)熱。現(xiàn)有的快關(guān)斷MOS管的方法，一種是采用驅(qū)動(dòng)芯片，一種是采用一個(gè)三極管驅(qū)動(dòng)電路。前者成本高，電路復(fù)雜；后者驅(qū)動(dòng)電流滿足不了大電流MOS管開(kāi)關(guān)的要求。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足之處，提供一種BMS充放電控制保護(hù)電路。

本發(fā)明的目的是通過(guò)以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)的：

一種BMS充放電控制保護(hù)電路，包括：控制中心、充電MOS驅(qū)動(dòng)電路、放電MOS驅(qū)動(dòng)電路、充電MOS電路和放電MOS電路，所述控制中心的第一控制輸出端與所述充電MOS驅(qū)動(dòng)電路的第一控制輸入端連接，第二控制輸出端與所述充電MOS驅(qū)動(dòng)電路的第二控制輸入端連接，第三控制輸出端與所述放電MOS驅(qū)動(dòng)電路的第一控制輸入端連接，第四控制輸出端與所述放電MOS驅(qū)動(dòng)電路的第二控制輸入端；

所述充電MOS驅(qū)動(dòng)電路的輸出端與所述充電MOS電路連接；

所述放電MOS驅(qū)動(dòng)電路的輸出端與所述放電MOS電路連接；

所述充電電MOS電路與放電MOS電路依次串聯(lián)在電池組的總負(fù)端及充電器的負(fù)極端之間。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述控制中心的第一檢測(cè)端與所述充電MOS驅(qū)動(dòng)電路連接，第二檢測(cè)端與所述放電MOS驅(qū)動(dòng)電路連接；

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述控制中心包括：MCU控制單元和AFE模擬前端單元，所述MCU控制單元與所述AFE模擬前端單元信號(hào)連接；

所述MCU控制單元的兩個(gè)輸出端分別作為所述控制中心的第一控制輸出端和第四控制輸出端；

所述AFE模擬前端單元的兩個(gè)輸出端分別作為所述控制中心的第二控制輸出端和第三控制輸出端。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述充電MOS驅(qū)動(dòng)電路包括：充電開(kāi)關(guān)控制單元、充電一級(jí)電流放大單元和充電二級(jí)電流放大單元，所述充電開(kāi)關(guān)控制單元、所述充電一級(jí)電流放大單元和所述充電二級(jí)電流放大單元順序連接；

所述充電開(kāi)關(guān)控制單元的輸入端分別與所述控制中心的第一控制輸出端和第二控制輸出端連接，所述充電二級(jí)電流放大單元的輸出端分別與所述控制中心的第一檢測(cè)輸出端和充電MOS電路連接。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述充電開(kāi)關(guān)控制單元包括：第一電阻R1、第二電阻R2、第三電阻R3和第一開(kāi)關(guān)管Q1，所述第一電阻R1的一端作為所述充電MOS驅(qū)動(dòng)電路的第二控制輸入端與所述控制中心的第二控制輸出端連接，另一端分別與所述第三電阻R3的一端和所述第一開(kāi)關(guān)管Q1的柵極連接；

所述第二電阻R2的一端作為所述充電MOS驅(qū)動(dòng)電路的第一控制輸入端與所述控制中心的第一控制輸出端連接，另一端與所述第一開(kāi)關(guān)管Q1的柵極連接；

所述第三電阻R3的另一端與參考地GND連接；

所述第一開(kāi)關(guān)管Q1的源極與參考地GND連接；

所述充電一級(jí)電流放大單元包括：第四電阻R4、第五電阻R5和第二開(kāi)關(guān)管Q2，所述第五電阻的一端與所述第一開(kāi)關(guān)管Q1的漏極連接，另一端與所述第二開(kāi)關(guān)管Q2的基極連接；

