本發(fā)明涉及充電技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種電池充電過(guò)程中電壓降補(bǔ)償?shù)姆椒把b置。

背景技術(shù)：

在將電池連接到充電器的電路中，由于充電芯片距離電池電芯有一定的距離，這段距離的線路具有一定的電阻，導(dǎo)致充電芯片的輸出電壓與電池電芯的輸入電壓之間存在電壓降?，F(xiàn)有的一種電壓降補(bǔ)償方法是估算一個(gè)固定值的電阻進(jìn)行補(bǔ)償。這種補(bǔ)償方式對(duì)電壓降的補(bǔ)償并不精確，可能會(huì)補(bǔ)償過(guò)多或過(guò)少。若補(bǔ)償過(guò)少，會(huì)導(dǎo)致充電時(shí)間過(guò)長(zhǎng)；如果補(bǔ)償過(guò)多，會(huì)導(dǎo)致電池過(guò)充，影響電池壽命。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

鑒于以上內(nèi)容，有必要提出一種電壓降補(bǔ)償?shù)姆椒?，可以?duì)電池與充電芯片之間線路的電壓降進(jìn)行更精確的補(bǔ)償，并且可以加快電池達(dá)到額定電壓的速度。

本申請(qǐng)的第一方面提供一種電壓降補(bǔ)償?shù)姆椒ǎ龇椒òǎ?/p>

獲取預(yù)設(shè)的電阻值R，所述預(yù)設(shè)的電阻值為充電芯片與電池之間的電路阻值；

獲取所述充電芯片的輸出電壓V和輸出電流I；

在對(duì)所述電池進(jìn)行恒流充電時(shí)，將所述充電芯片的輸出電壓調(diào)整至V+I*R1，其中所述R1小于所述R；

增大所述R1，直到所述電池的輸入電壓等于所述電池的額定電壓。

另一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述R1等于R/2。

另一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述增大所述R1，直到所述電池的輸入電壓等于所述電池的額定電壓，包括：

每隔預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)將所述R1增加R2，直到所述電池的輸入電壓等于所述電池的額定電壓。

另一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述R2等于(R-R1)/2。

另一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述預(yù)設(shè)的電阻值R等于100歐姆。

本申請(qǐng)的第二方面提供一種電壓降補(bǔ)償?shù)难b置，所述裝置包括：

獲取單元，用于獲取預(yù)設(shè)的電阻值R，所述預(yù)設(shè)的電阻值為充電芯片與電池之間的電路阻值；

所述獲取單元，還用于獲取所述充電芯片的輸出電壓V和輸出電流I；

電壓調(diào)整單元，用于在對(duì)所述電池進(jìn)行恒流充電時(shí)，將所述充電芯片的輸出電壓調(diào)整至V+I*R1，其中所述R1小于所述R；

調(diào)整單元，用于增大所述R1，直到所述電池的輸入電壓等于所述電池的額定電壓。

另一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述R1等于R/2。

另一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述調(diào)整單元具體用于：

每隔預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)將所述R1增加R2，直到所述電池的輸入電壓等于所述電池的額定電壓。

另一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述R2等于(R-R1)/2。

另一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述預(yù)設(shè)的電阻值R等于100歐姆。

本發(fā)明獲取預(yù)設(shè)的電阻值R，所述預(yù)設(shè)的電阻值為充電芯片與電池之間的電路阻值的預(yù)估值；獲取所述充電芯片的輸出電壓V和輸出電流I；在對(duì)所述電池進(jìn)行恒流充電時(shí)，將所述充電芯片的輸出電壓調(diào)整至V+I*R1，其中所述R1小于所述R；增大所述R1，直到所述電池的輸入電壓等于所述電池的額定電壓。本發(fā)明可以對(duì)電池與充電芯片之間線路的電壓降進(jìn)行更精確的補(bǔ)償，并且由于逐漸增大R1，也即對(duì)補(bǔ)償電壓進(jìn)行逐漸增大，因而加快了電池達(dá)到額定電壓的速度。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發(fā)明實(shí)施例一提供的電壓降補(bǔ)償?shù)姆椒ǖ牧鞒淌疽鈭D。

圖2是本發(fā)明實(shí)施例二提供的電壓降補(bǔ)償?shù)难b置的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3是本發(fā)明實(shí)施例三提供的實(shí)現(xiàn)電壓降補(bǔ)償?shù)姆椒ǖ碾娮釉O(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖。

主要元件符號(hào)說(shuō)明

電子設(shè)備 1

電壓降補(bǔ)償?shù)难b置 10

存儲(chǔ)設(shè)備 20

處理設(shè)備 30

獲取單元 201

電壓調(diào)整單元 202

調(diào)整單元 203

如下具體實(shí)施方式將結(jié)合上述附圖進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明。

