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一種模擬電源域ESD保護電路的制作方法

文檔序號:12484988閱讀:來源:國知局
技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及微電子學(xué)中的集成電路(IC:Integrated?Circuit)靜電放電(ESD:Electro?Static?Discharge)保護設(shè)計技術(shù)領(lǐng)域,公開了一種模擬電源域ESD保護電路,應(yīng)用于多電源域數(shù)模混合芯片的ESD電路設(shè)計,尤其適用于模擬電源域的ESD電路設(shè)計,通過跨電源域觸發(fā)技術(shù),即實現(xiàn)了對模擬電源域內(nèi)核電路的ESD保護,也滿足芯片的低功耗、抗噪聲的要求,同時解決芯片正常工作時ESD放電電路誤觸發(fā)的問題。

技術(shù)研發(fā)人員:李志國;孫磊
受保護的技術(shù)使用者:北京中電華大電子設(shè)計有限責(zé)任公司
文檔號碼:201611085776
技術(shù)研發(fā)日:2016.11.30
技術(shù)公布日:2017.05.31

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