所述第四電阻R4的一端與所述第二開(kāi)關(guān)管Q2的基極連接，另一端與所述第二開(kāi)關(guān)管Q2的發(fā)射極連接；

所述第二開(kāi)關(guān)管Q2的發(fā)射極與電源Vcc連接；

所述充電二級(jí)電流放大單元包括：第六電阻R6、第七電阻R7、第三開(kāi)關(guān)管Q3和第四開(kāi)關(guān)管Q4，所述第七電阻R7的一端作為所述充電MOS驅(qū)動(dòng)電路的輸出端分別與所述充電MOS電路和所述控制中心的第一檢測(cè)端連接；

所述第四開(kāi)關(guān)管Q4的基極分別與所述第二開(kāi)關(guān)管Q2的集電極、所述第三開(kāi)關(guān)管Q3的基極和所述第六電阻R6的一端連接，集電極與所述電源Vcc連接，發(fā)射極與所述第七電阻R7的一端連接；

所述第七電阻R7的另一端與所述第三開(kāi)關(guān)管Q3的發(fā)射極連接；

所述第三開(kāi)關(guān)管Q3的集電極與所述電池組的總負(fù)端連接；

所述第六電阻R6的另一端與所述電池組的總負(fù)端連接。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述放電MOS驅(qū)動(dòng)電路包括：放電開(kāi)關(guān)控制單元、放電一級(jí)電流放大單元和放電二級(jí)電流放大單元，所述放電開(kāi)關(guān)控制單元、所述放電一級(jí)電流放大單元和所述放電二級(jí)電流放大單元順序連接；

所述放電開(kāi)關(guān)控制單元的輸入端分別與所述控制中心的第三控制輸出端和第四控制輸出端連接，所述放電二級(jí)電流放大單元的輸出端分別與所述控制中心的第一檢測(cè)輸出端和充電MOS電路連接。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述放電開(kāi)關(guān)控制單元包括：第十電阻R10、第十一電阻R11、第十二電阻R12和第五開(kāi)關(guān)管Q5，所述第十電阻R10的一端作為所述放電MOS驅(qū)動(dòng)電路的第四控制輸入端與所述控制中心的第二控制輸出端連接，另一端分別與所述第十二電阻R12的一端和所述第五開(kāi)關(guān)管Q5連接；

所述第十一電阻R11的一端作為所述放電MOS驅(qū)動(dòng)電路的第三控制輸入端與所述控制中心的第三控制輸出端連接，另一端與所述第五開(kāi)關(guān)管Q5的源極連接；

所述第十二電阻R12的另一端分別與所述第五開(kāi)關(guān)管Q5和參考地GND連接；

所述放電一級(jí)電流放大單元包括：第十三電阻R13、第十四電阻R14、第一二極管D1和第六開(kāi)關(guān)管Q6，所述第十三電阻R13的一端與所述第五開(kāi)關(guān)管Q5的漏極連接，另一端分別與所述第十四電阻R14和第六開(kāi)關(guān)管Q6的基極連接；

所述第六開(kāi)關(guān)管Q6的發(fā)射極分別與所述第十四電阻R14的一端和電源Vcc連接，集電極與所述第一二極管D1的陽(yáng)極連接；

所述放電二級(jí)電流放大單元包括：第十五電阻R15、第十六電阻R16、第七開(kāi)關(guān)管Q7、第八開(kāi)關(guān)管Q8和第二二極管D2，所述第十五電阻R15的一端作為所述放電MOS驅(qū)動(dòng)電路的輸出端分別與所述放電MOS電路、所述控制中心的第二檢測(cè)端連接；

所述第二二極管的陽(yáng)極與電源Vcc連接，陰極與所述第七開(kāi)關(guān)管Q7集電極連接；

所述第七開(kāi)關(guān)管Q7的基極分別與所述第一二極管D1的陰極、所述第八開(kāi)關(guān)管Q8的基極和所述第十六電阻R16的一端連接，發(fā)射極與所述第十五電阻R15的一端連接；

