本發(fā)明涉及電源變換
技術(shù)領(lǐng)域：
，特別是涉及一種DC-DC開關(guān)電源模塊及DC-DC開關(guān)電源模塊共形封裝方法。
背景技術(shù)：
：現(xiàn)有技術(shù)中的電源變換模塊的封裝基本遵循如下設(shè)計(jì)思路：在基板上，例如FR4/PTFE，裝配電阻、電容、半導(dǎo)體、磁性器件作為一個(gè)組件，裝入一個(gè)塑料或金屬的殼內(nèi)。在殼內(nèi)空隙部分填充導(dǎo)熱絕緣材料帶走局部過熱點(diǎn)熱量，在殼的一側(cè)安裝金屬熱沉。這種封裝方式的模塊其高度構(gòu)成主要包括：磁性器件高度、硅膠填充料/散熱冷板、外殼厚度、引出腳等四部分。這種封裝方式的模塊高度，一般在12mm左右，難以大幅度降低。因而不能滿足有苛刻高度要求的場(chǎng)合，應(yīng)用受到制約。因此，希望有一種技術(shù)方案來克服或至少減輕現(xiàn)有技術(shù)的至少一個(gè)上述缺陷。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明的目的在于提供一種DC-DC開關(guān)電源模塊來克服或至少減輕現(xiàn)有技術(shù)的中的至少一個(gè)上述缺陷。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種DC-DC開關(guān)電源模塊，所述DC-DC開關(guān)電源模塊包括：磁性器件，所述磁性器件的磁芯包括磁芯腔以及設(shè)置在磁芯腔內(nèi)的磁柱，所述磁柱上纏繞有線圈PCB板，所述PCB板設(shè)置在所述磁芯腔內(nèi)，所述線圈與所述PCB板上的電路連接；導(dǎo)熱材料，所述導(dǎo)熱材料填充在所述PCB板與所述磁芯腔之間；其中，在所述DC-DC開關(guān)電源模塊使用狀態(tài)，所述導(dǎo)熱材料將PCB板的熱量傳導(dǎo)至磁芯腔，所述磁芯腔用于散熱。本申請(qǐng)還提供了一種DC-DC開關(guān)電源模塊共形封裝方法，所述DC-DC開關(guān)電源模塊共形封裝方法包括如下步驟：步驟1：制作帶有預(yù)設(shè)電路的PCB板；步驟2：制作磁性器件，所述磁性器件的磁芯包括磁芯腔以及設(shè)置在磁芯腔內(nèi)的磁柱，所述磁柱上纏繞有線圈；步驟3：將帶有預(yù)設(shè)電路的PCB板安裝在所述磁性器件的磁芯腔內(nèi)，所述預(yù)設(shè)電路的PCB板上的電路與所述線圈連接；步驟4：在所述PCB板與所述磁芯腔之間填充導(dǎo)熱絕緣材料。優(yōu)選地，所述步驟2具體為：步驟21：設(shè)計(jì)鐵氧體共形磁芯；步驟22：在磁芯的底端上設(shè)計(jì)PIN。優(yōu)選地，所述步驟22具體為：通過打孔、通孔填充、鍍金完成PIN設(shè)計(jì)。優(yōu)選地，所述磁芯腔采用鐵氧體制作。優(yōu)選地，所述步驟2進(jìn)一步包括在磁芯腔內(nèi)進(jìn)行電氣絕緣處理。優(yōu)選地，所述電氣絕緣處理具體為：在磁芯腔上濺射一層介質(zhì)作為襯底，在所述襯底上蒸發(fā)一層Au。優(yōu)選地，所述介質(zhì)為SiO2。優(yōu)選地，所述步驟1具體為：在所述PCB板上裝配有電阻、電容以及半導(dǎo)體器件。采用本申請(qǐng)的DC-DC開關(guān)電源模塊以磁性器件的磁芯腔高度為整個(gè)DC-DC開關(guān)電源模塊，且把磁芯腔作為散熱裝置進(jìn)行散熱，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，能夠大幅度減少整個(gè)DC-DC開關(guān)電源模塊的高度，從而適用對(duì)高度有嚴(yán)格要求的場(chǎng)合。附圖說明圖1是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的DC-DC開關(guān)電源模塊的結(jié)構(gòu)示意圖。附圖標(biāo)記1磁芯腔4導(dǎo)熱材料2線圈3PCB板具體實(shí)施方式為使本發(fā)明實(shí)施的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行更加詳細(xì)的描述。在附圖中，自始至終相同或類似的標(biāo)號(hào)表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。