本發(fā)明涉及開(kāi)關(guān)電源領(lǐng)域,更具體地說(shuō),涉及一種單級(jí)高PF值低輸出紋波電壓的反激電路。
背景技術(shù):
在開(kāi)關(guān)電源的反激電路中,存在紋波電壓高、損耗大、體積大的問(wèn)題。例如,圖1是現(xiàn)有技術(shù)中一種反激電路,該電路使用大容量的電解電容,導(dǎo)致體積過(guò)大;另外,變壓器線圈產(chǎn)生的漏感主要由RCD電路損耗掉,不僅導(dǎo)致電路能量損耗,還引起器件發(fā)熱。
圖2是現(xiàn)有技術(shù)中另一種反激電路,該電路雖然不使用電解電容,但紋波電壓比較大,輸出電流質(zhì)量差。
上述電解電容體積過(guò)大、發(fā)熱等缺點(diǎn)不利于電子設(shè)備的小型化,同時(shí)功率因數(shù)也比較低。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題在于,針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的上述缺陷,提供一種單級(jí)高PF值低輸出紋波電壓的反激電路。
本發(fā)明解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是:構(gòu)造一種單級(jí)高PF值低輸出紋波電壓的反激電路,包括:第一二極管D1、第二二極管D2、第三二極管D3、第一開(kāi)關(guān)K1、第二開(kāi)關(guān)K2、電容C2、變壓器T1,其中,
所述第一二極管D1的正極連接第一輸入端,所述第一二極管D1的負(fù)極連接所述變壓器T1的初級(jí)線圈T11的A端;
所述第一二極管D1的負(fù)極通過(guò)所述第二開(kāi)關(guān)K2連接所述第三二極管D3的負(fù)極;
所述第一二極管D1的負(fù)極連接所述第二二極管D2的正極,所述第二二極管D2的負(fù)極連接所述第三二極管D3的負(fù)極;
所述第三二極管D3的負(fù)極通過(guò)所述電容C2連接第二輸入端,所述第三二極管D3的正極連接所述變壓器T1的初級(jí)線圈T11的B端;
所述變壓器T1的初級(jí)線圈T11的B端通過(guò)所述第一開(kāi)關(guān)K1連接所述第二輸入端,所述第一開(kāi)關(guān)K1接地;
通過(guò)控制所述第一開(kāi)關(guān)K1和所述第二開(kāi)關(guān)K2的通斷來(lái)調(diào)節(jié)所述變壓器T1的次級(jí)線圈T12的輸出。
進(jìn)一步,本發(fā)明所述的單級(jí)高PF值低輸出紋波電壓的反激電路,還包括整流電路和第一電容C1,
所述整流電路的輸入端接入AC輸入,所述第一輸入端和所述第二輸入端連接所述整流電路的輸出端,所述第一輸入端和所述第二輸入端之間連接所述第一電容C1。
優(yōu)選地,本發(fā)明所述的單級(jí)高PF值低輸出紋波電壓的反激電路,所述第一開(kāi)關(guān)K1為三極管、場(chǎng)效應(yīng)管、可控硅、絕緣柵雙極晶體管中的任意一種;
所述第二開(kāi)關(guān)K2為三極管、場(chǎng)效應(yīng)管、可控硅、絕緣柵雙極晶體管中的任意一種。
優(yōu)選地,本發(fā)明所述的單級(jí)高PF值低輸出紋波電壓的反激電路,所述電容C2為電解電容、瓷片電容、固體電容。
優(yōu)選地,本發(fā)明所述的單級(jí)高PF值低輸出紋波電壓的反激電路,所述電容C2包括至少一個(gè)電解電容,所述至少一個(gè)電解電容進(jìn)行串聯(lián)和/或并聯(lián)連接;或,所述電容C2包括至少一個(gè)瓷片電容,所述至少一個(gè)瓷片電容進(jìn)行串聯(lián)和/或并聯(lián)連接;或,所述電容C2包括至少一個(gè)固體電容,所述至少一個(gè)固體電容進(jìn)行串聯(lián)和/或并聯(lián)連接。
優(yōu)選地,本發(fā)明所述的單級(jí)高PF值低輸出紋波電壓的反激電路,還包括:電感L1或電阻R1,
所述第三二極管D3的負(fù)極通過(guò)所述電感L1或電阻R1分別連接所述第二開(kāi)關(guān)K2、所述第二二極管D2的負(fù)極、以及所述第二電容C2。
進(jìn)一步,本發(fā)明所述的單級(jí)高PF值低輸出紋波電壓的反激電路,還包括與所述第一開(kāi)關(guān)K1和所述第二開(kāi)關(guān)K2連接的開(kāi)關(guān)控制電路,