所述第十六電阻R16的另一端與所述充電器負(fù)極連接；

所述第八開(kāi)關(guān)管Q8的發(fā)射極與所述第十五電阻R15的一端連接，集電極與所述充電器負(fù)極連接。

本次技術(shù)方案相比于現(xiàn)有技術(shù)有以下有益效果：

1.采用多級(jí)三極管驅(qū)動(dòng)的MOS驅(qū)動(dòng)電路控制充電放電MOS電路，開(kāi)關(guān)速度快，開(kāi)關(guān)損耗低，電路簡(jiǎn)單，成本低。

2.控制中心采用MCU控制單元和AFE模擬前端單元的組合形式，在MCU控制單元失效的情況時(shí)AFE模擬前端單元可以控制MOS管驅(qū)動(dòng)電路工作，提高電路的穩(wěn)定性和安全性。

3.控制中心利用第一檢測(cè)端和第二檢測(cè)端，當(dāng)啟動(dòng)過(guò)充或者過(guò)放保護(hù)時(shí)，可以通過(guò)檢測(cè)第一檢測(cè)端和第二檢測(cè)端的電壓值來(lái)判斷是否已經(jīng)關(guān)斷充電或者放電MOS電路，進(jìn)一步提高電路的安全系數(shù)，穩(wěn)定性強(qiáng)。

4.采用MOS管在電池組負(fù)端，相對(duì)于MOS管在電池組正端控制，安全系數(shù)高，不會(huì)出現(xiàn)MOS管容易被擊穿的現(xiàn)象。

附圖說(shuō)明

圖1為本實(shí)施例中的BMS充放電控制保護(hù)電路框架圖；

圖2為本實(shí)施例中的充電MOS驅(qū)動(dòng)電路框架圖；

圖3為本實(shí)施例中的充電MOS驅(qū)動(dòng)電路原理圖；

圖4為本實(shí)施例中的放電MOS驅(qū)動(dòng)電路框架圖；

圖5為本實(shí)施例中的放電MOS驅(qū)動(dòng)電路原理圖。

具體實(shí)施方式

為了便于理解本發(fā)明，下面將參照相關(guān)附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更全面的描述。附圖中給出了本發(fā)明的較佳實(shí)施方式。但是，本發(fā)明可以以許多不同的形式來(lái)實(shí)現(xiàn)，并不限于本文所描述的實(shí)施方式。相反地，提供這些實(shí)施方式的目的是使對(duì)本發(fā)明的公開(kāi)內(nèi)容理解的更加透徹全面。

需要說(shuō)明的是，當(dāng)元件被稱為“固定于”另一個(gè)元件，它可以直接在另一個(gè)元件上或者也可以存在居中的元件。當(dāng)一個(gè)元件被認(rèn)為是“連接”另一個(gè)元件，它可以是直接連接到另一個(gè)元件或者可能同時(shí)存在居中元件。本文所使用的術(shù)語(yǔ)“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及類似的表述只是為了說(shuō)明的目的，并不表示是唯一的實(shí)施方式。

除非另有定義，本文所使用的所有的技術(shù)和科學(xué)術(shù)語(yǔ)與屬于本發(fā)明的技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員通常理解的含義相同。本文中在本發(fā)明的說(shuō)明書(shū)中所使用的術(shù)語(yǔ)只是為了描述具體的實(shí)施方式的目的，不是旨在于限制本發(fā)明。本文所使用的術(shù)語(yǔ)“及/或”包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)的所列項(xiàng)目的任意的和所有的組合。

如圖1所示為BMS充放電控制保護(hù)電路框架圖，請(qǐng)一并結(jié)合參照?qǐng)D2、圖3，包括：控制中心100、充電MOS驅(qū)動(dòng)電路200、放電MOS驅(qū)動(dòng)電路300、充電MOS電路400和放電MOS電路500，所述控制中心100的第一控制輸出端與所述充電MOS驅(qū)動(dòng)電路200的第一控制輸入端連接，第二控制輸出端與所述充電MOS驅(qū)動(dòng)電路200的第二控制輸入端連接，第三控制輸出端與所述放電MOS驅(qū)動(dòng)電路300的第一控制輸入端連接，第四控制輸出端與所述放電MOS驅(qū)動(dòng)電路300的第二控制輸入端；