具體實(shí)施方式

為了能夠更清楚地理解本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)，下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述。需要說(shuō)明的是，在不沖突的情況下，本申請(qǐng)的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。

在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

除非另有定義，本文所使用的所有的技術(shù)和科學(xué)術(shù)語(yǔ)與屬于本發(fā)明的技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員通常理解的含義相同。本文中在本發(fā)明的說(shuō)明書(shū)中所使用的術(shù)語(yǔ)只是為了描述具體的實(shí)施例的目的，不是旨在于限制本發(fā)明。

優(yōu)選地，本發(fā)明的電壓降補(bǔ)償?shù)姆椒ㄓ梢粋€(gè)或者多個(gè)電子設(shè)備執(zhí)行。所述電子設(shè)備是一種能夠按照事先設(shè)定或存儲(chǔ)的指令，自動(dòng)進(jìn)行數(shù)值計(jì)算和/或信息處理的設(shè)備，其硬件包括但不限于微處理器、專用集成電路(Application Specific Integrated Circuit，ASIC)、可編程門陣列(Field－Programmable Gate Array，F(xiàn)PGA)、數(shù)字處理器(Digital Signal Processor，DSP)、嵌入式設(shè)備等。

所述電子設(shè)備可以是，但不限于任何一種可與用戶通過(guò)鍵盤、鼠標(biāo)、遙控器、觸摸板或聲控設(shè)備等方式進(jìn)行人機(jī)交互的電子產(chǎn)品，例如，個(gè)人計(jì)算機(jī)、平板電腦、智能手機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理(Personal Digital Assistant，PDA)、游戲機(jī)、交互式網(wǎng)絡(luò)電視(Internet Protocol Television，IPTV)、智能式穿戴式設(shè)備等。

實(shí)施例一

圖1為本發(fā)明實(shí)施例一提供的電壓降補(bǔ)償?shù)姆椒ǖ牧鞒淌疽鈭D。如圖1所示，該方法具體包括以下步驟：

101：獲取預(yù)設(shè)的電阻值R，所述預(yù)設(shè)的電阻值為充電芯片與電池之間的電路阻值。

在本實(shí)施例中，所述電池可以為鋰電池。

在其他的實(shí)施例中，所述電池可以為其他類型的電池，例如鎳氫電池。

所述充電芯片用于對(duì)所述電池的充電過(guò)程進(jìn)行管理。所述充電芯片與電池可以集成在電子設(shè)備(例如移動(dòng)終端)中，所述電池為所述電子設(shè)備供電?；蛘?，所述充電芯片可以包括在充電裝置中，所述充電裝置與所述電池相互獨(dú)立。

可以在所述電池充電之前測(cè)量所述充電芯片與電池之間的電阻，獲得所述預(yù)設(shè)的電阻值R。或者，可以在所述電池充電時(shí)測(cè)量所述充電芯片與電池之間的電壓與電流，根據(jù)歐姆定律計(jì)算所述預(yù)設(shè)的電阻值R。

102：獲取所述充電芯片的輸出電壓V和輸出電流I。

可以利用檢測(cè)設(shè)備測(cè)量所述充電芯片的輸出電壓V和輸出電流I。例如，利用萬(wàn)用表測(cè)量所述充電芯片的輸出電壓V和輸出電流I?；蛘撸梢詾樗龀潆娦酒O(shè)計(jì)電壓與電流檢測(cè)電路，利用所述電壓與電流檢測(cè)電路檢測(cè)所述充電芯片的輸出電壓V和輸出電流I。

103：在對(duì)所述電池進(jìn)行恒流充電時(shí)，將所述充電芯片的輸出電壓調(diào)整至V+I*R1，其中，所述R1小于所述R。

在本實(shí)施例中，所述R1可以等于R/2，即將所述充電芯片的輸出電壓調(diào)整至V+I*R/2。

在其他的實(shí)施例中，所述R1可以為其他數(shù)值。例如，所述R1可以等于R/3，即將所述充電芯片的輸出電壓調(diào)整至V+I*R/3。

104：增大所述R1，直到所述電池的輸入電壓等于所述電池的額定電壓。

可以將所述R1增加R2，在本實(shí)施例中，所述R2可以等于(R-R1)/2。即所述R1增大至(R+R1)/2。

在其他的實(shí)施例中，所述R2可以等于其他數(shù)值，例如等于(R-R1)/3。

可以每隔預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)增大所述R1。例如，每隔5分鐘增大所述R1。