所述開(kāi)關(guān)控制電路通過(guò)檢測(cè)輸入電壓的波形控制所述第一開(kāi)關(guān)K1和所述第二開(kāi)關(guān)K2的通斷狀態(tài),調(diào)節(jié)所述變壓器T1的次級(jí)線圈T12的輸出。
優(yōu)選地,本發(fā)明所述的單級(jí)高PF值低輸出紋波電壓的反激電路,所述第一開(kāi)關(guān)K1閉合,所述第二開(kāi)關(guān)K2斷開(kāi),則所述第三二極管D3處于反偏狀態(tài),所述變壓器T1的初級(jí)線圈T11產(chǎn)生電流,將能量存儲(chǔ)在所述變壓器T1內(nèi)。
優(yōu)選地,本發(fā)明所述的單級(jí)高PF值低輸出紋波電壓的反激電路,所述第一開(kāi)關(guān)K1閉合,所述第二開(kāi)關(guān)K2閉合,則所述第二電容C2上的電壓大于輸入電壓,所述第一二極管D1反偏截止,所述第三二極管D3處于反偏狀態(tài);
所述變壓器T1的初級(jí)線圈T11產(chǎn)生的電流變大,所述變壓器T1繼續(xù)儲(chǔ)存能量,同時(shí),所述第二電容C2處于放電狀態(tài)。
優(yōu)選地,本發(fā)明所述的單級(jí)高PF值低輸出紋波電壓的反激電路,所述第一開(kāi)關(guān)K1斷開(kāi),所述第二開(kāi)關(guān)K2閉合,則所述第一二極管D1處于反偏狀態(tài),所述變壓器T1的初級(jí)線圈T11內(nèi)的電流保持恒定,所述第一開(kāi)關(guān)K1的電壓鉗位在所述第二電容C2的電壓值上。
優(yōu)選地,本發(fā)明所述的單級(jí)高PF值低輸出紋波電壓的反激電路,所述第一開(kāi)關(guān)K1斷開(kāi),所述第二開(kāi)關(guān)K2斷開(kāi),則所述第一二極管D1和所述第三二極管D3導(dǎo)通,所述第二二極管D2反偏截止,所述變壓器T1的初級(jí)線圈T11為所述第二電容C2充電。
實(shí)施本發(fā)明的一種單級(jí)高PF值低輸出紋波電壓的反激電路,具有以下有益效果:包括:第一二極管D1、第二二極管D2、第三二極管D3、第一開(kāi)關(guān)K1、第二開(kāi)關(guān)K2、電容C2、變壓器T1,其中,所述第一二極管D1的正極連接第一輸入端,所述第一二極管D1的負(fù)極連接所述變壓器T1的初級(jí)線圈T11的A端;所述第一二極管D1的負(fù)極通過(guò)所述第二開(kāi)關(guān)K2連接所述第三二極管D3的負(fù)極;所述第一二極管D1的負(fù)極連接所述第二二極管D2的正極,所述第二二極管D2的負(fù)極連接所述第三二極管D3的負(fù)極;所述第三二極管D3的負(fù)極通過(guò)所述電容C2連接第二輸入端,所述第三二極管D3的正極連接所述變壓器T1的初級(jí)線圈T11的B端;所述變壓器T1的初級(jí)線圈T11的B端通過(guò)所述第一開(kāi)關(guān)K1連接所述第二輸入端,所述第一開(kāi)關(guān)K1接地;通過(guò)控制所述第一開(kāi)關(guān)K1和所述第二開(kāi)關(guān)K2的通斷來(lái)調(diào)節(jié)所述變壓器T1的次級(jí)線圈T12的輸出。本電路可實(shí)現(xiàn)高功率因數(shù),同時(shí)降低紋波電壓;因所需電容較小,可有效減小器件體積,減少發(fā)熱。
附圖說(shuō)明
下面將結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明,附圖中:
圖1是一種大容量電解電容的反激電路的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2是一種Hi-PH反激電路的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖3是本發(fā)明一種單級(jí)高PF值低輸出紋波電壓的反激電路的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖4是本發(fā)明一種單級(jí)高PF值低輸出紋波電壓的反激電路的優(yōu)選實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖5是本發(fā)明一種單級(jí)高PF值低輸出紋波電壓的反激電路的優(yōu)選實(shí)施例的輸出波形示意圖;