所述充電MOS驅(qū)動(dòng)電路200的輸出端與所述充電MOS電路400連接；

所述放電MOS驅(qū)動(dòng)電路300的輸出端與所述放電MOS電路500連接；

所述充電電MOS電路400與放電MOS電路500依次串聯(lián)在電池組的總負(fù)端及充電器的負(fù)極端之間。

具體地，所述控制中心100的第一檢測(cè)端與所述充電MOS驅(qū)動(dòng)電路200連接，第二檢測(cè)端與所述放電MOS驅(qū)動(dòng)電路300連接；

具體地，所述控制中心100包括：MCU控制單元101和AFE模擬前端單元102，所述MCU控制單元101與所述AFE模擬前端單元102信號(hào)連接；

所述MCU控制單元101的兩個(gè)輸出端分別作為所述控制中心100的第一控制輸出端和第四控制輸出端；

所述AFE模擬前端單元102的兩個(gè)輸出端分別作為所述控制中心100的第二控制輸出端和第三控制輸出端。

需要說(shuō)明的是，電池組充電開(kāi)始時(shí)，MCU控制單元101控制第一控制輸出端(即圖1中的MCU_DSG)和第四控制輸出端(即圖1中的MCU_CHG)控制充電MOS驅(qū)動(dòng)電路200促使充電MOS電路400開(kāi)始工作，當(dāng)檢測(cè)到電池的電壓達(dá)到過(guò)充的報(bào)警值時(shí)，MCU控制單元101通過(guò)控制第一控制輸出端控制充電驅(qū)動(dòng)電路200關(guān)斷充電MOS電路，電池組停止充電。

還需要說(shuō)明的是，電池組放電開(kāi)始時(shí)，MCU控制單元101控制第一控制輸出端(即圖1中的MCU_DSG)和第四控制輸出端(即圖1中的MCU_CHG)控制放電MOS驅(qū)動(dòng)電路促使充電MOS電路400開(kāi)始工作，當(dāng)檢測(cè)到電池的電壓達(dá)到過(guò)放的報(bào)警值時(shí)，MCU控制單元101通過(guò)控制第四控制輸出端控制放電驅(qū)動(dòng)電路300關(guān)斷放電MOS電路，電池組停止放電。

還需要說(shuō)明的是，AFE模擬前端單元102也可以通過(guò)第二控制輸出端(即圖1的GPOH1)和第三控制輸出端(即圖1的GPOH2)控制充電MOS驅(qū)動(dòng)電路200和放電MOS驅(qū)動(dòng)電路300進(jìn)而控制充電MOS電路400和放電MOS電路500，在MCU控制單元101因特殊情況無(wú)法工作時(shí)，啟動(dòng)AFE模擬前端單元102控制，提高電路的安全性。

還需要說(shuō)明的是，通過(guò)檢測(cè)第一檢測(cè)端(即圖1的BACK_DHG)和第二檢測(cè)端(即圖1的BACK_CHG)這兩點(diǎn)的電壓值判斷是否已經(jīng)關(guān)斷充電MOS電路400和或者放電MOS電路500。

具體地，所述充電MOS驅(qū)動(dòng)電路200包括：充電開(kāi)關(guān)控制單元201、充電一級(jí)電流放大單元202和充電二級(jí)電流放大單元203，所述充電開(kāi)關(guān)控制單元201、所述充電一級(jí)電流放大單元202和所述充電二級(jí)電流放大單元203順序連接；

所述充電開(kāi)關(guān)控制單元201的輸入端分別與所述控制中心100的第一控制輸出端和第二控制輸出端連接，所述充電二級(jí)電流放大單元203的輸出端分別與所述控制中心100的第一檢測(cè)輸出端和充電MOS電路400連接。

進(jìn)一步地，所述充電開(kāi)關(guān)控制單元201包括：第一電阻R1、第二電阻R2、第三電阻R3和第一開(kāi)關(guān)管Q1，所述第一電阻R1的一端作為所述充電MOS驅(qū)動(dòng)電路200的第二控制輸入端與所述控制中心100的第二控制輸出端連接，另一端分別與所述第三電阻R3的一端和所述第一開(kāi)關(guān)管Q1的柵極連接；