需要說(shuō)明的是，當(dāng)對(duì)充電芯片的輸出電壓調(diào)整至V+I*R1時(shí)，若電池的輸入電壓還未達(dá)到額定電壓，則可以逐漸增大R1值，也即逐漸增大補(bǔ)償電壓。

在本發(fā)明實(shí)施例中，預(yù)設(shè)的電阻值R可以等于100歐姆。具體的，我們可以R/2為基礎(chǔ)進(jìn)行電壓補(bǔ)償，也即為充電IC補(bǔ)償50*I的電壓，此時(shí)充電IC的輸出電壓變?yōu)閂+50*I；充電預(yù)設(shè)時(shí)間后若電池的輸入電壓還未達(dá)到額定電壓，則再對(duì)充電IC進(jìn)行電壓補(bǔ)償，此時(shí)可以以3R/4為基礎(chǔ)進(jìn)行電壓補(bǔ)償，也即為充電IC補(bǔ)償75*I的電壓，此時(shí)充電IC的輸出電壓變?yōu)閂+75*I；充電預(yù)設(shè)時(shí)間后若電池的輸入電壓達(dá)到額定電壓，則繼續(xù)保持充電IC的輸出電壓V+75*I，充電預(yù)設(shè)時(shí)間后若電池的輸入電壓未達(dá)到額定電壓，則繼續(xù)對(duì)充電IC進(jìn)行電壓補(bǔ)償，此時(shí)可以以7R/8為基礎(chǔ)進(jìn)行電壓補(bǔ)償，也即為充電IC補(bǔ)償87.5*I的電壓，此時(shí)充電IC的輸出電壓變?yōu)閂+87.5*I，依次規(guī)律對(duì)充電IC進(jìn)行電壓補(bǔ)償。

實(shí)施例一的電壓降補(bǔ)償?shù)姆椒ǐ@取預(yù)設(shè)的電阻值R，所述預(yù)設(shè)的電阻值為充電芯片與電池之間的電路阻值；獲取所述充電芯片的輸出電壓V和輸出電流I；在對(duì)所述電池進(jìn)行恒流充電時(shí)，將所述充電芯片的輸出電壓調(diào)整至V+I*R1，其中所述R1小于所述R；增大所述R1，直到所述電池的輸入電壓等于所述電池的額定電壓。實(shí)施例一可以對(duì)電池與充電芯片之間線路的電壓降進(jìn)行更精確的補(bǔ)償，并且由于逐漸增大R1，也即逐漸增大補(bǔ)償電壓，也逐漸增大充電芯片的輸出電壓，因而加快了電池達(dá)到額定電壓的速度。

實(shí)施例二

圖2為本發(fā)明實(shí)施例二提供的電壓降補(bǔ)償?shù)难b置的結(jié)構(gòu)示意圖。所述電壓降補(bǔ)償?shù)难b置10安裝于電子設(shè)備(例如移動(dòng)終端)中。如圖2所示，所述電壓降補(bǔ)償?shù)难b置10可以包括：獲取單元201、電壓調(diào)整單元202、調(diào)整單元203。

獲取單元201，用于獲取預(yù)設(shè)的電阻值R，所述預(yù)設(shè)的電阻值為充電芯片與電池之間的電路阻值。

在本實(shí)施例中，所述電池可以為鋰電池，所述預(yù)設(shè)的電阻值可以為100歐姆。

在其他的實(shí)施例中，所述電池可以為其他類型的電池，例如鎳氫電池。

所述充電芯片用于對(duì)所述電池的充電過(guò)程進(jìn)行管理。所述充電芯片與電池可以集成在電子設(shè)備(例如移動(dòng)終端)中，所述電池為所述電子設(shè)備供電?；蛘撸龀潆娦酒梢园ㄔ诔潆娧b置中，所述充電裝置與所述電池相互獨(dú)立。

可以在所述電池充電之前測(cè)量所述充電芯片與電池之間的電阻，獲得所述預(yù)設(shè)的電阻值R。或者，可以在所述電池充電時(shí)測(cè)量所述充電芯片與電池之間的電壓與電流，根據(jù)歐姆定律計(jì)算所述預(yù)設(shè)的電阻值R。

獲取單元201，還用于獲取所述充電芯片的輸出電壓V和輸出電流I。

可以利用檢測(cè)設(shè)備測(cè)量所述充電芯片的輸出電壓V和輸出電流I。例如，利用萬(wàn)用表測(cè)量所述充電芯片的輸出電壓V和輸出電流I。或者，可以為所述充電芯片設(shè)計(jì)電壓與電流檢測(cè)電路，利用所述電壓與電流檢測(cè)電路檢測(cè)所述充電芯片的輸出電壓V和輸出電流I。