圖6是本發(fā)明一種單級(jí)高PF值低輸出紋波電壓的反激電路的優(yōu)選實(shí)施例的第一工作狀態(tài)的等效電路圖;
圖7是本發(fā)明一種單級(jí)高PF值低輸出紋波電壓的反激電路的優(yōu)選實(shí)施例的第二工作狀態(tài)的等效電路圖;
圖8是本發(fā)明一種單級(jí)高PF值低輸出紋波電壓的反激電路的優(yōu)選實(shí)施例的第三工作狀態(tài)的等效電路圖;
圖9是本發(fā)明一種單級(jí)高PF值低輸出紋波電壓的反激電路的優(yōu)選實(shí)施例的第四工作狀態(tài)的等效電路圖。
具體實(shí)施方式
為了對(duì)本發(fā)明的技術(shù)特征、目的和效果有更加清楚的理解,現(xiàn)對(duì)照附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的具體實(shí)施方式。
如圖3所示,圖3是本發(fā)明一種單級(jí)高PF值低輸出紋波電壓的反激電路的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體的,本發(fā)明構(gòu)造一種單級(jí)高PF值低輸出紋波電壓的反激電路,包括:第一二極管D1、第二二極管D2、第三二極管D3、第一開(kāi)關(guān)K1、第二開(kāi)關(guān)K2、電容C2、變壓器T1,其中,
第一二極管D1的正極連接第一輸入端,第一二極管D1的負(fù)極連接變壓器T1的初級(jí)線圈T11的A端;
第一二極管D1的負(fù)極通過(guò)第二開(kāi)關(guān)K2連接第三二極管D3的負(fù)極;
第一二極管D1的負(fù)極連接第二二極管D2的正極,第二二極管D2的負(fù)極連接第三二極管D3的負(fù)極;
第三二極管D3的負(fù)極通過(guò)電容C2連接第二輸入端,第三二極管D3的正極連接變壓器T1的初級(jí)線圈T11的B端;
變壓器T1的初級(jí)線圈T11的B端通過(guò)第一開(kāi)關(guān)K1連接第二輸入端,第一開(kāi)關(guān)K1接地;
通過(guò)控制第一開(kāi)關(guān)K1和第二開(kāi)關(guān)K2的通斷來(lái)調(diào)節(jié)變壓器T1的次級(jí)線圈T12的輸出。
進(jìn)一步,還包括整流電路和第一電容C1,整流電路的輸入端接入AC輸入,第一輸入端和第二輸入端連接整流電路的輸出端,第一輸入端和第二輸入端之間連接第一電容C1。
優(yōu)選地,還包括:電感L1或電阻R1,第三二極管D3的負(fù)極通過(guò)電感L1或電阻R1分別連接第二開(kāi)關(guān)K2、第二二極管D2的負(fù)極、以及第二電容C2。
進(jìn)一步,還包括與第一開(kāi)關(guān)K1和第二開(kāi)關(guān)K2連接的開(kāi)關(guān)控制電路,開(kāi)關(guān)控制電路通過(guò)檢測(cè)輸入電壓的波形控制第一開(kāi)關(guān)K1和第二開(kāi)關(guān)K2的通斷狀態(tài),調(diào)節(jié)變壓器T1的次級(jí)線圈T12的輸出。可以理解,本發(fā)明中并不對(duì)控制電路的具體實(shí)現(xiàn)方式做限定,只要能控制第一開(kāi)關(guān)K1和第二開(kāi)關(guān)K2通斷的電路或控制器都可以。
優(yōu)選地,本發(fā)明的單級(jí)高PF值低輸出紋波電壓的反激電路,第一開(kāi)關(guān)K1閉合,第二開(kāi)關(guān)K2斷開(kāi),則第三二極管D3處于反偏狀態(tài),變壓器T1的初級(jí)線圈T11產(chǎn)生電流,將能量存儲(chǔ)在變壓器T1內(nèi)。
優(yōu)選地,本發(fā)明的單級(jí)高PF值低輸出紋波電壓的反激電路,第一開(kāi)關(guān)K1閉合,第二開(kāi)關(guān)K2閉合,則第二電容C2上的電壓大于輸入電壓,第一二極管D1反偏截止,第三二極管D3處于反偏狀態(tài);
變壓器T1的初級(jí)線圈T11產(chǎn)生的電流變大,變壓器T1繼續(xù)儲(chǔ)存能量,同時(shí),第二電容C2處于放電狀態(tài)。
