本發(fā)明涉及電源開關技術(shù)領域，具體地，涉及一種高壓雷擊放電開關。

背景技術(shù)：

隨著城市經(jīng)濟的發(fā)展，感應雷和雷電波侵入造成的危害卻大大增加。一般建筑物上的避雷針只能預防直擊雷，而強大的電磁場產(chǎn)生的感應雷和脈沖電壓卻能潛入室內(nèi)危及電視、電話及電子儀表等用電設備。市面上普通的開關電源在雷擊防護上設計達不到市場要求，大部份只能達到6KV雷擊流通測試，有的產(chǎn)品甚至達不到最低的lKV要求，市場上銷售的開關電源大部沒有通過浪涌測試就進入市場，沒有做抗雷擊浪涌有效保護措施。通過對市場用戶的調(diào)研與事實證明，如電視機頂盒供電，電視機，DVD等設備，在惡劣的地區(qū)雷電多發(fā)環(huán)境下，如夏季雷電多發(fā)季，高壓浪涌進入電網(wǎng)，進入開關電源L、N端，造成一些開關電源的損壞不工作，影響到家庭與工業(yè)設備的使用，同時也造成一定隱患，常會先造成電源損壞，造成設備無法工作，壽命短，無法滿足各個行業(yè)與人民的生活設備需要。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供了一種高壓雷擊放電開關，設置多個串聯(lián)的大電流可控硅，能夠?qū)⒗讚綦妷悍謮?，在可控硅的柵極和陰極之間連接阻容移相電路，從而實現(xiàn)同步導通可控硅，避免可控硅被高壓擊穿。

本發(fā)明的技術(shù)方案如下：一種高壓雷擊放電開關，其電路中具有數(shù)個串聯(lián)的可控硅，每個所述可控硅的柵極和陰極之間連接阻容移相電路。

所述阻容移相電路為RC阻容移向電路，包括依次串聯(lián)的觸發(fā)變壓器，電阻元件和電容元件。

所述阻容移相電路中所述電阻元件并聯(lián)有二極管。

所述阻容移相電路為LC移向電路，包括依次串聯(lián)的觸發(fā)變壓器，電感線圈和電容元件。

本發(fā)明的有益效果為：本發(fā)明所述的高壓雷擊放電開關，包括數(shù)個串聯(lián)的可控硅，為了避免由于觸發(fā)變壓器和可控硅的器件分散性造成觸發(fā)導通不同步，損壞可控硅，在每個可控硅的柵極和陰極之間連接阻容移相電路，從而同步導通可控硅，避免可控硅被高壓擊穿。

附圖說明：

圖1為本發(fā)明所述可控硅的柵極和陰極之間連接阻容移相電路的電路圖。

圖2為本發(fā)明所述可控硅的柵極和陰極之間連接阻容移相電路的另一電路圖。

圖3為本發(fā)明所述可控硅的柵極和陰極之間連接阻容移相電路的再一電路圖。

具體實施方式

為了使本發(fā)明的發(fā)明目的，技術(shù)方案及技術(shù)效果更加清楚明白，下面結(jié)合具體實施方式對本發(fā)明做進一步的說明。應理解，此處所描述的具體實施例及相關附圖，僅用于解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。

一種高壓雷擊放電開關，其電路中具有數(shù)個串聯(lián)的大電流可控硅。每個可控硅的柵極和陰極之間都連接有阻容移相電路。

參照圖1，所述阻容移相電路為RC阻容移向電路，包括依次串聯(lián)的觸發(fā)變壓器，電阻元件和電容元件。

參照圖2，較佳地，所述阻容移相電路中所述電阻元件兩端并聯(lián)有二極管。

參照圖3，較佳地，所述阻容移相電路為LC移向電路，包括依次串聯(lián)的觸發(fā)變壓器，電感線圈和電容元件。

以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實施方式對本發(fā)明所作的進一步詳細說明，不能認定本發(fā)明的具體實施只局限于這些說明。對于本發(fā)明所屬技術(shù)領域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，其架構(gòu)形式能夠靈活多變，可以派生系列產(chǎn)品。只是做出若干簡單推演或替換，都應當視為屬于本發(fā)明由所提交的權(quán)利要求書確定的專利保護范圍。