1.一種基于耦合電抗的三相串聯(lián)DCDC電路，其特征在于，所述電路包括：
串聯(lián)的母線電容C1、C2；
多相IGBT橋臂，所述三相IGBT橋臂分別與所述母線電容C1、C2的一端連接，同時，所述多相IGBT橋臂依次相互并聯(lián)；
多組耦合電抗，所述多組耦合電抗分別與所述多相IGBT橋臂交錯連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述電路還包括：
串聯(lián)的電阻R1、R2，其中，所述電阻R1與所述母線電容C1連接，所述電阻R2與所述母線電容C2連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述多相IGBT橋臂包括：
第一IGBT橋臂，包括依次串聯(lián)的IGBT管Q1、IGBT管Q2、IGBT管Q7、IGBT管Q8；
第二IGBT橋臂，包括依次串聯(lián)的IGBT管Q3、IGBT管Q4、IGBT管Q9、IGBT管Q10；
第三IGBT橋臂，包括依次串聯(lián)的IGBT管Q5、IGBT管Q6、IGBT管Q11、IGBT管Q12。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電路，其特征在于，所述多組耦合電抗包括：
第一耦合電抗L1，所述第一耦合電抗L1的一端連接所述IGBT管Q5，另一端連接IGBT管Q11；
第二耦合電抗L2，所述第二耦合電抗L2的一端連接所述IGBT管Q3，另一端連接IGBT管Q9；
第三耦合電抗L3，所述第三耦合電抗L3的一端連接所述IGBT管Q2，另一端連接IGBT管Q8。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電路，其特征在于，所述電路還包括：
第一電流傳感器ISEN，與所述第一耦合電抗L1串聯(lián)；
第二電流傳感器ISEN，與所述第二耦合電抗L1串聯(lián)；
第三電流傳感器ISEN，與所述第三耦合電抗L1串聯(lián)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電路，其特征在于，所述電路還包括：
母線電容C3，所述母線電容C3連接所述第一電流傳感器ISEN、第二電流傳感器ISEN和第三電流傳感器ISEN。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電路，其特征在于，所述IGBT管Q1與Q2，Q3與Q4，Q5與Q6，Q7與Q8，Q9與Q10，Q11與Q12分別互補工作。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電路，其特征在于，所述IGBT管Q1與Q8，Q3與Q10，Q5與Q12驅(qū)動分別相同，相位錯開120度。
9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電路，其特征在于，所述IGBT管Q2與Q7，Q4與Q9，Q6與Q11驅(qū)動也分別相同，相位錯開120度。