所述第二電阻R2的一端作為所述充電MOS驅(qū)動(dòng)電路200的第一控制輸入端與所述控制中心100的第一控制輸出端連接，另一端與所述第一開(kāi)關(guān)管Q1的柵極連接；

所述第三電阻R3的另一端與參考地GND連接；

所述第一開(kāi)關(guān)管Q1的源極與參考地GND連接；

所述充電一級(jí)電流放大單元202包括：第四電阻R4、第五電阻R5和第二開(kāi)關(guān)管Q2，所述第五電阻的一端與所述第一開(kāi)關(guān)管Q1的漏極連接，另一端與所述第二開(kāi)關(guān)管Q2的基極連接；

所述第四電阻R4的一端與所述第二開(kāi)關(guān)管Q2的基極連接，另一端與所述第二開(kāi)關(guān)管Q2的發(fā)射極連接；

所述第二開(kāi)關(guān)管Q2的發(fā)射極與電源Vcc連接；

所述充電二級(jí)電流放大單元203包括：第六電阻R6、第七電阻R7、第三開(kāi)關(guān)管Q3和第四開(kāi)關(guān)管Q4，所述第七電阻R7的一端作為所述充電MOS驅(qū)動(dòng)電路200的輸出端分別與所述充電MOS電路和所述控制中心100的第一檢測(cè)端連接；

所述第四開(kāi)關(guān)管Q4的基極分別與所述第二開(kāi)關(guān)管Q2的集電極、所述第三開(kāi)關(guān)管Q3的基極和所述第六電阻R6的一端連接，集電極與所述電源Vcc連接，發(fā)射極與所述第七電阻R7的一端連接；

所述第七電阻R7的另一端與所述第三開(kāi)關(guān)管Q3的發(fā)射極連接；

所述第三開(kāi)關(guān)管Q3的集電極與所述電池組的總負(fù)端連接；

所述第六電阻R6的另一端與所述電池組的總負(fù)端連接。

需要說(shuō)明的是，請(qǐng)參照?qǐng)D2，當(dāng)?shù)谝豢刂戚敵龆藶楦唠娖綍r(shí)，第一開(kāi)關(guān)管Q1導(dǎo)通，漏極為低電平，第二開(kāi)關(guān)管Q2的基極電位被拉低，此時(shí)第二開(kāi)關(guān)管Q2導(dǎo)通，第二開(kāi)關(guān)管Q2的發(fā)射極被拉高，也就是第四開(kāi)關(guān)管Q4基極為高電平，第四開(kāi)關(guān)管Q4導(dǎo)通，這時(shí)，所述充電MOS驅(qū)動(dòng)電路200輸出高電平，控制充電MOS電路400工作，開(kāi)始充電；

當(dāng)?shù)谝豢刂戚敵龆藶榈碗娖綍r(shí)，第一開(kāi)關(guān)管Q1截止，此時(shí)第二開(kāi)關(guān)管Q2也截止，第三開(kāi)關(guān)管Q3的基極被第六電阻R6拉低，因?yàn)榈谌_(kāi)關(guān)管Q3為PNP管，此時(shí)第三開(kāi)關(guān)管Q3導(dǎo)通，這時(shí)，所述充電MOS驅(qū)動(dòng)電路200輸出低電平，控制充電MOS電路400停止工作，停止充電，達(dá)到快速關(guān)斷的目的，減小MOS管的開(kāi)關(guān)損耗。

具體地，所述放電MOS驅(qū)動(dòng)電路300包括：放電開(kāi)關(guān)控制單元301、放電一級(jí)電流放大單元302和放電二級(jí)電流放大單元303，所述放電開(kāi)關(guān)控制單元301、所述放電一級(jí)電流放大單元302和所述放電二級(jí)電流放大單元303順序連接；