優(yōu)選地,本發(fā)明的單級(jí)高PF值低輸出紋波電壓的反激電路,第一開(kāi)關(guān)K1斷開(kāi),第二開(kāi)關(guān)K2閉合,則第一二極管D1處于反偏狀態(tài),變壓器T1的初級(jí)線圈T11內(nèi)的電流保持恒定,第一開(kāi)關(guān)K1的電壓鉗位在第二電容C2的電壓值上。
優(yōu)選地,本發(fā)明的單級(jí)高PF值低輸出紋波電壓的反激電路,第一開(kāi)關(guān)K1斷開(kāi),第二開(kāi)關(guān)K2斷開(kāi),則第一二極管D1和第三二極管D3導(dǎo)通,第二二極管D2反偏截止,變壓器T1的初級(jí)線圈T11為第二電容C2充電。
優(yōu)選地,第一開(kāi)關(guān)K1包括但不限于:三極管、場(chǎng)效應(yīng)管、可控硅、絕緣柵雙極晶體管等,只要能控制電路通斷即可;
優(yōu)選地,第二開(kāi)關(guān)K2包括但不限于:三極管、場(chǎng)效應(yīng)管、可控硅、絕緣柵雙極晶體管等,只要能控制電路通斷即可。
優(yōu)選地,電容C2包括但不限于:電解電容、瓷片電容、固體電容等。
優(yōu)選地,本發(fā)明的單級(jí)高PF值低輸出紋波電壓的反激電路,電容C2包括至少一個(gè)電解電容,至少一個(gè)電解電容進(jìn)行串聯(lián)和/或并聯(lián)連接;或,電容C2包括至少一個(gè)瓷片電容,至少一個(gè)瓷片電容進(jìn)行串聯(lián)和/或并聯(lián)連接;或,電容C2包括至少一個(gè)固體電容,至少一個(gè)固體電容進(jìn)行串聯(lián)和/或并聯(lián)連接。
如圖4所示,圖4是本發(fā)明一種單級(jí)高PF值低輸出紋波電壓的反激電路的優(yōu)選實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
在本實(shí)施例中,變壓器T1的次級(jí)線圈T12的C端連接二極管D4的正極,二極管D4的負(fù)極通過(guò)電容C3連接變壓器T1的次級(jí)線圈T12的D端,本實(shí)施例中設(shè)置的負(fù)載只是用來(lái)說(shuō)明本發(fā)明的完整性和工作過(guò)程,并不對(duì)負(fù)載形式做限定,本技術(shù)領(lǐng)域人員可根據(jù)具體需要設(shè)置負(fù)載。
在此電路中,AC輸入(交流輸入)經(jīng)過(guò)整流電路整流后波形如圖5所示,圖5是本發(fā)明一種單級(jí)高PF值低輸出紋波電壓的反激電路的優(yōu)選實(shí)施例的輸出波形示意圖。圖5中,B1為AC交流電壓在第一電容C1的波形,B2為AC交流電壓在第一電容C2的波形。從圖5中可以看出:
在T0時(shí)刻,第一電容C1和第二電容C2的電壓的某個(gè)平衡點(diǎn)作為起始點(diǎn)。
在T0-T1時(shí)刻,當(dāng)AC輸入電壓繼續(xù)上升時(shí),第一電容C1上的電壓跟隨整流后的波形上升,第二電容C2上的電壓根據(jù)第一開(kāi)關(guān)K1、第二開(kāi)關(guān)K2、第三二極管D3的工作結(jié)果,電壓上升的結(jié)果是:Vin(t)+VR+VE,其中,
Vin(t)是指輸入電壓的瞬時(shí)值;
VR是變壓器T1的初級(jí)線圈T11反射的結(jié)果,通常VR=nVo,Vo為次級(jí)線圈T12輸出電壓,n為線圈比值,n=Np/Ns,Np初級(jí)線圈圈數(shù),Ns為次級(jí)線圈圈數(shù);
VE是變壓器T1的初級(jí)線圈T11能量和漏感產(chǎn)生的能量,變壓器開(kāi)/關(guān)時(shí)的漏感能量都會(huì)存儲(chǔ)在第二電容C2中,然后通過(guò)第一開(kāi)關(guān)K1和第二開(kāi)關(guān)K2的聯(lián)合導(dǎo)通,把漏感產(chǎn)生的能量傳遞到次級(jí)線圈T12。
在T1時(shí)刻,輸入電壓達(dá)到峰值;
在T1-T2時(shí)刻,輸入電壓開(kāi)始下降。因?yàn)檩斎腚妷鹤銐蚋?,第二開(kāi)關(guān)K2的導(dǎo)通時(shí)間可以足夠小,或不導(dǎo)通,同時(shí)變壓器T1開(kāi)/關(guān)時(shí),漏感能量能繼續(xù)存儲(chǔ)在第二電容C2中,第二電容C2的電壓可維持或進(jìn)一步緩慢上升。