電壓調(diào)整單元202，用于在對(duì)所述電池進(jìn)行恒流充電時(shí)，將所述充電芯片的輸出電壓調(diào)整至V+I*R1，其中，所述R1小于所述R。

在本實(shí)施例中，所述R1可以等于R/2，即將所述充電芯片的輸出電壓調(diào)整至V+I*R/2。

在其他的實(shí)施例中，所述R1可以為其他數(shù)值。例如，所述R1可以等于R/3，即將所述充電芯片的輸出電壓調(diào)整至V+I*R/3。

調(diào)整單元203，用于增大所述R1，直到所述電池的輸入電壓是否等于所述電池的額定電壓。

可以將所述R1增加R2，在本實(shí)施例中，所述R2可以等于(R-R1)/2。即所述R1增大至(R+R1)/2。

在其他的實(shí)施例中，所述R2可以等于其他數(shù)值，例如等于(R-R1)/3。

可以每隔預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)增大所述R1。例如，每隔5分鐘增大所述R1。

當(dāng)所述R1增大后，所述充電芯片的輸出電壓相應(yīng)增大。例如，若所述R1增大至(R+R1)/2，所述充電芯片的輸出電壓相應(yīng)增大至V+I*(R+R1)/2。

在本發(fā)明實(shí)施例中，預(yù)設(shè)的電阻值R可以等于100歐姆。具體的，我們可以R/2為基礎(chǔ)進(jìn)行電壓補(bǔ)償，也即為充電IC補(bǔ)償50*I的電壓，此時(shí)充電IC的輸出電壓變?yōu)閂+50*I；充電預(yù)設(shè)時(shí)間后若電池的輸入電壓還未達(dá)到額定電壓，則再對(duì)充電IC進(jìn)行電壓補(bǔ)償，此時(shí)可以以3R/4為基礎(chǔ)進(jìn)行電壓補(bǔ)償，也即為充電IC補(bǔ)償75*I的電壓，此時(shí)充電IC的輸出電壓變?yōu)閂+75*I；充電預(yù)設(shè)時(shí)間后若電池的輸入電壓達(dá)到額定電壓，則繼續(xù)保持充電IC的輸出電壓V+75*I，充電預(yù)設(shè)時(shí)間后若電池的輸入電壓未達(dá)到額定電壓，則繼續(xù)對(duì)充電IC進(jìn)行電壓補(bǔ)償，此時(shí)可以以7R/8為基礎(chǔ)進(jìn)行電壓補(bǔ)償，也即為充電IC補(bǔ)償87.5*I的電壓，此時(shí)充電IC的輸出電壓變?yōu)閂+87.5*I，依次規(guī)律對(duì)充電IC進(jìn)行電壓補(bǔ)償。

實(shí)施例二的電壓降補(bǔ)償?shù)难b置獲取預(yù)設(shè)的電阻值R，所述預(yù)設(shè)的電阻值為充電芯片與電池之間的電路阻值；獲取所述充電芯片的輸出電壓V和輸出電流I；在對(duì)所述電池進(jìn)行恒流充電時(shí)，將所述充電芯片的輸出電壓調(diào)整至V+I*R1，其中所述R1小于所述R；增大所述R1，直到所述電池的輸入電壓等于所述電池的額定電壓。實(shí)施例二可以對(duì)電池與充電芯片之間線路的電壓降進(jìn)行更精確的補(bǔ)償，并且由于逐漸增大R1，也即逐漸增大補(bǔ)償電壓，也逐漸增大充電芯片的輸出電壓，因而加快了電池達(dá)到額定電壓的速度。

實(shí)施例三

圖3為本發(fā)明實(shí)施例三提供的實(shí)現(xiàn)本發(fā)明電壓降補(bǔ)償?shù)姆椒ǖ碾娮釉O(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖。所述電子設(shè)備1包括電壓降補(bǔ)償?shù)难b置10。所述電子設(shè)備1還包括存儲(chǔ)設(shè)備20、處理設(shè)備30。

優(yōu)選地，本發(fā)明的電壓降補(bǔ)償?shù)姆椒ㄍㄟ^(guò)所述電子設(shè)備1中的電壓降補(bǔ)償?shù)难b置10來(lái)實(shí)現(xiàn)。