所述放電開(kāi)關(guān)控制單元301的輸入端分別與所述控制中心100的第三控制輸出端和第四控制輸出端連接，所述放電二級(jí)電流放大單元303的輸出端分別與所述控制中心100的第一檢測(cè)輸出端和充電MOS電路300連接。

進(jìn)一步地，所述放電開(kāi)關(guān)控制單元301包括：第十電阻R10、第十一電阻R11、第十二電阻R12和第五開(kāi)關(guān)管Q5，所述第十電阻R10的一端作為所述放電MOS驅(qū)動(dòng)電路300的第四控制輸入端與所述控制中心100的第二控制輸出端連接，另一端分別與所述第十二電阻R12的一端和所述第五開(kāi)關(guān)管Q5連接；

所述第十一電阻R11的一端作為所述放電MOS驅(qū)動(dòng)電路300的第三控制輸入端與所述控制中心100的第三控制輸出端連接，另一端與所述第五開(kāi)關(guān)管Q5的源極連接；

所述第十二電阻R12的另一端分別與所述第五開(kāi)關(guān)管Q5和參考地GND連接；

所述放電一級(jí)電流放大單元302包括：第十三電阻R13、第十四電阻R14、第一二極管D1和第六開(kāi)關(guān)管Q6，所述第十三電阻R13的一端與所述第五開(kāi)關(guān)管Q5的漏極連接，另一端分別與所述第十四電阻R14和第六開(kāi)關(guān)管Q6的基極連接；

所述第六開(kāi)關(guān)管Q6的發(fā)射極分別與所述第十四電阻R14的一端和電源Vcc連接，集電極與所述第一二極管D1的陽(yáng)極連接；

所述放電二級(jí)電流放大單元(303)包括：第十五電阻R15、第十六電阻R16、第七開(kāi)關(guān)管Q7、第八開(kāi)關(guān)管Q8和第二二極管D2，所述第十五電阻R15的一端作為所述放電MOS驅(qū)動(dòng)電路(300)的輸出端分別與所述放電MOS電路、所述控制中心(100)的第二檢測(cè)端連接；

所述第二二極管D2的陽(yáng)極與電源Vcc連接，陰極與所述第七開(kāi)關(guān)管Q7集電極連接；

所述第七開(kāi)關(guān)管Q7的基極分別與所述第一二極管D1的陰極、所述第八開(kāi)關(guān)管Q8的基極和所述第十六電阻R16的一端連接，發(fā)射極與所述第十五電阻R15的一端連接；

所述第十六電阻R16的另一端與所述充電器負(fù)極連接；

所述第八開(kāi)關(guān)管Q8的發(fā)射極與所述第十五電阻R15的一端連接，集電極與所述充電器負(fù)極連接。

需要說(shuō)明的是，放電MOS驅(qū)動(dòng)電路300的工作原理和充電MOS驅(qū)動(dòng)電路200的工作原理相同，不在詳細(xì)對(duì)放電MOS驅(qū)動(dòng)電路300的工作原理敘述。

還需要說(shuō)明的是，第七開(kāi)關(guān)管Q7與第六開(kāi)關(guān)管Q6之間連接有第一二極管D1，目的是防止負(fù)載電流的倒灌，損壞第七開(kāi)關(guān)管Q7和第六開(kāi)關(guān)管Q6以及電源Vcc。

還需要說(shuō)明的是，充電MOS驅(qū)動(dòng)電路200還包括充電輸出保護(hù)單元204，充電輸出保護(hù)單元204由電阻、電容、穩(wěn)壓二極管組成，目的是為了穩(wěn)定充電MOS驅(qū)動(dòng)電路200的輸出，提高電路的穩(wěn)定性，同理，放電MOS驅(qū)動(dòng)電路300也包括放電輸出保護(hù)單元205，放電輸出保護(hù)單元205也由電阻、電容、穩(wěn)壓二極管組成，目的也是為了穩(wěn)定放電MOS驅(qū)動(dòng)電路300的輸出。

以上所述實(shí)施方式僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。