下面通過參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的，旨在用于解釋本發(fā)明，而不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說明。在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，術(shù)語(yǔ)“中心”、“縱向”、“橫向”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”“內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡(jiǎn)化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本發(fā)明保護(hù)范圍的限制。圖1是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的DC-DC開關(guān)電源模塊的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示的DC-DC開關(guān)電源模塊包括磁性器件、PCB板3以及導(dǎo)熱材料4，磁性器件的磁芯包括磁芯腔1以及設(shè)置在磁芯腔1內(nèi)的磁柱，磁柱上纏繞有線圈2；PCB板3設(shè)置在磁芯腔1內(nèi)，線圈2與PCB板3上的電路連接；導(dǎo)熱材料4填充在PCB板3與磁芯腔1之間；其中，在DC-DC開關(guān)電源模塊使用狀態(tài)，導(dǎo)熱材料4將PCB板3的熱量傳導(dǎo)至磁芯腔1，磁芯腔1用于散熱。采用本申請(qǐng)的DC-DC開關(guān)電源模塊以磁性器件的磁芯腔高度為整個(gè)DC-DC開關(guān)電源模塊，且把磁芯腔作為散熱裝置進(jìn)行散熱，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，能夠大幅度減少整個(gè)DC-DC開關(guān)電源模塊的高度，從而適用對(duì)高度有嚴(yán)格要求的場(chǎng)合。本申請(qǐng)還提供了一種DC-DC開關(guān)電源模塊共形封裝方法，所述DC-DC開關(guān)電源模塊共形封裝方法包括如下步驟：步驟1：制作帶有預(yù)設(shè)電路的PCB板；步驟2：制作磁性器件，磁性器件的磁芯包括磁芯腔以及設(shè)置在磁芯腔內(nèi)的磁柱，磁柱上纏繞有線圈；步驟3：將帶有預(yù)設(shè)電路的PCB板安裝在磁性器件的磁芯腔內(nèi)，預(yù)設(shè)電路的PCB板上的電路與線圈連接；步驟4：在PCB板與磁芯腔之間填充導(dǎo)熱絕緣材料。以本申請(qǐng)的DC-DC開關(guān)電源模塊共形封裝方法制作的DC-DC開關(guān)電源模塊具有相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，能夠大幅度減少整個(gè)DC-DC開關(guān)電源模塊的高度，從而適用對(duì)高度有嚴(yán)格要求的場(chǎng)合。在本實(shí)施例中，步驟2具體為：步驟21：設(shè)計(jì)鐵氧體共形磁芯；步驟22：在磁芯的底端上設(shè)計(jì)PIN。在本實(shí)施例中，所述步驟22具體為：通過打孔、通孔填充、鍍金完成PIN設(shè)計(jì)。在本實(shí)施例中，所述磁芯腔采用鐵氧體制作。鐵氧體具有優(yōu)良的導(dǎo)熱性能，導(dǎo)熱系數(shù)一般＞100W/m.k，熱傳導(dǎo)效果佳。因此，以磁芯腔能夠?qū)崿F(xiàn)良好的導(dǎo)熱性。在本實(shí)施例中，步驟2進(jìn)一步包括在磁芯腔內(nèi)進(jìn)行電氣絕緣處理。具體地，所述電氣絕緣處理具體為：在磁芯腔上濺射一層介質(zhì)作為襯底，在所述襯底上蒸發(fā)一層Au。有利的是，所述介質(zhì)為SiO2。在本實(shí)施例中，所述步驟1具體為：在所述PCB板上裝配有電阻、電容以及半導(dǎo)體器件。最后需要指出的是：以上實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制。盡管參照前述實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解：其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的精神和范圍。當(dāng)前第1頁(yè)1 2 3