在T2時(shí)刻,當(dāng)輸入電壓通過(guò)變壓器T1傳遞到次級(jí)線圈T12的能量開(kāi)始不足,反饋控制回路中的綜合結(jié)果,第二電容C2的放電時(shí)間增長(zhǎng),電壓開(kāi)始顯著下降,同時(shí)維持次級(jí)線圈T12電壓不變。
在T2-T3時(shí)刻,輸入電壓完成過(guò)零的交越過(guò)程,并開(kāi)始上升,第二電容C2通過(guò)第一開(kāi)關(guān)K1和第二開(kāi)關(guān)K2持續(xù)放電,并通過(guò)變壓器T1把能量傳遞到次級(jí)線圈T12。
通過(guò)電容C2的放電,補(bǔ)償當(dāng)輸入電壓過(guò)低時(shí)傳遞能量不夠次級(jí)線圈T12的輸出能量,從而導(dǎo)致次級(jí)線圈T12的兩倍輸入電壓頻率的紋波。
圖6-9為第一開(kāi)關(guān)K1和第二開(kāi)關(guān)K2不同狀態(tài)下電路的工作過(guò)程,根據(jù)第一開(kāi)關(guān)K1和第二開(kāi)關(guān)K2的閉合或斷開(kāi),將工作過(guò)程分為四種狀態(tài):第一工作狀態(tài)、第二工作狀態(tài)、第三工作狀態(tài)、第四工作狀態(tài),以下分別進(jìn)行說(shuō)明。
圖6是本發(fā)明一種單級(jí)高PF值低輸出紋波電壓的反激電路的優(yōu)選實(shí)施例的第一工作狀態(tài)的等效電路圖。
具體的,第一開(kāi)關(guān)K1閉合,第二開(kāi)關(guān)K2斷開(kāi),則第三二極管D3處于反偏狀態(tài),第四二極管D4因電壓器T1相位的反向,也是反偏。第一開(kāi)關(guān)K1導(dǎo)通,變壓器T1的初級(jí)線圈T11有電流經(jīng)過(guò),從AC輸入端(交流輸入端)導(dǎo)入能量,將能量存儲(chǔ)在變壓器T1內(nèi)。
圖7是本發(fā)明一種單級(jí)高PF值低輸出紋波電壓的反激電路的優(yōu)選實(shí)施例的第二工作狀態(tài)的等效電路圖。
具體的,第一開(kāi)關(guān)K1閉合,第二開(kāi)關(guān)K2閉合,則第二電容C2上的電壓大于輸入電壓,當(dāng)?shù)诙_(kāi)關(guān)K2導(dǎo)通時(shí),第一二極管D1反偏截止,第三二極管D3和第一二極管D4處于反偏狀態(tài);
變壓器T1的初級(jí)線圈T11產(chǎn)生的電流變大,變壓器T1繼續(xù)儲(chǔ)存能量,同時(shí),第二電容C2處于放電狀態(tài)。
圖8是本發(fā)明一種單級(jí)高PF值低輸出紋波電壓的反激電路的優(yōu)選實(shí)施例的第三工作狀態(tài)的等效電路圖。
具體的,第一開(kāi)關(guān)K1斷開(kāi),第二開(kāi)關(guān)K2閉合,則第一二極管D1和第四二極管D4處于反偏狀態(tài),變壓器T1的初級(jí)線圈T11內(nèi)的電流的大小和方向都不發(fā)生改變,及保持恒定。第一開(kāi)關(guān)K1的電壓鉗位在第二電容C2的電壓值上。
圖9是本發(fā)明一種單級(jí)高PF值低輸出紋波電壓的反激電路的優(yōu)選實(shí)施例的第四工作狀態(tài)的等效電路圖。
具體的,第一開(kāi)關(guān)K1斷開(kāi),第二開(kāi)關(guān)K2斷開(kāi),則第一二極管D1、第三二極管D3和第四二極管D4導(dǎo)通,第二二極管D2反偏截止,變壓器T1的初級(jí)線圈T11為第二電容C2充電,變壓器T1的次級(jí)線圈T12為第三電容C3充電,把能量從初級(jí)線圈T11傳遞至次級(jí)線圈T12。
本電路可實(shí)現(xiàn)高功率因數(shù),同時(shí)降低紋波電壓;因所需電容較小,可有效減小器件體積,減少發(fā)熱。
以上實(shí)施例只為說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思及特點(diǎn),其目的在于讓熟悉此項(xiàng)技術(shù)的人士能夠了解本發(fā)明的內(nèi)容并據(jù)此實(shí)施,并不能限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。凡跟本發(fā)明權(quán)利要求范圍所做的均等變化與修飾,均應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的涵蓋范圍。