所述電子設(shè)備1是一種能夠按照事先設(shè)定或存儲(chǔ)的指令，自動(dòng)進(jìn)行數(shù)值計(jì)算和/或信息處理的設(shè)備，其硬件包括但不限于微處理器、專用集成電路(Application Specific Integrated Circuit，ASIC)、可編程門陣列(Field－Programmable Gate Array，F(xiàn)PGA)、數(shù)字處理器(Digital Signal Processor，DSP)、嵌入式設(shè)備等。

所述電子設(shè)備1可以是，但不限于任何一種可與用戶通過(guò)鍵盤、鼠標(biāo)、遙控器、觸摸板或聲控設(shè)備等方式進(jìn)行人機(jī)交互的電子產(chǎn)品，例如，個(gè)人計(jì)算機(jī)、平板電腦、智能手機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理(Personal Digital Assistant，PDA)、游戲機(jī)、交互式網(wǎng)絡(luò)電視(Internet Protocol Television，IPTV)、智能式穿戴式設(shè)備等。

所述電子設(shè)備1所處的網(wǎng)絡(luò)包括，但不限于互聯(lián)網(wǎng)、廣域網(wǎng)、城域網(wǎng)、局域網(wǎng)、虛擬專用網(wǎng)絡(luò)(Virtual Private Network，VPN)等。

所述存儲(chǔ)設(shè)備20用于存儲(chǔ)所述電壓降補(bǔ)償?shù)难b置10中各個(gè)程序段的程序代碼。所述存儲(chǔ)設(shè)備20可以包括：U盤、移動(dòng)硬盤、只讀存儲(chǔ)器(Read-Only Memory，ROM)、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(Random Access Memory，RAM)、磁碟或者光盤等各種可以存儲(chǔ)程序代碼的介質(zhì)。

所述處理設(shè)備30可以包括一個(gè)或者多個(gè)微處理器、數(shù)字處理器。所述處理設(shè)備30執(zhí)行所述電壓降補(bǔ)償?shù)难b置10的各個(gè)程序段的程序代碼，獲取預(yù)設(shè)的電阻值R，所述預(yù)設(shè)的電阻值為充電芯片與電池之間的電路阻值；獲取所述充電芯片的輸出電壓V和輸出電流I；在對(duì)所述電池進(jìn)行恒流充電時(shí)，將所述充電芯片的輸出電壓調(diào)整至V+I*R1，其中所述R1小于所述R；增大所述R1，直到所述電池的輸入電壓等于所述電池的額定電壓。本發(fā)明可以對(duì)電池與充電芯片之間線路的電壓降進(jìn)行更精確的補(bǔ)償，并且由于逐漸增大R1，也即逐漸增大補(bǔ)償電壓，也逐漸增大充電芯片的輸出電壓，因而加快了電池達(dá)到額定電壓的速度。

在本發(fā)明所提供的幾個(gè)實(shí)施例中，應(yīng)該理解到，所揭露的裝置和方法，可以通過(guò)其它的方式實(shí)現(xiàn)。例如，以上所描述的裝置實(shí)施例僅僅是示意性的，例如，所述單元的劃分，僅僅為一種邏輯功能劃分，實(shí)際實(shí)現(xiàn)時(shí)可以有另外的劃分方式。

另外，在本發(fā)明各個(gè)實(shí)施例中的各功能單元可以集成在相同處理單元中，也可以是各個(gè)單元單獨(dú)物理存在，也可以兩個(gè)或兩個(gè)以上單元集成在相同單元中。上述集成的單元既可以采用硬件的形式實(shí)現(xiàn)，也可以采用硬件加軟件功能模塊的形式實(shí)現(xiàn)。

對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，顯然本發(fā)明不限于上述示范性實(shí)施例的細(xì)節(jié)，而且在不背離本發(fā)明的精神或基本特征的情況下，能夠以其他的具體形式實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。因此，無(wú)論從哪一點(diǎn)來(lái)看，均應(yīng)將實(shí)施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求而不是上述說(shuō)明限定，因此旨在將落在權(quán)利要求的等同要件的含義和范圍內(nèi)的所有變化涵括在本發(fā)明內(nèi)。不應(yīng)將權(quán)利要求中的任何附圖標(biāo)記視為限制所涉及的權(quán)利要求。此外，顯然“包括”一詞不排除其他單元或步驟，單數(shù)不排除復(fù)數(shù)。裝置權(quán)利要求中陳述的多個(gè)單元或裝置也可以由同一個(gè)單元或裝置通過(guò)軟件或者硬件來(lái)實(shí)現(xiàn)。第一，第二等詞語(yǔ)用來(lái)表示名稱，而并不表示任何特定的順序。

最后應(yīng)說(shuō)明的是，以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案而非限制，盡管參照較佳實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行修改或等同替換，而不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的精神和范圍。